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1. 发明申请

WO2022231829A1 DIRECT LIFT CATHODE FOR LITHOGRAPHY MASK CHAMBER 审中-公开
公开(公告)号：WO2022231829A1
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：PCT/US2022/024222
申请日：2022-04-11
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： NGUYEN, Khiem
IPC分类号： G03F1/80 , H01L21/687
摘要： Exemplary lithography mask processing chambers may include a substrate support that includes a plurality of lift pins that are vertically translatable relative to a top surface of the substrate support. The lithography mask processing chambers may include a cover ring positioned atop the substrate support. The cover ring may define a rectilinear substrate seat. A top surface of the rectilinear substrate seat may be elevated above the top surface of the substrate support. An outer periphery of the rectilinear substrate seat may be positioned outward of the plurality of lift pins.

2. 发明申请

WO2022231815A1 PLASMA ETCHING OF MASK MATERIALS 审中-公开
公开(公告)号：WO2022231815A1
公开(公告)日：2022-11-03
申请号：PCT/US2022/023782
申请日：2022-04-07
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： LEUNG, Toi Yue Becky , CHANDRACHOOD, Madhavi Rajaram , YALAMANCHILI, Madhava Rao
IPC分类号： G03F1/80 , G03F1/22
摘要： Exemplary etching methods may include forming a plasma of a fluorine-containing precursor to produce plasma effluents. A first bias frequency may be applied while forming the plasma. The methods may include contacting a substrate housed in a processing region of a semiconductor processing chamber with the plasma effluents. The substrate may be or include a photomask. The methods may include etching a first layer of the photomask. Etching the first layer of the photomask may expose a second layer of the photomask. The methods may include adjusting the first bias frequency to a second bias frequency while maintaining the plasma of the fluorine-containing precursor. The methods may include etching the second layer of the photomask.

3. 发明申请

WO2022124192A1 マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2022124192A1
公开(公告)日：2022-06-16
申请号：PCT/JP2021/044247
申请日：2021-12-02
申请人：ＨＯＹＡ株式会社 HOYA CORPORATION [JP]/[JP]
发明人：野澤　順 NOZAWA, Osamu , 前田　仁 MAEDA, Hitoshi
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/58 , G03F1/80
摘要：ＡｒＦエキシマレーザーの露光光に対する透過率を一定以上に高くして位相シフト効果を高めることができるとともに、位相シフト膜の膜厚を一定以下に抑制することができ、光学的な性能が良好な位相シフトマスクを製造することのできるマスクブランクを提供する。　透光性基板上に位相シフト膜を備えたマスクブランクであって、位相シフト膜は、前記透光性基板側から、第１層、第２層および第３層がこの順に積層した構造を含み、第１層および第３層は、ハフニウムと酸素を含有し、第２層は、ケイ素と酸素を含有し、第１層、第２層および第３層の厚さをそれぞれＤ１、Ｄ２およびＤ３としたとき、（式１－Ａ）から（式１－Ｄ）の関係を全て満たす、または（式２－Ａ）から（式２－Ｄ）の関係を全て満たす。

4. 发明申请

WO2022014248A1 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2022014248A1
公开(公告)日：2022-01-20
申请号：PCT/JP2021/023031
申请日：2021-06-17
申请人：ＨＯＹＡ株式会社
发明人：宍戸　博明 , 野澤　順
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/80 , C23C14/06
摘要：２０ｎｍ程度といった微小な寸法の補助パターンを有する転写用マスクを精度良く作成することのできるマスクブランクを提供することを目的とする。　基板（１）の主表面上に、パターン形成用薄膜（２）、第１ハードマスク膜（３）、第２ハードマスク膜（４）がこの順に積層した構造を備えるマスクブランク（１０）であって、パターン形成用薄膜は、遷移金属を含有し、第１ハードマスク膜は、ケイ素およびタンタルから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有し、第２ハードマスク膜は、遷移金属を含有し、第２ハードマスク膜の遷移金属の含有量は、前記パターン形成用薄膜の遷移金属の含有量よりも少なく、主表面上における第１ハードマスク膜が形成されている領域は、パターン形成用薄膜が形成されている領域よりも小さく、第２ハードマスク膜とパターン形成用薄膜は、少なくとも一部で接していることを特徴とする。

5. 发明申请

WO2015037392A1 マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法审中-公开
标题翻译：掩模层，转移掩模和生产转移掩模的方法
公开(公告)号：WO2015037392A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/JP2014/071487
申请日：2014-08-15
申请人： HOYA株式会社
发明人：宍戸　博明 , 大久保　亮 , 野澤　順
IPC分类号： G03F1/32 , C23C14/06 , C23F4/00 , G03F1/58 , G03F1/80 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/80 , C23F4/00 , G03F1/32 , G03F1/58 , H01L21/027
摘要：遮光膜を除去するドライエッチングで生じる光半透過膜へのダメージを抑制したマスクブランクを提供する。透光性基板１の主表面上に光半透過膜２と遮光膜４が積層した構造を有するマスクブランク１００であって、光半透過膜２はフッ素系ガスを含有するエッチングガスでのドライエッチングが可能な材料で形成され、遮光膜４は、下層４１と上層４２の積層構造を含み、下層４１はタンタルを含有し、ハフニウム、ジルコニウムおよび酸素を実質的に含有しない材料で形成され、上層４２は、ハフニウムおよびジルコニウムから選ばれる１以上の元素とタンタルを含有し、上層４２の表層を除いた部分は酸素を実質的に含有しない材料で形成され、光半透過膜２と下層４１の間に塩素系ガスを含有しかつ酸素ガスを含有しないエッチングガスでのドライエッチングに対して下層４１との間でエッチング選択性を有する材料からなるエッチングストッパー膜３が設けられている。
摘要翻译：提供一种掩模坯料，其被抑制在由干蚀刻引起的用于去除遮光膜的光半透膜上的损伤。具有光透射性基板（1）的主面上层叠有光半透射膜（2）和遮光膜（4）的结构的掩模基板（100）。光半透膜（2）由可以通过含氟基气体的蚀刻气体进行干蚀刻的材料形成。遮光膜（4）具有下层（41）和上层（42）的多层结构。下层（41）由含有钽但基本不含有铪，锆和氧的材料形成。上层（42）包含钽和选自铪和锆中的一种或多种元素，并且除了其表面层之外的上层（42）的部分由基本上不含氧的材料形成。在光半透膜（2）和下层（41）之间设置有蚀刻阻挡膜（3），蚀刻阻挡膜（3）由对下层（41）具有蚀刻选择性的材料形成）相对于使用包含氯基气体但不含氧气的蚀刻气体的干蚀刻。

6. 发明申请

WO2013172515A1 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：掩模空白，照相机及其制造方法
公开(公告)号：WO2013172515A1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/KR2012/008852
申请日：2012-10-26
申请人： 주식회사 에스앤에스텍 , 남기수 , 강긍원 , 이종화 , 양철규 , 권순기
发明人： 남기수 , 강긍원 , 이종화 , 양철규 , 권순기
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/70 , G03F1/80
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/50 , G03F1/76 , G03F1/80
摘要： 본 발명은 하부에 배치되는 상기 위상반전막을 식각하기 위하여 하드마스크막 패턴을 식각 마스크로 사용하는 포토마스크 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 이를 위한 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크도 제공한다. 본 발명에 따르면, 하드마스크막을 패터닝하기 위한 레지스트막은 얇은 두께로 형성될 수 있고, 식각 선택비가 큰 하드마스크막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 위상반전막을 식각함에 따라 차광막 패턴에 의해 광학 밀도가 3.0 정도로 유지되면서 패턴 해상도 및 정확도를 높일 수 있으며, 로딩 효과를 줄일 수 있고, CD 균일성 및 CD 선형성과 같은 CD 특성이 향상된 포토마스크를 제조할 수 있다.
摘要翻译：本发明提供了一种用于制造光掩模的方法，其中使用硬掩模膜图案作为蚀刻掩模，以蚀刻设置在其下方的相位转移膜。本发明还提供了一种用于其的掩模板和使用其的光掩模。根据本发明，可以形成用于图形化硬掩模膜的抗蚀剂膜以具有小的厚度，并且使用具有大的蚀刻选择比的硬掩模膜图案作为蚀刻掩模，以便蚀刻相位转移膜，因此可以以光屏蔽膜图案将光密度维持在约3.0的方式制造光掩模，同时可以提高图案分辨率和精度，可以降低装载效果，并且诸如CD均匀性的CD特性 CD线性提高。

7. 发明申请

WO0196955A2 A METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING METAL LAYERS ON SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：用于蚀刻基底上金属层的方法和装置
公开(公告)号：WO0196955A2
公开(公告)日：2001-12-20
申请号：PCT/US0119282
申请日：2001-06-15
申请人： APPLIED MATERIALS INC , STOEHR BRIGGITTE , WELCH MICHAEL , BUIE MELISSA J
发明人： STOEHR BRIGGITTE , WELCH MICHAEL , BUIE MELISSA J
IPC分类号： C23F4/00 , G03F1/80 , H01L21/3213 , G03F1/00
CPC分类号： H01J37/321 , C23F4/00 , G03F1/80 , H01L21/32136 , H01L21/32137
摘要： Method and apparatus for etching a metal layer disposed on a substrate, such as a photomask, are provided. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including positioning the substrate in a processing chamber, introducing a processing gas comprising (i) one or more hydrogen containing fluorocarbons, (ii) an oxygen containing gas, (iii) a chlorine containing gas, and optionally, (iv) an inert gas into the processing chamber, wherein the substrate is maintained at a reduced temperature, and the processing gas is excited into a plasma state at a reduced power level to etch exposed portions of the metal layer disposed on the substrate.
摘要翻译：提供了蚀刻设置在诸如光掩模等基板上的金属层的方法和装置。在一个方面，提供了一种用于处理衬底的方法，包括将衬底定位在处理室中，引入处理气体，其包括（i）一种或多种含氢碳氢化合物，（ii）含氧气体，（iii）含氯气体气体和任选地（iv）惰性气体进入处理室，其中衬底保持在降低的温度，并且处理气体以降低的功率水平被激发成等离子体状态，以蚀刻设置的金属层的暴露部分在基板上。

8. 发明申请

WO2020006308A1 FABRICATION OF DIFFRACTION GRATINGS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020006308A1
公开(公告)日：2020-01-02
申请号：PCT/US2019/039615
申请日：2019-06-27
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： GODET, Ludovic , MCMILLAN, Wayne , MEYER TIMMERMANTHIJSSEN, Rutger
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/20 , G03F1/80 , H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/306
摘要： The systems and methods discussed herein are for the fabrication of diffraction gratings, such as those gratings used in waveguide combiners. The waveguide combiners discussed herein are fabricated using nanoimprint lithography (NIL) of high-index and low-index materials in combination with and directional etching high-index and low-index materials. The waveguide combiners can be additionally or alternatively formed by the directional etching of transparent substrates. The waveguide combiners that include diffraction gratings discussed herein can be formed directly on permanent transparent substrates. In other examples, the diffraction gratings can be formed on temporary substrates and transferred to a permanent, transparent substrate.

9. 发明申请

WO2019089196A1 ETCHING METAL OXIDE SUBSTRATES USING ALE AND SELECTIVE DEPOSITION 审中-公开
公开(公告)号：WO2019089196A1
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：PCT/US2018/055065
申请日：2018-10-09
申请人： LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： SMITH, David Charles , WISE, Richard , MAHOROWALA, Arpan , HAUSMANN, Dennis M.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/67 , G03F7/20 , G03F1/80
摘要： Methods of and apparatuses for processing a metal oxide film are provided. Methods involve (a) exposing the metal oxide film to a boron halide reactant and igniting a first plasma with a first bias power to modify a surface of the metal oxide film, and (b) exposing the modified surface of the metal oxide film to a second plasma at a second bias power and for a duration sufficient to remove the modified surface without sputtering. Methods also involve (c) selectively depositing a metal oxide material on the metal oxide film to fill crevices within the metal oxide film.

10. 发明申请

WO2019014376A1 METHOD FOR CREATING A HIGH REFRACTIVE INDEX WAVE GUIDE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019014376A1
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：PCT/US2018/041688
申请日：2018-07-11
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： MEYER TIMMERMAN THIJSSEN, Rutger , VERHAVERBEKE, Steven , JOHNSON, Joseph R.
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/80 , G03F7/00 , H01L21/027
摘要： Embodiments described herein generally relate to a wave guide and a method of creating a wave guide. In one embodiment, a method of forming a wave guide is disclosed herein. An inverse master substrate having a plurality of projections extending therefrom is formed. A high refractive index material is formed on a top surface of the inverse master substrate. A glass layer is positioned on a top surface of the high refractive index material. The inverse master substrate is removed from the high refractive index material.

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