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1. 发明申请

WO2017196622A2 ION BEAM MATERIALS PROCESSING SYSTEM WITH GRID SHORT CLEARING SYSTEM FOR GRIDDED ION BEAM SOURCE 审中-公开
标题翻译：网格离子束源离子束清理系统离子束材料处理系统
公开(公告)号：WO2017196622A2
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：PCT/US2017/030970
申请日：2017-05-04
申请人： VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人： DRUZ, Boris , YEVTUKHOV, Rustam , ELLIOT, Rhodri , BEST, Jim , PORSHNEV, Peter
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/36 , G01R19/16533 , H01J37/3002 , H01J37/3007 , H01J37/32018 , H01J37/32944 , H01J2237/0206 , H01J2237/0213 , H01J2237/18 , H01J2237/335
摘要： Embodiments relate to a grid short clearing system is provided for gridded ion beam sources used in industrial applications for materials processing systems that reduces grid damage during operation. In various embodiments, the ion source is coupled to a process chamber and a grid short clearing system includes methods for supplying a gas to the process chamber and setting the gas pressure to a predetermined gas pressure in the range between 50 to 750 Torr, applying an electrical potential difference between each adjacent pair of grids using a current-limited power supply, and detecting whether or not the grid shorts are cleared. The electrical potential difference between the grids is at least 10% lower than the DC electrical breakdown voltage between the grids with no contaminants.
摘要翻译：实施例涉及一种用于在工业应用中用于材料处理系统的栅格化离子束源的栅极短路清除系统，其减少了在运行期间的电网损坏。在各种实施例中，离子源耦合到处理室并且网格短路清除系统包括用于将气体供应到处理室并将气体压力设定在50托托至750托之间的范围内的预定气压的方法，使用电流限制电源在每个相邻的一对电网之间的电势差，并检测电网短路是否被清除。电网之间的电位差至少比没有污染物的电网之间的直流电击穿电压低10％。

2. 发明申请

WO2016041970A1 A MAGNETIC RESONANCE APPARATUS COMPRISING A PLASMA ANTENNA 审中-公开
标题翻译：包含等离子体天线的磁共振装置
公开(公告)号：WO2016041970A1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：PCT/EP2015/071108
申请日：2015-09-15
申请人： ACADEMISCH ZIEKENHUIS LEIDEN , HALEAKALA R&D, INC.
发明人： AUSSENHOFER, Sebastian , WEBB, Andrew , ANDERSON, Theodore , DEYER, Fred
IPC分类号： G01R33/34 , G01R33/385 , G01R33/3415 , G01R33/36 , G01R33/48 , H01J37/32
CPC分类号： G01R33/34007 , G01R33/3415 , G01R33/3635 , G01R33/365 , G01R33/3657 , G01R33/3858 , G01R33/421 , G01R33/4808 , H01J37/32018 , H01J37/32082 , H01J37/32192 , H01J37/32339 , H01J37/32917 , H01J37/32972 , H01Q1/26 , H01Q5/22 , H05H1/24
摘要： A magnetic resonance apparatus comprising: a magnetic system configured to provide a magnetic field throughout at least a portion of a cavity, the magnetic field based on magnetic-system-control-data; a transmitter antenna disposed at least partly within the cavity and configured to transmit radio-frequency-transmitted-signalling based on transmitter-control-data; and a receiver antenna disposed at least partly within the cavity and configured to receive radio-frequency-received-signalling representative of magnetic resonance interactions of at least one object, disposed within the portion of the cavity, with the magnetic field and the radio-frequency-transmitted-signalling; wherein, at least one of the transmitter antenna,the receiver antenna and the magnetic system comprises a plasma antenna, and the magnetic resonance imaging apparatus is configured to provide received-data representative of the radio-frequency-received-signalling, the received-data in combination with the magnetic-system-control-data and the transmitter-control-data suitable for providing magnetic resonance imaging and / or magnetic resonance spectroscopy of the at least one object.
摘要翻译：一种磁共振装置，包括：磁系统，被配置为在空腔的至少一部分提供磁场，所述磁场基于磁系统控制数据; 发射机天线，其至少部分地设置在所述腔内并且被配置为基于发射机控制数据来发射射频发射信令; 以及接收器天线，其至少部分地设置在所述空腔内并且被配置为接收表示设置在所述腔的所述部分内的至少一个物体的磁共振相互作用的射频接收信号与所述磁场和所述射频 -transmitted信令; 其中，所述发射机天线，所述接收机天线和所述磁系统中的至少一个包括等离子体天线，并且所述磁共振成像装置被配置为提供表示所述射频接收信令的接收数据，所述接收数据与磁系统控制数据和适于提供至少一个物体的磁共振成像和/或磁共振光谱的发射机控制数据组合。

3. 发明申请

WO2015166186A1 SYSTEME ET PROCEDE DE SPECTROMETRIE DE DECHARGE LUMINESCENTE ET DE MESURE IN SITU DE LA PROFONDEUR DE GRAVURE D'UN ECHANTILLON 审中-公开
标题翻译：用于测量样品表面深度的玻璃放电光谱法和系统
公开(公告)号：WO2015166186A1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：PCT/FR2015/051156
申请日：2015-04-28
申请人： HORIBA JOBIN YVON SAS
发明人： RICHARD, Simon , GASTON, Jean-Paul , ACHER, Olivier , CHAPON, Patrick
IPC分类号： G01N21/67 , B23K26/36 , G01J3/443 , G01B11/22 , G01N21/68 , H01J37/32
CPC分类号： G01N21/67 , G01B11/22 , G01J3/443 , G01N21/68 , G01N2201/06113 , G01N2201/0612 , H01J37/32018 , H01J37/32963 , H01J37/32972 , H01J2237/334
摘要： La présente invention concerne un système de spectrométrie de décharge luminescente comprenant une lampe à décharge luminescente adaptée pour recevoir un échantillon (10) solide et former un plasma (19) de gravure par décharge luminescente. Selon l'invention, un système (100) de mesure in situ ôe la profondeur du cratère d'érosion généré par gravure de l'échantillon (10) comporte un séparateur optique (3) des moyens optiques (4) adaptés pour diriger, respectivement, un premier faisceau incident (21 ) vers une première zone (1 1 ) de l'échantillon exposée au plasma de gravure et un deuxième faisceau incident (22) vers une deuxième zone (12) de la même face de l'échantillon protégée vis-à-vis du plasma de gravure et un dispositif de recombinaison optique (3) adapté pour former un faisceau interférométrique (30) de manière à déterminer la profondeur (d) du cratère d'érosion.
摘要翻译：本发明涉及一种辉光放电光谱系统，其包括适于接收固体样品（10）并形成辉光放电蚀刻等离子体（19）的辉光放电灯。根据本发明，用于原位测量通过蚀刻样品（10）产生的侵蚀坑的深度的系统（100）包括光学分离器（3），适于引导第一入射光束的光学装置（4） 21）朝向样品的第一区域（11），该区域暴露于蚀刻等离子体，以及朝向样品的同一侧的第二区域（12）的第二入射光束（22），该区域被保护蚀刻等离子体和适于形成干涉光束（30）的光学重组装置（3），以便确定侵蚀坑的深度（d）。

4. 发明申请

WO2014086130A1 低真空状态下的冷等离子体辉光放电发生器审中-公开
公开(公告)号：WO2014086130A1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：PCT/CN2013/073336
申请日：2013-03-28
申请人：中国科学院南京土壤研究所 , 常州中科常泰等离子体科技有限公司
发明人：董元华 , 邵汉良 , 钱海波 , 缪琴
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32761 , H01J37/32018
摘要：低真空状态下的冷等离子体辉光放电发生器，包括等离子体处理装置，所述装置设于真空度可调的腔体内，该装置包括绝缘支架、放电装置、主动辊、从动辊、压辊和传送带，主动辊和从动辊通过轴承分别设于绝缘支架的两端，传送带设于主动辊和从动辊之上，压辊也通过轴承设于绝缘支架一端，将传送带压紧于主动辊上，放电装置设于绝缘支架上，传送带从放电装置的内部穿过。本装置通过对放电装置中的极板结构改进，增加了金属悬浮屏蔽外壳和绝缘填充材料，阻止了极板与腔体内壁之间的放电，并使其产生位移电流，增强了等离子体的活性。

5. 发明申请

WO2008136174A1 成膜装置审中-公开
标题翻译：电影制作装置
公开(公告)号：WO2008136174A1
公开(公告)日：2008-11-13
申请号：PCT/JP2008/000774
申请日：2008-03-27
申请人：新明和工業株式会社 , 山川健司 , 岡田基 , 古塚毅士 , 村下善朗
发明人：山川健司 , 岡田基 , 古塚毅士 , 村下善朗
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/316 , H05H1/26
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/3492 , C23C14/54 , H01J37/32018 , H01J37/32027
摘要：　本発明の成膜装置（１００）は、減圧可能な真空成膜室（３０）と、直流放電により真空成膜室（３０）内に放電プラズマを生成するプラズマ生成手段（４０）と、プラズマ生成手段（４０）に電力を供給する定電流電源（５１）と、ターゲット（３５Ｂ）に電力を供給するバイアス電源（５２）と、真空成膜室（３０）内に反応ガスを導く反応ガス供給手段（６１）と、制御装置（５０）と、を備える。この制御装置（５０）は、定電流電源（５１）の電圧ＶＰの変化率を指標にして、ターゲット（３５Ｂ）から放出されるスパッタリング粒子と反応ガスとの間の放電プラズマ反応により生成される絶縁材料からなる堆積膜の、基板（３４Ｂ）への成膜速度を制御する。
摘要翻译：成膜装置（100）具有能够减压的真空成膜室（30）用于通过直流放电在真空成膜室（30）中产生放电等离子体的等离子体产生装置（40）; 用于向等离子体产生装置（40）提供电力的恒流电源（51）用于向目标（35B）供应电力的偏置电源（52）用于将反应气体引入真空成膜室（30）的反应气体供给装置（61）和控制装置（50）。控制装置（50）通过使恒流电源（51）的电压（VP）的变化率为指标来控制基板（34B）上的沉积膜的成膜速度。沉积膜由通过从靶（35B）排出的溅射颗粒与反应气体之间的放电等离子体反应产生的绝缘材料构成。

6. 发明申请

WO2007030850A1 ANLAGE ZUR PLASMAPROZESSIERUNG VON ENDLOSMATERIAL 审中-公开
标题翻译：植物连续材料的等离子体处理
公开(公告)号：WO2007030850A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/AT2006/000377
申请日：2006-09-12
申请人： ZIGER, Peter , EISELT, Primoz
发明人： ZIGER, Peter , EISELT, Primoz
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32018 , H01J37/32009 , H01J37/32055 , H01J37/3266 , H01J37/3277 , H01J2237/3325
摘要： Die Erfindung betrifft eine Anlage zur Plasmaprozessierung eines Endlosmaterials (1) mit zumindest einer evakuierbaren Entladungskammer (3a), durch die hindurch das Endlosmaterial kontinuierlich transportierbar ist, wobei eine Energieversorgungseinrichtung (30) elektrische Entladungsenergie an Entladungsstrecken (G) zwischen einer Außenelektrode (5, 51-57) einer jeweiligen Entladungskammer und dem Endlosmaterial als Innenelektrode abgibt. Die Energieversorgungseinrichtung ist eine zur pulsförmigen Abgabe der Entladungsenergie ausgebildete inhärente Stromquelle, die zumindest eine Induktivität (32) als Energiespeicher aufweist, die mit einer ihr zugeordneten Entladungsstrecke (G) oder sukzessive mit mehreren ihr zugeordneten Entladungsstrecken zusammenschaltbar ist. Dies erhöht stark die Leistungseinkoppelbarkeit und Behandlungsgleichmäßigkeit bzw. ermöglicht sie bei verschmutzten und sehr heißen Endlosmaterialien. Auch wird das Hintereinanderschalten von mehreren Entladungskammern ohne Zwischenkontaktieren des Endlosmaterials möglich, wodurch sensible physikalische Plasmaprozesse durchgeführt werden können. Durch Anlegen eines starken Magnetfeldes (M) um das Endlosmaterial (1) wird die Leistungseinkoppelbarkeit und Behandlungsgleichmäßigkeit weiter gesteigert.
摘要翻译：本发明涉及一种系统，用于进行等离子体处理的连续材料（1）与至少一个抽真空的放电室（3a）中，连续材料经过连续地通过输送，其特征在于，电源装置（30）的放电能量进行放电的部分（G）（外电极5，51之间 -57）发射各自的放电室和所述连续的材料作为内电极。的电力供给装置被构造成用于放电能量固有的电源，其具有至少一个电感（32）作为能量存储，与所分配的放电间隙（G）或相继用多个其放电路径中的一个连接在一起的相关联的脉冲传送。这大大增加了Leistungseinkoppelbarkeit和治疗均匀或允许他们在肮脏和非常热的连续材料。此外，若干放电室没有中间接触环形材料级联是可能的，那么敏感物理等离子体处理可以被执行。通过施加强磁场（M），以连续的材料（1）被进一步增加Leistungseinkoppelbarkeit和治疗的均匀性。

7. 发明申请

WO2006017340A2 PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM FOR FORMING CARBON NANOTUBES 审中-公开
标题翻译：用于形成碳纳米管的等离子体增强化学气相沉积系统
公开(公告)号：WO2006017340A2
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/US2005024871
申请日：2005-07-12
申请人： CDREAM CORP , KANG SUNG GU , BAE WOO KYUNG
发明人： KANG SUNG GU , BAE WOO KYUNG
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01J37/32018 , H01J37/32027 , H01J37/32082 , H01J2237/3321
摘要： An embodiment of a system for forming carbon nanotubes (CNTs) using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) uses one or more of RF and DC power supplies coupled to electrodes in various configurations within a process chamber of the system. By application of a sufficient DC voltage to one or more electrodes, the system allows for growing CNTs that can be straighter and have improved electrical performance characteristics.
摘要翻译：使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）形成碳纳米管（CNT）的系统的实施例使用在系统的处理室内以各种配置耦合到电极的一个或多个RF电力和直流电源。通过向一个或多个电极施加足够的DC电压，该系统允许生长可以更直的CNT并且具有改善的电性能特性的CNT。

8. 发明申请

WO02092871A3 DEVICE AND METHOD FOR COATING AND/OR TREATING THE SURFACES OF SUBSTRATES USING LOW-PRESSURE PLASMA 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR涂层和/或基底的表面处理采用低压等离子对
公开(公告)号：WO02092871A3
公开(公告)日：2003-02-13
申请号：PCT/EP0202397
申请日：2002-03-05
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , JUNG THOMAS
发明人： JUNG THOMAS
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32018 , H01J37/32587
摘要： The invention relates to a device for coating and/or treating the surfaces of substrates using low-pressure plasma, whereby at least one substrate is placed inside the device. The device comprises a cathode, an anode and an auxiliary electrode provided with openings. The glow discharge is generated by means of cathodes and anodes. The invention also relates to a method for coating and/or treating the surfaces of substrates using low-pressure plasma inside said device. The inventive device is used for treating the surfaces of substrates, for example, for cleaning and activating as well as for producing wear protective layers, corrosion protective layers or antistick layers.
摘要翻译：本发明涉及一种用于涂覆和/或使用低压等离子体，在其内部的至少一个基板被布置基板的表面处理的装置。通过阴极和阳极的装置产生的辉光放电。本发明还涉及通过在所述装置的低压等离子体的方法的表面处理和/或基底的涂层的方法。发现使用本发明的装置为底物，例如清洁和激活的表面处理，以及用于生产抗磨损保护，耐腐蚀保护或抗粘连层。

9. 发明申请

WO2002092871A2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR BESCHICHTUNG UND/ODER OBERFLÄCHENBEHANDLUNG VON SUBSTRATEN MITTELS NIEDERDRUCK-PLASMA 审中-公开
标题翻译： DEVICE AND METHOD FOR涂层和/或基底的表面处理采用低压等离子对
公开(公告)号：WO2002092871A2
公开(公告)日：2002-11-21
申请号：PCT/EP2002/002397
申请日：2002-03-05
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , JUNG, Thomas
发明人： JUNG, Thomas
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32018 , H01J37/32587
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Beschichtung und/oder Oberflächenbehandlung von Substraten mittels Niederdruck-Plasma, in deren Innenraum mindestens ein Substrat angeordnet ist. Die Glimmentladung wird dabei mittels Kathoden und Anoden erzeugt. Ebenso betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung und/oder Beschichtung von Substraten mittels Niederdruck-Plasma in besagter Vorrichtung. Verwendung findet die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten, beispielsweise der Reinigung und Aktivierung sowie zur Herstellung von Verschleißschutz-, Korrosionsschutz- oder Antihaftschichten.
摘要翻译：本发明涉及一种用于涂覆和/或使用低压等离子体，在其内部的至少一个基板被布置基板的表面处理的装置。通过阴极和阳极的装置产生的辉光放电。本发明还涉及通过在所述装置的低压等离子体的方法的表面处理和/或基底的涂层的方法。发现使用本发明的装置为底物，例如清洁和激活的表面处理，以及用于生产抗磨损保护，耐腐蚀保护或抗粘连层。

10. 发明申请

WO00033362A1 METHOD AND APPARATUS FOR LOW ENERGY ELECTRON ENHANCED ETCHING OF SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：用于低能量电子增强基板蚀刻的方法和装置
公开(公告)号：WO00033362A1
公开(公告)日：2000-06-08
申请号：PCT/US1998/025603
申请日：1998-12-03
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/18 , C23F13/16
CPC分类号： H01J37/32018 , H01J37/32027 , H01J37/32596 , H01J2237/3345
摘要： A method of low-damage, anisotropic etching of substrates including mounting the substrate upon the anode in a DC plasma reactor and subjecting the substrate to a plasma of low-energy electrons and a species reactive with the substrate. An apparatus for conducting low-damage, anisotropic etching including a DC plasma reactor, a permeable wall hollow cold cathode, an anode, and means for mounting the substrate upon the anode.
摘要翻译：一种基板的低损伤，各向异性蚀刻的方法，包括将衬底安装在DC等离子体反应器中的阳极上，并使衬底经受低能电子的等离子体和与衬底反应的物质。一种用于进行低损伤，各向异性蚀刻的装置，包括DC等离子体反应器，可渗透壁空心冷阴极，阳极和用于将衬底安装在阳极上的装置。

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