专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2007123663A3 DEVICES AND METHODS FOR MEASURING WAFER CHARACTERISTICS DURING SEMICONDUCTOR WAFER POLISHING 审中-公开
标题翻译：用于在半导体波导抛光期间测量波形特性的装置和方法
公开(公告)号：WO2007123663A3
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/US2007007887
申请日：2007-03-29
申请人： STRASBAUGH , BENASSI ROBERT D
发明人： BENASSI ROBERT D
IPC分类号： B44C1/22
CPC分类号： B24B37/013 , B24B37/0056 , B24B37/205 , B24B49/12 , B24B49/14
摘要： A system (10) and method of measuring a change in thickness of a layer of material disposed on a wafer (4) while polishing the layer. Light (28) is directed at the surface of the wafer(4) from an indwelling optical sensor (25), disposed within a polishing pad (3) and data signals are wireless transmitted (34) to a control system (31).
摘要翻译：一种系统（10）以及在抛光该层时测量设置在晶片（4）上的材料层的厚度变化的方法。光（28）从设置在抛光垫（3）内的留置光学传感器（25）指向晶片（4）的表面，并且数据信号被无线传输（34）到控制系统（31）。

2. 发明申请

WO2007149113A9 FRICTION REDUCING AID FOR CMP 审中-公开
标题翻译：减少摩擦助力CMP
公开(公告)号：WO2007149113A9
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/US2006041420
申请日：2006-10-24
申请人： CABOT MICROELECTRONICS CORP
发明人： MOEGGENBORG KEVIN J , CARTER PHILLIP W
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/042 , B24B37/0056 , B24B57/02
摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing System for polishing a substrate comprising a polishing component, a water-soluble silicate compound, an oxidizing agent, and water, wherein the pH of the polishing System is 8 to 12. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing System. The polishing System provides for reduced friction during polishing of substrates.
摘要翻译：本发明提供了一种用于抛光包括抛光组分，水溶性硅酸盐化合物，氧化剂和水的基材的化学机械抛光系统，其中抛光系统的pH为8至12。本发明还提供了一种方法用上述抛光系统对衬底进行化学机械抛光。抛光系统在抛光基材期间提供减少的摩擦。

3. 发明申请

WO03060962A2 ELECTROLYTE COMPOSITION AND TREATMENT FOR ELECTROLYTIC CHEMICAL MECHANICAL POLISHING 审中-公开
标题翻译：电解液组成及电解化学机械抛光处理
公开(公告)号：WO03060962A2
公开(公告)日：2003-07-24
申请号：PCT/US0240754
申请日：2002-12-20
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： DUBOUSE ALAIN , LIU FENG Q , WANG YAN , CHEN LIANG-YUH , SUN LIZHONG , WANG YUCHUN , NEO SIEW
IPC分类号： B23H3/08 , B23H5/08 , B24B37/04 , C09G1/04 , C25F3/02 , H01L21/321 , H01L21/3213 , H01L21/00
CPC分类号： B23H3/08 , B23H5/08 , B24B37/0056 , B24B37/044 , B24B37/046 , C09G1/04 , C25F3/02 , H01L21/32125 , H01L21/32134
摘要： An electrolyte composition and method for planarizing a surface of a wafer using the electrolyte composition is provided. In one aspect, the electrolyte composition includes ammonium dihydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, or a mixture thereof. The composition has a pH between about 3 and about 10 which is environmentally friendly and does not present hazardous operation concerns. The composition may further comprise one or more additives selected from a group consisting of benzotriazole, ammonium citrate, ethlylenediamine, tetraethylenepentamine, triethylenetetramine, diethylenetriamine, amino acids, ammonium oxalate, ammonia, ammonium succinate, and citric acid.
摘要翻译：提供了使用电解质组合物平坦化晶片表面的电解质组合物和方法。一方面，电解质组合物包含磷酸二氢铵，磷酸氢二铵或其混合物。该组合物的pH在约3和约10之间，对环境友好并且不存在危险操作问题。该组合物可进一步包含一种或多种选自苯并三唑，柠檬酸铵，乙二胺，四亚乙基五胺，三亚乙基四胺，二亚乙基三胺，氨基酸，草酸铵，氨，琥珀酸铵和柠檬酸的添加剂。

4. 发明申请

WO03043780A2 METHOD FOR POLISHING A SUBSTRATE SURFACE 审中-公开
标题翻译：抛光基板表面的方法
公开(公告)号：WO03043780A2
公开(公告)日：2003-05-30
申请号：PCT/US0237135
申请日：2002-11-20
申请人： RENSSELAER POLYTECH INST
发明人： SCHOWALTER LEO J , ROJO CARLOS J , MARTINEZ LOPEZ JAVIER , MORGAN KENNETH
IPC分类号： B24B37/04 , C09G1/02 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/306 , B24B
CPC分类号： H01L21/02024 , B24B37/0056 , B24B37/044 , B24B49/006 , H01L21/02052 , H01L21/30625
摘要： According to one aspect of the invention, an improved process for preparing a surface of substrate is provided wherein the surface of the substrate is prepared for a chemical mechanical polishing (CMP) process, the CMP process is performed on the surface of the substrate, and the surface of the substrate is finished to clear the substrate surface of any active ingredients from the CMP process. Also, an improved substrate produced by the method is provided. According to one aspect of the invention, particular polishing materials and procedures may be used that allow for increased quality of AIN substrate surfaces.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供了一种用于制备衬底表面的改进工艺，其中衬底的表面被准备用于化学机械抛光（CMP）工艺，CMP工艺在衬底的表面上被执行，并且完成基材表面以清除CMP工艺中任何活性成分的基材表面。而且，提供了通过该方法制造的改进的衬底。根据本发明的一个方面，可以使用特定的抛光材料和程序，其允许提高AlN衬底表面的质量。

5. 发明申请

WO0218099A3 SLURRY FOR USE WITH FIXED-ABRASIVE POLISHING PADS IN POLISHING SEMICONDUCTOR DEVICE CONDUCTIVE STRUCTURES THAT INCLUDE COPPER AND TUNGSTEN AND POLISHING METHODS 审中-公开
标题翻译：使用固定式研磨抛光垫抛光半导体器件导电结构的浆料，包括铜和钨以及抛光方法
公开(公告)号：WO0218099A3
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：PCT/US0127155
申请日：2001-08-30
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC
发明人： CHOPRA DINESH , SINHA NISHANT
IPC分类号： B24B37/04 , C09K13/00 , H01L21/304 , H01L21/321
CPC分类号： B24B37/0056 , B24B37/04 , H01L21/3212
摘要： A method for substantially simultaneously polishing a copper conductive structure of a semiconductor device structure and an adjacent barrier layer. The method includes use of a fixed-abrasive type polishing pad with a substantially abrasive-free slurry in which copper is removed at a rate that is substantially the same as or faster than a rate at which a material, such as tungsten, of the barrier layer is removed. The slurry is formulated so as to oxidize copper at substantially the same rate as or at a faster rate than a material of the barrier layer is oxidized. Thus, copper and the barrier layer material have substantially the same oxidation energies in the slurry or the oxidation energy of the barrier layer material in the slurry may be greater than that of copper. Systems for substantially polishing copper conductive structures and adjacent barrier structures on semiconductor device structures are also disclosed.
摘要翻译：一种基本上同时抛光半导体器件结构的铜导电结构和相邻的阻挡层的方法。该方法包括使用具有基本上无磨料的浆料的固定磨料型抛光垫，其中铜以与阻挡层的材料（例如钨）的速率基本相同或更快的速率被去除层被删除。配制浆料以便以与氧化阻挡层的材料基本上相同的速率或以更快的速率氧化铜。因此，铜和阻挡层材料在浆料中具有基本相同的氧化能量，或者浆料中的阻挡层材料的氧化能量可以大于铜的氧化能量。还公开了用于基本上抛光半导体器件结构上的铜导电结构和相邻的势垒结构的系统。

6. 发明申请

WO98050200A1 ABRASIVE AND METHOD FOR POLISHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于抛光半导体衬底的磨料和方法
公开(公告)号：WO98050200A1
公开(公告)日：1998-11-12
申请号：PCT/JP1998/002014
申请日：1998-05-06
IPC分类号： B24B37/00 , B24C1/00 , B24D3/20 , B24D3/34 , C08B11/20 , C09G1/02 , H01L21/321 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24 , B24B37/0056 , B24B37/044 , B24D3/20 , B24D3/344 , C09G1/02 , H01L21/3212
摘要： Polishing with an abrasive comprising abrasive particles composed mainly of silica particles, water as a solvent, and water-soluble cellulose and having an alkali metal impurity content of not more than 5C ppm wherein C represents the concentration of the water-soluble cellulose in % by weight enables flattening of a semiconductor wafer without damage to a substrate and a film to be polished and without causing dishing and other unfavorable phenomena.
摘要翻译：用包含主要由二氧化硅颗粒，水作为溶剂和水溶性纤维素组成的磨料颗粒和碱金属杂质含量不超过5ppm的研磨剂抛光，其中C表示水溶性纤维素的浓度以％表示，以％表示重量使得半导体晶片的平坦化不会损坏基板和被抛光的膜，并且不会引起凹陷和其它不利的现象。

7. 发明申请

WO2011009587A1 MECHANISCHE BEARBEITUNG UND SCHNEIDEN VON SILIZIUM IN ALKALISCHEM MILIEU 审中-公开
标题翻译：加工和切割硅在碱性介质中
公开(公告)号：WO2011009587A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/004422
申请日：2010-07-20
申请人： MEYER BURGER AG , BLASER SWISSLUBE AG , DE AGOSTINI, Antonio , BERGER, Daniel , MINKOWSKI, Claudia , HENDERSON, Alan
发明人： DE AGOSTINI, Antonio , BERGER, Daniel , MINKOWSKI, Claudia , HENDERSON, Alan
IPC分类号： B28D5/00
CPC分类号： B28D5/007 , B24B37/0056 , B24B37/042
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zur formgebenden Bearbeitung eines Siliziumkristalls, bei dem der Siliziumkristall wenigstens an der von einer formgebenden Vorrichtung bearbeiteten Kontaktfläche mit einer alkalischen Flüssigkeit in Kontakt gebracht wird, sowie die Verwendung alkalischer Flüssigkeiten in diesem Verfahren.
摘要翻译：本发明涉及一种形成硅晶体的处理，其中硅晶体被置于至少在加工由形成装置的接触面积，在接触碱性液体，以及在该方法中使用的碱性液体的方法。

8. 发明申请

WO2009150938A1 合成石英ガラス基板用研磨剤审中-公开
标题翻译：合成石英玻璃基材抛光剂
公开(公告)号：WO2009150938A1
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/JP2009/059676
申请日：2009-05-27
申请人：信越化学工業株式会社 , 原田大実 , 竹内正樹 , 柴野由紀夫 , 上田修平 , 渡部厚
发明人：原田　大実 , 竹内　正樹 , 柴野　由紀夫 , 上田　修平 , 渡部　厚
IPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： C03C19/00 , B24B1/00 , B24B37/00 , B24B37/0056 , C03C15/02 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/1454 , C09K3/1463 , C09K13/02 , C09K13/06
摘要：　コロイド濃度が２０～５０質量％であるコロイダルシリカ等のコロイド溶液と、ポリカルボン酸系ポリマー、酸性アミノ酸、フェノール類又はグリコサミノグリカンとを含むことを特徴とする合成石英ガラス基板用研磨剤。
摘要翻译：公开了一种合成石英玻璃基板用抛光剂，其特征在于，含有胶体二氧化硅等胶体溶液，胶体浓度为20〜50质量％，多元羧酸聚合物，酸性氨基酸，苯酚或糖胺聚糖。

9. 发明申请

WO2007149113A3 FRICTION REDUCING AID FOR CMP 审中-公开
标题翻译：减少CMP的摩擦助剂
公开(公告)号：WO2007149113A3
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/US2006041420
申请日：2006-10-24
申请人： CABOT MICROELECTRONICS CORP
发明人： MOEGGENBORG KEVIN J , CARTER PHILLIP W
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/042 , B24B37/0056 , B24B57/02
摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing System for polishing a substrate comprising a polishing component, a water-soluble silicate compound, an oxidizing agent, and water, wherein the pH of the polishing System is 8 to 12. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing System. The polishing System provides for reduced friction during polishing of substrates.
摘要翻译：本发明提供了一种用于抛光包含抛光组分，水溶性硅酸盐化合物，氧化剂和水的基底的化学机械抛光系统，其中抛光系统的pH值为8至12.本发明还提供了一种方法用上述抛光系统化学机械抛光基板。抛光系统在抛光基材期间提供减小的摩擦。

10. 发明申请

WO2007149113A2 FRICTION REDUCING AID FOR CMP 审中-公开
标题翻译：减少摩擦助力CMP
公开(公告)号：WO2007149113A2
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/US2006/041420
申请日：2006-10-24
申请人： CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人： MOEGGENBORG, Kevin, J. , CARTER, Phillip, W.
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/042 , B24B37/0056 , B24B57/02
摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing System for polishing a substrate comprising a polishing component, a water-soluble silicate compound, an oxidizing agent, and water, wherein the pH of the polishing System is 8 to 12. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing System. The polishing System provides for reduced friction during polishing of substrates.
摘要翻译：本发明提供了一种用于抛光包括抛光组分，水溶性硅酸盐化合物，氧化剂和水的基材的化学机械抛光系统，其中抛光系统的pH为8至12.本发明还提供了一种方法用上述抛光系统对衬底进行化学机械抛光。抛光系统在抛光基材期间提供减少的摩擦。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式