专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2020070022A1 BAUELEMENT MIT VERGRÖßERTER AKTIVER ZONE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2020070022A1
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：PCT/EP2019/076277
申请日：2019-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/42
摘要： Es wird ein Bauelement (10) mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Elektrode (3) und einer zweiten Elektrode (4) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine dazwischenliegende aktive Zone (23) aufweist. Die erste Elektrode ist zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht eingerichtet und weist einen ersten Verteilungssteg (30) zur gleichmäßigen Stromverteilung in der ersten Halbleiterschicht auf. Die zweite Elektrode ist zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht eingerichtet und weist einen zweiten Verteilungssteg (40) zur gleichmäßigen Stromverteilung in der zweiten Halbleiterschicht auf. Der erste Verteilungssteg und der zweite Verteilungssteg sind bereichsweise übereinander auf derselben Seite des Halbleiterkörpers angeordnet, wobei sie in Draufsicht bereichsweise überlappen und den Halbleiterkörper nur stellenweise bedecken. Außerdem erstreckt sich der erste Verteilungssteg stellenweise durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Zone hindurch zur ersten Halbleiterschicht, wobei die aktive Zone in Überlappungsbereichen des Halbleiterkörpers mit dem ersten Verteilungssteg nur stellenweise entfernt ist.

2. 发明申请

WO2017036854A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2017036854A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/EP2016/069883
申请日：2016-08-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PERZLMAIER, Korbinian , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L33/647
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (23) angegeben, der einen aktiven Bereich (39) aufweist, und einem Träger (3) mit einer ersten Trägerfläche (5), auf der der Halbleiterkörper angeordnet ist, und einer zweiten Trägerfläche (7) auf der vom Halbleiterkörper abgewandten Seite, wobei der Träger einen Verbundkörper (11, 13, 15) aufweist, der zumindest einen elektrisch leifähigen Leiterkörper (11, 13) und zumindest einen elektrisch isolierenden Formkörper (15) aufweist, wobei sich der Leiterkörper von der ersten Trägerfläche bis zur zweiten Trägerfläche erstreckt und elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich verbunden ist, und wobei der Verbundkörper zugstabil ausgebildet ist.
摘要翻译：它是包括提供一种具有有源区（39）的半导体主体（23）和支撑的光电子半导体芯片（1）（3），其具有（5）在其上的半导体本体被布置在第一支撑面和第二支撑面（7）具有上侧远离主体的半导体侧上，其中所述载体是具有至少一个电leifähigen导体主体（11，13）和至少一个电绝缘模制体（15）的复合体（11，13，15），所述导体本体达所述第二支承表面从第一支承表面延伸，并电连接到有源区，并且其中所述复合体中形成zugstabil。

3. 发明申请

WO2017012945A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法制造半导体芯片和发射辐射的半导体芯片的各种
公开(公告)号：WO2017012945A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/EP2016/066626
申请日：2016-07-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz , MOLNAR, Attila
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/44
摘要： Es wird unter anderem ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips angegeben, umfassend die folgende Schritte: -Bereitstellen eines Substrats (1), -Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Substrat (1), -Erzeugen einer Vielzahl von Ausnehmungen (6) in der Halbleiterschichtenfolge (2) von der dem Substrat (1) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), -Ablösen des Substrats (1) von der Halbleiterschichtenfolge (2), -Dünnen der Halbleiterschichtenfolge (2) von der dem Substrat (1) vor dem Ablösen des Substrats (1) zugewandten Seite.
摘要翻译：则表示，除其他事项外，用于制造多个半导体芯片的方法，包括如下步骤：提供一衬底（1），在基板上-Aufbringen的半导体层序列（2）（1），-Erzeugen的多个凹部（6）在半导体层序列（2）的半导体层序列的侧（2）的面向远离所述衬底（1），所述基板的-Ablösen（1）从半导体层序列（2），-Dünnen半导体层序列（2）的基板（1）的前面对一侧的基板（1）的剥离。

4. 发明申请

WO2016071340A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZUMINDEST EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS, OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP SOWIE OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于生产至少一个光电子半导体芯片，光电半导体芯片和光电半导体器件
公开(公告)号：WO2016071340A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/EP2015/075602
申请日：2015-11-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BAUR, Johannes , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/44 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, aufweisend: - eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Haupterstreckungsebene, einer aktiven Schicht (12) und einer Bodenfläche (1c), - einen Träger (41) der an der Bodenfläche (1c) der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist und eine der Bodenfläche (1c) abgewandte Grundfläche (41c) aufweist und - eine Verbindungsschichtenfolge (3), die in einer vertikalen Richtung zumindest stellenweise zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und dem Träger (41) angeordnet ist, wobei - der Träger (41) die Halbleiterschichtenfolge(1) lateral um höchstens 10 µm überragt.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（10），包括： - 具有主延伸平面的半导体层序列（1），有源层（12）和底表面（1c）中， - 所述底表面（1C）半导体层序列中的一个支撑件（41），（1）和所述底面中的一个（1C）远离所述基座（41C），以及 - 其中在所述半导体层序列（1）和支撑（41）之间至少局部地布置在垂直方向上的连接层序列（3）， - 该载体（41），该半导体层序列（1）横向地突出超过不超过10微米。

5. 发明申请

WO2015176873A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2015176873A1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：PCT/EP2015/058055
申请日：2015-04-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PERZLMAIER, Korbinian , MUERMANN, Björn , KOPP, Fabian , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/42 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/28575 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/42 , H01L2933/0016
摘要： Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) mit den Schritten: - Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22), - Aufbringen einer ersten und einer zweiten Kontaktschicht (31, 32) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), - Aufbringen einer Kontaktmetallisierung (4) auf die zweite Kontaktschicht (31, 32) in einem ersten und in einem zweiten elektrischen Kontaktbereich (51, 52), wobei - die erste und die zweite Kontaktschicht (31, 32) je aus einem transparenten leitfähigen Oxid gebildet sind, - im ersten elektrischen Kontaktbereich (51) folgende Schichten aufeinander folgen: die Halbleiterschichtenfolge (2), die erste Kontaktschicht (31, 32), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4), und - im zweiten elektrischen Kontaktbereich (52) folgende Schichten aufeinander folgen: eine dotierte Halbleiterschicht (21) der Halbleiterschichtenfolge (2), die zweite Kontaktschicht (31, 32), die Kontaktmetallisierung (4).
摘要翻译：一种用于制造光电子半导体芯片（1）包括以下步骤的方法： - 提供半导体层序列（2）与活性区（22）， - 在半导体层序列施加第一和第二接触层（31，32）（2）， - 将接触金属化物（4）在第一与第二接触层（31，32）上，并且在第二电接触区（51，52），其特征在于， - 所述第一和第二接触层（31,32）各自的透明导电氧化物形成 - 按照第一电接触区（51）下面的层依次为：半导体层序列（2），所述第一接触层（31，32），所述第二接触层（31，32），该接触金属化（4），以及 - 所述第二电接触区随后（52）下面的层依次为：半导体层序列（2），所述第二接触层（31，32）的掺杂的半导体层（21），接触金属化物（4）。

6. 发明申请

WO2014012760A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2014012760A1
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：PCT/EP2013/063525
申请日：2013-06-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HÖPPEL, Lutz , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L27/15 , H01L27/156 , H01L33/005 , H01L33/38 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H01S5/022 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen Träger (2). Eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer aktiven Schicht (33) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung, die sich zwischen einer n-Schicht (31) und einer p-Schicht (35) befindet, ist auf einer Trägeroberseite (20) angebracht. Der Halbleiterchip (1) weist eine n-Kontaktstelle (51) und eine p-Kontaktstelle (55) zum elektrischen Kontaktieren auf. Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (1) zumindest zwei oder drei elektrische Leiterbahnen (4). In Draufsicht gesehen ist die Halbleiterschichtenfolge (3) in wenigstens zwei nebeneinander angeordnete Emitterbereiche (36) strukturiert. Die Emitterbereiche (36) sind über die Leiterbahnen (4) elektrisch in Serie geschaltet. Es befinden sich die Leiterbahnen (4) an einer dem Träger (2) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3).
摘要翻译：在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例包括一个支承件（2）。的半导体层序列（3）包括用于产生电磁辐射，这是位于n层（31）和p层（35）之间的有源层（33）被安装在一个载体上侧（20）。在半导体芯片（1）包括n接触点（51）和用于电接触到p接触点（55）。此外，半导体芯片（1）包括至少两个或三个电导体（4）。在平面图中看到的那样，半导体层序列（3）在至少两个并置的发射极区域（36）被结构化。发射极区（36）经由带状导体（4）电连接的串联连接。有（2）侧背离半导体层序列远离上的所述支持体的导体轨道（4）（3）。

7. 发明申请

WO2012028509A1 LEUCHTDIODENANORDNUNG MIT EINEM PIEZO-TRANSFORMATOR 审中-公开
标题翻译：有压电变压器LED的配置
公开(公告)号：WO2012028509A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/064550
申请日：2011-08-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , VON MALM, Norwin , HÖPPEL, Lutz
发明人： RODE, Patrick , VON MALM, Norwin , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L41/107 , H01L25/16 , F21K99/00
CPC分类号： F21K9/50 , F21K9/60 , F21V7/00 , F21V23/02 , F21V23/023 , F21Y2115/10 , H01L41/107
摘要： Es wird angegeben eine Leuchtdiodenanordnung (1) mit einem rahmenförmigen Piezo-Transformator (2), der zumindest einen ausgangsseitigen Anschluss (50, 51) aufweist, und mit einem Leuchtdiodenmodul (3) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, das innerhalb des rahmenförmigen Piezo-Transformators angeordnet und mittels zumindest eines ausgangsseitigen elektrischen Leiters (5) elektrisch an den ausgangsseitigen Anschlussdes Piezo-Transformators angeschlossen ist, wobei die von dem Leuchtdiodenmodul in Richtung des Piezo-Transformators emittierte Strahlung an diesem reflektiert wird.
摘要翻译：提供了一种灯带框状压电变压器的发光二极管器件（1）（2）具有至少一个输出侧端子（50，51），并与用于产生电磁辐射，所述框状的压电变压器的内部的发光二极管模块（3）被布置，并通过至少一个输出侧的电导体（5），其中，从所述光中的压电变压器的辐射的方向的发光二极管模块发出的光被反射在其上的装置电连接到所述压电变压器的输出侧端子。

8. 发明申请

WO2011003907A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2011003907A1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：PCT/EP2010/059638
申请日：2010-07-06
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH , HÖPPEL, Lutz
发明人： HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/486 , H01L25/167 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (1) und einem Trägersubstrat (6), das mittels einer Lötverbindung (7) mit dem Halbleiterkörper (1) verbunden ist, angegeben, bei dem das Trägersubstrat (6) einen ersten Durchbruch (8a) und einen zweiten Durchbruch (8b) aufweist, durch die eine erste elektrisch leitende Anschlussschicht (9a) und eine zweite elektrisch leitende Anschlussschicht (9b) von einer dem Halbleiterkörper (1) zugewandten ersten Hauptfläche (11) des Trägersubstrats (6) zu einer vom Halbleiterkörper (1) abgewandten zweiten Hauptfläche (12) des Trägersubstrats (6) geführt sind, das Trägersubstrat (6) aus einem Halbleitermaterial gebildet ist und Seitenflanken (10) aufweist, die zumindest in einem ersten Teilbereich (10a) schräg zu den Hauptflächen (11, 12) des Trägersubstrats (6) verlaufen, wobei die Seitenflanken (10) in dem ersten Teilbereich (10a) mit einer elektrisch isolierenden Schicht (13) versehen sind.
摘要翻译：它是（1）和支承基板（6），它是通过焊料连接（7）与半导体主体（1）的装置，给定的半导体本体，其特征在于，所述支撑基板（6），具有第一孔（8a）的光电子器件和具有第二开口（图8b），通过它的第一导电连接层（9a）和一个第二导电连接层（9b）的面向到载体衬底（6）的第一主表面（11）的半导体主体（1）的（由半导体本体 1）背离载体基板（6）的第二主表面（12）远离被引导，所述载体基片（6）的半导体材料的侧边缘（10），它（至少在第一部分区域10a）倾斜于主表面（11，12形成的，并）其中被设置在侧翼（10）（在第一部分10a）（有电绝缘层13中的载体基板（6）延伸，的）。

9. 发明申请

WO2010060404A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2010060404A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/DE2009/001524
申请日：2009-10-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L25/16 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/08
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/167 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. In dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ist ein Emissionsbereich (23) und ein Schutzdiodenbereich (24) gebildet. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurch erstreckt. Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt. Die erste Anschlussschicht im Schutzdiodenbereich (24) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。在半导体主体（2）与该半导体层序列，发射区域（23）和一个保护二极管区（24）形成。半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。发射区域（23）具有延伸穿过所述活性区域穿过其的凹部（25）。在发射区（23）中的第一半导体层（21）被导电地连接到第一连接层（31），其中，从在所述载体（5）的方向上的第一半导体层（21）延伸在所述凹部（25）的第一连接层。在保护二极管区（24）的第一连接层连接到导电连接在第二半导体层（22）。此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。

10. 发明申请

WO2009135457A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2009135457A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/DE2009/000546
申请日：2009-04-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl , ALBRECHT, Tony
发明人： RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl , ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01L25/16
CPC分类号： H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5), einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge, einen ersten Kontakt (35) und einen zweiten Kontakt (36) aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Der Träger (5) weist eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte Hauptfläche (51) auf. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der der Hauptfläche (51) des Trägers (5) zugewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet und mittels des ersten Kontakts (35) elektrisch kontaktierbar. Die zweite Halbleiterschicht (22) ist mittels des zweiten Kontakts (36) elektrisch kontaktierbar. Eine Schutzdiode (4) ist in einem Strompfad ausgebildet, der zwischen dem ersten Kontakt (35) und dem zweiten Kontakt (36) durch den Träger (5) verläuft.
摘要翻译：它是一种发射辐射的半导体芯片被指定（1），支撑件（5），其具有半导体层序列的半导体主体（2），第一接触（35）和第二接触（36）。半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。该载体（5）具有在面对主表面（51）的半导体主体（2）。在第一半导体层（21）由所述第一接触（35）的装置面对所述有源区（20）的侧上的载体（5）的与主表面（51）电接触。所述第二半导体层（22）被电由第二接触（36）的装置接触。形成在（35）的第一接触之间的电流路径的保护二极管（4）和所述通过所述载体（5）的第二接触（36）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式