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1. 发明申请

WO02044817A2 MAKING AN INTEGRATED CIRCUIT USING POLARIZED LIGHT 审中-公开
标题翻译：使用偏光制作集成电路
公开(公告)号：WO02044817A2
公开(公告)日：2002-06-06
申请号：PCT/US2001/045305
申请日：2001-11-15
IPC分类号： G03F1/30 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70466 , G03F1/30 , G03F7/70566
摘要： A method and apparatus for making an integrated circuit takes advantage of both polarized and phase shifted light in order to achieve a fine feature. The feature on the integrated circuit is obtained by exposing a first region to light that has a first polarization state, exposing a second portion of the wafer to polarized light in the first polarization state but which is also phase shifted about 180 degrees. A region between the first and second region may be unexposed to light. The region between the first and the second region is the position of the fine feature. In areas where the first region and the second region need to be joined together but no feature is intended to be formed, there is a third region between the first and second regions which is exposed to polarized light that has a second polarization state which is orthogonal to that of the polarized light which exposes the first and second regions. The result is that the boundary between either the first or second region and the third region is fully exposed. Thus there is no artifact or extra feature formed in this boundary area between the first and second regions. Masks are made with corresponding regions to the first, second, and third regions so that the light in these polarized and phase shifted states is properly provided to the integrated circuit.
摘要翻译：用于制造集成电路的方法和装置利用偏振光和相移光的优点，以便实现精细特征。通过将第一区域暴露于具有第一偏振态的光，将晶片的第二部分暴露于第一偏振状态的偏振光，但是也相移大约180度，可以获得集成电路上的特征。第一和第二区域之间的区域可以是未曝光的。第一和第二区域之间的区域是精细特征的位置。在第一区域和第二区域需要连接在一起但没有要形成特征的区域中，在第一和第二区域之间存在第三区域，该区域暴露于具有正交的第二偏振态的偏振光与暴露第一和第二区域的偏振光的偏振光。结果是第一或第二区域与第三区域之间的边界完全暴露。因此，在第一和第二区域之间的该边界区域中没有形成伪像或额外的特征。掩模由与第一，第二和第三区域相对应的区域制成，使得这些极化和相移状态的光适当地提供给集成电路。

2. 发明申请

WO02021218A1 PHASE-SHIFT MASKS AND METHODS OF FABRICATION 审中-公开
标题翻译：相位移屏蔽和制造方法
公开(公告)号：WO02021218A1
公开(公告)日：2002-03-14
申请号：PCT/US2001/025785
申请日：2001-08-17
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/36 , G03F1/68 , G03F9/00 , B32B9/00 , B32B17/06 , G03C5/00
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/30 , G03F1/36 , G03F1/38 , G03F1/80 , Y10T428/30
摘要： Multilayer film stacks and gray scale processing methods are employed for fabricating phase-shifting masks (PSMs) utilized in lithography. Desired optical transmission and phase-shifting functions of the mask are achieved by controlling the optical properties and thickness of constituent film layers. The mask can be tuned for optimal performance at various wavelengths to an extent beyond that obtainable using a single layer film to control both attenuation and phase shifting of incident light. The processing methods exploit multi-level electron beam or optical beam lithography techniques, and the etch selectivity afforded by selection of appropriate materials for the film stack, to obtain improved yields and reduced processing costs for fabrication of PSMs. In particular, diamond-like carbon (DLC) materials formed by ion beam deposition and having a stress of 1 GPa or less are utilized as etch stop layers (see Figure 6).
摘要翻译：多层膜堆和灰度处理方法用于制造在光刻中使用的相移掩模（PSM）。通过控制构成膜层的光学性质和厚度来实现掩模的期望的光学传输和相移功能。可以调整掩模以在各种波长下的最佳性能达到超过可以使用单层膜控制入射光的衰减和相移的程度。该处理方法利用多级电子束或光束光刻技术，以及通过为膜堆叠选择合适的材料提供的蚀刻选择性，以获得改进的产量并降低制造PSM的加工成本。特别地，通过离子束沉积形成并且具有1GPa或更小的应力的类金刚石碳（DLC）材料被用作蚀刻停止层（参见图6）。

3. 发明申请

WO01053892A1 MASK HAVING AN ARBITRARY COMPLEX TRANSMISSION FUNCTION 审中-公开
标题翻译：具有仲裁复合传输功能
公开(公告)号：WO01053892A1
公开(公告)日：2001-07-26
申请号：PCT/US2000/001549
申请日：2000-01-20
IPC分类号： G03F1/28 , G03F1/30 , G03F9/00
CPC分类号： G03F1/28 , G03F1/30
摘要： A mask is provided which has a complex transmission function and which includes a transparent layer and a non-transparent layer. The transparent layer has three types of phase-shifting elements, each imparting a different phase shift relative to the others, with the phase-shifting elements alternating in both x and y dimensions. The non-transparent layer has holes arranged in an approximately equally spaced grid pattern defined by common points in borders of the phase-shifting elements. Centers of at least two holes in the non-transparent layer have different offsets from their corresponding common points. Also provided is a mask blank which includes a transparent layer and a non-transparent layer. The transparent layer has three types of phase-shifting elements, each imparting a different phase shift relative to the others, with the phase-shifting elements alternating in both x and y dimensions.
摘要翻译：提供了具有复杂传输功能并且包括透明层和不透明层的掩模。透明层具有三种类型的移相元件，每种移相元件相对于其它元件赋予不同的相移，而移相元件在x和y维度上都是交替的。非透明层具有以相移元件的边界中的共同点限定的大致等间距格栅图案布置的孔。不透明层中至少两个孔的中心与其相应的公共点具有不同的偏移。还提供了包括透明层和不透明层的掩模坯料。透明层具有三种类型的移相元件，每种移相元件相对于其它元件赋予不同的相移，而移相元件在x和y维度上都是交替的。

4. 发明申请

WO2004107044A3 MASK, MASK BLANK, PHOTOSENSITIVE MATERIAL THEREFOR AND FABRICATION THEREOF 审中-公开
标题翻译：遮罩，遮罩，其感光材料及其制造
公开(公告)号：WO2004107044A3
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：PCT/US2004015243
申请日：2004-05-13
申请人： BELLMAN ROBERT A , BORRELLI NICHOLAS F , HARES GEORGE B , SMITH CHARLENE M , WALTON ROBIN M , CORNING INC
发明人： BELLMAN ROBERT A , BORRELLI NICHOLAS F , HARES GEORGE B , SMITH CHARLENE M , WALTON ROBIN M
IPC分类号： C03C3/064 , C03C3/091 , C03C15/00 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/34 , G03F1/14 , G02B6/16 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/30 , C03C3/064 , C03C3/091 , C03C15/00 , G03F1/32 , G03F1/34
摘要： Disclosed are masks and mask blanks for photolithographic processes, photosensitive materials and fabrication method therefor. Photosensitive materials are used in the masks for recording permanent pattern features via UV exposure. The masks are advantageously phase-shifting, but can be gray-scale masks having index patterns with arbitrary distribution of refractive index and pattern dimension. The masks may have features above the surface formed from opaque or attenuating materials. Alumino-boro-germano-silicate glasses having a composition comprising, in terms of mole percentage, 1-6% of Al2O3, 10-36% of B2O3, 2-20% of GeO2, 40-80% of SiO2, 2-10% of R2O, where R is selected from Li, Na and K, and expressed in terms of weight percentage of the glass, 0-5% of F, can be used for the mask substrate.
摘要翻译：公开了用于光刻工艺的掩模和掩模坯料，感光材料及其制造方法。光敏材料用于通过紫外线曝光记录永久图案特征的掩模。掩模有利地是相移，但是可以是具有折射率和图案尺寸的任意分布的索引图案的灰度掩模。掩模可以具有由不透明或衰减材料形成的表面上方的特征。氧化铝 - 硼 - 锗酸 - 硅酸盐玻璃，其组成包括以摩尔百分比计为1〜6％的Al 2 O 3，10-36％的B 2 O 3，2〜20％的GeO 2，40〜80％的SiO 2，2-10 R 2选自Li，Na和K的R 2 O％，并且以玻璃重量百分比表示，0-5％的F可以用于掩模基板。

5. 发明申请

WO0244817A3 MAKING AN INTEGRATED CIRCUIT USING POLARIZED LIGHT 审中-公开
标题翻译：用偏振光制作集成电路
公开(公告)号：WO0244817A3
公开(公告)日：2002-07-11
申请号：PCT/US0145305
申请日：2001-11-15
申请人： MOTOROLA INC
发明人： WANG RUOPING , GROBMAN WARREN D , CLINGAN JAMES LEE JR
IPC分类号： G03F1/30 , G03F7/20 , G03F1/00
CPC分类号： G03F7/70466 , G03F1/30 , G03F7/70566
摘要： A method and apparatus for making an integrated circuit takes advantage of both polarized and phase shifted light in order to achieve a fine feature. The feature on the integrated circuit is obtained by exposing a first region to light that has a first polarization state, exposing a second portion of the wafer to polarized light in the first polarization state but which is also phase shifted about 180 degrees. A region between the first and second region may be unexposed to light. The region between the first and the second region is the position of the fine feature. In areas where the first region and the second region need to be joined together but no feature is intended to be formed, there is a third region between the first and second regions which is exposed to polarized light that has a second polarization state which is orthogonal to that of the polarized light which exposes the first and second regions. The result is that the boundary between either the first or second region and the third region is fully exposed. Thus there is no artifact or extra feature formed in this boundary area between the first and second regions. Masks are made with corresponding regions to the first, second, and third regions so that the light in these polarized and phase shifted states is properly provided to the integrated circuit.
摘要翻译：用于制造集成电路的方法和设备利用偏振光和相移光两者来实现精细特征。通过将第一区域暴露于具有第一偏振态的光来获得集成电路上的特征，将晶片的第二部分暴露于第一偏振态的偏振光，但其也相移180度。第一和第二区域之间的区域可以不暴露于光。第一和第二区域之间的区域是精细特征的位置。在需要将第一区域和第二区域连接在一起但没有要形成特征的区域中，在第一和第二区域之间存在暴露于偏振光的第三区域，该第三区域具有正交的第二偏振状态与暴露第一和第二区域的偏振光相比较。结果是第一或第二区域与第三区域之间的边界完全暴露。因此在第一和第二区域之间的这个边界区域中不存在伪影或额外特征。利用与第一，第二和第三区域相对应的区域制作掩模，使得这些极化和相移状态的光被适当地提供给集成电路。

6. 发明申请

WO01002908A1 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, OPTICAL MASK USED THEREFOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND MASK BLANKS USED THEREFOR 审中-公开
标题翻译：用于制造半导体集成电路器件的方法，其使用的光学掩模，其制造方法及其使用的掩模
公开(公告)号：WO01002908A1
公开(公告)日：2001-01-11
申请号：PCT/JP2000/004339
申请日：2000-06-30
IPC分类号： G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/56 , G03F1/68 , G03F1/70 , G03F7/00 , G03F7/20 , G03F9/00 , G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/56 , G03F1/44 , G03F1/62 , G03F7/70983
摘要： When a photomask (1PA1) is installed in a predetermined apparatus such as an inspection apparatus or an exposure apparatus, the photomask (1PA1) is inspected or exposed while the area where no light-shielding pattern (1b) nor mark pattern (1mr) formed of a resist film is present on a major surface of the mask base (1a) of the photomask (1PA1) is in contact with an installation part (2) of the predetermined apparatus. Thus, in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device by using a photomask for allowing a resist film to serve as a light-shielding film, few or no foreign matters are produced.
摘要翻译：当将光掩模（1PA1）安装在诸如检查装置或曝光装置的预定设备中时，光掩模（1PA1）被检查或曝光，而没有形成遮光图案（1b）的区域或标记图案（1mr）在光掩模（1PA1）的掩模基座（1a）的主表面上存在抗蚀剂膜与预定装置的安装部（2）接触。因此，在通过使用用于使抗蚀剂膜用作遮光膜的光掩模来制造半导体集成电路器件的方法中，几乎不产生或不产生异物。

7. 发明申请

WO01001198A1 PHASE-SHIFT PHOTOMASK FOR PATTERNING HIGH DENSITY FEATURES 审中-公开
标题翻译：相位移动光电装置用于绘制高密度特征
公开(公告)号：WO01001198A1
公开(公告)日：2001-01-04
申请号：PCT/US2000/000697
申请日：2000-01-11
IPC分类号： G03F1/28 , G03F1/30 , G03F1/00
CPC分类号： G03F1/30 , G03F1/28
摘要： A method for forming a photomask includes providing a transparent substrate and forming an opaque layer over at least a first portion of the transparent substrate. The opaque layer is patterned to define a mask pattern and expose at least a second portion of the transparent substrate. The second portion is etched to define a phase shifting region. The width of the phase shifting region defines a critical dimension. The critical dimension is measured, and the phase shifting region is etched based on the critical dimension to undercut the optically opaque layer. A photomask includes a transparent substrate and a phase shitting region defined in the transparent substrate. The phase shifting region includes sloped sidewalls having a slope of less than about 85 DEG .
摘要翻译：一种用于形成光掩模的方法包括提供透明基板并在透明基板的至少第一部分上形成不透明层。将不透明层图案化以限定掩模图案并且暴露透明基板的至少第二部分。蚀刻第二部分以限定相移区域。相移区域的宽度限定临界尺寸。测量临界尺寸，并且基于临界尺寸蚀刻相移区域以切割光不透明层。光掩模包括透明基板和限定在透明基板中的相位区域。相移区域包括具有小于约85°的斜率的倾斜侧壁。

8. 发明申请

WO2023037731A1 マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2023037731A1
公开(公告)日：2023-03-16
申请号：PCT/JP2022/026236
申请日：2022-06-30
申请人：ＨＯＹＡ株式会社
发明人：塚越　健太 , 野澤　順 , 大久保　亮 , 前田　仁
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/30 , G03F1/54
摘要：所望の遮光性能を有し、膜厚の増大を抑制するとともに、パターンを形成するときにドライエッチングで生じるサイドエッチング量を低減でき、微細パターンを精度良く形成することが可能となる遮光膜を備える、マスクブランク、位相シフトマスク、半導体デバイスの製造方法を提供する。　透光性基板上に遮光膜を備えたマスクブランクであって、遮光膜は、ケイ素および窒素を含有する材料からなり、遮光膜の内部領域は、Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＳｉ２ｐのナロースペクトルが１００ｅＶよりも大きく１０１．５ｅＶ以下の範囲の結合エネルギーで最大ピークを有し、遮光膜の内部領域は、前記透光性基板側の裏面側領域と前記透光性基板とは反対側の表面側領域を除いた領域である。

9. 发明申请

WO2015146422A1 マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：掩模层，相位移掩模生产方法，相移屏蔽和半导体器件生产方法
公开(公告)号：WO2015146422A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/JP2015/055128
申请日：2015-02-24
申请人： HOYA株式会社
发明人：宍戸　博明 , 野澤　順 , 打田　崇
IPC分类号： G03F1/30 , C23C14/06 , G03F1/58 , G03F1/80 , H01L21/3065
CPC分类号： G03F1/30 , C23C14/0664 , C23C14/0676 , C23C14/34 , C23C14/5873 , G03F1/58 , G03F1/80 , G03F7/2006 , G03F7/34 , H01L21/0332
摘要：透光性基板上１０に、当該透光性基板側から順に遮光膜１１およびハードマスク膜１３を積層した構造を有するマスクブランクであって、前記ハードマスク膜は、ケイ素及びタンタルから選ばれる少なくとも１以上の元素を含有する材料で形成され、前記遮光膜は、クロムを含有する材料で形成され、前記透光性基板側から順に下層１１ａ、中間層１１ｂおよび上層１１ｃの３層を積層した構造を有し、前記上層は、クロムの含有量が前記遮光膜の中で最も少なく、前記中間層は、クロムの含有量が前記遮光膜の中で多く、かつインジウム、スズおよびモリブデンから選ばれる少なくとも１以上の金属元素を含有している。
摘要翻译：该掩模坯料具有从透光性基板侧依次层叠透光性基板（10），遮光膜（11）和硬掩模膜（13）而得到的结构。硬掩模膜由包括选自硅和钽中的至少一种元素的材料形成。遮光膜由包含铬的材料形成，并且具有通过层叠3层而获得的结构，即下层（11a），中间层（11b）和上层（11c），其结构从发光基板侧起。上层在遮光膜中的铬含量最低。中间层在遮光膜中具有最高的铬含量，并且包括至少一种选自铟，锡和钼的金属。

10. 发明申请

WO2004083960A3 ALTERNATING APERTURE PHASE SHIFT PHOTOMASK HAVING LIGHT ABSORPTION LAYER 审中-公开
标题翻译：替代具有光吸收层的光纤相移相机
公开(公告)号：WO2004083960A3
公开(公告)日：2005-02-03
申请号：PCT/US2004005606
申请日：2004-02-26
申请人： PHOTRONICS INC
发明人： PROGLER CHRISTOPHER J
IPC分类号： G01F9/00 , G03C5/00 , G03F20060101 , G03F1/00 , G03F1/30 , G03F7/00 , G03F9/00
CPC分类号： G03F1/30
摘要： The present invention generally relates to optical lithography and more particularly relates to the fabrication of transparent or semitransparent phase shifting masks used in the manufacture of semiconductor devices. In particular, the present invention utilizes a light absorbing film in a conventional aaPSMs to balance the intensity of light through each opening of the photomask. The aaPSM of the present invention is used to make semiconductor devices or integrated circuits.
摘要翻译：本发明一般涉及光学光刻术，更具体地说涉及制造用于制造半导体器件的透明或半透明相移掩模。特别地，本发明利用传统的aaPSM中的光吸收膜来平衡通过光掩模的每个开口的光的强度。本发明的aaPSM用于制造半导体器件或集成电路。

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