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1. 发明申请

WO2015032462A1 VORPRODUKTE FÜR DIE HERSTELLUNG VON DÜNNEN OXIDISCHEN SCHICHTEN UND DEREN ANWENDUNG 审中-公开
标题翻译：前体薄层的制备方法及其用途氧化
公开(公告)号：WO2015032462A1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：PCT/EP2014/002140
申请日：2014-08-04
申请人： MERCK PATENT GMBH
发明人： BONRAD, Klaus , SCHNEIDER, Joerg , HOFFMANN, Rudolf , KALOUMENOS, Mareiki
IPC分类号： C07F3/00 , C07F5/00 , C07F7/00 , C07F7/22 , C12P3/00 , C23C16/00 , C23C16/44
CPC分类号： C23C18/1216 , C07F3/003 , C07F3/06 , C07F5/003 , C07F7/006 , C07F7/2204 , C07F7/2228 , C23C18/1291 , H01G4/10 , H01G4/33 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L21/445 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft neue Vorprodukte in Form von Metallkomplexen mit in 2-Position substituierten 1,3-Diketonen und ein Verfahren zu deren Herstellung. Gegenstand der Erfindung ist weiterhin deren Verwendung zur Herstellung von dünnen Metalloxidschichten. Letztere stellen Bestandteile in verschiedensten elektronischen Bauteilen und Vorrichtungen mit unterschiedlichen Funktionen dar.
摘要翻译：本发明涉及新的中间体的金属配合物的形式，与2-取代的1,3-二酮类，以及它们的制备方法。本发明是进一步使用其的用于生产薄金属氧化物层。后者代表的各种电子部件和装置的组件具有不同的功能。

2. 发明申请

WO1993009568A1 PROCESS FOR MAKING OHMIC CONTACTS AND PHOTOVOLTAIC CELL WITH OHMIC CONTACT 审中-公开
标题翻译：制造OHMIC联系人和具有OHMIC联系人的光电池的方法
公开(公告)号：WO1993009568A1
公开(公告)日：1993-05-13
申请号：PCT/GB1992002052
申请日：1992-11-06
申请人： BP SOLAR LIMITED , JOHNSON, Daniel, Robert , OKTIK, Sener , OZSAN, Mehmet, Ersin , PATTERSON, Michael, Holmes
发明人： BP SOLAR LIMITED
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L21/445 , H01L31/1828 , Y02E10/543 , Y02P70/521 , Y10S148/064
摘要： Ohmic contacts to p-type IIB/VIB semiconductor are obtained by a process which includes the step of depositing a viscous liquid containing a Group IB metal salt on a surface of the semiconductor, substantially free of oxide groups, heating to form a dried layer, removing the dried layer, washing the surface to remove residual by-products and drying the surface.

3. 发明申请

WO2017215138A1 共平面型双栅电极氧化物薄膜晶体管及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017215138A1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：PCT/CN2016/099064
申请日：2016-09-14
申请人：武汉华星光电技术有限公司
发明人：谢应涛
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
CPC分类号： H01L29/78648 , H01L21/34 , H01L21/445 , H01L27/1225 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L27/1292 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78603 , H01L29/78633 , H01L29/78693
摘要：一种共平面型双栅电极氧化物薄膜晶体管，包括基板(1)、形成于基板(1)上方的底栅电极(21)；形成于底栅电极(21)上方的第一栅极绝缘层(31)；形成于第一栅极绝缘层(31)上方的氧化物半导体层(4)；形成于所述氧化物半导体层(4)两侧的源极接触区(51)和漏极接触区(52)；形成于半导体层(4)上方的第二栅极绝缘层(32)；形成于第二栅极绝缘层(32)上方的顶栅电极(22)；其中，基板(1)上表面朝向自身内部凹陷形成凹槽，底栅电极(21)形成于凹槽中，使底栅电极(21)上表面与基板(1)上表面处于同一水平面。上述薄膜晶体管同时兼具双栅电极和共平面结构的特点，可提高薄膜晶体管的稳定性、优化其响应速度、降低驱动电压等性能。

4. 发明申请

WO2016084698A1 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其生产方法
公开(公告)号：WO2016084698A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：PCT/JP2015/082533
申请日：2015-11-19
申请人：シャープ株式会社
发明人：鈴木　正彦 , 川島　慎吾 , 今井　元 , 越智　久雄 , 藤田　哲生 , 北川　英樹 , 菊池　哲郎 , 大東　徹
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/28 , H01L21/445 , H01L21/768 , H01L27/1248 , H01L29/41733 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：　半導体装置（２００Ａ）は、ゲート電極（３）、酸化物半導体層（５）、ゲート絶縁層（４）およびソース電極（７Ｓ）およびドレイン電極（７Ｄ）を含む薄膜トランジスタ（２０１）と、薄膜トランジスタ（２０１）を覆い、かつ、薄膜トランジスタ（２０１）のチャネル領域（５ｃ）と接するように配置された層間絶縁層（１１）と、層間絶縁層（１１）上に配置された透明導電層（１９）とを備え、ソースおよびドレイン電極（７）は、それぞれ、銅を含み、ソースおよびドレイン電極（７）と層間絶縁層（１１）との間には、銅と銅以外の少なくとも１つの金属元素とを含む銅合金酸化膜（１０）が配置されており、層間絶縁層（１１）は、銅合金酸化膜（１０）を介してドレイン電極（７Ｄ）を覆っており、透明導電層（１９）は、層間絶縁層（１１）に形成されたコンタクトホール（ＣＨ１）内で、銅合金酸化膜（１０）を介さずに、ドレイン電極（７Ｄ）と直接接している。
摘要翻译：一种半导体器件（200A），包括：薄膜晶体管（201），包括栅极（3），氧化物半导体层（5），栅极绝缘层（4），源电极（7A）和漏极电极（7D）; 布置成覆盖薄膜晶体管（201）并与薄膜晶体管（201）中的沟道区（5c）接触的层间绝缘层（11）; 和布置在层间绝缘层（11）上的透明导电层（19）。源极和漏极（7）各自包括铜。包含铜和铜以外的至少一种金属元素的铜合金氧化膜（10）配置在源电极和漏电极（7）与层间绝缘层（11）之间。层间绝缘层（11）覆盖其间插入有铜合金氧化膜（10）的漏电极（7D）。透明导电层（19）在层间绝缘层（11）内形成的接触孔（CH1）的内部与漏电极（7D）直接接触，而不会在其间插入铜合金氧化膜（10）。

5. 发明申请

WO2015033600A1 電極対、その作製方法、デバイス用基板及びデバイス审中-公开
标题翻译：电极对，其制造方法，用于器件的基板和器件
公开(公告)号：WO2015033600A1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：PCT/JP2014/056081
申请日：2014-03-09
申请人：独立行政法人科学技術振興機構
发明人：真島　豊 , 寺西　利治 , 武下　宗平
IPC分类号： H01L29/66 , B82B3/00 , B82Y30/00 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01Q19/06
CPC分类号： H01L29/7613 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/445 , H01L29/0649 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/41725 , H01L31/09
摘要：　デバイスの性能を精度よく発揮させることができる電極対及びその作製方法と、デバイス用基板及びデバイスを提供する。電極対１０は、一方の電極１０Ａと他方の電極１２Ｂとがギャップ１７を有して向かい合うように同一面上に設けられており、一方の電極１２Ａと他方の電極１２Ｂとの向かい合う部分が、互いに近づくにつれてその面から遠ざかるように湾曲している。この電極対１０は、初期ギャップを有するように間隔をあけて種電極の対が形成された基板をサンプルとして準備し、サンプルを無電解メッキ液に浸漬する際、一定時間経過すると無電解メッキ液を交換し、その交換回数を調整することにより作製される。その結果、一方の電極１２Ａと他方の電極１２Ｂとの隙間を一定に保ちながら、対向する面を縦方向に調整することができる。
摘要翻译：提供能够准确地提供器件性能的电极对，其制造方法，器件用基板和器件。一种电极对（10），其中一个电极（10A）和另一个电极（12B）设置在相同的平面上，以便在它们之间具有间隙（17）并面对彼此，并且所述一个电极 12A）和另一个电极（12B）各自弯曲，以便彼此靠近彼此更远离平面。该电极对（10）通过以下方式制作作为样品的基板，其上形成有一对间隙的基板，以便具有初始间隙，并且当将样品浸入无电镀液中在经过一段时间后更换化学镀溶液，并调整更换次数。结果，在一个电极（12A）和另一个电极（12B）之间的间隙保持恒定的同时可以垂直地调整彼此面对的表面。

6. 发明申请

WO2014127645A1 薄膜晶体管及其制作方法和显示器件审中-公开
公开(公告)号：WO2014127645A1
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：PCT/CN2013/086142
申请日：2013-10-29
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：孔祥永 , 成军 , 王东方 , 袁广才
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/445 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/41758 , H01L29/41775 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78621 , H01L29/7869 , H01L2029/42388
摘要：提供薄膜晶体管及其制造方法和显示器件。该薄膜晶体管包括栅极（502）、栅极绝缘层（503）、有源层（504）、欧姆接触层（505a-1，505a-2，505a-3）、源电极（507a）和漏电极（507b）,源电极（507a）和漏电极（507b）经由欧姆接触层（505a-1，505a-2，505a-3）连接有源层（504）,其中欧姆接触层（505a-1，505a-2，505a-3）位于有源层（504）的侧面并与有源层（504）的侧面接触。

7. 发明申请

WO2013171632A1 METHOD OF SEPARATING A WAFER OF SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
标题翻译：分离半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2013171632A1
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：PCT/IB2013/053719
申请日：2013-05-08
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人： LEI, Jipu , NICKEL, Alexander H. , SCHIAFFINO, Stefano , BASIN, Grigoriy
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L21/02697 , H01L21/0273 , H01L21/441 , H01L21/445 , H01L21/7806 , H01L27/1262 , H01L27/1288 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/0083 , H01L33/0095 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L2933/0016
摘要： A method according to embodiments of the invention includes providing a wafer comprising a semiconductor structure grown on a growth substrate. The semiconductor structure includes a light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region. The wafer includes trenches defining individual semiconductor devices. The trenches extend through an entire thickness of the semiconductor structure to reveal the growth substrate. The method further includes forming a thick conductive layer on the semiconductor structure. The thick conductive layer is configured to support the semiconductor structure when the growth substrate is removed. The method further includes removing the growth substrate.
摘要翻译：根据本发明的实施例的方法包括提供包括在生长衬底上生长的半导体结构的晶片。半导体结构包括设置在n型区域和p型区域之间的发光层。晶片包括限定各个半导体器件的沟槽。沟槽延伸穿过半导体结构的整个厚度以露出生长衬底。该方法还包括在半导体结构上形成厚的导电层。当导电层被去除时，厚的导电层构造成支撑半导体结构。该方法还包括去除生长衬底。

8. 发明申请

WO2013141330A1 ELECTROCONDUCTIVE THIN FILM, COATING LIQUID FOR FORMING ELECTROCONDUCTIVE THIN FILM, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR PRODUCING FIELD-EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：电磁薄膜，用于形成电磁薄膜的涂覆液体，场效应晶体管和用于产生场效应晶体管的方法
公开(公告)号：WO2013141330A1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：PCT/JP2013/058199
申请日：2013-03-14
申请人： RICOH COMPANY, LTD. , MATSUMOTO, Shinji , UEDA, Naoyuki , NAKAMURA, Yuki , ABE, Yukiko , TAKADA, Mikiko , SONE, Yuji , SAOTOME, Ryoichi
发明人： MATSUMOTO, Shinji , UEDA, Naoyuki , NAKAMURA, Yuki , ABE, Yukiko , TAKADA, Mikiko , SONE, Yuji , SAOTOME, Ryoichi
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/445 , H01L23/5328 , H01L27/1292 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： To provide an electroconductive thin film, containing: a metal oxide containing indium and tin; and gold.
摘要翻译：提供导电薄膜，其包含：含有铟和锡的金属氧化物; 和黄金。

9. 发明申请

WO2004027854A3 METHOD FOR THE PRODUCTION OF ELECTRODES ON A TYPE II OR VI SEMICONDUCTOR MATERIAL OR ON A COMPOUND OF SAID MATERIAL 审中-公开
标题翻译：在II型或VI型半导体材料上生产电极的方法或在合成材料上生产电极的方法
公开(公告)号：WO2004027854A3
公开(公告)日：2004-07-08
申请号：PCT/FR0350057
申请日：2003-09-19
申请人： COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , PETROZ GERARD
发明人： PETROZ GERARD
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/445 , H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/445 , H01L21/2885 , H01L31/022408 , H01L31/115 , H01L31/1828 , Y02E10/543
摘要： A method for the production of electrodes on a type II-VI semiconductor material or on a compound of said material. Preferably, the electrodes are made of gold or platinum and are formed by electrochemical deposition of gold or platinum from a gold chloride or platinum chloride solution in pure hydrochloric acid.
摘要翻译：一种用于在II-VI型半导体材料或所述材料的化合物上制备电极的方法。优选地，电极由金或铂制成，并且通过金或铂从纯氯化氢或氯化铂溶液中在纯盐酸中电化学沉积而形成。

10. 发明申请

WO2004027854A2 PROCEDE DE FABRICATION D'ELECTRODES SUR UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE II-VI OU SUR UN COMPOSE DE CE MATERIAU. 审中-公开
标题翻译：在II-VI型半导体材料或其复合物上制备电极的方法
公开(公告)号：WO2004027854A2
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：PCT/FR2003/050057
申请日：2003-09-19
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , PETROZ, Gérard
发明人： PETROZ, Gérard
IPC分类号： H01L21/445
CPC分类号： H01L21/445 , H01L21/2885 , H01L31/022408 , H01L31/115 , H01L31/1828 , Y02E10/543
摘要： Procédé de fabrication d’électrodes sur un matériau semi-conducteur de type II-VI ou sur un composé de ce matériau. Les électrodes sont de préférence en or ou en platine et sont formées par un dépôt électrochimique d’or ou de platine à partir d’une solution de chlorure d’or ou de platine dans l’acide chlorhydrique pur.
摘要翻译：
处理程序; 用于制造II-VI型半导体材料或化合物上的电极这种材料。电极预先沉积在金或铂中，由电化学金或铂膜形成。来自氯化金或铂的纯盐酸溶液。

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