专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2010112540A1 EPITAXIAL METHODS AND STRUCTURES FOR REDUCING SURFACE DISLOCATION DENSITY IN SEMICONDUCTOR MATERIALS 审中-公开
标题翻译：用于减少半导体材料表面偏离密度的外延方法和结构
公开(公告)号：WO2010112540A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/EP2010/054276
申请日：2010-03-31
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ARENA, Chantal , CLAVELIER, Laurent , RABAROT, Marc
发明人： ARENA, Chantal , CLAVELIER, Laurent , RABAROT, Marc
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02639 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254
摘要： The invention provides methods and structures for reducing surface dislocations of a semiconductor layer, and can be employed during the epitaxial growth of semiconductor structures and layers comprising Ill-nitride materials. Embodiments involve the formation of a plurality of dislocation pit plugs to prevent propagation of dislocations from an underlying layer of material into a following semiconductor layer of material.
摘要翻译：本发明提供了用于减少半导体层表面位错的方法和结构，并且可以在半导体结构和包含III族氮化物材料的层的外延生长期间使用。实施例涉及形成多个位错坑塞，以防止位错从材料的下层扩散到随后的材料半导体层中。

2. 发明申请

WO2011048318A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE ECRAN A TRES HAUTE RESOLUTION UTILISANT UN FILM CONDUCTEUR EMISSIF ANISOTROPIQUE A BASE DE NANOFILS 审中-公开
标题翻译：使用基于纳米级的发射异相导电膜制造高分辨率屏幕的方法
公开(公告)号：WO2011048318A1
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：PCT/FR2010/052218
申请日：2010-10-19
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , TEMPLIER, François , CLAVELIER, Laurent , RABAROT, Marc
发明人： TEMPLIER, François , CLAVELIER, Laurent , RABAROT, Marc
IPC分类号： H01L27/15
CPC分类号： H01L27/156 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Pour réaliser un écran émissif à pixels on forme une matrice active de pixels (1) longée par une première couche formant électrode (2), ces pixels étant répartis selon une distribution déterminée, on forme un substrat anisotrope (3) formé d'un ensemble de diodes électroluminescentes constituées respectivement de nanofils (4) parallèles et répartis dans une matrice isolante (5) transversalement à son épaisseur, i.e. verticalement avec une densité supérieure à celle des pixels, indépendamment de la distribution déterminée des pixels, on relie le substrat à la matrice active de pixels, d'une manière telle que seuls des sous-groupes (4A, 4B) de ces nanofils sont reliés, par une première extrémité, à des électrodes de pixel distinctes (2A, 2B) définies dans la couche formant électrode selon la distribution des pixels de la matrice active de pixels, tandis qu'au moins ces sous -groupes de nanofils sont électriquement connectés, par une autre extrémité, à une électrode commune (6), ces sous -groupes étant délimités au moment de cette étape de liaison en rendant émissivement inactifs les nanofils du substrat qui sont disposés entre ces sous-groupes.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造发射像素屏幕的方法，包括形成有源像素矩阵（1），第一电极形成层沿着该像素矩阵运行，所述像素根据预定分布布置; 形成由一组发光二极管组成的各向异性基板（3），每个发光二极管由平行的纳米线（4）构成，所述平行的纳米线（4）分布在横向于其主体的绝缘基体（5）不管像素的预定分布如何; 将衬底连接到有源像素矩阵，使得仅通过第一端将所述纳米线的子组（4A，4B）连接到在电极形成层中限定的分离的像素电极（2A，2B），根据对于有源像素矩阵中的像素的分布，而至少所述纳米线的子组通过另一端电连接到公共电极（6），所述子组在所述连接步骤期间被限定使得布置在所述子组之间的衬底的纳米线发射不活动。

3. 发明申请

WO2017194845A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE COMPORTANT UNE PLURALITÉ DE DIODES AU NITRURE DE GALLIUM 审中-公开
标题翻译：制造包含多个镓氮化物二极管的光电子器件的方法
公开(公告)号：WO2017194845A1
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：PCT/FR2016/051140
申请日：2016-05-13
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , THALES
发明人： TEMPLIER, François , BENAISSA, Lamine , RABAROT, Marc
IPC分类号： H01L27/15 , H01L31/00 , H01L33/00 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L25/075
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, comportant les étapes successives suivantes : a) rapporter, sur une face d'un circuit intégré de contrôle (110) comportant une pluralité de plots métalliques (113) de connexion, un empilement actif (150) de diode comportant au moins des première (153) et deuxième (157) couches semi- conductrices dopées de types de conductivité opposés, de façon que la deuxième couche (157) de l'empilement soit électriquement connectée aux plots métalliques (113) du circuit de contrôle (110); et b) former dans l'empilement actif (150) des tranchées (170) délimitant une pluralité de diodes (172) connectées à des plots métalliques (113) distincts du circuit de contrôle (110).
摘要翻译：
本发明涉及一种方法包括以下连续的步骤：a）在集成电路的一侧报告; 用于控制（110）具有多个等级; 用于连接的金属柱（113），具有导电类型的至少第一（153）和第二（157）掺杂半导体层的有源二极管堆叠（150）。相反，其中叠层的第二层（157）电连接到控制电路（110）的金属垫（113）; 和b）在所述有源叠层（150）中形成限制多个层的沟槽（170）; 的二极管（172）相互连接与控制电路（110）分开的金属螺柱（113）。

4. 发明申请

WO2006059030A1 DISPOSITIF ET PROCEDE DE PHOTOLITHOGRAPHIE AMELIORES PERMETTANT LA REALISATION DE MOTIFS A FLANCS INCLINES 审中-公开
标题翻译：改进的光刻设备和用于生产具有斜面边缘的图案的方法
公开(公告)号：WO2006059030A1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：PCT/FR2005/050997
申请日：2005-11-28
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , KOPP, Christophe , RABAROT, Marc , KIPP, Mathieu
发明人： KOPP, Christophe , RABAROT, Marc , KIPP, Mathieu
IPC分类号： B82B1/00
CPC分类号： G03F7/2014 , G03F7/201 , G03F7/70125 , G03F7/7035
摘要： L'invention concerne un procédé de photolithographie doté d'un système optique comportant au moins deux réseaux de diffraction superposés et permettant la réalisation de motifs inclinés dans une couche de photosensible (101) posée sur un substrat (100). Les motifs obtenus à l'aide d'un tel procédé comprennent au moins un flanc incliné par rapport à une normale (n) à un plan principal du substrat et qui présente un angle d'inclinaison bien supérieur à celui des motifs obtenus selon l'art antérieur. L'invention concerne également un dispositif permettant de mettre en oeuvre un tel procédé.
摘要翻译：本发明涉及一种装备有光学系统的光刻方法，该光学系统包括至少两个重叠的衍射光栅，使得能够在设置在基板（100）上的感光层（101）中产生倾斜图案。通过使用所述方法获得的图案包括相对于基底的正常（n）至基板的主平面倾斜的至少一个边缘，其倾斜角远大于通过现有技术方法获得的图案。本发明还涉及一种用于实现所述方法的装置。

5. 发明申请

WO2006030148A1 STRUCTURE OPTIQUE COMPORTANT AU MOINS DEUX ELEMENTS ASSEMBLES PAR ADHESION MOLECULAIRE ET PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE CES DEUX ELEMENTS 审中-公开
标题翻译：通过分子结合组装的至少两个元素提供的光学结构和组装两个元素的方法
公开(公告)号：WO2006030148A1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：PCT/FR2005/050715
申请日：2005-09-07
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , KOPP, Christophe , RABAROT, Marc , GILBERT, Karen
发明人： KOPP, Christophe , RABAROT, Marc , GILBERT, Karen
IPC分类号： G02B6/13
CPC分类号： G02B6/13 , G02B6/1345
摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage de deux éléments d'une structure optique selon des faces d'assemblage, au moins l'un de ces éléments comprenant au moins un guide optique dont le cœur est faiblement enterré par rapport à la face d'assemblage de cet élément. Le procédé comprend les étapes consistant à : sélectionner en tant qu'élément comprenant au moins un guide optique, un élément dont la face d'assemblage a été rectifiée en planéité et en rugosité avant la création du cœur de guide optique ; effectuer, après la création du cœur du guide optique, une préparation de surface des faces d'assemblage des deux éléments de la structure optique pour permettre un assemblage par adhésion moléculaire des deux éléments ; mettre en contact les faces d'assemblage, effectuer un recuit de renforcement de l'adhésion des faces assemblées, la température du recuit étant de l'ordre de 150°C.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过接合面来组装光学结构的两个元件的方法，其中至少一个元件包括至少一个光导，其光纤相对于其接合面稍微凹陷，其中，在形成包括至少一个光导元件的元件形式的光导芯之前，在形成光导芯之后，在准备光学结构的两个元件的接合面的表面时研磨平坦度和粗糙度以这样的方式，可以通过分子粘合力进行组装，与接合面接触并在150℃的温度下进行退火以加强组装面的粘合。

6. 发明申请

WO2005017623A2 PROCEDE DE REALISATION DE MOTIFS A FLANCS INCLINES PAR PHOTOLITHOGRAPHIE 审中-公开
标题翻译： DOLLAR M（C）通过光刻技术生产包含FLANK图案的方法
公开(公告)号：WO2005017623A2
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/FR2004/050377
申请日：2004-08-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RABAROT, Marc , KIPP, Mathieu , KOPP, Christophe
发明人： RABAROT, Marc , KIPP, Mathieu , KOPP, Christophe
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： B81C1/00103 , B81C2201/0159 , G03F7/70216
摘要： L'invention concerne un procédé de photolithographie permettant la réalisation de motifs dans une couche de résine photosensible (601) posée sur un substrat (600). Les motifs (607) comprennent des flancs (608) inclinés par rapport à une normale (n) à un plan principal du substrat et qui présentent un angle d'inclinaison (θ) bien supérieur à celui des motifs obtenus selon l'art antérieur. L'invention concerne également un dispositif permettant de mettre en oeuvre ledit procédé.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在放置在基板（600）上的感光树脂层（601）中产生图案的平版印刷方法。所述图案（607）包括相对于主基板平面（n）倾斜的侧面（608），形成比由本领域先前技术可获得的图案的倾斜角度（θ）大的倾斜角度（θ）。还公开了用于实施本发明的方法的装置。

7. 发明申请

WO2009087290A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE MICRO-ÉLECTRONIQUE IMPLIQUANT UN COLLAGE MOLÉCULAIRE 审中-公开
标题翻译：涉及分子结合的微电子结构的方法
公开(公告)号：WO2009087290A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/FR2008/001427
申请日：2008-10-10
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RABAROT, Marc , DUBARRY, Christophe , MOULET, Jean-Sébastien , TAUZIN, Aurélie
发明人： RABAROT, Marc , DUBARRY, Christophe , MOULET, Jean-Sébastien , TAUZIN, Aurélie
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/31604 , H01L21/318 , H01L21/76254
摘要： Procédé de fabrication d'une structure micro-électronique comportant : la préparation d'une première structure (1 ) présentant en surface un premier matériau différent du silicium, la formation à la surface de cette première structure, par pulvérisation par faisceau d'ions (IBS), d'au moins une couche de revêtement (3) d'épaisseur inférieure à un micron en un second matériau, cette couche ayant une surface libre, le collage moléculaire de cette surface libre à une face d'une seconde structure (4), la couche de revêtement constituant, pour les première et seconde structures, une couche de collage.
摘要翻译：制造微电子结构的方法包括：制备具有与硅不同的第一材料表面的第一结构（1）; 该第一结构的表面上通过IBS（离子束溅射）形成由第二材料制成的厚度小于1微米的至少一个覆盖层（3），该层具有自由表面; 以及该自由表面与第二结构（4）的一个表面的分子键合，所述覆盖层构成第一和第二结构的接合层。

8. 发明申请

WO2004063817A1 MICROSTRUCTURE COMPORTANT UNE COUCHE D'ADHERENCE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE MICROSTRUCTURE 审中-公开
标题翻译：包含粘合涂料的微结构及其制备方法
公开(公告)号：WO2004063817A1
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/FR2003/003788
申请日：2003-12-18
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RABAROT, Marc , BABLET, Jacqueline
发明人： RABAROT, Marc , BABLET, Jacqueline
IPC分类号： G03F7/095
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/095 , Y10T428/26
摘要： Une microstructure comporte une couche d'adhérence (1) entre un substrat (2) et une couche photostructurable (4), disposée sur au moins une face du substrat (2). La couche d'adhérence (1) est photosensible et elle est constituée par une résine négative comportant au moins un polymère de la famille des élastomères et au moins un composant photo-amorçeur, en solution dans un solvant aromatique. La couche photostructurable (4) est constituée par au moins une résine négative de type époxy. Le procédé de fabrication d'une telle microstructure comporte l'étalement et le séchage de la couche d'adhérence (1) avant le dépôt de la couche photostructurable (4). La couche d'adhérence (1) peut être insolée à travers un masque et développée, avant le dépôt de la couche photostructurable (4).
摘要翻译：本发明涉及一种微结构，其包括布置在基底（2）的至少一个表面上的基底（2）和可光可固化涂层（4）之间的粘合剂涂层（1）。粘合剂涂层（1）是光敏的，并且由包含至少一种弹性体族聚合物和至少一种光引发剂的负性树脂在芳族溶剂中的溶液中组成。光致可光涂层（4）由至少一种负极环氧树脂组成。制造这种微结构的方法包括在沉积光致可涂覆涂层（4）之前铺展和干燥粘合剂涂层（1）。粘合剂涂层（1）可以通过掩模曝光，并在沉积光致可光涂层（4）之前显影。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式