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1. 发明申请

WO2010000596A1 PROCESS FOR MANUFACTURING A STRUCTURE COMPRISING A GERMANIUM LAYER ON A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：在基板上制造包含锗层的结构的方法
公开(公告)号：WO2010000596A1
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/EP2009/057293
申请日：2009-06-12
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , DAVAL, Nicolas , KONONCHUK, Oleg , GUIOT, Eric , AULNETTE, Cécile , LALLEMENT, Fabrice , FIGUET, Christophe , LANDRU, Didier
发明人： DAVAL, Nicolas , KONONCHUK, Oleg , GUIOT, Eric , AULNETTE, Cécile , LALLEMENT, Fabrice , FIGUET, Christophe , LANDRU, Didier
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/2007 , H01L21/76256
摘要： The present invention relates to a process for manufacturing a structure comprising a germanium layer (3) on a support substrate (1), characterised in that it comprises the following steps: (a) formation of an intermediate structure (10) comprising said support substrate (1), a silicon oxide layer (20) and said germanium layer (3), the silicon oxide layer (20) being in direct contact with the germanium layer (3), (b) application to said intermediate structure (10) of a heat treatment, in a neutral or reducing atmosphere, at a defined temperature and for a defined time, to diffuse at least part of the oxygen from the silicon oxide layer (20) through the germanium layer (3).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造包括在支撑衬底（1）上的锗层（3）的结构的方法，其特征在于包括以下步骤：（a）形成包含所述支撑衬底的中间结构（10）（1），氧化硅层（20）和所述锗层（3），氧化硅层（20）与锗层（3）直接接触，（b）施加到所述中间结构（10）在中性或还原性气氛中，在限定的温度下和在一定时间内进行热处理，以使至少部分氧从氧化硅层（20）扩散通过锗层（3）。

2. 发明申请

WO2008114108A1 A (110) ORIENTED SILICON SUBSTRATE AND A BONDED PAIR OF SUBSTRATES COMPRISING SAID (110) ORIENTED SILICON SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：一种（110）面向硅的基板和包含有（110）面的硅基板的基板的接合对
公开(公告)号：WO2008114108A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/IB2008/000573
申请日：2008-02-26
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
发明人： FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02433 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/0262
摘要： The present invention relates to method of fabricating a (110) oriented silicon substrate and to a method of fabricating a bonded pair of substrates comprising such a (110) oriented silicon substrate. The invention further relates to a silicon substrate with (110) orientation and to a bonded pair of silicon substrates comprising a first silicon substrate with (100) orientation and a second silicon substrate with (110) orientation. It is the object of the present invention to provide methods and substrates of the above mentioned type with a high efficiency wherein the formed (110) substrate has at least near and at its surface virtually no defects. The object is solved by a method of fabricating a silicon substrate with (110) orientation and by a method of fabricating a bonded pair of silicon substrates, comprising the steps of providing a basic silicon substrate with (110) orientation, said basic silicon substrate having a roughness being equal or less than 0.15 nm RMS in a 2x2 μm2 or a 10x10 μm2 scan, and depositing epitaxially a silicon layer with (110) orientation on the basic silicon substrate at a pressure between 40 Torr to 120 Torr, preferably 80 Torr.and at a temperature between about 10000C and about 12000C and using trichlorosilane or dichlorosilane as silicon precursor gas.
摘要翻译：本发明涉及一种制造（110）定向硅衬底的方法以及一种制造包括这种（110）定向硅衬底的粘结对衬底对的方法。本发明还涉及具有（110）取向的硅衬底和包括具有（100）取向的第一硅衬底和具有（110）取向的第二硅衬底的键合的一对硅衬底。本发明的目的是提供高效率的上述类型的方法和基底，其中所形成的（110）基底至少具有接近和在其表面上几乎没有缺陷。本发明的目的是通过制造具有（110）取向的硅衬底的方法和通过制造粘合的一对硅衬底的方法来解决的，包括以下步骤：提供具有（110）取向的碱性硅衬底，所述碱性硅衬底具有在2x2μm2或10×10m2扫描中的粗糙度等于或小于0.15nm RMS，并且在40Torr至120Torr，优选为80Torr的压力下，在基底硅衬底上外延地沉积（110）取向的硅层。在约100℃至约1200℃之间的温度下，使用三氯硅烷或二氯硅烷作为硅前体气体。

3. 发明申请

WO2012066021A1 ELECTRONIC DEVICE FOR RADIOFREQUENCY OR POWER APPLICATIONS AND PROCESS FOR MANUFACTURING SUCH A DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于无线电或电力应用的电子设备及其制造方法
公开(公告)号：WO2012066021A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：PCT/EP2011/070220
申请日：2011-11-16
申请人： SOITEC , LANDRU, Didier , CAPELLO, Luciana , DESBONNETS, Eric , FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
发明人： LANDRU, Didier , CAPELLO, Luciana , DESBONNETS, Eric , FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H05K1/18 , H01L21/76251 , H01L21/76254
摘要： The invention relates to an electronic device for radio frequency or power applications, comprising a semiconductor layer supporting electronic components on a support substrate, wherein the support substrate(1) comprises a base layer (12) having a thermal conductivity of at least 30 W/m K and a superficial layer (13, 4) having a thickness of at least 5 µm, said superficial layer (13, 14) having an electrical resistivity of at least 3000 Ohm.cm and a thermal conductivity of at least 30 W/m K. The invention also relates to two processes for manufacturing such a device.
摘要翻译：本发明涉及一种用于射频或电力应用的电子设备，包括：支撑基板上的电子部件的半导体层，其中所述支撑基板（1）包括具有至少30W / m K和厚度至少为5μm的表层（13,4），所述表面层（13,14）的电阻率至少为3000欧姆·厘米，导热率为至少30瓦/米本发明还涉及制造这种装置的两个方法。

4. 发明申请

WO2012176030A1 METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于制造半导体衬底的方法和半导体衬底
公开(公告)号：WO2012176030A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/IB2012/001125
申请日：2012-06-11
申请人： SOITEC , KONONCHUK, Oleg , FIGUET, Christophe
发明人： KONONCHUK, Oleg , FIGUET, Christophe
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： The invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that it comprises: a first step (E1) consisting in forming a support substrate (1) comprising a first porous layer (2), a second porous layer (9), with a porosity lower than the porosity of the first layer (2), a second step (E2) consisting in providing a donor substrate (4), comprising, a useful layer (6), a third step (E3) consisting of bonding the support substrate (1) and the donor substrate (4), transferring at least a portion of the useful layer (6) to form a semiconductor device (15), a fourth step (E4) consisting of treating said semiconductor device (15) in such a way as to deform by dilation or contraction at least the first porous layer, said deformation inducing strain in the useful layer (6).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法，其特征在于它包括：第一步骤（E1），包括形成包括第一多孔层（2），第二多孔层（9）的支撑衬底（1）具有低于第一层（2）的孔隙率的孔隙率，包括提供施主衬底（4）的第二步骤（E2），包括有用层（6），第三步骤（E3），其包括将支撑基板（1）和供体基板（4），转移有用层（6）的至少一部分以形成半导体器件（15）;第四步骤（E4），其包括将所述半导体器件这种方式通过至少第一多孔层的膨胀或收缩而变形，所述有用层（6）中的所述变形诱导应变。

5. 发明申请

WO2012175561A1 METHOD FOR TRANSFERRING A LAYER OF SEMICONDUCTOR, AND SUBSTRATE COMPRISING A CONFINEMENT STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：用于传输半导体层的方法和包含约束结构的衬底
公开(公告)号：WO2012175561A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/EP2012/061848
申请日：2012-06-20
申请人： SOITEC , LALLEMENT, Fabrice , FIGUET, Christophe , DELPRAT, Daniel
发明人： LALLEMENT, Fabrice , FIGUET, Christophe , DELPRAT, Daniel
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L29/267
摘要： The invention relates to a method for transferring a layer of semiconductor, characterized in that it comprises the steps consisting in: -providing (E1) a donor substrate (3) comprising a useful layer (2) consisting of a semiconductor material, and a confinement structure (5), comprising a confinement layer (4), consisting of a semiconductor material, the confinement layer (4)with a chemical composition different than the useful layer (2), and two protective layers (6, 7)of semiconductor material, and with a chemical composition distinct from the confinement layer (4), the protective layers being arranged on both sides of the confinement layer (4), -introducing (E3) ions (15) int he donor substrate (3), -bonding ( E4) the donor substrate (3)and a receiver substrate (10), -subjecting (E5) the donor substrate (3) and the receiver substrate (10) to heat treatment comprising an increase in temperature, during which the confinement layer (4) attracts the ions (15) in order to concentrate them in said confinement layer (4), and -detaching (S6) the donor substrate (3) from the receiver substrate (10) by breaking at said confinement layer (4).
摘要翻译：本发明涉及一种用于转移半导体层的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供（E1）施主衬底（3），其包括由半导体材料构成的有用层（2）和限制结构（5），包括：由半导体材料构成的约束层（4），具有不同于有用层（2）的化学组成的约束层（4），以及α两个保护层（6,7）半导体材料，并且具有与限制层（4）不同的化学组成，保护层布置在限制层（4）的两侧，在供体衬底（3）上引入（E3）离子（15），（E4）施主衬底（3）和接收器衬底（10）， - 施主（E5）施主衬底（3）和接受器衬底（10）以进行包括温度升高的热处理，在此期间限制层（4）吸引离子（15）以便集中它们在所述限制层（4）中，并且通过在所述限制层（4）处断开，从所述接收器基板（10） - 提取（S6）所述施主衬底（3）。

6. 发明申请

WO2012140483A1 QUANTUM WELL THERMOELECTRIC COMPONENT FOR USE IN A THERMOELECTRIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：用于热电装置的量子阱热电组件
公开(公告)号：WO2012140483A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/IB2012/000689
申请日：2012-04-04
申请人： SOITEC , DELPRAT, Daniel , FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
发明人： DELPRAT, Daniel , FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H01L35/26 , H01L21/02 , H01L35/22
CPC分类号： H01L35/02 , H01L35/22 , H01L35/26 , H01L35/34
摘要： A quantum well thermoelectric component for use in a thermoelectric device based on the thermoelectric effect, • comprising a stack (1 ) of layers (3, 4) of two materials respectively made on the basis of silicon and silicon-germanium, • the first of said two materials, made on the basis of silicon, defining a barrier semiconductor material and • the second of said two materials, made on the basis of silicon-germanium, defining a conducting semiconductor material, • said barrier semiconductor material having a band gap higher than the band gap of said conducting semiconductor material, wherein • the conducting semiconductor material is an alloy comprising silicon, germanium and at least a lattice matching element, said lattice matching element(s) being present in order to control a lattice parameter mismatch between the barrier layer (3) made of the barrier semiconductor material and the conducting layer (4) made of the conducting semiconductor material.
摘要翻译：一种用于基于热电效应的热电装置的量子阱热电组件，包括分别基于硅和硅 - 锗制成的两种材料的层（3,4）的叠层（1），第一层所述两种材料是在硅基的基础上制成的，限定了一种阻挡半导体材料，并且所述两种材料中的第二种是基于硅 - 锗制成的，限定了导电半导体材料，所述阻挡半导体材料具有较高的带隙所述导电半导体材料是包含硅，锗和至少晶格匹配元素的合金，所述晶格匹配元件存在以控制所述导电半导体材料的晶格参数失配，由阻挡半导体材料制成的阻挡层（3）和由导电半导体材料制成的导电层（4）。

7. 发明申请

WO2012176044A1 METHOD OF FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE COMPRISING POROUS SILICON 审中-公开
标题翻译：包含多孔硅的半导体衬底的制造方法
公开(公告)号：WO2012176044A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/IB2012/001220
申请日：2012-06-11
申请人： SOITEC , FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
发明人： FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76251
摘要： The invention concerns a method of fabrication of a semiconductor substrate (8), comprising procuring a semiconductor donor substrate (1), transforming the donor substrate (1) comprising a porous support layer (2) constituted of a semiconductor material,, an active layer (3), non-porous, treating said donor substrate (1) to deform in expansion or in contraction the porous support layer (2'), said expansion inducing straining of the active layer (3) resulting in a strained active layer (3'), transferring at least part of the strained active layer (3') from the donor substrate (1) to a receiver substrate (8), recycling the donor substrate (1) for the fabrication of a strained active layer (3') that has been subjected to additional straining.
摘要翻译：本发明涉及一种制造半导体衬底（8）的方法，包括获得半导体施主衬底（1），将包括由半导体材料构成的多孔支撑层（2）的施主衬底（1）变换为有源层（3），无孔的，处理所述供体衬底（1）以在多孔支撑层（2'）的膨胀或收缩中变形，所述膨胀诱导活性层（3）的应变，导致应变活性层（3 将所述应变活性层（3'）的至少一部分从所述施主衬底（1）转移到接收器衬底（8），再循环所述施主衬底（1）以制造应变活性层（3'），已经受到额外的压力。

8. 发明申请

WO2012176031A1 METHOD OF FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：半导体衬底和半导体衬底的制造方法
公开(公告)号：WO2012176031A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/IB2012/001129
申请日：2012-06-11
申请人： SOITEC , FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
发明人： FIGUET, Christophe , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/02002 , H01L21/306 , H01L21/76254
摘要： The invention concerns a fabrication method comprising the steps' consisting in forming a donor substrate (1) comprising a support layer (2) and a Strained seed layer (3), rendering the support layer (2) porous, treating the donor substrate (1) to deform in expansion or jn contraction the porous support layer (2') constituted of the first material, said deformation inducing relaxation in the seed layer (3'), increasing the thickness of the seed layer (3'), forming a strained layer (5) in contact with said seed layer (3'), and transferring at least part of the strained layer (5) from the donor substrate (1) to a receiver substrate (8).
摘要翻译：本发明涉及一种制造方法，其包括步骤：在形成包括支撑层（2）和应变籽晶层（3）的施主衬底（1）中，使支撑层（2）多孔化，处理施主衬底）在膨胀或收缩由第一材料构成的多孔支撑层（2'）变形，所述变形在种子层（3'）中引起松弛，增加种子层（3'）的厚度，形成应变层（5）与所述种子层（3'）接触，并将应变层（5）的至少一部分从施主衬底（1）转移到接收器衬底（8）。

9. 发明申请

WO2002082502A3 PROCEDE DE TRANSFERT SELECTIF DE PUCES SEMICONDUCTRICES D'UN SUPPORT INITIAL SUR UN SUPPORT FINAL 审中-公开
公开(公告)号：WO2002082502A3
公开(公告)日：2002-10-17
申请号：PCT/FR2002/001132
申请日：2002-04-02
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FIGUET, Christophe , ASPAR, Bernard , BLET, Vincent
发明人： FIGUET, Christophe , ASPAR, Bernard , BLET, Vincent
IPC分类号： H01L21/78
摘要： L'invention concerne un procédé de transfert sélectif de vignettes d'un support initial vers un support final, chaque vignette comprenant au moins un élément constitutif d'un dispositif microélectronique et/ou optoélectronique et/ou acoustique et/ou mécanique, les éléments étant réalisés dans une couche de surface du support initial, le procédé comprenant les étapes suivantes: a) la fixation d'un support de transfert sur la couche de surface du support initial; b) l'élimination de la partie du support initial ne correspondant pas à la couche de surface; c) définition latérale des vignettes par découpe effectuée selon l'épaisseur de la couche de surface, la découpe laissant subsister des zones pouvant être rompues; d) préhension d'une ou de plusieurs vignettes à transférer et leur détachement par apport d'énergie dans les zones pouvant être rompues correspondantes; e) report et fixation sur le support final de la vignette ou de la pluralité de vignettes détachées à l'étape d).

10. 发明申请

WO2013041926A1 METHOD FOR FABRICATING A COMPOSITE STRUCTURE TO BE SEPARATED BY EXFOLIATION 审中-公开
标题翻译：用于制备通过分离分离的复合结构的方法
公开(公告)号：WO2013041926A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/IB2012/001405
申请日：2012-07-18
申请人： SOITEC , FIGUET, Christophe , GOURDEL, Christophe
发明人： FIGUET, Christophe , GOURDEL, Christophe
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02345 , H01L21/263 , H01L21/304 , H01L21/3105 , H01L21/76254 , H01L23/564 , H01L29/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a method for fabricating a composite structure (225) comprising a layer (215) to be separated by irradiation, the method comprising the formation of a stack containing: a support substrate (205) formed from a material which is at least partially transparent at a determined wavelength; a layer (215) to be separated; and a separation layer (210) interposed between the support substrate and the layer to be separated, the separation layer being adapted to be separated by exfoliation under the action of radiation (222a) having a wavelength corresponding to the determined wavelength, the method furthermore comprising, during the step for forming the composite step, a treatment step modifying the optical properties in reflection at the interface (206) between the support substrate and the separation layer or on the upper face (205a) of the support substrate.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造复合结构（225）的方法，所述复合结构（225）包括通过照射分离的层（215），所述方法包括形成堆叠，所述堆叠包括：由至少为材料形成的支撑衬底（205）在确定的波长下部分透明; 待分离的层（215）以及插入在所述支撑基板和所述待分离层之间的分离层（210），所述分离层适于在具有对应于所确定的波长的波长的辐射（222a）的作用下通过剥离而分离，所述方法还包括在形成复合步骤的步骤期间，改进在支撑衬底和分离层之间或支撑衬底的上表面（205a）上的界面（206）的反射光学性能的处理步骤。

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