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21. 发明申请

WO2014056911A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT INTEGRIERTER SCHUTZDIODE UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：具有集成保护二极管和方法亚光电子成分在制造
公开(公告)号：WO2014056911A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/EP2013/070944
申请日：2013-10-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L25/16 , H01L33/62 , H01L33/00
CPC分类号： H01L25/167 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L29/861 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381 , H01L2224/03002 , H01L2224/03334 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/036 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05647 , H01L2224/11002 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/13147 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32145 , H01L2224/73203 , H01L2224/83005 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/92143 , H01L2224/94 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (10, 20) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (100) mit einer ersten Oberfläche (121), an der ein erster (130) und ein zweiter elektrischer Kontakt (135) angeordnet sind. Die erste Oberfläche (121) grenzt an einen Formkörper (170) an. Ein erster (160) und ein zweiter Stift (165) sind in den Formkörper (170) eingebettet und elektrisch leitend mit dem ersten (130) und dem zweiten Kontakt (135) verbunden. Eine Schutzdiode (140) ist in den Formkörper eingebettet und elektrisch leitend mit dem ersten (130) und dem zweiten Kontakt (135) verbunden.
摘要翻译：的光电元件（10，20）包括一个光电子半导体芯片（100）具有第一表面（121）在其上的第一（130）和第二电触点（135）被布置。所述第一表面（121）邻近的成形体（170）。第一（160）和第二销（165）嵌入在模制体（170）和电连接到所述第一（130）和所述第二接触（135）连接。保护二极管（140）被嵌入在模制体和导电地连接到所述第一（130）和所述第二接触（135）连接。

22. 发明申请

WO2012034828A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012034828A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/EP2011/064386
申请日：2011-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
发明人： ENGL, Karl , MAUTE, Markus , WEIMAR, Andreas , HÖPPEL, Lutz , RODE, Patrick , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An optoelectronic semiconductor chip is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) and a carrier substrate (10), wherein a first (7) and a second electrical contact layer (8) are arranged at least in regions between the carrier substrate (10) and the semiconductor layer sequence (2) and are electrically insulated from one another by an electrically insulating layer (9), and comprising a mirror layer (6), which is arranged between the semiconductor layer sequence (2) and the carrier substrate (10). The mirror layer (6) adjoins partial regions of the first electrical contact layer (7) and partial regions (19) of the electrically insulating layer (9), wherein the partial regions (19) of the electrically insulating layer (9) which adjoin the mirror layer (6) are covered by the second electrical contact layer (8) in such a way that at no point do they adjoin a surrounding medium of the optoelectronic semiconductor chip (1). The semiconductor layer sequence (2) has a cut-out (17), in which the first electrical contact layer (7) is uncovered in order to form a connection contact (14).
摘要翻译：规定了包括半导体层序列（2）和载体基板（10）的光电半导体芯片，其中第一（7）和第二电接触层（8）至少布置在载体基板（10））和半导体层序列（2），并且通过电绝缘层（9）彼此电绝缘，并且包括布置在半导体层序列（2）和载体基板（2）之间的镜面层（6） 10）。镜层（6）邻接第一电接触层（7）的部分区域和电绝缘层（9）的部分区域（19），其中电绝缘层（9）的部分区域（19）镜层（6）被第二电接触层（8）覆盖，使得它们不会与光电半导体芯片（1）的周围介质邻接。半导体层序列（2）具有切口（17），其中第一电接触层（7）未被覆盖以形成连接接触（14）。

23. 发明申请

WO2012000725A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件与方法研究
公开(公告)号：WO2012000725A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/EP2011/058579
申请日：2011-05-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz
发明人： HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/62 , H01L31/0224 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/62 , H01L27/144 , H01L31/02005 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterchip (1) und einem Träger (12) angegeben, der mittels einer Verbindungsschicht (14) aus einem Metall oder einer Metalllegierung mit dem Halbleiterchip (1) verbunden ist, wobei der Halbleiterchip (1) dem Träger (12) zugewandte elektrische Anschlussbereiche (18, 19) aufweist und der Träger (12) an einer von dem Halbleiterchip (1) abgewandten Rückseite elektrische Rückseitenkontakte (28, 29) aufweist. Die Rückseitenkontakte (28, 29) sind jeweils mit mindestens einer Durchkontaktierung (15), die durch den Träger (12) verläuft, mit dem ersten elektrischen bzw. zweiten Anschlussbereich (18, 19) elektrisch leitend verbunden, wobei der erste und/oder der zweite elektrische Rückseitenkontakt (28, 29) mit mindestens einer weiteren Durchkontaktierung (15, 16), die durch den Träger verläuft, mit dem ersten bzw. dem zweiten elektrischen Anschlussbereich (18, 19) verbunden ist. Ferner wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Bauelements angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种光电子器件，包括由金属或与半导体芯片（1）的金属合金的，其通过连接层相连接的半导体芯片（1）和载体（12）（14），其中所述半导体芯片（1）（载体 12）背离背侧电背侧触点（28，29）背向电连接区域（18，19）和一个上的载体（12）（半导体芯片1的）。背侧接触部（28，29）分别设置有通过至少一个（15）通过支撑（12）通过，与所述第一电和第二连接区域（18，19）导电地连接，其中所述第一和/或所述第二电背接触（28，29）通过所述支撑件延伸的至少一个另外的通触点（15，16），被连接到第一和第二电连接区域（18，19）。此外，提供了用于生产这样的光电装置的有利方法。

24. 发明申请

WO2011006719A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ANORGANISCHEN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法无机光电半导体器件
公开(公告)号：WO2011006719A1
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/EP2010/058160
申请日：2010-06-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
发明人： HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/05 , H01L33/405 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/48091 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2933/0025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) beinhaltet dieses einen Träger (2) und mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (3). Die Halbleiterschichtenfolge (3) weist zumindest eine aktive Schicht (30) auf. Die Halbleiterschichtenfolge (3) ist ferner an dem Träger (2) angebracht. Weiterhin beinhaltet das Halbleiterbauteil (1) einen Metallspiegel (4), der sich zwischen dem Träger (2) und der Halbleiterschichtenfolge (3) befindet. Der Träger (2) und die Halbleiterschichtenfolge (3) überragen den Metallspiegel (4) in lateraler Richtung. Außerdem ist der Metallspiegel (4) in lateraler Richtung unmittelbar von einer strahlungsdurchlässigen Verkapselungsschicht (5) umgeben.
摘要翻译：在此光电子半导体器件（1）中的至少一个实施例包括载体（2）和至少一个半导体层序列（3）。半导体层序列（3）包括至少一个活性层（30）。半导体层序列（3）还连接到所述载体（2）。此外，半导体组件（1）包括金属反射镜（4），其位于所述载体（2）和所述半导体层（3）序列之间。所述支撑件（2）和所述半导体层序列（3）突出超过在横向方向上的金属反射镜（4）。另外，金属反射镜（4）在横向方向上通过一个透射辐射的封装层包围的直接（5）。

25. 发明申请

WO2010136326A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OBERFLÄCHENMONTIERBAREN OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：表面贴装光电子半导体芯片及其制造方法的表面安装的光电半导体芯片
公开(公告)号：WO2010136326A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/EP2010/056366
申请日：2010-05-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
发明人： HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , ILLEK, Stefan
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L33/64 , H01L33/38 , H01L25/16
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90) umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.
摘要翻译：在一个支撑件（10），具有两个电通孔（30，70）的表面安装光电子半导体芯片（90）的至少一个实施例。此外，半导体芯片包括至少一个半导体层序列（1）。此外，半导体芯片（90）包括两个电连接层（3，7）。连接层（3，7）这种重叠在横向方向上，并且彼此电通过分离层绝缘。第二连接层的一部分的至少一个孔离开所述载体并通过第一连接层上延伸。此外，至少一个导电粘合剂层上的半导体芯片。通过中断所述至少一个粘接层是这样切割，没有电连接的粘合增进层在通孔之间进行比较。此外，半导体芯片的至少一个导电桥。中断以及通过不被半导体层序列覆盖。

26. 发明申请

WO2018177810A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND BAUTEIL FÜR EIN ELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2018177810A1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：PCT/EP2018/057013
申请日：2018-03-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/78
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauteilen (10) für elektronische Bauelemente angegeben, bei dem ein Substrat bereitgestellt wird. Ein Bauteilverbund (20) wird auf dem Substrat angeordnet, woraufhin eine Verankerungsschicht (30) auf den Bauteilverbund aufgebracht wird. Ein Träger (9) wird auf der Verankerungsschicht derart befestigt, dass die Verankerungsschicht zwischen dem Substrat und dem Träger angeordnet ist. Anschließend wird das Substrat entfernt. Der Bauteilverbund wird durch Bildung einer Mehrzahl von Trenngräben (4) zu einer Mehrzahl von Bauteilen zerteilt, wobei die Bauteile nach dem Entfernen des Substrats weiterhin durch die Verankerungsschicht auf dem Träger gehalten werden. Die Verankerungsschicht weist zumindest eine Sollbruchschicht (36) mit zumindest einer Sollbruchstelle (33) auf, wobei die Sollbruchstelle von den Trenngräben lateral umgeben und in Draufsicht auf den Träger von einem der Bauteile bedeckt ist. Des Weiteren ein Bauteil angegeben, das einen Hauptkörper (2) und eine Trägerschicht (40) umfasst, wobei eine dem Hauptkörper abgewandte Oberfläche (32, 42) der Trägerschicht Trennspuren (T) eines mechanischen Bruchs aufweist.

27. 发明申请

WO2017009331A1 BAUELEMENT MIT VERBESSERTEN AUSKOPPELEIGENSCHAFTEN 审中-公开
标题翻译：具有改进的AUSKOPPELEIGENSCHAFTEN COMPONENT
公开(公告)号：WO2017009331A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2016/066525
申请日：2016-07-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MAUTE, Markus , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , SCHWARZ, Thomas , SABATHIL, Matthias , WIRTH, Ralph , LINKOV, Alexander , BAUR, Johannes
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
摘要： Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine aktive Schicht (23) aufweist, die im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (L) eingerichtet ist. Das Bauelement weist außerdem eine elektrische Kontaktschicht (61) auf einer Strahlungsaustrittsfläche auf, wobei das Bauelement in unmittelbarer Umgebung der elektrischen Kontaktschicht eine Abschirmungsstruktur (4) enthält, die dazu eingerichtet ist, ein Auftreffen der von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf die Kontaktschicht zu verhindern.
摘要翻译：据上述（1）和，布置在所述载体上的半导体主体（2），具有载体的组件（100），其中，具有在装置的操作过程中的活性层（23），该组（L），用于产生电磁辐射的半导体主体是。该装置还包括适于产生从所述接触层上的有源层的电磁辐射所产生的的冲击上的辐射出射表面上的电接触层（61），其中，在所述电接触层的附近，该装置包括一个屏蔽结构（4）预防。

28. 发明申请

WO2016113032A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2016113032A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：PCT/EP2015/078225
申请日：2015-12-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
摘要： Es wird ein Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Metallschicht (3) und einer zweiten Metallschicht (4) angegeben, wobei die erste Metallschicht zwischen dem Halbleiterkörper und der zweiten Metallschicht angeordnet ist. Der Halbleiterkörper weist eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine aktive Schicht (23) auf. Das Bauelement weist eine Durchkontaktierung (24) auf, die sich durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht erstreckt. Die zweite Metallschicht enthält einen ersten Teilbereich (41) und einen von dem ersten Teilbereich durch einen Zwischenraum (40) lateral beabstandeten zweiten Teilbereich (42), wobei der erste Teilbereich mit der Durchkontaktierung elektrisch verbunden und einer ersten elektrischen Polarität des Bauelements zugeordnet ist. Die erste Metallschicht überbrückt den Zwischenraum in Draufsicht lateral vollständig und ist einer von der ersten elektrischen Polarität verschiedenen zweiten elektrischen Polarität des Bauelements zugeordnet. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有半导体主体（2），第一金属层的装置（3）和第二金属层（4），其中，所述半导体本体和第二金属层之间的第一金属层设置。所述半导体本体包括第一半导体层（21），第二半导体层（22）和有源层（23）。该组件具有一个孔（24）穿过所述第二半导体层和有源层穿透到所述第一半导体层电接触延伸。所述第二金属层包括由间隙（40）横向间隔开的第二部分（42），第一部分（41）和所述第一部分中的一个，其特征在于与通孔电连接到，并与组件的第一电极性相关联的第一部分区域。第一金属层桥接在俯视的间隙完全横向和被分配给从所述组件的第一电极性第二电极性不同的方向上。此外，提供了一种用于制造这样的部件提供了一种方法。

29. 发明申请

WO2015036231A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件及其制造方法的光电子半导体器件
公开(公告)号：WO2015036231A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/EP2014/068000
申请日：2014-08-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , STOLL, Ion , SCHWARZ, Thomas , SINGER, Frank , DIRSCHERL, Georg , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/60 , H01L33/54
CPC分类号： H01L33/60 , H01L24/24 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend einen lichtdurchlässigen Träger (10), eine Halbleiterschichtenfolge (11) auf dem lichtdurchlässigen Träger (10) und elektrische Anschlussstellen (12) an der dem lichtdurchlässigen Träger (10) abgewandten Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11), - einem lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3), das den optoelektronischen Halbleiterchip (1) stellenweise umschließt, und - Partikeln (41) eines lichtstreuenden und/oder lichtreflektierenden Materials, wobei - die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) frei vom lichtdurchlässigen Umhüllungsmaterial (3) ist, und - die Partikel (41) die Unterseite der Halbleiterschichtenfolge (11) und eine Außenfläche des Umhüllungsmaterials (3) stellenweise bedecken.
摘要翻译：本发明提供一种光电子半导体器件，包括： - 在光透射支座（10）上的透光性的载体上的光电子半导体芯片（1），包括具有透光性的支撑体（10），半导体层序列（11）（10）和电连接点（12）背向半导体层序列（11），下侧 - 透光覆盖材料（3），这使包围光电子半导体芯片（1），和 - 游离的半导体层序列的下侧（11） - 一个光散射和/或光反射材料，其特征在于，颗粒（41）是透光性覆盖材料（3），以及 - 所述颗粒（41）局部地覆盖半导体层序列（11）和所述包装材料（3）的外表面的下侧。

30. 发明申请

WO2015011205A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片光电子器件及其制造方法半导体芯片
公开(公告)号：WO2015011205A1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：PCT/EP2014/065850
申请日：2014-07-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/483 , H01L33/22 , H01L33/60 , H01L33/62
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Träger (2) und einen Halbleiterkörper (1) umfassend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) aufweist, wobei der Halbleiterkörper auf dem Träger angeordnet ist, der Halbleiterkörper eine dem Träger abgewandte erste Hauptfläche (1A) und eine dem Träger zugewandte zweite Hauptfläche (1B) aufweist, der Halbleiterchip eine Seitenfläche (1C) mit einer Verankerungsstruktur (4) aufweist, und die zweite Hauptfläche zwischen der ersten Hauptfläche und der Verankerungsstruktur angeordnet ist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einensolchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个支撑件（2）和半导体主体（1），包括设置用于产生电磁辐射的活性层（13），其中半导体本体被设置在支承体，半导体本体中的载流子中的开口的光电子半导体芯片（10）背离第一主表面（1A）和一个离开穿着者面对（1b）中的半导体芯片，一个侧表面（1C）与锚定结构（4），并且所述第一主表面和锚定结构之间的第二主表面设置在第二主表面上。此外，光电子器件（100），其具有给定的这样的半导体芯片及其制造多个这样的半导体芯片的方法。

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