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    • 3. 发明申请
    • SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING A CRYSTALLINE THIN STRUCTURE
    • 用于制造晶体薄膜结构的系统和方法
    • WO2005086962A2
    • 2005-09-22
    • PCT/US2005008237
    • 2005-03-11
    • UNIV VERMONTHEADRICK RANDALL L
    • HEADRICK RANDALL L
    • B32B9/04C30B1/00C30B3/00C30B5/00C30B28/02H01L51/00H01L51/40
    • H01L51/0003C30B7/00C30B7/005C30B29/54H01L51/0052H01L51/0054
    • A crystalline thin structure (104, 204, 404) is grown on a surface (108, 228) of a substrate (112, 208, 400) by depositing molecules (136, 220) from a molecular precursor to a lateral growth front (144, 224) of the structure using a crystal grower (116, 200). In one embodiment, the crystal grower comprises a solution (124) containing the molecular precursor in a solvent (140). Molecules are added to the lateral growth front by moving one or both of the free surface (120, 120') of the solution and deposition surface relative to the other at a predetermined rate. In another embodiment, the crystal grower comprises a mask (212) that includes at least one opening (216). Precursor molecules are vacuum deposited via a molecular beam (236) at the growth front (228) of the crystalline thin structure (204) as one or both of the opening and surface are moved relative to the other at a predetermined rate.
    • 通过从分子前体沉积到侧向生长前沿的分子(136,220),在衬底(112,208,400)的表面(108,228)上生长晶体薄结构(104,204,404) ,224)使用晶体栽植者(116,200)的结构。 在一个实施方案中,晶体生长器包含在溶剂(140)中含有分子前体的溶液(124)。 通过以预定的速率相对于另一个移动溶液和沉积表面的自由表面(120,120')中的一个或两个来将分子添加到横向生长前沿。 在另一个实施例中,晶体生长器包括包括至少一个开口(216)的掩模(212)。 当晶体薄结构(204)中的一个或两个开口和表面以预定的速率相对于另一个移动时,前体分子通过分子束(236)被真空沉积在晶体薄结构(204)的生长前部(228)处。