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1. 发明申请

WO2017050772A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PASSIVIEREN VON DEFEKTEN IN HALBLEITERSUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备半导体衬底中的钝化缺陷
公开(公告)号：WO2017050772A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/EP2016/072321
申请日：2016-09-20
申请人： CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG
发明人： PERNAU, Thomas , VÖLK, Peter , ELSER, Hans-Peter , SCHEIFFELE, Wolfgang , REICHART, Andreas , ROMER, Olaf , JOOSS, Wolfgang
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67173 , Y02E10/50
摘要： Es sind Verfahren und eine Vorrichtung zum Passivieren von Defekten eines Halbleitersubstrats, insbesondere einer Solarzelle auf Siliziumbasis beschrieben. Gemäß dem Verfahren wird das Substrat während einer ersten Prozessphase mit elektromagnetischer Strahlung beaufschlagt, wobei die auf das Substrat gerichtete Strahlung wenigstens Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 aufweist. Hierbei kann es zu einer Aufheizung des Substrats kommen, oder es kann eine Temperierung vorgesehen werden. Anschließend wird das Substrat während einer der ersten Prozessphase folgenden Temperatur-Haltephase mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlt, wobei die auf das Substrat gerichtete Strahlung primär Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 aufweist, während eine von einer Quelle der elektromagnetischen Strahlung abgewandten Seite des Substrats über einen Kontakt mit einer durch eine Kühlvorrichtung gekühlten Auflage gekühlt wird. Die Vorrichtung weist einen Durchlaufofen mit einem langgestreckten Prozessraum mit wenigstens drei in Folge angeordneten Zonen aus erster Prozesszone, Temperatur-Haltezone und Abkühlzone und wenigstens eine Transporteinheit zur Aufnahme und zum Transport des Substrats durch die Zonen auf. Die Vorrichtung weist ferner wenigstens eine erste Strahlungsquelle auf, die elektromagnetische Strahlung auf einen in der ersten Prozesszone liegenden Bereich der Transporteinheit strahlen kann, und die geeignet ist wenigstens Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 zu erzeugen, sowie wenigstens eine zweite Strahlungsquelle, die elektromagnetische Strahlung auf einen in der Temperatur-Haltezone befindlichen Bereich der Transporteinheit strahlen kann, und die geeignet ist wenigstens Wellenlängen im Bereich unter 1200 nm und eine Intensität von wenigstens 8000 Watt/m 2 zu erzeugen. Wenigstens eine erste Kühleinheit ist in wärmeleitendem Kontakt mit dem in der Temperatur-Haltezone befindlichen Bereich der Transporteinheit angeordnet.
摘要翻译：有用于在半导体衬底的缺陷钝化已知的方法和设备，特别是基于描述硅的太阳能电池。根据该方法，将基板在与电磁辐射的第一处理阶段，其特征在于，引导到衬底的辐射包括至少在低于1200纳米的范围内，至少8000瓦/ m 2的强度的波长采取行动。这可能会导致衬底的加热，或者它可以是能够提供温度控制。随后，在如下的温度保持阶段的第一工艺阶段中的一个所述基板照射用电磁辐射，冲着衬底辐射从源电磁之一期间主要波长范围内的低于1200纳米，至少8000瓦/平方米的包括强度，从衬底的背向辐射侧由具有用冷却器冷却垫接触而冷却。该装置包括具有从第一处理区，保温区域和冷却区和至少一个输送单元布置在序列中的至少三个区域，用于接收和通过所述区输送基板的细长的处理室中的连续式炉。该装置还包括至少一个第一射线源，电磁辐射能够照射横卧在输送单元的第一处理区区域，并且其适于在该范围内至少波长低于1200纳米和产生平方米至少8000瓦的强度/和至少其中可以在所述传送单元的温度保持区区域中的对象发出的电磁辐射的第二辐射源，并且其适于在低于1200纳米的范围内，至少是8000瓦/平方米，以产生的强度至少波长。至少一个第一冷却单元被设置成与位于所述输送单元的温度保持区区域导热接触。

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