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    • 2. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM FÜHREN EINES RISSES IM RANDBEREICH EINES SPENDERSUBSTRATS MIT EINEM GENEIGTEN LASERSTRAHL
    • 方法开着一辆供体基板的边境地区TEAR与斜梁
    • WO2016207277A1
    • 2016-12-29
    • PCT/EP2016/064536
    • 2016-06-23
    • SILTECTRA GMBH
    • SWOBODA, MarkoBEYER, ChristianSCHILLING, FranzRICHTER, Jan
    • B23K26/00B28D1/00B28D1/22B28D5/00C03B33/02C03B33/09C03B33/095H01L21/268H01L21/304B23K26/53B23K101/40
    • B23K26/0057B23K26/0006B23K26/53B23K2201/40B28D1/221B28D5/0005C03B33/02C03B33/091C03B33/0955H01L21/02005H01L21/268H01L21/304
    • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Abtrennen von Festkörperscheiben (1) von einem Spendersubstrat (2). Das Verfahren umfasst dabei die Schritte: Bereitstellen eines Spendersubstrats (2), Erzeugen von mindestens einer Modifikationen (10) im Inneren des Spendersubstrats (2) mittels mindestens eines Laserstrahls (12), wobei der Laserstrahl (12) über eine ebene Oberfläche (16) des Spendersubstrats (2) in das Spendersubstrat (2) eindringt,wobei der LASER-Strahl (12) derart gegenüber der ebenen Oberfläche (16) des Spendersubstrats (2) geneigt ist, dass er in einem Winkel von ungleich 0° oder 180° gegenüber der Längsachse des Spendersubstrates in das Spendersubstrat eindringt, wobei der Laserstrahl (12) zum Erzeugen der Modifikation (10) im Spendersubstrat (2) fokussiert wird, wobei sich die Festkörperscheibe (1) durch die erzeugten Modifikationen (10) von dem Spendersubstrat (2) ablöst, oder eine Spannungserzeugungsschicht (14) an der ebenen Oberfläche (16) des Spendersubstrats (2) erzeugt oder angeordnet wird und durch ein thermisches Beaufschlagen der Spannungserzeugungsschicht (14) mechanische Spannungen in dem Spendersubstrat (2) erzeugt werden, wobei durch die mechanischen Spannungen ein Riss (20) zum Abtrennen einer Festkörperschicht (1) entsteht, der sich entlang der Modifikationen (10) ausbreitet.
    • 本发明涉及一种方法,用于从施主衬底(2)中分离出固体盘(1)。 该方法包括以下步骤:提供施主衬底(2),由至少一个激光束(12),来生成所述施主衬底(2)内部的至少一个修饰(10),其中在平面表面上的激光束(12)(16) 在所述施主衬底(2)穿透所述施主衬底(2),其中所述激光束(12)被这样相对于所述施主衬底(2),而相对的平坦表面(16)的方式在大于0°或180°倾斜以其它的角度的 施主衬底的纵向轴线穿入所述施主衬底,其中,用于在所述施主衬底(2)产生的变形(10)的激光束(12)聚焦,其中,所述固态盘(1)由所述供体基片的产生的修饰(10)(2) 取代,或所述施主衬底的所述平面表面(16)上的电压产生层(14)(2)中产生,或设置(通过热施加电压产生层 14)在所述施主衬底(2)的机械张力产生,引起的机械应力,用于沿着所述修改10)中分离(1)传播的固体层(裂纹(20)。
    • 3. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR MATERIALSPARENDEN WAFERHERSTELLUNG UND WAFERVERARBEITUNG
    • 方法节约材料外延片生产及硅片加工的
    • WO2016162428A1
    • 2016-10-13
    • PCT/EP2016/057632
    • 2016-04-07
    • SILTECTRA GMBH
    • SCHILLING, FranzDRESCHER, WolframRICHTER, Jan
    • B28D1/22B81C1/00
    • B81C1/00357B23K26/0057B28D1/221B81C1/0038B81C2201/0192H01L21/76251H01L31/1804H01L31/1896
    • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrschichtanordnung. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst dabei mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Spendersubstrats (2) zum Abtrennen einer Festkörperschicht (4), insbesondere eines Wafers; Erzeugen von Modifikationen (12), insbesondere mittels LASER-Strahlen (10), in dem Spendersubstrat (2) zum Vorgeben eines Rissverlaufs; Bereitstellen eines Trägersubstrats (6) zum Aufnehmen der Festkörperschicht (4); Anbonden des Trägersubstrats (6) mittels einer Bondingschicht (8) an dem Spendersubstrat (2), wobei das Trägersubstrat (6) zur Erhöhung der mechanischen Festigkeit der abzutrennenden Festkörperschicht (4) für die Weiterverarbeitung vorgesehen ist, Anordnen oder Erzeugen einer Spannungserzeugungsschicht (16) an dem Trägersubstrat (6); Thermisches Beaufschlagen der Spannungserzeugungsschicht (16) zum Erzeugen von Spannungen in dem Spendersubstrat (2), wobei durch die Spannungserzeugung ein Riss ausgelöst wird, der sich entlang des vorgegebenen Rissverlaufs zum Abtrennen der Festkörperschicht (4) vom Spendersubstrat (2) ausbreitet, so dass sich die Festkörperschicht (4) mit dem angebondeten Trägersubstrat (6) abtrennt.
    • 本发明涉及一种方法,用于生产多层结构。 在这种情况下本发明的方法至少包括以下步骤:提供用于分离的固体层(4),特别是晶片的施主衬底(2); 产生修改(12),特别是通过在所述施主衬底(2),用于设置所述疾病的俯视激光射线(10)的装置; 提供了一个支撑基板(6),用于接收所述固体层(4); 通过在施主衬底上的结合层(8)的装置接合在支撑基板(6)(2),其中,所述支撑基板(6),以增加用于进一步处理分离的固体层(4)的机械强度被提供,放置或产生电压产生层(16) 到支撑衬底(6); 沿着预定断裂用于分离固体层(4),从而使热施加在所述施主衬底(2),其特征在于,裂缝是由电压产生发起产生电压的电压产生层(16),从所述施主衬底(2)传播 所述固体层(4)与所述angebondeten支撑基板(6)被分离出来。
    • 4. 发明申请
    • LASERKONDITIONIERUNG VON FESTKÖRPERN MIT VORWISSEN AUS VORHERIGEN BEARBEITUNGSSCHRITTEN
    • 以往加工步骤对森林固体的激光调节
    • WO2018011359A1
    • 2018-01-18
    • PCT/EP2017/067737
    • 2017-07-13
    • SILTECTRA GMBH
    • SWOBODA, MarkoRIESKE, RalfRICHTER, JanSCHILLING, Franz
    • B23K26/00B23K26/53B23K26/03B23K101/40B23K103/00H01L21/78H01L21/66
    • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Erzeugung von Steuerdaten zur Nachbearbeitung eines mittels Laserstrahlen (10) modifizierten Festkörpers (1), insbesondere Wafers. Der Festkörper (1) weist dabei in seinem Inneren eine Vielzahl an Modifikationen (12) auf, wobei die Modifikationen (12) mittels der Laserstrahlen (10) erzeugt wurden. Das Verfahren umfasst die Schritte: Definieren eines Analysekriteriums zur Analyse der erzeugten Modifikationen (12) im Inneren des Festkörpers (1); Definieren eines Schwellenwerts hinsichtlich des Analysekriteriums, wobei ein Analysewert einerseits des Schwellenwerts eine Nachbearbeitungsregistrierung auslöst; Analysieren des Wafers mit einer Analyseeinrichtung (4), wobei die Analyseeinrichtung (4) die Modifikationen (12) hinsichtlich des Analysekriteriums analysiert und Ausgeben von Analysewerten zu den analysierten Modifikationen, wobei die Analysewerte oberhalb oder unterhalb des Schwellwerts liegen; Ausgeben von Ortsdaten zu den analysierten Modifikationen, wobei die Ortsdaten die Informationen enthalten, in welchen/welchem Bereich/en des Festkörpers (1) der Analysewert oberhalb oder unterhalb des Schwellenwerts liegt; Erzeugen der Steuerdaten zum Ansteuern einer Laserbehandlungseinrichtung (11) zum Nachbehandeln des Festkörpers (1), wobei sie Steuerdaten zumindest die Ortsdaten von den zur Nachbearbeitung registrierten Modifikationen (12) umfassen.
    • 本发明涉及一种用于生成控制数据的用于处理后的激光束(10)改性固体&OUML的手段; rpers(1),特别是晶片。 固体(1)在其内部具有多种变形(12),变形(12)通过激光束(10)产生。 该方法包括以下步骤:定义用于分析在固体(1)内产生的修改(12)的分析准则; 根据分析标准定义阈值,其中阈值的分析值一方面导致后处理注册; 与关于分析准则的分析装置(4),其中所述分析装置(4)分析了修饰(12)分析所述晶片和输出分析的修饰的分析值,该分析值是高于或低于阈值; 位置数据输出到分析的修改,其中所述位置数据包括其中信息/哪个区域/固体&OUML的S; rpers(1)的分析值是高于或低于所述阈值; 产生控制数据,用于驱动用于后处理的固体&OUML一个激光治疗装置(11); rpers(1),其特征在于,它们至少包括控制数据,对用于后修饰中登记的位置数据(12)