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1. 发明申请

WO2016087374A1 HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN HALBLEITERCHIPS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEKTRONISCHEN ODER OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND ELEKTRONISCHES ODER OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：半导体芯片，用于生产半导体芯片和方法，各种用于制造电子或光电元件和电子或光电组件
公开(公告)号：WO2016087374A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/EP2015/078064
申请日：2015-11-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BARCHMANN, Bernd , EIGENMANN, Fabian , PLÖSSL, Andreas
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/78
CPC分类号： H01L33/0054 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L31/022441 , H01L33/0091 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/03002 , H01L2224/05669 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/83469 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2224/94 , H01L2924/15156 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2224/03
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Halbleiterchips (13) mit den folgenden Schritten angegeben: -Bereitstellen eines Wafers (1) mit einer Vielzahl an Halbleiterkörpern (2), wobei zwischen den Halbleiterkörpern (2) Trennlinien (9) angeordnet sind, -Abscheiden einer Kontaktschicht (10) auf dem Wafer (1), wobei das Material der Kontaktschicht (10) aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Platin, Rhodium, Palladium, Gold, und die Kontaktschicht (10) eine Dicke zwischen einschließlich 8 Nanometer und einschließlich 250 Nanometer aufweist, -Aufbringen des Wafers (1) auf eine Folie (11), -zumindest teilweises Durchtrennen des Wafers(1) in vertikaler Richtung entlang der Trennlinien (9) oder Einbringen von Bruchkeimen (12) in den Wafer (1) entlang der Trennlinien (9), und -Brechen des Wafers (1) entlang der Trennlinien (9) oder Expandieren der Folie (11),so dass eine räumliche Trennung der Halbleiterchips (13) erfolgt, wobei auch die Kontaktschicht (10) getrennt wird. Weiterhin werden ein Halbleiterchip, ein Bauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben.
摘要翻译：提供了一种制造包括以下步骤的多个半导体芯片（13）的方法，包括： - 提供一个晶片（1），具有多个半导体本体（2），其中，所述半导体本体（2）之间的分割线（9）被布置， - 晶片（1），其特征在于，选自以下组的接触层（10）的材料上沉积接触层（10）：铂，铑，钯，金，和接触层（10）的厚度为8nm，并且包括之间具有250个纳米，晶片（1）的片材（11）的-Aufbringen，晶片的 - 至少部分切割（1）在沿着所述分割线（9）或断裂的核（12）的结合到晶片中的垂直方向（1）沿进行的分离线（9），或破坏晶片（1）沿着所述分割线（9）或所述膜（11）的膨胀开，从而使半导体芯片（13），其中所述接触层（10）是断开的空间分离。此外，半导体芯片，装置和方法，给出了它的生产。

2. 发明申请

WO2015145807A1 保護膜形成フィルム、保護膜形成用シートおよび加工物の製造方法审中-公开
标题翻译：保护膜成型薄膜，保护膜成型片和工件制造方法
公开(公告)号：WO2015145807A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/JP2014/073265
申请日：2014-09-03
申请人：リンテック株式会社
发明人：佐伯　尚哉 , 稲男　洋一 , 山本　大輔 , 米山　裕之
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/53 , B32B27/00 , C09J7/02
CPC分类号： H01L21/6836 , B23K26/0057 , B23K26/53 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B2307/50 , B32B2307/548 , B32B2457/14 , C08J7/042 , C08J2333/10 , C08J2363/00 , C08J2363/04 , C09D133/10 , C09D163/00 , C09D163/04 , C09J7/29 , C09J133/10 , C09J163/00 , C09J163/04 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/268 , H01L21/78 , H01L2221/68313 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377
摘要：保護膜形成フィルム（１）および保護膜形成フィルム（１）から形成された保護膜の少なくとも一方は、測定温度０℃で測定された破断応力（ＭＰａ）と、測定温度０℃で測定された破断ひずみ（単位：％）との積が、１ＭＰａ・％以上２５０ＭＰａ・％以下である、保護膜形成フィルム（１）。かかる保護膜形成フィルム（１）によれば、ワークを分割加工して加工物を得る際にワークに対して行われるエキスパンド工程において、当該保護膜形成フィルム（１）または保護膜形成フィルム（１）から形成された保護膜が適切に分割されうる。
摘要翻译：提供一种保护膜形成膜（1），其中在测量温度为0°时测量的在0℃的测量温度下测量的断裂应力（MPa）和断裂应变（单位：％）的乘积对于至少一个保护膜形成膜（1）和由保护膜形成膜（1）形成的保护膜，C为1MPa·％-250MPa·∙％。该保护膜形成膜（1）能够使保护膜形成膜（1）或由保护膜形成膜（1）形成的保护膜在工件上进行的扩展步骤中适当地划分，被分割以获得加工的工件。

3. 发明申请

WO2015105002A1 保護膜形成用複合シート审中-公开
标题翻译：用于保护膜形成的复合片
公开(公告)号：WO2015105002A1
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：PCT/JP2014/084226
申请日：2014-12-25
申请人：リンテック株式会社
发明人：米山　裕之 , 佐伯　尚哉 , 加太　章生
IPC分类号： C09J7/02 , H01L21/301
CPC分类号： C09J7/0217 , B32B3/04 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/26 , B32B27/304 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B2250/02 , B32B2250/246 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2264/102 , B32B2264/105 , B32B2264/107 , B32B2307/202 , B32B2307/304 , B32B2307/4026 , B32B2307/51 , B32B2307/748 , B32B2323/10 , B32B2457/14 , B32B2571/00 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2201/122 , C09J2201/28 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2423/106 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377
摘要：　基材２１の一方の面側に粘着剤層２２が積層されてなる粘着シート２と、粘着シート２の粘着剤層２２側に積層された保護膜形成フィルム３と、保護膜形成フィルム３の粘着シート２側とは反対側の周縁部に積層された治具用粘着剤層４とを備え、粘着シート２の粘着剤層２２の厚さが１～８μｍである保護膜形成用複合シート１。かかる保護膜形成用複合シート１によれば、加熱工程および冷却工程におけるシート１の弛みを効果的に抑制するとともに、ダイシングおよびピックアップを良好に行うことができる。
摘要翻译：一种用于保护膜形成的复合片材（1），其包括：压敏粘合片（2），其包含叠置在其一个表面上的基底（21）和压敏粘合剂层（22）覆盖在压敏粘合片（2）的压敏粘合剂层（22）侧的保护膜形成膜（3）; 和用于夹具的压敏粘合剂层（4），所述层（4）重叠在所述保护膜形成膜（3）的与所述压敏粘合片相反的一侧的周边部分 2）。粘合片（2）的压敏粘合剂层（22）的厚度为1-8μm。因此，在加热步骤和冷却步骤中，可以有效地抑制用于保护膜形成的复合片材（1），并且可以由于片材（1）令人满意地进行切割和拾取。

4. 发明申请

WO2014162974A1 アンダーフィル用接着フィルム、裏面研削用テープ一体型アンダーフィル用接着フィルム、ダイシングテープ一体型アンダーフィル用接着フィルム及び半導体装置审中-公开
标题翻译：底片胶粘剂，带集成背胶胶带的胶粘胶片，带集成定位胶带的胶粘胶片和半导体装置
公开(公告)号：WO2014162974A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/JP2014/058851
申请日：2014-03-27
申请人：日東電工株式会社
发明人：盛田　浩介 , 高本　尚英 , 花園　博行 , 福井　章洋
IPC分类号： H01L21/60 , B32B27/38 , B32B27/42 , C09J7/00 , C09J121/00 , C09J161/04 , C09J163/00 , H01L21/301 , H01L21/52
CPC分类号： C09J133/12 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/308 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B2264/10 , B32B2307/718 , B32B2405/00 , B32B2457/00 , C08G14/04 , C08K3/36 , C08L21/00 , C08L33/10 , C08L61/00 , C08L63/00 , C09J7/10 , C09J133/10 , C09J161/06 , C09J161/34 , C09J163/00 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2421/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/295 , H01L23/3142 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/83191 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , C09J133/00 , C08K3/00 , C08L61/04
摘要：　可とう性を損なわずに、ガラス転移温度を高められるアンダーフィル用接着フィルムを提供する。　数平均分子量が６００以下のエポキシ樹脂、数平均分子量が５００を超えるフェノール樹脂、及びエラストマーを含む樹脂成分を含み、前記樹脂成分中の前記エポキシ樹脂の含有量が５～５０重量％であり、前記フェノール樹脂の含有量が５～５０重量％であるアンダーフィル用接着フィルムに関する。
摘要翻译：提供了可以增加玻璃化转变温度而不降低柔性的底部填充粘合剂膜。本发明涉及一种底部填充性粘合剂膜，其包含数均分子量为600以下的环氧树脂，数均分子量为500以上的酚醛树脂和弹性体的树脂成分，树脂成分中的环氧树脂为5-50重量％，酚醛树脂的含量为5-50重量％。

5. 发明申请

WO2014038353A1 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート审中-公开
标题翻译：用于印刷的基片和片
公开(公告)号：WO2014038353A1
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：PCT/JP2013/071677
申请日：2013-08-09
申请人：リンテック株式会社
发明人：田矢　直紀 , 上田　公史 , 伊藤　雅春
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/02
CPC分类号： H01L21/6836 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2423/106 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68381
摘要：　樹脂層（Ａ）と、樹脂層（Ａ）の一方の面上に積層された樹脂層（Ｂ）とを備えたダイシングシート用基材フィルム２であって、樹脂層（Ａ）は、２３℃における引張弾性率が１０００ＭＰａ以下であって、ノルボルネン系化合物に由来する構成単位を少なくとも一種有する樹脂であるノルボルネン系樹脂（ａ１）およびプロピレン系重合体に基づく樹脂であるポリプロピレン系樹脂（ａ２）を含み、樹脂層（Ｂ）は、２３℃における引張弾性率が５０ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下であって、破断伸度が１００％以上である。かかるダイシングシート用基材フィルム２によれば、ダイシング工程においてハンドリング性に優れ、かつ被切断物のダイシング時に発生するダイシング屑が発生する可能性が低減され、さらにエキスパンド工程において基材の破断が生じる可能性も低減される。
摘要翻译：一种用于切割片材的基膜（2），其设置有层压在树脂层（A）的一个表面上的树脂层（A）和树脂层（B）。树脂层（A）含有降冰片烯系树脂（a1），该降冰片烯树脂是在23℃下含有至少一种来源于降冰片烯化合物的构成单元，拉伸弹性模量为1000MPa以下的树脂（a1），聚丙烯树脂（a2）是基于丙烯聚合物的树脂。树脂层（B）在23℃下的拉伸弹性模量为50MPa〜500MPa（断裂伸长率）为100％以上。用于切割片的该基膜（2）在切割步骤期间表现出优异的处理性能，同时在切割对象切割期间产生切割灰尘的可能性降低，以及在切割对象期间基底的断裂的可能性扩大步伐

6. 发明申请

WO2014021450A1 フィルム状接着剤、半導体接合用接着シート、および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜粘合剂，用于半导体结的粘合片和用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2014021450A1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：PCT/JP2013/070990
申请日：2013-08-02
申请人：リンテック株式会社
发明人：若山　洋司 , 市川　功 , 阿久津　高志
IPC分类号： C09J201/00 , C09J7/02 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J163/00 , H01L21/301 , H01L21/60
CPC分类号： C09J7/0235 , C08F220/18 , C08G18/10 , C08G18/755 , C08G18/8029 , C08K5/5419 , C08L33/068 , C08L61/00 , C08L63/04 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/405 , C09J133/00 , C09J133/068 , C09J133/14 , C09J163/00 , C09J175/16 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2224/13014 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27334 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/32221 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73104 , H01L2224/8113 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/01322 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/069 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , Y10T428/1405 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2224/27 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L21/463 , H01L2221/68381 , H01L2924/00 , C08F2220/1825 , C08F2220/325 , C08F220/20 , C08F220/14 , C08G18/672 , C08G18/4825 , C08F2220/1858
摘要：　本発明に係るフィルム状接着剤は、バインダー樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）及びフィラー（Ｄ）を含むフィルム状接着剤であって、Ｄ６５標準光源における全光線透過率が７０％以上であり、ヘイズ値が５０％以下である。　フリップ実装方法において所定位置に正確に半導体チップをダイボンドすることができると共に、高いパッケージ信頼性を有する半導体装置を製造できるフィルム状接着剤およびこれを用いた半導体接合用接着シートを提供する。
摘要翻译：该膜状粘合剂含有粘合剂树脂（A），环氧树脂（B），硬化剂（C）和填料（D），其中D65标准光源的总透光率为70％以上，雾度值为50％以下。提供了一种膜状粘合剂，其使得可以在翻转安装中将预定位置处的半导体芯片精确地接合，并且制造具有高封装可靠性的半导体器件，以及使用该粘合剂的半导体接合用粘合片。

7. 发明申请

WO2013015012A1 半導体加工シート用基材フィルム、半導体加工シート及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：用于半导体加工片的基材膜，半导体加工片及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2013015012A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/JP2012/063763
申请日：2012-05-29
申请人：リンテック株式会社 , 田矢直紀 , 上田公史 , 市川功 , 古館正啓
发明人：田矢　直紀 , 上田　公史 , 市川　功 , 古館　正啓
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/00 , C09J163/00 , H01L21/52
CPC分类号： C08L23/0815 , C08L23/0869 , C08L33/10 , C08L63/00 , C08L2205/025 , C09J7/241 , C09J7/29 , C09J123/0869 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336
摘要：　樹脂密度が０．８７０～０．９００ｇ／ｃｍ３、融解ピークにおける熱流量が２．５Ｗ／ｇ以下のオレフィン系樹脂を１０～７０質量％含有する樹脂組成物からなる樹脂層（Ａ）によって構成された基材フィルム（２）と、基材フィルム（２）の片面に積層された接着剤層（３）とを備えた半導体加工シート（１）。かかる半導体加工シート（１）は、良好なピックアップ性能を有し、かつ当該ピックアップ性能の経時的な低下を抑制することができる。
摘要翻译：半导体处理用片材（1）具备：基材膜（2），其由含有10〜70质量％的树脂密度为0.870的烯烃树脂的树脂组合物构成的树脂层（A） -0.900g / cm 3，在熔融峰处的热流量为2.5W / g以下。以及层叠在基材膜（2）的一个表面上的粘合层（3）。半导体处理片（1）具有优异的拾取性能，并且抑制拾取性能随时间的劣化。

8. 发明申请

WO2012043057A1 半導体ダイのピックアップ装置及びその装置を用いた半導体ダイのピックアップ方法审中-公开
标题翻译： SEMICONDUCTOR DIE PICKUP DEVICE AND SEMICONDUCTOR DIE PICKUP METHOD WITH SAME
公开(公告)号：WO2012043057A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/JP2011/067581
申请日：2011-08-01
申请人：株式会社新川 , 中澤基樹 , 佐々木真一 , 藤井明子
发明人：中澤　基樹 , 佐々木　真一 , 藤井　明子
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6838 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68386 , H01L2221/6839 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/75745 , H01L2224/83191 , Y10S156/932 , Y10S156/943 , Y10T156/1132 , Y10T156/1179 , Y10T156/1944 , Y10T156/1983 , H01L2924/00014
摘要：　ステージ（２０）と、吸引開口（４１）と、吸引開口（４１）を開閉する蓋（２３）と、吸引開口（４１）の周縁に配置され、密着面（２２）から突出する各突起（３１），（３２）と基本孔（３３ａ）～（３３ｄ）と、を備え、半導体ダイ（１５）をピックアップする際に、半導体ダイ（１５）の外形の少なくとも一部が各突起（３１），（３２）からステージ外周方向に向かってはみ出した状態で基本孔（３３ａ）～（３３ｄ）によってはみ出した部分の保持シート（１２）を吸引すると共に、蓋（２３）の先端（２３ａ）を上方向に進出させ、保持シート（１２）と半導体ダイ（１５）とを押し上げながら蓋（２３）をスライドさせて吸引開口（４１）を順次開き、開いた吸引開口（４１）に保持シート（１２）を順次吸引させて半導体ダイ（１５）から保持シート（１２）を順次引き剥がす。
摘要翻译：提供一种半导体芯片拾取装置，包括：台（20）; 抽吸孔（41）; 打开和关闭吸入孔（41）的盖（23）; 位于吸入孔（41）周边并从接触面（22）突出的突起（31,32）; 和基座孔（33a-33d）。当拾取半导体管芯（15）时，半导体管芯（15）的外部的至少一部分处于从每个突出部（31,32）向台阶的外周方向突出的状态，保持片（23）的前端（23a）被向上方延伸，在保持片（12）和半导体管芯（15）上被按压，突出部分（12）被吸入基座孔（33a-33d）当盖（23）滑动时，稳定地打开吸入孔（41），将保持片（12）稳定地吸入打开的抽吸孔（41）并使保持片812）稳定地剥离离开半导体管芯（15）。

9. 发明申请

WO2012036149A1 ダイシングフィルム审中-公开
标题翻译：电影片
公开(公告)号：WO2012036149A1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：PCT/JP2011/070847
申请日：2011-09-13
申请人：住友ベークライト株式会社 , 丸山和彦 , 磯部雅俊
发明人：丸山　和彦 , 磯部　雅俊
IPC分类号： H01L21/301 , C08J5/18
CPC分类号： H01L21/6836 , C08L25/14 , C08L53/02 , C08L53/025 , C09J7/24 , C09J153/02 , C09J2203/326 , C09J2205/114 , C09J2409/006 , C09J2425/006 , C09J2433/006 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , Y10T428/28 , C08L25/06
摘要：本発明により、ダイシング時の切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、また好適な強度および良好な外観を有するダイシングフィルムが提供される。本発明のダイシングフィルムは、基材フィルムの少なくとも一の面に粘着層を有し、前記基材フィルムが(メタ)アクリル酸アルキルの少なくとも２種とスチレンとの共重合物（Ａ）、および、スチレン系エラストマー（Ｂ）とを含む。前記(メタ)アクリル酸アルキルの少なくとも２種とスチレンの共重合物（Ａ）は、スチレン-メタクリル酸アルキル-アクリル酸アルキル共重合物である。
摘要翻译：本发明提供一种具有合适的强度和良好的外观的切割膜，并且当切割时芯片和基底切屑的发生率很低。切割膜在基材膜的至少一个表面上具有粘合剂层，基材膜含有苯乙烯和至少两种（甲基）丙烯酸烷基酯和苯乙烯弹性体（B）的共聚物（A）。苯乙烯和至少两种（甲基）丙烯酸烷基酯的共聚物（A）是苯乙烯 - 甲基丙烯酸烷基酯 - 丙烯酸烷基酯共聚物。

10. 发明申请

WO2011090164A1 半導体モジュールの製造方法审中-公开
标题翻译：半导体模块制造方法
公开(公告)号：WO2011090164A1
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：PCT/JP2011/051101
申请日：2011-01-21
申请人：三洋電機株式会社 , 中里真弓 , 齊藤浩一
发明人：中里　真弓 , 齊藤　浩一
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/301 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6836 , H01L23/3135 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L2221/68336 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/2101 , H01L2224/215 , H01L2224/2201 , H01L2224/221 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要：【課題】ＣＳＰタイプの半導体モジュールの製造方法において、半導体モジュールの生産効率を向上させる。【解決手段】半導体モジュールの製造方法は、素子電極１２を有する半導体素子１０が複数形成された半導体ウエハ１を第１絶縁樹脂層２０に接着する工程と、半導体ウエハ１を切断して複数の半導体素子１０に個片化する工程と、第１絶縁樹脂層２０を２軸延伸して引き伸ばし、隣接する半導体素子１０の間隔を広げる工程と、複数の半導体素子１０を第２絶縁樹脂層を介して平板に固定し、第１絶縁樹脂層２０を除去する工程と、複数の半導体素子１０と、第３絶縁樹脂層と、銅板とがこの順に積層され、素子電極１２と銅板とを電気的に接続するための電極を有する積層体を形成する工程と、銅板を選択的に除去して配線層を形成し、複数の半導体モジュールを形成する工程と、半導体モジュールを個片化する工程と、を含む。
摘要翻译：公开了提高半导体模块的生产效率的CSP型半导体模块制造方法。半导体模块制造方法包括：将具有元件电极（12）的多个半导体元件（10）形成的半导体晶片（1）附着于第一绝缘树脂层（20）的工序; 用于将半导体晶片（1）切割并分离成多个半导体元件（10）的步骤; 用于双轴拉伸和延伸第一绝缘树脂层（20）并增加相邻半导体元件（10）之间的空间的步骤; 用于将多个半导体元件（10）固定到具有插入的第二绝缘树脂层的平板上并去除第一绝缘树脂层（20）的步骤; 依次层叠多个半导体元件（10），第三绝缘树脂层和铜板以形成具有用于电连接元件电极（12）和铜板的电极的层叠体的步骤; 以及选择性地去除铜板以形成布线层并形成多个半导体模块的步骤; 以及用于分离半导体模块的步骤。

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