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1. 发明申请

WO2013122220A1 位相シフトマスク及び当該位相シフトマスクを用いたレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：相移片掩模和使用相移片掩模形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2013122220A1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：PCT/JP2013/053733
申请日：2013-02-15
申请人：大日本印刷株式会社
发明人：木下　一樹 , 飛田　敦
IPC分类号： G03F1/34 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/34
摘要：　従来の画像表示装置製造用露光装置を用い、透明基板等の被加工材上に、当該露光装置の解像限界未満の寸法を有する所定のレジストパターンを高精度で形成することのできる位相シフトマスク及び当該位相シフトマスクを用いたレジストパターン形成方法を提供する。露光装置の解像限界未満の設計寸法のレジストパターン形成用位相シフトマスクは、透明基板と、露光装置からの露光光に所定の位相差を付与する位相シフト部と、位相シフト部に隣接する非位相シフト部とを備え、位相シフト部及び非位相シフト部のうちの少なくともいずれか一方が露光装置の解像限界未満の寸法であり、かつ位相シフト部の寸法と非位相シフト部の寸法とが異なり、透明基板上における位相シフト部及び非位相シフト部を含むパターン領域の大きさが一辺３００ｍｍ以上であり、少なくともパターン領域内に露光装置の解像限界未満の寸法の遮光部を有しない。
摘要翻译：提供一种相移掩模和使用相移掩模形成抗蚀剂图案的方法，该相移掩模能够以高精度的材料形成尺寸小于曝光装置的分辨率极限的规定抗蚀剂图案通过使用传统的用于制造图像显示装置的曝光装置来处理诸如透明基板。用于形成设计尺寸小于曝光装置的分辨率极限的抗蚀剂图案的相移掩模具有：透明基板; 相移部，用于对来自曝光装置的曝光光施加规定的相位差; 以及与相移部分相邻的非相移部分。相移部分或非相移部分中的至少一个具有小于曝光装置的分辨率极限的尺寸，并且相移部分和非相移部分的尺寸是相互不同的。包括透明基板上的相移部分和非相移部分的图案区域的一侧为300mm以上。尺寸小于曝光装置的分辨率极限的遮光部分至少不包括在图案区域中。

2. 发明申请

WO02054151A3 A METHOD FOR FABRICATING RETICLES 审中-公开
标题翻译：一种制备抗菌剂的方法
公开(公告)号：WO02054151A3
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：PCT/US0147142
申请日：2001-11-13
申请人： UNIV CALIFORNIA , STEARNS DANIEL G , SWEENEY DONALD W , MIRKARIMI PAUL B
发明人： STEARNS DANIEL G , SWEENEY DONALD W , MIRKARIMI PAUL B
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/34 , G03F1/14 , G02B5/08 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/34 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24
摘要： Absorber material used in conventional EUVL reticles is eliminated by introducing a direct modulation in the complex-valued reflectance of the multilayer. A spatially localized energy source such as a focused electron or ion beam directly writes a reticle pattern onto the reflective multilayer coating. Interdiffusion is activated within the film by an energy source that causes the multilayer period to contract in the exposed regions. The contraction is accurately determined by the energy dose. A controllable variation in the phase and amplitude of the reflected field in the reticle plane is produced by the spatial modulation of the multilayer period. This method for patterning an EUVL reticle has the advantages of (1) avoiding the process steps associated with depositing and patterning an absorber layer and (2) providing control of the phase and amplitude of the reflected field with high spatial resolution.
摘要翻译：通过在多层复数值的反射率中引入直接调制来消除用于常规EUVL标线的吸收材料。诸如聚焦电子或离子束的空间局部化能源直接将掩模版图案写到反射多层涂层上。相互扩散在膜内被能量源激活，导致多层周期在暴露区域中收缩。收缩准确地由能量剂量确定。通过多层周期的空间调制产生光罩平面中反射场的相位和幅度的可控变化。用于图案化EUVL掩模版的方法具有以下优点：（1）避免与沉积和图案化吸收层相关的工艺步骤，以及（2）以高空间分辨率提供对反射场的相位和幅度的控制。

3. 发明申请

WO99015934A1 TECHNIQUES FOR FABRICATING AND PACKAGING MULTI-WAVELENGTH SEMICONDUCTOR LASER ARRAY DEVICES (CHIPS) AND THEIR APPLICATIONS IN SYSTEM ARCHITECTURES 审中-公开
标题翻译：用于制造和包装多波长半导体激光阵列设备（CHIPS）的技术及其在系统架构中的应用
公开(公告)号：WO99015934A1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：PCT/US1998/019178
申请日：1998-09-14
IPC分类号： G02B6/42 , G03F1/34 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01S5/022 , H01S5/028 , H01S5/042 , H01S5/10 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/187 , H01S5/22 , H01S5/40 , G03F7/00 , G03F1/00 , G03F9/00 , H01L23/02 , H01S3/00 , H01S3/19
CPC分类号： G03F1/34 , G02B6/4208 , G02B6/424 , G02B6/4249 , G02B6/4271 , G02B6/4277 , G02B6/4279 , G02B6/4283 , G02B6/4286 , H01S5/02216 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/02438 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/1215 , H01S5/125 , H01S5/187 , H01S5/22 , H01S5/4012 , H01S5/4031 , H01S5/4087
摘要： Phase masks which can be used to make both linear and curved gratings of single or multiple submicron pitches, with or without any abrupt quarter-wavelength shifts (or gradually varying finer phase shifts) simultaneously on the wafer/substrate. The phase masks are made using direct write electron or ion-beam lithography of two times the required submicron pitches of linear and curved gratings on commercially available pi phase-shifting material on a quartz substrate and wet or dry etching of the pi phase-shifting material. The phase masks can be used in connection with making multi-wavelength laser diode chips. The laser diodes have a ridge structure with metal shoulders on either side of the ridge. The laser diode chip, with different wavelength lasers, is bonded and interfaced to a novel microwave substrate that allows for high signal-to-noise ratio and low crosstalk. The substrate is packaged in a low loss rugged housing for WDM applications.
摘要翻译：相位掩模可用于制造单个或多个亚微米间距的线性和弯曲光栅，同时在晶片/衬底上同时具有或没有任何突然的四分之一波长偏移（或逐渐变化更精细的相移）。相位掩模使用直接写入电子或离子束光刻法在石英衬底上的市售的p1相移材料上的线性和弯曲光栅的所需亚微米间距的两倍，并且对pi相移材料进行湿法或干蚀刻。相位掩模可用于制造多波长激光二极管芯片。激光二极管具有在脊的两侧具有金属肩部的脊结构。具有不同波长激光器的激光二极管芯片被接合并接合到新颖的微波基板，其允许高信噪比和低串扰。衬底封装在WDM应用的低损耗坚固外壳中。

4. 发明申请

WO2021059890A1 マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021059890A1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：PCT/JP2020/033040
申请日：2020-09-01
申请人：ＨＯＹＡ株式会社
发明人：宍戸　博明 , 前田　仁
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/34 , C23C14/10
摘要：ＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対する透過率を高めることができるとともに所望の位相差の確保に必要な膜厚を抑制することができる位相シフト膜を備えたマスクブランクを提供する。　透光性基板（１）の主表面上に位相シフト膜（２）を備えたマスクブランクであって、位相シフト膜（２）は、ケイ素、酸素および窒素を含有し、位相シフト膜（２）のケイ素の含有量［原子％］に対する窒素の含有量［原子％］の比率は、０．２０以上０．５２以下であり、位相シフト膜（２）のケイ素の含有量［原子％］に対する酸素の含有量［原子％］の比率は、１．１６以上１．７０以下であり、位相シフト膜（２）のＡｒＦエキシマレーザーの露光光の波長に対する屈折率ｎは１．７以上２．０以下であり、消衰係数ｋは０．０５以下である。

5. 发明申请

WO02061489A2 LITHOGRAPHIC FABRICATION OF PHASE MASK FOR FIBER BRAGG GRATINGS 审中-公开
标题翻译：光纤布拉格光栅相位掩模的光刻制作
公开(公告)号：WO02061489A2
公开(公告)日：2002-08-08
申请号：PCT/US0200241
申请日：2002-01-04
申请人： PHAETHON COMM
发明人： ROTHENBERG JOSHUA E , SHENG YUNLONG
IPC分类号： G03F1/34 , G02B27/00
CPC分类号： G03F1/34 , G02B6/02138
摘要： The invention provides masks (200) that form fiber Bragg gratings (FBGs) in optical fibers without stitching errors from re-scaling or re-positioning. The invention feathers the pixels of the mask lines (201, 202, 203) by adding, removing, and/or displacing one or more pixels (204, 205, 206) from the edges of the bars and spaces of the mask. The feathering of pixels will affect the FBG being written into the fiber. The feathering operates to shift the effective edge (207, 208) of the bars. This allows the achievement of much finer resolution FBGs than the pixel size of the mask.
摘要翻译：本发明提供在光纤中形成光纤布拉格光栅（FBG）的掩模（200），而不会因重新缩放或重新定位而产生拼接错误。本发明通过将一个或多个像素（204,205,206）从掩模的条边和间隔的边缘添加，去除和/或移位来羽化掩模线（201,202,203）的像素。像素的羽化将影响写入光纤的FBG。羽化操作用于移动条的有效边缘（207,208）。这允许实现比掩模的像素大小更精细的FBG。

6. 发明申请

WO2022069019A1 METHOD TO PRODUCE A STRUCTURED TRANSMISSIVE OPTICAL ELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2022069019A1
公开(公告)日：2022-04-07
申请号：PCT/EP2020/077217
申请日：2020-09-29
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人： SCHMITT, Jan , QUINTANILHA, Richard , WEGE, Stephan
IPC分类号： G03F1/34 , G02B5/18
摘要： To produce a structured transmissive optical element, a blank (6) of trans- missive optical material is provided and coated with a chrome layer (7) which itself is coated with a hard mask layer (8). The chrome and hard mask layer coated blank (6) then is coated with a resist which is exposed to a structurized beam. The resist is developed and portions of the developed resist are removed according to the structurized exposition. The hard mask layer (8) is etched via the removed portions of the resist with a hard mask etching process gas which is oxygen-free and chlorine-free. Via such etch- ing, portions of the hard mask layer (8) are removed at positions which cor- respond to the positions of the removed portions of the resist. In a compa- rable manner, the chrome layer (7) is etched via a chrome etching process gas containing oxygen and/or chlorine. Again in a comparable manner, the blank (6) is etched via removed portions of the chrome layer (7) with an oxygen-free and chlorine-free blank etching process gas (13) to remove portions of the blank (6) at positions which correspond to the positions of the removed portions of the chrome layer (7). In a last step, the remaining hard mask and chrome layer portions (8, 7) are removed from the etched blank (6). With such method, a structured transmissive optical element having a well-defined pattern structure with high definition and resolution can be produced.

7. 发明申请

WO2020066590A1 マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2020066590A1
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：PCT/JP2019/035483
申请日：2019-09-10
申请人： HOYA株式会社
发明人：大久保　亮 , 前田　仁 , 穐山　圭司 , 野澤　順
IPC分类号： G03F1/32 , C23C14/04 , G03F1/34 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/3065
摘要：パターン形成用薄膜をパターニングする際に用いられるフッ素系ガスによるドライエッチングに対する耐性が高く、さらに露光光に対する透過率が高いエッチングストッパー膜を備えたマスクブランクを提供する。透光性基板上にエッチングストッパー膜とパターン形成用の薄膜がこの順に積層された構造を備えるマスクブランクであって、薄膜はケイ素を含有する材料からなり、エッチングストッパー膜はハフニウム、アルミニウムおよび酸素を含有する材料からなり、エッチングストッパー膜はハフニウムおよびアルミニウムの合計含有量に対するハフニウムの含有量の原子％による比率が、０．８６以下であることを特徴とする。

8. 发明申请

WO2004107044A3 MASK, MASK BLANK, PHOTOSENSITIVE MATERIAL THEREFOR AND FABRICATION THEREOF 审中-公开
标题翻译：遮罩，遮罩，其感光材料及其制造
公开(公告)号：WO2004107044A3
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：PCT/US2004015243
申请日：2004-05-13
申请人： BELLMAN ROBERT A , BORRELLI NICHOLAS F , HARES GEORGE B , SMITH CHARLENE M , WALTON ROBIN M , CORNING INC
发明人： BELLMAN ROBERT A , BORRELLI NICHOLAS F , HARES GEORGE B , SMITH CHARLENE M , WALTON ROBIN M
IPC分类号： C03C3/064 , C03C3/091 , C03C15/00 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/34 , G03F1/14 , G02B6/16 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/30 , C03C3/064 , C03C3/091 , C03C15/00 , G03F1/32 , G03F1/34
摘要： Disclosed are masks and mask blanks for photolithographic processes, photosensitive materials and fabrication method therefor. Photosensitive materials are used in the masks for recording permanent pattern features via UV exposure. The masks are advantageously phase-shifting, but can be gray-scale masks having index patterns with arbitrary distribution of refractive index and pattern dimension. The masks may have features above the surface formed from opaque or attenuating materials. Alumino-boro-germano-silicate glasses having a composition comprising, in terms of mole percentage, 1-6% of Al2O3, 10-36% of B2O3, 2-20% of GeO2, 40-80% of SiO2, 2-10% of R2O, where R is selected from Li, Na and K, and expressed in terms of weight percentage of the glass, 0-5% of F, can be used for the mask substrate.
摘要翻译：公开了用于光刻工艺的掩模和掩模坯料，感光材料及其制造方法。光敏材料用于通过紫外线曝光记录永久图案特征的掩模。掩模有利地是相移，但是可以是具有折射率和图案尺寸的任意分布的索引图案的灰度掩模。掩模可以具有由不透明或衰减材料形成的表面上方的特征。氧化铝 - 硼 - 锗酸 - 硅酸盐玻璃，其组成包括以摩尔百分比计为1〜6％的Al 2 O 3，10-36％的B 2 O 3，2〜20％的GeO 2，40〜80％的SiO 2，2-10 R 2选自Li，Na和K的R 2 O％，并且以玻璃重量百分比表示，0-5％的F可以用于掩模基板。

9. 发明申请

WO0163864A3 CHROMELESS ALTERNATING PHASE-SHIFT RETICLE FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE FEATURES 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体器件特性的无色替代相移装置
公开(公告)号：WO0163864A3
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：PCT/US0104817
申请日：2001-02-15
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC
发明人： STANTON WILLIAM
IPC分类号： G03F1/34 , H01L21/027 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/34
摘要： An alternating phase shift reticle for a capacitor layout scheme for a memory device and a method for its fabrication are disclosed. The alternating phase shift mask has regions of 0 and 180 degree phase shifts arranged in a way such that all sides of each region corresponding to a given phase shift value are bounded by areas corresponding to an opposite phase shift value. The reticle can be used to produce densely packed capacitor features, in which the variance between the actual exposure pattern and the desired exposure pattern is reduced.
摘要翻译：公开了一种用于存储器件的电容器布局方案的交替相移掩模版及其制造方法。交变相移掩模具有0和180度相移的区域，其方式使得对应于给定相移值的每个区域的所有侧面由对应于相反相移值的区域界定。掩模版可用于产生紧密堆叠的电容器特征，其中实际曝光图案和期望曝光图案之间的差异减小。

10. 发明申请

WO03046628A8 METHOD FOR FABRICATING CHIRPED FIBER BRAGG GRATINGS 审中-公开
标题翻译：用于制作纤维布条纹的方法
公开(公告)号：WO03046628A8
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：PCT/US0226951
申请日：2002-08-22
申请人： PHOTRONICS INC
发明人： UNRUH JAMES OWEN
IPC分类号： G02B6/02 , G03F1/34 , G03F7/00 , G02B6/34
CPC分类号： G02B6/02085 , G02B6/02138 , G03F1/34 , G03F7/0005
摘要： A chirped Bragg grating is fabricated in an optical fiber by exposing the fiber to a coherent beam of light through a parallel phase mask having a series of progressively chirped segments produced on a lithography tool. The chirped phase mask is fabricated by exposing a photoresist-coated substrate to an image writing element such as an electron beam or a laser according to a set of parameters provided to the lithography tool. The parameters include a basic grating pattern for each segment, a value that defines the expansion or contraction of the grating pattern and an axis location to which the grating pattern is to be written to the substrate. By selecting machine commands that implement these parameters with a minimum throughput overhead, the mask can be produced in a reduced time, and therefore with increased accuracy .
摘要翻译：通过在光刻工具上产生的具有一系列逐渐啁啾线段的平行相位掩模将光纤暴露于相干光束，在光纤中制造啁啾布拉格光栅。通过根据提供给光刻工具的一组参数将光致抗蚀剂涂覆的基板暴露于诸如电子束或激光器的图像写入元件来制造啁啾相位掩模。参数包括每个段的基本光栅图案，限定光栅图案的扩展或收缩的值以及将光栅图案写入基板的轴位置。通过选择以最小吞吐量开销来实现这些参数的机器命令，可以在减少的时间内产生掩模，因此可以提高精度。

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