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51. 发明申请

WO2011107094A3 SOLARZELLE MIT DIELEKTRISCHER RÜCKSEITENVERSPIEGELUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2011107094A3
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/DE2011/075036
申请日：2011-03-03
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , MÜNZER, Adolf , TEPPE, Andreas , SCHÖNE, Jan , SCHLOSSER, Reinhold , KELLER, Steffen
发明人： MÜNZER, Adolf , TEPPE, Andreas , SCHÖNE, Jan , SCHLOSSER, Reinhold , KELLER, Steffen
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/052
摘要： Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle (70), bei welchem auf eine Rückseite eines Solarzellensubstrats (72) ein Schichtstapel (74, 76) dielektrischer Schichten (74, 76) aufgebracht wird (14, 16; 54, 56), der Schichtstapel (74, 75) erhitzt und während eines Zeitraums von wenigstens 5 Minuten auf Temperaturen von mindestens 700°C gehalten wird (20) sowie Solarzelle (70).

52. 发明申请

WO2010100561A1 PROCESS AND DEVICE FOR THE THERMAL CONVERSION OF METALLIC PRECURSOR LAYERS INTO SEMICONDUCTING LAYERS USING A CHALCOGEN SOURCE 审中-公开
标题翻译：金属前驱体层转换成半导体层的过程和器件
公开(公告)号：WO2010100561A1
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：PCT/IB2010/000472
申请日：2010-03-08
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , KÖTSCHAU, Immo , LENZ, Reinhard , SCHMID, Dieter , HARTUNG, Robert, Michael
发明人： KÖTSCHAU, Immo , LENZ, Reinhard , SCHMID, Dieter , HARTUNG, Robert, Michael
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/58
CPC分类号： C23C14/0623 , C23C14/5866
摘要： The present invention relates to a process for the thermal conversion of metallic precursor layers on flat substrates into semiconducting layers with a recovery of chalcogen, as well as a device for carrying out the process. The aim of the invention is to provide a rapid and readily executable process for the thermal conversion of metallic precursor layers, as well as a device suitable for carrying out the process with as small as possible primary consumption of chalcogens..This is achieved by forming an inlet-side and outlet-side gas lock (4.1, 4.2, 4.3, 4.4) for closing a furnace chamber (1) in an oxygen-tight manner, introducing one or more substrates (6) prepared with at least one metallic precursor layer into the furnace chamber (1), introducing a chalcogen vapour /carrier gas mixture (10) above the substrates (6) at a pressure close to atmospheric pressure, said mixture being distributed as uniformly as possible over the width of the substrates (6), heating the substrates (6) in the chalcogen vapour/carrier gas atmosphere (10) to a final temperature with the metallic precursor layers being transformed into semiconducting layers, removing the chalcogen vapour that has not been consumed in the reaction, cooling the substrates (6) and removing the latter from the furnace chamber (1). It is advantageous to heat the substrates (6) in a protective gas atmosphere to a temperature at which as far as possible no condensation of chalcogens can take place.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在平坦基板上将金属前体层热转化成具有回收硫族元素的半导体层的方法，以及用于实施该方法的装置。本发明的目的是提供一种用于金属前体层的热转化的快速且容易执行的方法，以及适于以尽可能少的硫化氢原子消耗的方式进行该方法的装置。这是通过形成用于以不透气的方式关闭炉室（1）的入口侧和出口侧气体锁（4.1,4.2,4.3,4.4），引入一个或多个由至少一个金属前体层制备的基底（6）在炉室（1）中，在接近大气压的压力下在基板（6）上方引入硫属元素蒸汽/载气混合物（10），所述混合物在基板（6）的宽度上尽可能均匀地分布，，将金属前体层转变为半导体层，将硫霉素蒸汽/载气气氛（10）中的基板（6）加热至最终温度，除去反应中未被消耗的硫属蒸汽，冷却基板（6）并将其从炉室（1）中取出。将保护气体气氛中的基板（6）加热到尽可能不发生硫属元素的冷凝的温度是有利的。

53. 发明申请

WO2010100560A1 PROCESS AND DEVICE FOR THE THERMAL CONVERSION OF METALLIC PRECURSOR LAYERS INTO SEMICONDUCTING LAYERS WITH CHALCOGEN RECOVERY 审中-公开
标题翻译：金属前驱体层转换成半导体层的过程和器件与CHALCOGEN RECOVERY
公开(公告)号：WO2010100560A1
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：PCT/IB2010/000462
申请日：2010-03-05
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , HARTUNG, Robert, Michael , KÖTSCHAU, Immo , SCHMID, Dieter
发明人： HARTUNG, Robert, Michael , KÖTSCHAU, Immo , SCHMID, Dieter
IPC分类号： H01L21/36 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C14/5866 , H01L21/02614 , H01L31/0322 , Y02E10/541
摘要： The present invention concerns a process for the thermal conversion of metallic precursor layers on flat substrates into semiconducting layers with a recovery of chalcogen, as well as a device for carrying out the process. The aim of the invention is to provide a rapid and readily executable process for the thermal conversion of metallic precursor layers on flat substrates into semiconducting layers, as well as a device suitable for carrying out the process with as small as possible primary consumption of chalcogens. This is achieved by heating substrates in a furnace at approximately atmospheric pressure to a final temperature in the range 400°C to 6000C and transforming them into semiconducting layers in an atmosphere formed from a mixture of at least one carrier gas and chalcogen vapour, wherein chalcogen vapour not consumed in the reaction is made available to the process again via exhaust gas recirculation.
摘要翻译：本发明涉及一种在平坦基板上将金属前体层热转化成具有硫属元素回收的半导体层的方法，以及用于实施该方法的装置。本发明的目的是提供一种用于将平坦基底上的金属前体层热转化成半导体层的快速且容易执行的方法，以及适于以尽可能少的硫原子消耗初次消耗的方式进行该方法的装置。这通过将炉中的基板在大气压下加热到400℃至600℃的最终温度并将其转化成由至少一种载气和硫族元素蒸汽的混合物形成的气氛中的半导体层来实现，其中硫族元素在反应中不消耗的蒸气通过废气再循环再次可用于该方法。

54. 发明申请

WO2010035126A3 DIFFUSION DEVICE FOR THE PRODUCTION OF SOLAR CELLS AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELLS 审中-公开
公开(公告)号：WO2010035126A3
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：PCT/IB2009/006981
申请日：2009-09-28
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , NUSSBAUMER, Hartmut
发明人： NUSSBAUMER, Hartmut
IPC分类号： H01L21/677 , H01L31/18
摘要： A diffusion device (1; 28) for the production of solar cells comprises a first dopant source applicator {3) by means of which a dopant source (5) can be disposed on a substrate (7), a first continuous furnace (12) arranged downstream in the process direction (10) through which the substrates (7) can pass, by means of which dopant from the dopant source (5) can be diffused into the substrate (7), and a second continuous furnace (14; 44) arranged downstream of the first continuous furnace (12) in the process direction which is disposed such that a surface passivating layer is formed on the substrates (7) while they pass through the second continuous furnace (14; 44), and an etching device (16) disposed between the first (12) and the second (14; 44) continuous furnace which is arranged to at least partially remove layers formed at the surface of the substrates (7) during the passage through the first continuous furnace (12); and a process for producing solar cells (60).

55. 发明申请

WO2007051457A3 ANTIREFLECTIVE COATING ON SOLAR CELLS AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF SUCH AN ANTIREFLECTIVE COATING 审中-公开
标题翻译：太阳能电池上的抗反射涂层，以及制造这种抗反射涂层的方法
公开(公告)号：WO2007051457A3
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/DE2006001927
申请日：2006-11-02
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , MOELLER RAINER , HARTUNG ROBERT MICHAEL
发明人： MOELLER RAINER , HARTUNG ROBERT MICHAEL
IPC分类号： H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02168 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to an antireflective coating on solar cells made of crystalline silicon as well as a method for producing such an antireflective coating. The aim of the invention is to create an antireflective coating on solar cells made of crystalline silicon which makes it possible to optimize the optical and passivating properties thereof while making it possible to easily and economically integrate the production thereof into the production process especially of very thin crystalline silicon solar cells. Said aim is achieved by the fact that the antireflective coating is composed of successive partial layers, i.e. a lower partial layer (S1) which covers the crystalline silicon, is embodied as an antireflective coating and as passivation with a particularly great hydrogen concentration, and is covered by an upper partial layer (S2) having an increased barrier effect against hydrogen diffusion.
摘要翻译：晶体硅太阳能电池上的抗反射涂层及其制造方法技术领域本发明涉及晶体硅太阳能电池上的抗反射涂层及其制造方法。本发明提供太阳能电池上的抗反射涂层是从晶体硅创建，无论是光学和钝化特性的最佳设计使得和它们的制备可以在生产过程中，特别是非常薄的晶体硅太阳能电池的容易和经济集成。实现的是，连续子层的防反射涂层由其中形成低的事实，结晶硅（S），其覆盖部分层（S1）作为防反射涂层和钝化具有特别高的氢含量，顶层的（S2）覆盖着增加的屏障效应，防止氢向外扩散。

56. 发明申请

WO2006133695A1 VERFAHREN ZUR ENTFERNUNG EINER DOTIERTEN OBERFLÄCHENSCHICHT AN RÜCKSEITEN VON KRISTALLINEN SILIZIUM-SOLARWAFERN 审中-公开
标题翻译：方法去除掺杂表层BACK晶体硅太阳能硅片
公开(公告)号：WO2006133695A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/DE2006/001058
申请日：2006-06-14
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZÜR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , HEINTZE, Moritz , MÖLLER, Rainer , WANKA, Harald , LOPEZ, Elena , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , ROSINA, Milan
发明人： HEINTZE, Moritz , MÖLLER, Rainer , WANKA, Harald , LOPEZ, Elena , HOPFE, Volkmar , DANI, Ines , ROSINA, Milan
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/3065 , H01L27/142 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum einseitigen Entfernen einer dotierten Oberflächenschicht an Rückseiten von kristallinen Silizium-Solarwafern. Gemäss der gestellten Aufgabe sollen dotierte Oberflächenschichten von Rückseiten solcher Solarwafer kostengünstig und bei substratschonender Handhabung entfernt werden können. Ausserdem soll die Frontseite nicht verändert werden. Erfindungsgemäss wird im Bereich des Atmosphärendruckes mit einem Plasma ein Ätzgas auf die rückseitige Oberfläche von Slizium-Solarwafern gerichtet.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于除去在晶体硅太阳能晶片的背面的一掺杂的表面层。根据对象集合是可以以低成本和衬底温和处理去除这样的太阳能晶片的背面表面的掺杂表面层。此外，前不应改变。根据本发明涉及在用等离子蚀刻气体，Slizium太阳能晶片的背面大气压的面积。

57. 发明申请

WO2006131251A1 DOTIERGEMISCH FÜR DIE DOTIERUNG VON HALBLEITERN 审中-公开
标题翻译：掺杂用于掺杂半导体学报
公开(公告)号：WO2006131251A1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：PCT/EP2006/005195
申请日：2006-05-31
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. , BIRO, Daniel , VOYER, Catherine , WANKA, Harald , KORIATH, Jörg
发明人： BIRO, Daniel , VOYER, Catherine , WANKA, Harald , KORIATH, Jörg
IPC分类号： C30B31/04 , H01L21/225 , H01L29/167
CPC分类号： H01L21/2225 , C30B31/04 , H01L21/228 , H01L29/167
摘要： Die Erfindung betrifft ein Dotiergemisch für die Beschichtung von Halbleitersubstraten, die anschließend einer Hochtemperaturbehandlung zur Bildung einer dotierten Schicht zugeführt werden. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Dotiergemisches sowie dessen Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于涂覆半导体衬底然后将其馈送到高温处理，以形成一个掺杂层的掺杂混合物。本发明还涉及一种用于制造这样的掺杂混合物及其使用的方法。

58. 发明申请

WO2017097680A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM THERMISCHEN BEHANDELN VON SUBSTRATEN SOWIE AUFNAHMEEINHEIT FÜR SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：基片热处理方法和装置以及基片记录单元
公开(公告)号：WO2017097680A1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：PCT/EP2016/079628
申请日：2016-12-02
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： MÜLLER, Steffen , ASCHNER, Helmut , KELLER, Thomas , KEGEL, Wilhelm , LERCH, Wilfried
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324 , F27B17/00 , H01L33/00 , H01L21/687 , F27D5/00
CPC分类号： H01L21/67115 , F27B17/0025 , F27D5/0037 , H01L21/68742 , H01L21/6875 , H01L21/68785
摘要： Es ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten, eine insbesondere Halbleiterwafern, sowie eine Aufnahmeeinheit für Substrate beschrieben. Bei dem Verfahren werden in einer Prozesseinheit mit einer Prozesskammer und einer Vielzahl von Strahlungsquellen, ein oder mehrere Substrate in einer Box mit einem Unterteil und einem Deckel aufgenommen, wobei das Unterteil und der Deckel dazwischen einen Aufnahmeraum für das Substrat bilden. Ferner werden bei dem Verfahren die folgenden Schritte durchgeführt: Beladen der Box und des Substrats in die Prozesskammer und Schließen derselben; Spülen des Aufnahmeraums der Box mit einem Spülgas und/oder einem Prozessgas vor einem Aufheizen der Box und des darin befindlichen Substrats auf eine gewünschte Prozesstemperatur, um im inneren der Box eine gewünschte Atmosphäre einzustellen; und Aufheizen der Box und des darin befindlichen Substrats auf die gewünschte Prozesstemperatur mittels von den Strahlungsquellen emittierter Wärmestrahlung. Die Aufnahmeeinheit für Substrate, ist zum Tragen der Substrate in einer Prozesseinheit mit einer Prozesskammer und einer Vielzahl von Strahlungsquellen ausgebildet. Die Aufnahmeeinheit besitzt ein Unterteil und einen Deckel, die im geschlossenen Zustand eine Box mit einen Aufnahmeraum für das Substrat dazwischen bilden, wobei wenigstens einer der Teile eine Vielzahl von Spülöffnungen aufweist, die einen Umfang der Box mit dem Aufnahmeraum verbinden, um das Spülen des Aufnahmeraums im geschlossenen Zustand der Box zu ermöglichen, wobei die Spülöffnungen derart ausgebildet sind, dass sie den Durchtritt von Wärmestrahlung der Strahlungsquellen im Wesentlichen verhindern.
摘要翻译：描述了用于热处理衬底，特别是半导体晶片和用于衬底的接收单元的方法和设备。在该方法中，在与处理室中的处理单元和多个辐射源，加入一个或多个基板在一个盒子具有底部部分和一个盖，其中，所述下部件和所述盖之间限定用于导航使用形式的容纳空间R的基板。此外，在该方法中，执行以下步骤：将箱子和基板装载到处理室及其封盖中; 在将箱体和其中的基板加热到期望的处理温度之前用烟道气和/或处理气体堆积箱体接收空间以在箱体的内部设定期望的气氛; 并通过由辐射源发射的热辐射将箱体和其中的基板加热到期望的处理温度。衬底接收单元适于在具有处理室和多个辐射源的处理单元中支撑衬底。接收单元具有一个底部和一个盖，其在关闭状态下与导航使用形式的容纳空间的盒ř其间的基底，其中至少一个所述部件的多个连接与接收空间中的盒的周边具有sp导航用途开口; L＆OUML 以允许盒子中的空间在盒子的关闭状态下被关闭，口腔开口基本上防止来自辐射源的辐射热的通过。

59. 发明申请

WO2017050772A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PASSIVIEREN VON DEFEKTEN IN HALBLEITERSUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备半导体衬底中的钝化缺陷
公开(公告)号：WO2017050772A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/EP2016/072321
申请日：2016-09-20
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： PERNAU, Thomas , VÖLK, Peter , ELSER, Hans-Peter , SCHEIFFELE, Wolfgang , REICHART, Andreas , ROMER, Olaf , JOOSS, Wolfgang
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , Y02E10/50
摘要： Es sind Verfahren und eine Vorrichtung zum Passivieren von Defekten eines Halbleitersubstrats, insbesondere einer Solarzelle auf Siliziumbasis beschrieben. Gemäß dem Verfahren wird das Substrat während einer ersten Prozessphase mit elektromagnetischer Strahlung beaufschlagt, wobei die auf das Substrat gerichtete Strahlung wenigstens Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 aufweist. Hierbei kann es zu einer Aufheizung des Substrats kommen, oder es kann eine Temperierung vorgesehen werden. Anschließend wird das Substrat während einer der ersten Prozessphase folgenden Temperatur-Haltephase mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlt, wobei die auf das Substrat gerichtete Strahlung primär Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 aufweist, während eine von einer Quelle der elektromagnetischen Strahlung abgewandten Seite des Substrats über einen Kontakt mit einer durch eine Kühlvorrichtung gekühlten Auflage gekühlt wird. Die Vorrichtung weist einen Durchlaufofen mit einem langgestreckten Prozessraum mit wenigstens drei in Folge angeordneten Zonen aus erster Prozesszone, Temperatur-Haltezone und Abkühlzone und wenigstens eine Transporteinheit zur Aufnahme und zum Transport des Substrats durch die Zonen auf. Die Vorrichtung weist ferner wenigstens eine erste Strahlungsquelle auf, die elektromagnetische Strahlung auf einen in der ersten Prozesszone liegenden Bereich der Transporteinheit strahlen kann, und die geeignet ist wenigstens Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 zu erzeugen, sowie wenigstens eine zweite Strahlungsquelle, die elektromagnetische Strahlung auf einen in der Temperatur-Haltezone befindlichen Bereich der Transporteinheit strahlen kann, und die geeignet ist wenigstens Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 zu erzeugen. Wenigstens eine erste Kühleinheit ist in wärmeleitendem Kontakt mit dem in der Temperatur-Haltezone befindlichen Bereich der Transporteinheit angeordnet.
摘要翻译：有用于在半导体衬底的缺陷钝化已知的方法和设备，特别是基于描述硅的太阳能电池。根据该方法，将基板在与电磁辐射的第一处理阶段，其特征在于，引导到衬底的辐射包括至少在低于1200纳米的范围内，至少8000瓦/ m 2的强度的波长采取行动。这可能会导致衬底的加热，或者它可以是能够提供温度控制。随后，在如下的温度保持阶段的第一工艺阶段中的一个所述基板照射用电磁辐射，冲着衬底辐射从源电磁之一期间主要波长范围内的低于1200纳米，至少8000瓦/平方米的包括强度，从衬底的背向辐射侧由具有用冷却器冷却垫接触而冷却。该装置包括具有从第一处理区，保温区域和冷却区和至少一个输送单元布置在序列中的至少三个区域，用于接收和通过所述区输送基板的细长的处理室中的连续式炉。该装置还包括至少一个第一射线源，电磁辐射能够照射横卧在输送单元的第一处理区区域，并且其适于在该范围内至少波长低于1200纳米和产生平方米至少8000瓦的强度/和至少其中可以在所述传送单元的温度保持区区域中的对象发出的电磁辐射的第二辐射源，并且其适于在低于1200纳米的范围内，至少是8000瓦/平方米，以产生的强度至少波长。至少一个第一冷却单元被设置成与位于所述输送单元的温度保持区区域导热接触。

60. 发明申请

WO2016156551A1 WAFERBOOT UND BEHANDLUNGSVORRICHTUNG FÜR WAFER 审中-公开
标题翻译：晶舟和处置器械晶圆
公开(公告)号：WO2016156551A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/EP2016/057173
申请日：2016-03-31
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： KLICK, Michael , ROTHE, Ralf , LERCH, Wilfried , REHLI, Johannes
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/67313 , C23C16/4587 , C23C16/505 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/02123 , H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67383 , H01L21/67754 , H01L21/67757 , H01L21/68771
摘要： Es ist ein Waferboot für die Plasmabehandlung von scheibenförmigen Wafern, insbesondere Halbleiterwafem für Halbleiter- oder Photovoltaikanwendungen beschrieben, das eine Vielzahl von parallel zueinander angeordneten Platten aus einem elektrisch leitenden Material aufweist, die an ihren zueinander weisenden Seiten jeweils wenigstens eine Aufnahme für einen Wafer besitzen und einen Aufnahmebereich der Platten definieren. Es ist eine Vielzahl von Abstandselementen vorgesehen, die zwischen direkt benachbarten Platten angeordnet sind, um die Platten parallel anzuordnen, wobei die Abstandselemente elektrisch leitend sind. Es ist auch eine Plasma-Behandlungsvorrichtung für Wafer und ein Verfahren zur Plasmabehandlung von Wafern beschrieben. Die Vorrichtung weist einen Prozessraum zur Aufnahme eines Waferbootes des zuvor genannten Typs, Mitteln zum Steuern oder Regeln einer Prozessgasatmosphäre in dem Prozessraum und wenigstens eine Spannungsquelle auf, die mit den Platten des Waferbootes in geeigneter Weise verbindbar ist, um zwischen direkt benachbarten Platten des Waferbootes eine elektrische Spannung anzulegen, wobei die wenigstens eine Spannungsquelle geeignet ist wenigstens eine Gleichspannung oder eine Niederfrequenz-Wechselspannung und eine Hochfrequenz-Wechselspannung anzulegen. Bei dem Verfahren wird während einer Aufheizphase eine Gleichspannung oder einer Niederfrequenz-Wechselspannung an die Platten des Waferbootes derart angelegt, dass sich die Abstandselemente aufgrund eines Stromflusses durch sie hindurch erwärmen, und während einer Prozessphase wird eine Hochfrequenz-Wechselspannung an die Platten des Waferbootes angelegt, um zwischen den daran aufgenommenen Wafern ein Plasma zu erzeugen.
摘要翻译：这是一个晶片舟皿的等离子体处理盘形的晶片，特别是半导体晶片为半导体或光电应用所描述的，包括多个导电材料的相互平行的板，每个具有用于在其相互面对的侧面的晶片的至少一个插座，并限定所述板的接收区域。有设有多个间隔元件被以安排在平行板布置下一相邻面板之间的，与所述间隔元件是导电的。这里还描述了用于晶片和等离子处理系统对晶片的等离子体处理的方法。该设备包括处理腔室，用于接收上述类型的晶舟，装置，用于控制在工艺腔室的工艺气体气氛和至少一个电压源，其被连接到所述晶舟的板以合适的方式对晶片舟一个的下一相邻面板之间其中，所述至少一个电压源，其适于施加至少一个DC电压或低频率的交流电压，和一个高频交流电压施加电压，。在该方法中，直流电压或低频率的交流电压施加到晶片舟皿的板，在加热阶段施加，使得所述间隔元件由于电流流过穿过他们的热量，和在工艺过程中的阶段，高频交流电压被施加到晶片舟的板，以产生记录的，因为晶片之间的等离子体。

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