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1. 发明申请

WO2016156607A1 WAFERBOOT UND PLASMA-BEHANDLUNGSVORRICHTUNG FÜR WAFER 审中-公开
标题翻译：晶舟及电浆处理装置晶片
公开(公告)号：WO2016156607A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/EP2016/057287
申请日：2016-04-01
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： KLICK, Michael , ROTHE, Ralf , LERCH, Wilfried , REHLI, Johannes
IPC分类号： H01L21/673 , H01J37/32
CPC分类号： C23C14/34 , B65G21/20 , H01J37/32715 , H01L21/28 , H01L21/67313 , H01L21/67316
摘要： Es sind Waferboote für die Plasmabehandlung von scheibenförmigen Wafern, insbesondere Halbleiterwafern für Halbleiter- oder Photovoltaikanwendungen und eine Plasma-Behandlungsvorrichtung für Wafer beschrieben. Ein Waferboot weist eine Vielzahl von parallel zueinander angeordneten ersten Aufnahmeelementen auf, die jeweils eine Vielzahl von Aufnahmeschlitzen zur Aufnahme eines Randbereichs eines Wafers oder eines Waferpaars besitzen, sowie eine Vielzahl von parallel zueinander angeordneten zweiten Aufnahme elementen, die jeweils elektrisch leitfähig sind und wenigstens eine Vertiefung zur Aufnahme eines Randbereichs wenigstens eines Wafers oder eines Waferpaars besitzen. Ein alternatives Waferboot weist eine Vielzahl von parallel zueinander angeordneten elektrisch leitfähigen plattenförmigen Aufnahmeelementen auf, die ein Höhe besitzen, die kleiner ist als die Hälfte der Höhe der aufzunehmenden Wafer, wobei die Aufnahmeelemente an ihren entgegengesetzten Seiten jeweils wenigstens drei Aufnahmeelemente zum Aufnehmen von Wafern aufweisen. Die Waferboote können in den Prozess raum der Plasma-Behandlungsvorrichtung aufgenommen werden, die Mittel zum Steuern oder Regeln einer Prozessgasatmosphäre in dem Prozessraum und wenigstens eine Spannungsquelle aufweist, die mit den elektrisch leitfähigen Aufnahmeelementen des Waferbootes in geeigneter Weise verbindbar ist, um zwischen direkt benachbarten, im Waferboot aufgenommenen Wafern eine elektrische Spannung anzulegen.
摘要翻译：有用于等离子体处理盘形的晶片，特别是半导体晶片为半导体和光伏应用，以及用于描述晶片的等离子体处理系统，晶片舟皿。晶片舟皿具有多个在其上分别具有多个收容槽，用于接收晶片或晶片对的边缘部分的相互平行的第一接收元件，以及多个平行的布置的第二接收元件，其中在每种情况下导电性和至少一个凹部拥有用于接收至少一个晶片或晶片对的边缘部分。一种替代晶舟具有多个在每种情况下相互平行的导电板形接收元件，其具有的高度为阳晶片的小于一半的高度，其中，所述接收元件具有在其相对的两侧，用于接收晶片的至少三个记录元件。该晶片舟皿可被包括在包括用于控制在所述处理室和至少一个电压源的处理气体气氛下，其可连接到所述晶舟的导电接收元件以适当的方式直接相邻之间进行选择的装置的等离子体处理系统的处理室，施加在晶片舟皿的晶片收纳的电电压。

2. 发明申请

WO2016156606A1 PLASMA-BEHANDLUNGSVORRICHTUNG FÜR WAFER 审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置晶片
公开(公告)号：WO2016156606A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/EP2016/057285
申请日：2016-04-01
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： KLICK, Michael , ROTHE, Ralf , LERCH, Wilfried , REHLI, Johannes
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/67313 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32577 , H01J37/32715 , H01L21/67326
摘要： Um eine verbesserte Einleitung von hochfrequenten Wellen in ein Waferboot vorzusehen wird eine Plasma-Behandlungsvorrichtung, insbesondere für Halbleiterwafer für Halbleiter- oder Photovoltaikanwendungen vorgesehen, die einen Prozessraum zur Aufnahme eines Waferbootes mit eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Aufnahmeelementen für die Wafer, Mittel zum Steuern oder Regeln einer Prozessgasatmosphäre in dem Prozessraum und wenigstens eine Spannungsquelle aufweist, die über eine in den Prozessraum geführte Leitung mit dem Waferboot verbindbar ist. Die Leitung ist als Koaxialleitung mit einem Innenleiter und einem Außenleiter ausgebildet und zwischen dem Innenleiter und dem Außenleiter ist ein Dielektrikum derart vorgesehen ist, das bei einer Beaufschlagung mit hochfrequenter Spannung die Ausbreitungsgeschwindigkeit und die Wellenlänge der elektromagnetischen Welle im Koaxialleiter gegenüber einer entsprechenden Ausbreitungsgeschwindigkeit und Wellenlänge der elektromagnetischen Welle im Vakuum vermindert wird.
摘要翻译：在一个晶片舟一种改进的引入高频波的提供是等离子体处理装置中，尤其用于半导体晶片为半导体或光伏应用程序，用于接收具有多个用于所述晶片的导电接收元件的晶片舟的处理室的装置，用于控制具有在处理室中的处理气体气氛和至少一个电压源，这是通过一个引导到与晶片舟处理空间线连接。该生产线被设计为具有内导体和外导体的同轴电缆线，并且所述内导体和外导体之间是当受到高频电压时，传播速度，并在同轴导体的电磁波的到相应的传播速度的波长和波长的设置，使得电介质电磁波在真空中减少。

3. 发明申请

WO2016156552A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR PLASMABEHANDLUNG VON WAFERN 审中-公开
标题翻译：装置和方法的等离子体处理晶片
公开(公告)号：WO2016156552A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/EP2016/057174
申请日：2016-03-31
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： KLICK, Michael , ROTHE, Ralf , LERCH, Wilfried , REHLI, Johannes
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/67017 , H01J37/3244
摘要： Es ist eine Plasma-Behandlungsvorrichtung für Substrate und ein Verfahren zur Plasmabehandlung von Wafern, insbesondere Halbleiterwafer für Halbleiter- oder Photovoltaikanwendungen beschrieben. Die Vorrichtung weist einen langgestreckten Prozessraum auf, der einen Aufnahmebereich für ein Waferboot, das zur Aufnahme einer Vielzahl von Wafern geeignet ist, definiert, sowie wenigstens ein sich in Längsrichtung im Prozessraum erstreckendes Gasführungsrohr, das auf einer Seite des Aufnahmebereichs angeordnet ist und wenigstens ein sich in Längsrichtung im Prozessraum erstreckendes Gasführungsrohr, das auf der gegenüberliegenden Seite des Aufnahmebereichs angeordnet ist. Die Gasführungsrohre weisen jeweils eine Vielzahl von wenigstens in Längsrichtung der Gasführungsrohre beabstandete Durchgangsöffnungen für den Durchtritt von Gas auf, wobei die Durchgangs-Öffnungen in der zum Aufnahmebereich weisenden Seite der Gasführungsrohre ausgebildet sind. Ferner ist wenigstens eine Gaszuführeinheit und wenigstens eine Gasabführeinheit vorgesehen, wobei die wenigstens eine Gaszuführeinheit mit dem wenigstens einen Gasführungsrohr und die wenigstens eine Gasabführeinheit mit dem anderen Gasführungsrohr verbindbar ist. Bei dem Verfahren ist eine Vielzahl von Wafer, insbesondere Halbleiterwafer für Halbleiter oder Photovoltaikanwendungen, in einem Waferboot im Prozessraum einer Plasma-Behandlungsvorrichtung des obigen Typs aufgenommen und das Verfahren weist die folgenden Schritte auf Einstellen einer gewünschten Gasatmosphäre in der Prozesskammer durch Einleiten wenigstens eines Gases über wenigstens eines der Gasführungsrohre über die gesamte Länge des Waferbootes hinweg, und Anlegen einer Hochfrequenz-Wechselspannung an das Waferboot, um während einer Prozessphase zwischen den aufgenommenen Wafern ein Plasma zu erzeugen.
摘要翻译：它是用于衬底的等离子体处理系统和晶片，特别是半导体晶片用于描述半导体或光电应用的等离子体处理的方法。该装置包括一个细长的处理室，其限定用于晶片舟，其适于接收多个晶片的接收区域，以及至少一个在所述处理腔室的气体引导管，其被放置在接收区域的一侧和至少一个在纵向方向上延伸在处理腔室延伸的气体导管，其被布置在所述容纳区域的相反侧的纵向方向。气体导向管每一个都具有多个通孔至少隔开气体引导管的长度方向为气体的通道，在面向气体导管的接收部侧的一侧形成的通孔的。另外，气体供给单元和至少一个Gasabführeinheit至少被设置，其中，所述与气体导管并与其它气体引导管一个Gasabführeinheit一个气体供应单元可连接至少至少至少。在该方法中，多个晶片，特别是半导体晶片为半导体或光电应用，容纳在晶片舟在上述类型的等离子体处理装置和方法的处理腔室包括在处理室中设置所希望的气体气氛中的步骤，通过在引入至少一种气体气体导向管随时间晶片舟的整个长度的至少一个，并且施加高频交流电压到晶舟以生成期间所捕获的晶片之间的处理相的等离子体。

4. 发明申请

WO2015025032A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM DETEKTIEREN EINER PLASMAZÜNDUNG 审中-公开
标题翻译：方法和装置等离子点火检测
公开(公告)号：WO2015025032A1
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：PCT/EP2014/067897
申请日：2014-08-22
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG , HQ-DIELECTRICS GMBH
发明人： KEGEL, Wilhelm , LERCH, Wilfried , NIESS, Jürgen , SACHER, Nicole
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32917 , G01L23/08 , H01J37/3222 , H01J37/32935
摘要： Es ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Detektieren eines Plasmas in einer Prozesskammer zur Behandlung von Substraten offenbart. Bei dem Verfahren wird der Drucks innerhalb der Prozesskammer mit einem Drucksensor über einen Zeitraum gemessen, eine sprunghafte Druckänderung detektiert und eine Zündung oder ein Erlöschens eines Plasmas anhand wenigstens der Druckänderung bestimmt. Die Vorrichtung weist eine Prozesskammer zur Aufnahme wenigstens eines Substrats mit wenigstens einem Plasmaerzeuger, wenigstens einen Drucksensor, der so angeordnet ist, dass er den Druck innerhalb der Prozesskammer detektieren und ein dem Druck entsprechendes Ausgangssignal ausgeben kann, und wenigstens eine Auswerteeinheit auf. Die Auswerteeinheit ist in der Lage ein Ausgangssignal des Drucksensors über einen Zeitraum hinweg zu verfolgen und anhand wenigstens einer sprunghaften Veränderung des Ausgangssignals des Drucksensors eine Zündung oder ein Erlöschens eines Plasmas zu bestimmen.
摘要翻译：它公开了一种方法和用于处理基板的处理室中检测等离子体的装置。在该方法中，处理室中的压力与用于周期的压力传感器测得的，检测压力的急剧变化，并且至少压力变化来确定基于等离子体的点火或灭绝。该装置包括处理室，用于至少接收与至少一个等离子体发生器，其被设置为检测所述处理腔室中的压力，并且可以输出相应的压力输出信号，并且至少一个评估单元的至少一个压力传感器的基板。评估单元可以遵循在一个位置上，在一段时间和压力传感器的输出信号中的至少一个突变的基础上，所述压力传感器的输出信号以确定等离子体的点火或灭绝。

5. 发明申请

WO2017097680A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM THERMISCHEN BEHANDELN VON SUBSTRATEN SOWIE AUFNAHMEEINHEIT FÜR SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：基片热处理方法和装置以及基片记录单元
公开(公告)号：WO2017097680A1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：PCT/EP2016/079628
申请日：2016-12-02
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： MÜLLER, Steffen , ASCHNER, Helmut , KELLER, Thomas , KEGEL, Wilhelm , LERCH, Wilfried
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324 , F27B17/00 , H01L33/00 , H01L21/687 , F27D5/00
CPC分类号： H01L21/67115 , F27B17/0025 , F27D5/0037 , H01L21/68742 , H01L21/6875 , H01L21/68785
摘要： Es ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten, eine insbesondere Halbleiterwafern, sowie eine Aufnahmeeinheit für Substrate beschrieben. Bei dem Verfahren werden in einer Prozesseinheit mit einer Prozesskammer und einer Vielzahl von Strahlungsquellen, ein oder mehrere Substrate in einer Box mit einem Unterteil und einem Deckel aufgenommen, wobei das Unterteil und der Deckel dazwischen einen Aufnahmeraum für das Substrat bilden. Ferner werden bei dem Verfahren die folgenden Schritte durchgeführt: Beladen der Box und des Substrats in die Prozesskammer und Schließen derselben; Spülen des Aufnahmeraums der Box mit einem Spülgas und/oder einem Prozessgas vor einem Aufheizen der Box und des darin befindlichen Substrats auf eine gewünschte Prozesstemperatur, um im inneren der Box eine gewünschte Atmosphäre einzustellen; und Aufheizen der Box und des darin befindlichen Substrats auf die gewünschte Prozesstemperatur mittels von den Strahlungsquellen emittierter Wärmestrahlung. Die Aufnahmeeinheit für Substrate, ist zum Tragen der Substrate in einer Prozesseinheit mit einer Prozesskammer und einer Vielzahl von Strahlungsquellen ausgebildet. Die Aufnahmeeinheit besitzt ein Unterteil und einen Deckel, die im geschlossenen Zustand eine Box mit einen Aufnahmeraum für das Substrat dazwischen bilden, wobei wenigstens einer der Teile eine Vielzahl von Spülöffnungen aufweist, die einen Umfang der Box mit dem Aufnahmeraum verbinden, um das Spülen des Aufnahmeraums im geschlossenen Zustand der Box zu ermöglichen, wobei die Spülöffnungen derart ausgebildet sind, dass sie den Durchtritt von Wärmestrahlung der Strahlungsquellen im Wesentlichen verhindern.
摘要翻译：描述了用于热处理衬底，特别是半导体晶片和用于衬底的接收单元的方法和设备。在该方法中，在与处理室中的处理单元和多个辐射源，加入一个或多个基板在一个盒子具有底部部分和一个盖，其中，所述下部件和所述盖之间限定用于导航使用形式的容纳空间R的基板。此外，在该方法中，执行以下步骤：将箱子和基板装载到处理室及其封盖中; 在将箱体和其中的基板加热到期望的处理温度之前用烟道气和/或处理气体堆积箱体接收空间以在箱体的内部设定期望的气氛; 并通过由辐射源发射的热辐射将箱体和其中的基板加热到期望的处理温度。衬底接收单元适于在具有处理室和多个辐射源的处理单元中支撑衬底。接收单元具有一个底部和一个盖，其在关闭状态下与导航使用形式的容纳空间的盒ř其间的基底，其中至少一个所述部件的多个连接与接收空间中的盒的周边具有sp导航用途开口; L＆OUML 以允许盒子中的空间在盒子的关闭状态下被关闭，口腔开口基本上防止来自辐射源的辐射热的通过。

6. 发明申请

WO2016156551A1 WAFERBOOT UND BEHANDLUNGSVORRICHTUNG FÜR WAFER 审中-公开
标题翻译：晶舟和处置器械晶圆
公开(公告)号：WO2016156551A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/EP2016/057173
申请日：2016-03-31
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： KLICK, Michael , ROTHE, Ralf , LERCH, Wilfried , REHLI, Johannes
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/67313 , C23C16/4587 , C23C16/505 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32908 , H01J37/3299 , H01L21/02123 , H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67383 , H01L21/67754 , H01L21/67757 , H01L21/68771
摘要： Es ist ein Waferboot für die Plasmabehandlung von scheibenförmigen Wafern, insbesondere Halbleiterwafem für Halbleiter- oder Photovoltaikanwendungen beschrieben, das eine Vielzahl von parallel zueinander angeordneten Platten aus einem elektrisch leitenden Material aufweist, die an ihren zueinander weisenden Seiten jeweils wenigstens eine Aufnahme für einen Wafer besitzen und einen Aufnahmebereich der Platten definieren. Es ist eine Vielzahl von Abstandselementen vorgesehen, die zwischen direkt benachbarten Platten angeordnet sind, um die Platten parallel anzuordnen, wobei die Abstandselemente elektrisch leitend sind. Es ist auch eine Plasma-Behandlungsvorrichtung für Wafer und ein Verfahren zur Plasmabehandlung von Wafern beschrieben. Die Vorrichtung weist einen Prozessraum zur Aufnahme eines Waferbootes des zuvor genannten Typs, Mitteln zum Steuern oder Regeln einer Prozessgasatmosphäre in dem Prozessraum und wenigstens eine Spannungsquelle auf, die mit den Platten des Waferbootes in geeigneter Weise verbindbar ist, um zwischen direkt benachbarten Platten des Waferbootes eine elektrische Spannung anzulegen, wobei die wenigstens eine Spannungsquelle geeignet ist wenigstens eine Gleichspannung oder eine Niederfrequenz-Wechselspannung und eine Hochfrequenz-Wechselspannung anzulegen. Bei dem Verfahren wird während einer Aufheizphase eine Gleichspannung oder einer Niederfrequenz-Wechselspannung an die Platten des Waferbootes derart angelegt, dass sich die Abstandselemente aufgrund eines Stromflusses durch sie hindurch erwärmen, und während einer Prozessphase wird eine Hochfrequenz-Wechselspannung an die Platten des Waferbootes angelegt, um zwischen den daran aufgenommenen Wafern ein Plasma zu erzeugen.
摘要翻译：这是一个晶片舟皿的等离子体处理盘形的晶片，特别是半导体晶片为半导体或光电应用所描述的，包括多个导电材料的相互平行的板，每个具有用于在其相互面对的侧面的晶片的至少一个插座，并限定所述板的接收区域。有设有多个间隔元件被以安排在平行板布置下一相邻面板之间的，与所述间隔元件是导电的。这里还描述了用于晶片和等离子处理系统对晶片的等离子体处理的方法。该设备包括处理腔室，用于接收上述类型的晶舟，装置，用于控制在工艺腔室的工艺气体气氛和至少一个电压源，其被连接到所述晶舟的板以合适的方式对晶片舟一个的下一相邻面板之间其中，所述至少一个电压源，其适于施加至少一个DC电压或低频率的交流电压，和一个高频交流电压施加电压，。在该方法中，直流电压或低频率的交流电压施加到晶片舟皿的板，在加热阶段施加，使得所述间隔元件由于电流流过穿过他们的热量，和在工艺过程中的阶段，高频交流电压被施加到晶片舟的板，以产生记录的，因为晶片之间的等离子体。

7. 发明公开

EP3278356A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR PLASMABEHANDLUNG VON WAFERN 审中-公开
标题翻译：用于等离子体处理的装置和方法
公开(公告)号：EP3278356A1
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：EP16715275.0
申请日：2016-03-31
申请人： Centrotherm Photovoltaics AG
发明人： KLICK, Michael , ROTHE, Ralf , LERCH, Wilfried , REHLI, Johannes
IPC分类号： H01L21/67 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/67017 , H01J37/3244
摘要： The invention relates to a plasma treatment device for substrates and to a method for plasma-treating wafers, in particular semiconductor wafers for semiconductor or photovoltaic applications. The device has an elongated processing chamber, which defines a receiving region for a wafer boat that is suitable for receiving a plurality of wafers; at least one gas conducting tube which extends in the processing chamber in the longitudinal direction and which is arranged on one side of the receiving region; and at least one gas conducting tube which extends in the processing chamber in the longitudinal direction and which is arranged on the opposite side of the receiving region. Each of the gas conducting tubes has a plurality of through-openings, which are spaced apart at least in the longitudinal direction of the gas conducting tubes, for the passage of gas, and the through-openings are formed in the gas conducting tube side facing the receiving region. Furthermore, at least one gas supply unit and at least one gas discharge unit are provided, wherein the at least one gas supply unit can be connected to at least one gas conducting tube, and the at least one gas discharge unit can be connected to the other gas conducting tube. In the method, a plurality of wafers, in particular semiconductor wafers for semiconductor or photovoltaic applications, are received in a wafer boat in the processing chamber of a plasma treatment device of the aforementioned type, and the method has the following steps: setting a desired gas atmosphere in the processing chamber by introducing at least one gas over the entire length of the wafer boat via at least one of the gas conducting tubes; and applying a high-frequency alternating voltage to the wafer boat in order to generate a plasma between the received wafers during a processing phase.

8. 发明公开

EP3036754A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM DETEKTIEREN EINER PLASMAZÜNDUNG 审中-公开
标题翻译：方法和装置等离子点火检测
公开(公告)号：EP3036754A1
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：EP14755652.6
申请日：2014-08-22
申请人： Centrotherm Photovoltaics AG , HQ-Dielectrics GmbH
发明人： KEGEL, Wilhelm , LERCH, Wilfried , NIESS, Jürgen , SACHER, Nicole
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32917 , G01L23/08 , H01J37/3222 , H01J37/32935
摘要： The invention relates to a method and a device for detecting a plasma in a process chamber for treating substrates. In the method, the pressure within the process chamber is measured by means of a pressure sensor over a time period, a sudden pressure change is detected, and an ignition or an extinguishing of a plasma is identified on the basis of at least the pressure change. The device comprises: a process chamber for accommodating at least one substrate, which process chamber has at least one plasma generator; at least one pressure sensor, which is arranged in such a way that the at least one pressure sensor can detect the pressure within the process chamber and can output an output signal corresponding to the pressure, and at least one evaluating unit. The evaluating unit is capable of tracking an output signal of the pressure sensor over a time period and identifying an ignition or an extinguishing of a plasma on the basis of at least one sudden change in the output signal of the pressure sensor.

9. 发明公开

EP3278358A1 WAFERBOOT UND PLASMA-BEHANDLUNGSVORRICHTUNG FÜR WAFER 审中-公开
标题翻译： WAFER的晶片和血浆处理装置
公开(公告)号：EP3278358A1
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：EP16713909.6
申请日：2016-04-01
申请人： Centrotherm Photovoltaics AG
发明人： KLICK, Michael , ROTHE, Ralf , LERCH, Wilfried , REHLI, Johannes
IPC分类号： H01L21/673 , H01J37/32
CPC分类号： C23C14/34 , B65G21/20 , H01J37/32715 , H01L21/28 , H01L21/67313 , H01L21/67316
摘要： Wafer boats for plasma treatment of disk-shaped wafers, in particular, semiconductor wafers for semiconductor or photovoltaic applications, and a plasma treatment device for wafers are described. A wafer boat has a plurality of first receiving elements arranged parallel to one another, which each have a plurality of receiving slots for receiving an edge region of a wafer or of a wafer pair, as well as a plurality of second receiving elements arranged parallel to one another which are each electrically conductive and have at least one depression for receiving an edge region of at least one wafer or one wafer pair. An alternative wafer boat has a plurality of electrically-conductive, plate-shaped receiving elements arranged parallel to one another which have a height that is less than half of the height of the wafers to be received, wherein the receiving elements each have at least three receiving elements on the opposing sides for receiving wafers. The wafer boats can be received in the processing chamber of the plasma treatment device, which has means for controlling or monitoring a process gas atmosphere in the processing chamber and at least one power source which can be connected to the electrically-conductive receiving elements of the wafer boat in a suitable way in order to apply an electrical voltage between directly adjacent wafers received in the wafer boat.

10. 发明授权

EP2732065B1 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT BEI TIEFEN TEMPERATUREN 有权转让
公开(公告)号：EP2732065B1
公开(公告)日：2019-02-13
申请号：EP12737208.4
申请日：2012-07-12
申请人： HQ-Dielectrics GmbH , centrotherm photovoltaics AG
发明人： NIESS, Jürgen , LERCH, Wilfried , KEGEL, Wilhelm , GSCHWANDTNER, Alexander
IPC分类号： C23C8/10 , C23C8/36 , C23C8/38

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