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1. 发明申请

WO2014191900A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN LINGOT DE SILICIUM DOTE DE JOINTS DE GRAINS SYMETRIQUES 审中-公开
标题翻译：用对称粒子边界生产硅胶的方法
公开(公告)号：WO2014191900A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/IB2014/061724
申请日：2014-05-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： FORTIN, Gautier , AMARAL DE OLIVEIRA, Vanessa , CAMEL, Denis , PIHAN, Etienne
IPC分类号： C30B11/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/14 , B28D5/04 , B28D5/045 , C30B11/002 , C30B15/00 , C30B29/06
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot de silicium (5), doté de joints de grains (6) symétriques,comprenant au moins les étapes consistant en: (i) disposer d'un creuset d'axe (Z) longitudinal, dont le fond comporte un pavage formé de germes de silicium monocristallin de forme pavé droit à base carrée ou rectangulaire et disposés de manière jointive, ledit pavage vu selon l'axe (Z) étant sous la forme d'un quadrillage de directions orthogonales (x) et (y) parallèles aux arrêtes des germes; et (ii) procéder à la solidification dirigée de silicium par reprise sur germes selon une direction de croissance colinéaire à l'axe (Z); caractérisé en ce que le pavage en étape (i) est réalisé à partir de germes de silicium identiques, avec deux germes contigus suivant la direction (x) étant images l'un de l'autre par un retournement d'axe (y) et deux germes contigus selon la direction (y) étant images l'un de l'autre par un retournement d'axe (x),et la désorientation 2θ entre les réseaux cristallins de deux germes contigus étant supérieure à 4°.
摘要翻译：本发明涉及一种生产具有对称晶粒边界（6）的硅锭（5）的方法，该方法至少包括以下步骤：（i）提供具有纵轴（Z）的坩埚，其底部包括由具有正方形或矩形基底的单晶立方硅晶种形成的铺路物，并且邻接地布置，当根据轴线（Z）观察时，所述铺路是正交方向（x）和（y）的网格形状平行到种子的边缘; 和（ii）通过在与轴线（Z）共线的生长方向上的种子生长进行硅的受控凝固; 其特征在于步骤（i）中的铺路是由相同的硅晶种制成的，两个种子在方向（x）上相邻的两个种子是通过转动轴线（y）和两个在（y）方向上连续的两个种子通过转动轴（x）彼此的图像，以及取向方向2＆thetas; 两个连续种子的晶体阵列之间大于4°。

2. 发明申请

WO2012072633A1 ECHANGEUR THERMIQUE D'UN SYSTEME DE SOLIDIFICATION ET/OU DE CRISTALLISATION D'UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR 审中-公开
标题翻译：用于固化和/或结晶半导体的系统的热交换器
公开(公告)号：WO2012072633A1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：PCT/EP2011/071290
申请日：2011-11-29
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , PIHAN, Etienne , CAMEL, Denis , COUDURIER, Nicolas
发明人： PIHAN, Etienne , CAMEL, Denis , COUDURIER, Nicolas
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06 , H01L23/367 , F28F3/04
CPC分类号： F28F13/00 , C30B11/003 , C30B29/06 , F28F3/04
摘要： Echangeur thermique (1) d'un système de solidification et/ou de cristallisation d'un matériau semi-conducteur, comprenant une première pièce (2) et une deuxième pièce (3), les première et deuxième pièces étant déplaçables l'une par rapport à l'autre, caractérisé en ce que la première pièce comprend des premiers reliefs (21) et la deuxième pièce comprend des deuxièmes reliefs (31), les premiers reliefs étant destinés à coopérer avec les deuxièmes reliefs.
摘要翻译：本发明涉及一种用于使半导体固化和/或结晶的系统的热交换器（1），所述热交换器包括第一部分（2）和第二部分（3），第一和第二部分可相对于每个其特征在于，所述第一部分包括第一浮雕（21），并且所述第二部分包括第二浮雕（31），所述第一浮雕旨在与所述第二浮雕相互作用。

3. 发明申请

WO2015036974A1 SUBSTRAT À REVÊTEMENT PEU PERMÉABLE POUR SOLIDIFICATION DE SILICIUM 审中-公开
标题翻译：具有低渗透性涂层的基体用于硅的固化
公开(公告)号：WO2015036974A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/IB2014/064472
申请日：2014-09-12
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GARANDET, Jean-Paul , CAMEL, Denis , DREVET, Béatrice , EUSTATHOPOULOS, Nicolas , HUGUET, Charles , TESTARD, Johann , VOYTOVYCH, Rayisa
IPC分类号： C04B41/87 , C04B41/89 , C30B11/00 , C30B15/10
CPC分类号： C30B11/002 , C01B33/021 , C04B41/009 , C04B41/5035 , C04B41/52 , C04B41/87 , C04B41/89 , C04B2111/00879 , C09D1/00 , C30B29/06 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/522 , C04B41/4519 , C04B41/4539 , C04B41/455 , C04B41/457 , C04B41/5059 , C04B41/5066 , C04B41/5096 , C04B41/522 , C04B41/4582
摘要： La présente invention concerne un substrat caractérisé en ce qu'il est revêtu au moins partiellement en surface, d'un revêtement contenant au moins une couche dite « barrière » comprenant de la silice et un ou plusieurs matériau(x) X choisi(s) parmi SiC, Si, Si 3 N 4 , couche dans laquelle la quantité massique de X varie de 25% à 50% par rapport à la masse totale de la couche barrière, ladite couche barrière étant formée de grains d'un ou plusieurs matériaux X recouverts au moins partiellement par une enveloppe de silice, la couche barrière étant disposée en contact direct avec le substrat.
摘要翻译：本发明涉及一种基材，其特征在于，其至少部分地被表面涂覆有包含至少一个所谓的“阻挡”层的涂层，其包含二氧化硅和一种或多种选自SiC，Si，Si 3 N 4 ，其中X的量相对于阻挡层的总重量在25重量％和50.重量％之间变化，所述阻挡层由至少部分覆盖的一种或多种材料X的颗粒形成在二氧化硅壳中，并且所述阻挡层与基底直接接触。

4. 发明申请

WO2014191899A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN LINGOT DE SILICIUM PAR REPRISE SUR GERMES EN FOUR DE SOLIDIFICATION DIRIGEE 审中-公开
标题翻译：通过生长在定向固化炉中的种子上制造硅圆柱的方法
公开(公告)号：WO2014191899A1
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：PCT/IB2014/061722
申请日：2014-05-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： PIHAN, Etienne , AMARAL DE OLIVEIRA, Vanessa , CAMEL, Denis , CHAVRIER, Denis , FORTIN, Gautier , JOUINI, Anis , MARIE, Benoit , PLASSAT, Nelly
IPC分类号： C30B11/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/14 , B28D5/00 , B28D5/04 , B28D5/045 , C30B11/002 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B29/06
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un lingot de silicium par reprise sur germes en four de solidification dirigée, comprenant au moins les étapes consistant en: (i) disposer d'un creuset (1) d'axe (Z) longitudinal, dont le fond comporte un pavage de germes (2) de silicium monocristallin de forme prisme droit; et (ii) procéder à la solidification dirigée de silicium par reprise sur germes, selon une direction de croissance colinéaire à l'axe (Z) et avec un front de solidification, spatialement ou temporellement, concave; caractérisé en ce que le pavage en étape (i) est formé: - d'un ou plusieurs germes centraux G c ; et - d'un ou plusieurs germes périphériques G p , contigu(s) au(x) germe(s) G c , les germes périphériques G p étant dimensionnés de manière spécifique.
摘要翻译：本发明涉及一种通过在定向凝固炉中种子生长来制造硅胶圆筒的方法，该方法至少包括以下步骤：（i）提供具有纵向轴线（Z）的坩埚（1），其中底部被覆有一层具有右棱镜形状的单晶硅晶种（2）; 和（ii）通过在种子上生长的方向，在与轴线（Z）和凹形固化前沿在空间上或时间上同向的生长方向进行硅的有向凝固; 其特征在于步骤（i）中的层包括：一个或多个中心种子Gc; 以及与种子Gc相邻的一种或多种外周种子Gp，外周种子Gp具有特定尺寸。

5. 发明申请

WO2013034819A1 DISPOSITIF DE FABRICATION DE MATÉRIAU CRISTALLIN À PARTIR D'UN CREUSET À RÉSISTANCE THERMIQUE NON UNIFORME 审中-公开
标题翻译：从具有非均匀耐热性的硬质合金制造晶体材料的装置
公开(公告)号：WO2013034819A1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/FR2012/000348
申请日：2012-09-03
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , COUSTIER, Fabrice , CAMEL, Denis , JOUINI, Anis , PIHAN, Etienne
发明人： COUSTIER, Fabrice , CAMEL, Denis , JOUINI, Anis , PIHAN, Etienne
IPC分类号： C30B11/00 , C30B11/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/14 , C30B29/06 , Y10T117/1092
摘要： Le dispositif formant creuset (10) pour la fabrication de matériau cristallin par cristallisation dirigée comporte un fond (2) et au moins une paroi latérale (4). Le fond (2) présente une première portion (2a) ayant une première résistance thermique et une deuxième portion (2b) ayant une deuxième résistance thermique inférieure à la première résistance thermique. La deuxième portion (2b) est destinée à recevoir un germe (3) pour la fabrication du matériau cristallin. Le fond (2) et la paroi latérale (4) sont au moins en partie formés par une pièce étanche (1 ) comportant au moins une échancrure participant à définir lesdites premier et deuxième portions (2a, 2b). La première portion (2a) est recouverte par une première couche antiadhérente ayant une première résistance thermique additionnelle La deuxième portion (2b) est éventuellement recouverte par une deuxième couche anti-adhérente (9b) ayant une deuxième résistance thermique additionnelle inférieure à la première résistance thermique.
摘要翻译：本发明涉及通过定向结晶形成用于制造结晶材料的坩埚（10）的装置，其包括基底（2）和至少一个侧壁（4）。底座（2）具有第一耐热性的第一部分（2a）和具有低于第一耐热性的第二耐热性的第二部分（2b）。第二部分（2b）用于接收用于制造结晶材料的种子（3）。基部（2）和侧壁（4）至少部分地由包括有助于限定所述第一和第二部分（2a，2b）的至少一个凹口的密封部分（1）组成。第一部分（2a）涂覆有具有第一附加耐热性的第一抗粘附膜。第二部分（2b）任选地涂覆有具有低于第一耐热性的第二额外耐热性的第二抗粘附膜（9b）。

6. 发明申请

WO2015036975A1 SUBSTRAT POUR LA SOLIDIFICATION DE LINGOT DE SILICIUM 审中-公开
标题翻译：用于固化硅胶的基材
公开(公告)号：WO2015036975A1
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：PCT/IB2014/064473
申请日：2014-09-12
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： GARANDET, Jean-Paul , CAMEL, Denis , DREVET, Béatrice , EUSTATHOPOULOS, Nicolas , HUGUET, Charles , TESTARD, Johann , VOYTOVYCH, Rayisa
IPC分类号： C04B41/89 , C30B11/00 , C30B15/10
CPC分类号： C30B11/002 , B05D7/50 , C01B33/021 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , C04B2111/00879 , C30B29/06 , C30B35/002 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/14 , C04B35/522 , C04B41/4519 , C04B41/4539 , C04B41/455 , C04B41/4582 , C04B41/5035 , C04B41/5066 , C04B41/457
摘要： La présente invention concerne un substrat, notamment dédié à un contact avec du silicium liquide, caractérisé en ce qu'il est revêtu au moins partiellement en surface, d'un revêtement multicouche formé d'au moins une couche, dite d'accroché, contigue audit substrat, possédant une porosité ouverte d'au moins 30%, et formée d'un matériau à base de silice et de nitrure de silicium, ledit matériau possédant une teneur en silice comprise entre 10% et 55% en poids par rapport à son poids total, et une couche distincte de la couche d'accroché, dite anti-adhérente, figurant en surface de la couche d'accroché, et formée d'un matériau à base de silice et de nitrure de silicium, ledit matériau possédant une teneur en silice comprise entre 2% et 10% en poids par rapport à son poids total.
摘要翻译：本发明涉及一种特别是用于与液态硅接触的基底，其特征在于，其至少部分地被表面涂覆有多层涂层，所述多层涂层通过以下方式形成：至少一层称为粘附层的层与基底邻接，具有至少30％的开放孔隙率，并且由包含二氧化硅和氮化硅的材料形成，所述材料的二氧化硅含量相对于其总重量为10重量％至55重量％; 以及位于粘合层的表面上并由包含二氧化硅和氮化硅的材料形成的粘合层（称为剥离层）的层，所述材料的二氧化硅含量为2重量％至10重量％相对于其总重量的％。

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