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    • 7. 发明申请
    • DUAL TONE DEVELOPMENT PROCESSES
    • 双音发展过程
    • WO2010033720A1
    • 2010-03-25
    • PCT/US2009/057342
    • 2009-09-17
    • TOKYO ELECTRON LIMITEDFONSECA, Carlos, A.SOMERVELL, MarkSCHEER, Steven
    • FONSECA, Carlos, A.SOMERVELL, MarkSCHEER, Steven
    • G03F7/00
    • G03F7/095G03F7/322G03F7/325
    • A method and system for patterning a substrate using a dual-tone development process is described. The method and system comprise using a resist material having a polymer backbone with a plurality of protecting groups attached thereto to improve process latitude and critical dimension uniformity for the dual-tone development process. The method can advantageously comprise monitoring various metrics of the subject resists in comparison with simulated limits, enabling corrective changes in process parameters that reduce unwanted variations in product metrics. The system can advantageously comprise an interface layer under or a protecting layer over the resist layer, wherein the interface or protecting layer can be activated to modify the threshold reactivity profile of the resist layer.
    • 描述了使用双色调显影处理图案化衬底的方法和系统。 该方法和系统包括使用具有聚合物主链的抗蚀剂材料,其具有连接到其上的多个保护基,以改善双音发展过程的工艺范围和临界尺寸的一致性。 该方法可以有利地包括与模拟限制相比监测受试者抗蚀剂的各种度量,使得能够减少过程参数的校正改变,从而减少产品度量的不期望的变化。 该系统可以有利地包括在抗蚀剂层上的保护层下面的界面层,其中该界面或保护层可被激活以修饰抗蚀剂层的阈值反应性分布。