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1. 发明申请

WO2014009412A1 APPLICATEUR D'ONDE DE SURFACE POUR LA PRODUCTION DE PLASMA 审中-公开
标题翻译：用于等离子体生产的表面波应用器
公开(公告)号：WO2014009412A1
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：PCT/EP2013/064578
申请日：2013-07-10
申请人： CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) , UNIVERSITE JOSEPH FOURIER - GRENOBLE 1
发明人： LACOSTE, Ana , PELLETIER, Jacques
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H05H2001/4615
摘要： L'invention concerne un applicateur d'onde de surface (1) pour la production de plasma, comprenant : - un ensemble coaxial (2) électriquement conducteur, formé d'une âme centrale (20) et d'un conducteur tubulaire externe (21) entourant l'âme centrale (20) et séparé de celle-ci par un volume annulaire (22) de propagation d'une onde électromagnétique (W), et - un tube diélectrique (3) inséré, à l'extrémité dudit ensemble coaxial (2), dans ledit volume annulaire (22) de propagation de l'onde électromagnétique et s'étendant au-delà du plan de sortie (Y) de l'applicateur sur une longueur au moins égale au double du diamètre extérieur dudit tube (3), de sorte qu'une onde électromagnétique (W) se propageant dans l'ensemble coaxial (2) est introduite dans la section dudit tube diélectrique (3) selon la direction longitudinale (X) dudit tube (3) afin de produire un plasma à onde de surface le long de la partie du tube diélectrique dont la paroi interne (30) et/ou la paroi externe (31 ) est en contact avec un gaz plasmagène (4).
摘要翻译：本发明涉及一种用于等离子体生产的表面波施加器（1），包括：由中心芯（20）和围绕中心芯（20）的外管状导体（21）形成的导电同轴组件（2）和通过允许电磁波（W）传播的环形空间（22）与其分离; 以及电介质管（3），其在所述同轴组件（2）的端部处插入到所述环形电磁波传播空间（22）中并且延伸超过所述施加器的输出平面（Y）至少两倍的外部使得在同轴组件（2）中传播的电磁波（W）沿着管（3）的纵向方向（X）引入电介质管（3）的部分中，以便沿着介质管的内壁（30）和/或外壁（31）与等离子体气体（4）接触的部分产生表面波等离子体。

2. 发明申请

WO2012121289A1 表面波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ源、およびそれに用いるマイクロ波導入機構审中-公开
标题翻译：表面波等离子体处理装置，微波等离子体源和微波介绍机理
公开(公告)号：WO2012121289A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/JP2012/055816
申请日：2012-03-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 池田太郎 , 長田勇輝
发明人：池田　太郎 , 長田　勇輝
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H05H2001/4615
摘要：　チャンバ（１）と、チャンバ（１）内にガスを供給するガス供給機構（１００）と、チャンバ内にマイクロ波導入機構（４１）によりマイクロ波を導入してチャンバ（１）内に供給されたガスにより表面波プラズマを発生させるマイクロ波プラズマ源（２）とを具備し、マイクロ波導入機構（４１）は、導波路（４４）と、表面波発生用アンテナ（８１）を有するアンテナ部（４３）とを備え、ガス供給機構（１００）は、ガス供給源（１０１）と、ガス供給源（１０１）からのガスを導波路（４４）の内側導体（５３）の内部を通ってアンテナ部（４３）の表面波発生用アンテナ（８１）よりも先端側部分に供給するガス供給配管（１０２）と、アンテナ部（４３）の表面波発生用アンテナ（８１）よりも先端側部分に設けられ、ガス供給配管（１０２）からのガスを吐出する多数のガス吐出孔（１０６）を有するシャワーヘッドとを備える。
摘要翻译：该表面波等离子体处理装置设有：腔室（1）; 用于将气体供应到所述室（1）中的气体供给机构（100）; 以及微波等离子体源（2），其通过微波引入机构（41）将微波引入室内，并且使用供应到室（1）中的气体产生表面波等离子体。微波引入机构（41）设置有具有用于产生表面波的天线（81）的波导（44）和天线单元（43）。气体供给机构（100）具备：气体供给源（101）; 气体供给管（102），其将来自气体供给源（101）的气体供给到天线单元（43）的一部分，所述部分比天线（81）更靠近前端，用于产生表面波，通过波导（44）的内部导体（53）的内部; 以及淋浴喷头，其设置在天线单元（43）的比天线（81）更靠近前端的位置处，用于产生表面波，并且具有多个气体喷射口（106），从所述天线单元气体供给管（102）被排出。

3. 发明申请

WO2012146874A1 DISPOSITIF D'EXCITATION D'UNE COLONNE DE GAZ ENFERMEE DANS UNE FIBRE OPTIQUE A CŒUR CREUX 审中-公开
标题翻译：用于激活中空光纤的气体柱的装置
公开(公告)号：WO2012146874A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/FR2012/050927
申请日：2012-04-26
申请人： UNIVERSITE DE LIMOGES , BENABID, Fetah , BLONDY, Jean-Marc , DEBORD, Benoit , GERÔME, Frédéric , JAMIER, Raphael , LEPRINCE, Philippe
发明人： BENABID, Fetah , BLONDY, Jean-Marc , DEBORD, Benoit , GERÔME, Frédéric , JAMIER, Raphael , LEPRINCE, Philippe
IPC分类号： H01S3/0975 , H01S3/032 , H01S3/22 , H05H1/46 , H01J65/04 , H01S3/067 , G02B6/02
CPC分类号： H01S1/06 , G02B6/02328 , H01J65/042 , H01S3/0323 , H01S3/06741 , H01S3/0975 , H01S3/22 , H05H1/46 , H05H2001/4615
摘要： L'objet de l' invention est un dispositif d'excitation d'un milieu gazeux (10) contenu dans une enveloppe (12), ledit dispositif étant couplé à ladite enveloppe (12) et disposé à l'extérieur de ladite enveloppe (12) et comprenant un applicateur susceptible de générer sur au moins une portion de ladite enveloppe (12) une excitation latérale à l'intérieur de ladite enveloppe (12), caractérisé en ce que l'enveloppe (12) est une structure diélectrique photonique à cœur creux (16) dont le cœur a un diamètre inférieur à 300 μτη et en ce que l'applicateur est de type micro-onde et permet de générer une onde de surface apte à créer et confiner un micro-plasma à partir du milieu gazeux contenu dans l'enveloppe (12).
摘要翻译：本发明涉及一种用于激发包含在壳体（12）中的气体介质（10）的装置，所述装置联接到壳体（12）并且设置在外部并且包括可在壳体内产生横向激励的施加器（12）的至少一部分。该装置的特征在于，壳体（12）是中空光子介质结构（16），其中芯具有小于300μm的直径，并且施加器是微波型的，并且可以用于产生能够从包含在壳体（12）中的气体介质产生和限制微等离子体的表面波。

4. 发明申请

WO2012132596A1 プラズマ発生装置及びこれを用いた洗浄浄化装置审中-公开
标题翻译：使用相同的等离子体发生器和清洁/净化装置
公开(公告)号：WO2012132596A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/JP2012/053508
申请日：2012-02-15
申请人：パナソニック株式会社 , 斎藤亮彦 , 実松渉 , 成田憲二 , 中山敏
发明人：斎藤　亮彦 , 実松　渉 , 成田　憲二 , 中山　敏
IPC分类号： H05H1/24 , B01J19/08 , B08B3/10 , B26B19/48 , C01B13/11 , C02F1/46 , C02F1/48 , C02F1/72 , C02F1/78
CPC分类号： H01J37/3244 , A45D27/46 , A46B17/06 , C01B13/10 , C02F1/4608 , C02F1/72 , C02F1/78 , H05H1/2406 , H05H2001/4615
摘要：　プラズマ発生装置１は、水を含む液体６を収容する液体収容部３と、気体を収容する気体収容部４と、気体収容部中の気体を液体収容部へ導く気体通路５ａが形成され、液体収容部と気体収容部とを隔てる隔壁部３を有している。また、気体収容部に配設された第１電極１０と、液体収容部中の液体と接触するように配設した第２電極１１とを備えている。更に、気体を気体収容部に供給する気体供給部９と、プラズマ電源部１３と、液体収容部内の液体を排水後に、気体通路に液体が残らないようにする排水促進部である突起形状部１４と、を備えている。
摘要翻译：等离子体发生器（1）包括：含有包含水的液体（6）的液体容纳部分（3）包含气体的气体容纳部分（4）; 以及将液体容纳部和气体容纳部彼此分离的分隔壁部（3），并且设置有气体通道（5a），气体容纳部中的气体通过该气体通道被引导到液体容纳部。等离子体发生器（1）还设置有布置在气体容纳部分中的第一电极（10）和布置成与液体容纳部分中的液体接触的第二电极（11）。等离子体发生器（1）还设置有：气体供应单元（9），其将气体供应到气体容纳部分; 等离子体供电单元（13）; 以及作为排水促进部的突出部（14），其在液体容纳部中的液体被排出之后防止液体残留在气体通道中。

5. 发明申请

WO2014146008A2 SCALABLE MULTI-ROLE SURFACE-WAVE PLASMA GENERATOR 审中-公开
标题翻译：可扩展多功能表面波等离子发生器
公开(公告)号：WO2014146008A2
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/US2014030877
申请日：2014-03-17
申请人： STARFIRE IND LLC
发明人： RUZIC DAVID N , REILLY MICHAEL P , ZOONOZ PIYUM , STUBBERS ROBERT S , JURCZYK BRIAN E
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01L21/67017 , H01L21/67155 , H01L31/18 , H05H2001/4615 , H05H2001/463
摘要： Systems and methods are described herein for generating surface-wave plasmas capable of simultaneously achieving high density with low temperature and planar scalability. A key feature of the invention is reduced damage to objects in contact with the plasma due to the lack of an RF bias; allowing for damage free processing. The preferred embodiment is an all-in-one processing reactor suitable for photovoltaic cell manufacturing, performing saw-damage removal, oxide stripping, deposition, doping and formation of heterostructures. The invention is scalable for atomic-layer deposition, etching, and other surface interaction processes.
摘要翻译：本文描述了用于产生能够同时实现具有低温度和平面可伸缩性的高密度的表面波等离子体的系统和方法。本发明的关键特征是由于缺少RF偏压而减少与等离子体接触的物体的损坏; 允许无损处理。优选的实施方案是适用于光伏电池制造，执行锯切损伤去除，氧化物剥离，沉积，掺杂和形成异质结构的一体化处理反应器。本发明可用于原子层沉积，蚀刻和其它表面相互作用过程。

6. 发明申请

WO2014109049A1 表面波励起プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：表面波激发等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2014109049A1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：PCT/JP2013/050403
申请日：2013-01-11
申请人：株式会社島津製作所
发明人：鈴木　正康 , 西原　隆治
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/32522 , H05H1/46 , H05H2001/4615
摘要：　スロットアンテナを有し、内部をマイクロ波が伝播する導波管と、処理対象の基板に対向して配置され、スロットアンテナを介してマイクロ波が伝播される誘電体と、誘電体の周辺部分を加熱する加熱装置とを備え、加熱装置によって誘電体の周辺部分を加熱しながら、誘電体に伝播されるマイクロ波によって基板と誘電体との間に導入されるプロセスガスを励起し、表面波励起プラズマを生成する。
摘要翻译：一种表面波激发等离子体处理装置，包括：波导管，其具有槽天线并允许微波传播; 微波经由缝隙天线传播的电介质体，所述绝缘体被配置为面对要被处理的衬底; 以及用于加热电介质体的周边的加热器装置。表面波激发等离子体处理装置利用传播到电介质体的微波激发在衬底和电介质体之间引入的工艺气体，同时用加热器装置加热电介质体的周边，以产生表面波激发等离子体。

7. 发明申请

WO2013089007A1 プラズマ発生用アンテナ、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体生成天线，等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2013089007A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/JP2012/081570
申请日：2012-12-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：小松　智仁 , 池田　太郎 , 河西　繁
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/006 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/463
摘要：　同軸導波管を伝送されたマイクロ波を処理容器内に放射し、処理容器内の金属面に伝搬させてガスをプラズマ化させることにより表面波プラズマを生成するためのプラズマ発生用アンテナを提供する。プラズマ発生用アンテナは、前記プラズマ発生用アンテナ内にガスを流すガス経路と、前記ガス経路に連通し、前記ガス経路を通過したガスを処理容器内に導入する複数のガス孔と、前記ガス経路と分離した状態で前記ガス経路を貫通し、同軸導波管を介して遅波板を透過したマイクロ波を通し、処理容器内に放射する複数のスロットとを備え、隣接するスロット間は、処理容器内のプラズマ生成空間へ開口する部分の間隔ＷＢよりも前記ガス経路を貫通する部分の間隔ＷＡが広くなっている。
摘要翻译：本发明提供一种等离子体生成用天线，其用于通过在处理容器内在同轴波导管内照射微波产生表面波等离子体，并在处理容器的金属表面形成气体成为等离子体。用于等离子体产生的天线设置有：气体在天线内流动用于等离子体产生的气体路径; 连接到气体路径并将已经通过气体路径的气体引入处理容器的多个气孔; 以及在与气体路线分离的状态下穿过气体路径的多个槽，并且经由同轴波导管经过慢波板的微波经过并经辐射到处理容器内。作为通过气体路径的部分的相邻狭缝之间的空间（WA）比对处理容器内的等离子体产生空间开放的部分的空间（WB）宽。

8. 发明申请

WO2007007003A2 PROCEDE DE TRAITEMENT PAR PLASMA D'EFFLUENTS GAZEUX 审中-公开
标题翻译：气体处理等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2007007003A2
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：PCT/FR2006/050699
申请日：2006-07-10
申请人： L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME A DIRECTOIRE ET CONSEIL DE SURVEILLANCE POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE , AIR LIQUIDE ELECTRONICS SYSTEMS , GUERIN, Daniel , LARQUET, Christian , EL-KRID, Aicha , ROSTAING, Jean-Christophe , MOISAN, Michel , MOINE, Pascal , DULPHY, Hervé , LESORT, Anne-Laure , SANDRE, Etienne
发明人： GUERIN, Daniel , LARQUET, Christian , EL-KRID, Aicha , ROSTAING, Jean-Christophe , MOISAN, Michel , MOINE, Pascal , DULPHY, Hervé , LESORT, Anne-Laure , SANDRE, Etienne
CPC分类号： C23C16/4412 , B01D53/323 , B01D53/70 , B01D2259/818 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , Y02C20/20 , Y02C20/30
摘要： L'invention concerne un procédé de traitement, par plasma, d'effluents gazeux à pression sensiblement atmosphérique, comportant - l'injection de l'effluent à traiter dans une torche à plasma, - l'injection de vapeur d'eau, en amont ou en aval du plasma.
摘要翻译：本发明涉及一种基本上在大气压下等离子体处理气体流出物的方法，包括：将待处理流出物注入等离子体焰炬中; 在等离子体的上游或下游注入水蒸气。

9. 发明申请

WO2015099014A1 成膜装置审中-公开
标题翻译：电影制作装置
公开(公告)号：WO2015099014A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：PCT/JP2014/084247
申请日：2014-12-25
申请人：ブラザー工業株式会社
发明人：滝　和也 , 金田　英樹 , 篠田　健太郎
IPC分类号： C23C16/511 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/4615
摘要：異常放電を引き起こす可能性を低減し、プラズマ成膜処理を安定化させることができる成膜装置を提供することを目的とする。被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を被加工材料に印加する負電圧印加部と、マイクロ波を拡大されたシース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、マイクロ波供給口に形成された凹部の深さ方向において凹部と反対側のマイクロ波供給口に配置された、マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を伝送する導波管の中心導体と、凹部の深さ方向において、互いに対向する中心導体の第１面の面積Ｓ１と、被加工材料を支持する治具の第２面の面積Ｓ２とは、【数１５】の関係を有する。
摘要翻译：本发明的目的是提供能够稳定等离子体膜形成过程并降低产生异常放电的可能性的成膜装置。本发明提供有：微波提供单元，用于提供微波，以沿着工件的处理表面产生等离子体; 负电压施加单元，其中用于将沿着处理表面放大鞘层的负偏压施加到工件; 微波供应口，使微波通过该微波传播到扩大的鞘层; 以及用于波导的中心导体，由此从微波供给单元提供的微波被传输，中心导体设置在与形成在微波供给开口中的凹部相对的一侧的微波供给口中，从深度方向观察的凹陷部分。中心导体的第一表面的区域（S1）和用于支撑工件的夹具的第二表面的区域（S2）具有公式（15）的关系，第一和第二表面的深度彼此相对凹陷部分的方向。

10. 发明申请

WO2014118882A1 表面波励起プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：表面波等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2014118882A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/JP2013/051879
申请日：2013-01-29
申请人：株式会社島津製作所
发明人：鈴木　正康
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H05H2001/4615
摘要：　底部にスロットアンテナが形成され、内部をマイクロ波が伝播する導波管と、スロットアンテナ内に配置されたスロットアンテナ誘電体と、導波管の底部に対向して配置され、スロットアンテナ誘電体と接する主誘電体と、スロットアンテナ誘電体と主誘電体とが接する領域の残余の領域において導波管の底部と主誘電体との間に配置された、電磁波をシールド可能なシールド領域とを備え、導波管からスロットアンテナ誘電体を介して主誘電体に伝播されるマイクロ波によってプロセスガスを励起し、表面波励起プラズマを生成する。
摘要翻译：本发明提供一种表面波等离子体处理装置，其特征在于，包括：波导管，其中槽天线形成在底部，并在其中传播微波; 定位在缝隙天线内的缝隙天线电介质; 与所述波导管的底部相对定位并与所述槽天线电介质接触的主电介质; 以及屏蔽区域，其位于波导管的底部和主电介质之间并且能够进行电磁波屏蔽的位于槽天线电介质和主电介质接触的区域的过剩区域中。经由微波激发工艺气体，微波经由缝隙天线电介质从波导管传播到初级介质，产生表面波等离子体。

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