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    • 3. 发明申请
    • PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE D'UN EMPILEMENT ÉLECTROCHROME TOUT SOLIDE COMPLET
    • 用于完全全固态电致堆叠的快速热处理方法
    • WO2016108000A1
    • 2016-07-07
    • PCT/FR2015/053382
    • 2015-12-08
    • SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE
    • DUBRENAT, SamuelGIRET, MartineYEH, Li-YaGIRON, Jean-ChristopheLAMINE, Driss
    • G02F1/15
    • G02F1/1523C03B25/025C03C17/3411C03C17/3417C03C2217/219C03C2217/228C03C2217/231C03C2217/948C03C2218/156C03C2218/32G02F1/155G02F2001/1555
    • L'invention concerne un procédé de fabrication d'un vitrage électrochrome comprenant; (a) la formation, sur une face d'une feuille de verre, d'un empilement électrochrome tout solide complet comprenant successivement une première couche d'un oxyde conducteur transparent (TCO1 ), une couche d'un matériau électrochrome minéral à coloration cathodique, appelée électrode électrochrome (EC), une couche d'un électrolyte solide minéral conducteur ionique (Cl), une couche d'un matériau d'intercalation de cations, appelée contre- électrode (CE), et une deuxième couche d'un oxyde conducteur transparent (TCO2), puis (b) le traitement thermique de l'empilement électrochrome complet par irradiation avec un rayonnement présentant une longueur d'onde comprise entre 500 et 2000 nm, ledit rayonnement étant issu d'un dispositif de rayonnement placé en regard de l'empilement électrochrome, un déplacement relatif étant créé entre ledit dispositif de rayonnement et ledit substrat de manière à porter l'empilement électrochrome à une température au moins égale à 300 °C pendant une durée brève, de préférence inférieure à 100 millisecondes.
    • 本发明涉及电致变色玻璃的制造方法,包括:(a)在一片玻璃的一个表面上形成完整的全固态电致变色堆叠,其中依次包括第一透明导电氧化物层(TCO1) ,具有阴极着色的无机电致变色材料层,称为电致变色电极(EC),无机固体电解质离子导体(Cl)层,阳离子插层材料层,称为对电极( CE)和第二透明导电氧化物层(TCO2),然后(b)通过用波长在500和2000nm之间的辐射照射来对整个电致变色堆叠进行热处理,所述辐射由与电致变色相对放置的辐射装置发射 堆叠,在所述辐射装置和所述基板之间产生相对运动,以使电致变色堆在短时间内达到至少300℃的温度p 优选小于100毫秒。
    • 8. 发明申请
    • METHOD AND CONTROL SYSTEM FOR TREATING A HAFNIUM-BASED DIELECTRIC PROCESSING SYSTEM
    • 用于处理基于高压电介质处理系统的方法和控制系统
    • WO2006078408A3
    • 2009-04-09
    • PCT/US2005046342
    • 2005-12-19
    • TOKYO ELECTRON LTDO'MEARA DAVID LMAKU SHINGO
    • O'MEARA DAVID LMAKU SHINGO
    • H01L21/302
    • C03C17/001C03C17/22C03C17/23C03C2217/228C03C2217/258C03C2218/31C03C2218/33C23C16/4405Y10S438/905
    • A method and control system for treating a hafnium-based dielectric processing system (23) in which a system component of the processing system is exposed to a chlorine-containing gas (94). A residual hafnium by-product remaining in the processing system after a hafnium removal process is reacted with a chlorine- containing etchant derived from the chlorine-containing gas. A chlorinated hafnium product is volatilized for exhaustion from the processing system (23). The control system (90) can utilize a computer readable medium (1208) to introduce a chlorine-containing gas to the processing system, to adjust at least one of a temperature and a pressure in the processing system to produce from the chlorine-containing gas a chlorine-containing etchant (94) for dissolution of a residual hafnium by-product remaining in the processing system after a hafnium silicate, hafnium oxide, or hafnium oxynitride removal process and to exhaust a chlorinated hafnium product from the processing system 23).
    • 一种用于处理铪系介电处理系统(23)的方法和控制系统,其中处理系统的系统部件暴露于含氯气体(94)。 在除去铪之后残留在处理系统中的铪副产物与来自含氯气体的含氯腐蚀剂反应。 氯化铪产物从处理系统(23)中挥发以用尽。 控制系统(90)可利用计算机可读介质(1208)向处理系统引入含氯气体,以调节处理系统中的温度和压力中的至少一个以从含氯气体中产生 用于在硅酸铪,氧化铪或氮氧化铪去除工艺之后残留在处理系统中的残余铪副产物溶解并从处理系统23中排出氯化铪产品的含氯蚀刻剂(94)。