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1. 发明申请

WO2008067097A2 MICROELECTROMECHANICAL DEVICES AND FABRICATION METHODS 审中-公开
标题翻译：微电子机械装置和制造方法
公开(公告)号：WO2008067097A2
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/US2007/082882
申请日：2007-10-29
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , METZ, Matthias , PAN, Zhiyu , STARK, Brian , ULM, Markus , YAMA, Gary
发明人： METZ, Matthias , PAN, Zhiyu , STARK, Brian , ULM, Markus , YAMA, Gary
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00301 , B81B2207/015 , B81B2207/097 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , H01L21/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： There are many inventions described and illustrated herein. In one aspect, the present invention is directed to a MEMS device, and technique of fabricating or manufacturing a MEMS device, having mechanical structures encapsulated in a chamber prior to final packaging. An embodiment further includes location of a piezoelectric material as part of a semiconductor sensing structure. The semiconductor sensing structure, in conjunction with the piezoelectric material, can be used as a sensing device to provide an output signal associated with a sensed event.
摘要翻译：这里描述和说明了许多发明。在一个方面，本发明涉及MEMS器件以及制造或制造MEMS器件的技术，其具有在最终封装之前封装在室中的机械结构。一个实施例还包括作为半导体感测结构的一部分的压电材料的位置。结合压电材料的半导体感测结构可以用作感测装置以提供与感测到的事件相关联的输出信号。

2. 发明申请

WO2006115592A1 ANTI-STICTION TECHNIQUE FOR ELECTROMECHANICAL SYSTEMS AND ELECTROMECHANICAL DEVICE EMPLOYING SAME 审中-公开
标题翻译：机电系统的防伪技术及其使用的电化学装置
公开(公告)号：WO2006115592A1
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：PCT/US2006/008600
申请日：2006-03-10
申请人： GMBH, Robert, Bosch , ULM, Markus , METZ, Matthias , STARK, Brian , YAMA, Gary , LUTZ, Markus , PARTRIDGE, Aaron , FREY, Wilhelm
发明人： ULM, Markus , METZ, Matthias , STARK, Brian , YAMA, Gary , LUTZ, Markus , PARTRIDGE, Aaron , FREY, Wilhelm
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0096 , B81B3/0005 , B81C2201/112 , B82Y30/00 , H01L2224/13 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： A mechanical structure is disposed in a chamber, at least a portion of which is defined by the encapsulation structure. A first method provides a channel cap having at least one preform portion disposed over or in at least a portion of an anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part. A second method provides a channel cap having at least one portion disposed over or in at least a portion of an anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part. The at least one portion is fabricated apart from the electromechanical device and thereafter affixed to the electromechanical device. A third method provides a channel cap having at least one portion disposed over or in at least a portion of the anti-stiction channel to seal an anti-stiction channel, at least in part. The at least one portion may comprise a wire ball, a stud, metal foil or a solder preform. A device includes a substrate, an encapsulation structure and a mechanical structure. An anti-stiction layer is disposed on at least a portion of the mechanical structure. An anti-stiction channel is formed in at least one of the substrate and the encapsulation structure. A cap has at least one preform portion disposed over or in at least a portion of the anti-stiction channel to seal the anti-stiction channel, at least in part.
摘要翻译：机械结构设置在室中，其至少一部分由封装结构限定。第一种方法提供了通道盖，其具有至少部分地设置在防静电通道的上方或至少一部分中的至少一个预成型件部分，以密封抗静电通道。第二种方法提供了通道盖，其具有至少部分地设置在防静电通道上方或至少一部分中的至少一个部分，以密封抗静电通道。该至少一个部分与机电装置分开制造，然后固定在机电装置上。第三种方法提供了通道盖，其具有至少部分地设置在防静电通道上方或至少一部分中的至少一个部分，以密封抗静脉通道。所述至少一个部分可以包括线球，螺柱，金属箔或焊料预制件。一种器件包括衬底，封装结构和机械结构。抗静电层设置在机械结构的至少一部分上。在基板和封装结构中的至少一个中形成抗静电通道。帽至少部分地具有设置在抗静电通道上方或至少一部分中的至少一个预制件部分，以密封抗静电通道。

3. 发明申请

WO2008042603A3 ENERGY HARVESTING DEVICE MANUFACTURED BY PRINT FORMING PROCESSES 审中-公开
公开(公告)号：WO2008042603A3
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/US2007/078907
申请日：2007-09-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , ULM, Markus , STARK, Brian , METZ, Matthias
发明人： ULM, Markus , STARK, Brian , METZ, Matthias
IPC分类号： H01L41/113 , H01L41/22 , H02N2/18
摘要： Embodiments of making an energy harvesting device (300) are described. In one embodiment, a case (310, 308, 306) and integrated piezoelectric cantilever (302) to harvest vibration energy from an environment being sensed is produced via a print forming method injection molding method. The cantilever device consists of a piezoelectric material member, and a proof mass of high density material coupled to the piezoelectric member. The print forming method is used to build up the base and walls of the device as well as the neutral layers of the piezoelectric member. Metal layers are printed to form the electrode layers of the piezoelectric member and the electrical contact portions of the device. Passive components can also be formed as part of the layers of the device The entire assembly can be encapsulated in plastic.

4. 发明申请

WO2008024989A1 MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS ENCAPSULATION PROCESS WITH ANTI-STICTION COATING 审中-公开
标题翻译：微电子系统封装工艺与防护涂料
公开(公告)号：WO2008024989A1
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/US2007/076785
申请日：2007-08-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , VANCURA, Cyril , ULM, Markus , STARK, Brian , METZ, Matthias , FUCHS, Tino , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia
发明人： VANCURA, Cyril , ULM, Markus , STARK, Brian , METZ, Matthias , FUCHS, Tino , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0096 , B81B3/0005
摘要： An encapsulated MEMS process including a high-temperature anti-stiction coating that is stable under processing steps at temperatures over 450 0C is described. The coating is applied after device release but before sealing vents in the encapsulation layer Alternatively, an anti-stiction coating may be applied to released devices directly before encapsulation.
摘要翻译：描述了包括在高于450℃的温度下在加工步骤下稳定的高温抗静电涂层的包封的MEMS工艺。涂层在装置释放之后，但在密封通气孔之前施加在封装层中。或者，可以在封装之前将抗静电涂层直接施加到释放装置。

5. 发明申请

WO2003012914A3 KOPPELEMENT FÜR EINE HF-STREIFENLEITERSTRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2003012914A3
公开(公告)日：2003-02-13
申请号：PCT/DE2002/001639
申请日：2002-05-07
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , WALTER, Thomas , ULM, Markus , KEITH, Stefan , STEINBUCH, Dirk , REIMANN, Mathias
发明人： WALTER, Thomas , ULM, Markus , KEITH, Stefan , STEINBUCH, Dirk , REIMANN, Mathias
IPC分类号： H01P1/203
摘要： Ein Koppelement für eine HF-Streifenleiterstruktur (4) auf einem HF-Substrat (5) wird als Fingerkopplerstruktur (1) in DünnschichtTechnik (6) auf einem Silizium-Träger (7) realisiert. Die Kontaktierung zu den Streifenleiterbahnen der HF-Streifenleiterstruktur (4) erfolgt über Metallisierungen (8) insbesondere in Form von Abstandshaltern (9).

6. 发明申请

WO2014100497A1 CMOS INTEGRATED MOVING-GATE TRANSDUCER WITH SILICON AS A FUNCTIONAL LAYER 审中-公开
标题翻译： CMOS集成式移动栅传感器，以硅作为功能层
公开(公告)号：WO2014100497A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/US2013/076725
申请日：2013-12-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , FEYH, Ando , CHEN, Po-jui , ULM, Markus
发明人： FEYH, Ando , CHEN, Po-jui , ULM, Markus
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0221 , B81B2201/0228 , B81C1/00134 , B81C1/00246 , B81C2203/0771
摘要： A semiconductor device includes a substrate, a first dielectric layer located above the substrate, a moving-gate transducer, and a proof mass. The moving-gate transducer is at least partially formed within the substrate and is at least partially formed within the first dielectric layer. The proof mass includes a portion of the first dielectric layer and a portion of a silicon layer. The silicon layer is located above the first dielectric layer.
摘要翻译：半导体器件包括衬底，位于衬底上方的第一介电层，移动栅极换能器和校验块。移动栅极换能器至少部分地形成在衬底内并且至少部分地形成在第一介电层内。检测质量包括第一电介质层的一部分和硅层的一部分。硅层位于第一介电层的上方。

7. 发明申请

WO2004004001A1 MIKROSTRUKTURBAUELEMENT, INSBESONDERE MIKROSTRUKTURIERTES HOCHFREQUENZBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：微结构构件，特别是结构性微高频成分
公开(公告)号：WO2004004001A1
公开(公告)日：2004-01-08
申请号：PCT/DE2003/001015
申请日：2003-03-27
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , REIMANN, Mathias , SCHWEGLER, Leonore , ULM, Markus , DENIZ, Huersen , MUELLER-FIEDLER, Roland
发明人： REIMANN, Mathias , SCHWEGLER, Leonore , ULM, Markus , DENIZ, Huersen , MUELLER-FIEDLER, Roland
IPC分类号： H01L23/29
CPC分类号： H01L23/10 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01067 , H01L2924/01079 , H01L2924/15151 , H01L2924/16235 , H01L2924/1903 , H01L2924/3011 , H01L2224/05599
摘要： Es wird ein Mikrostrukturbauelement (5), insbesondere ein mikrostrukturiertes Hochfrequenzbauelement, mit einem Grundkörper (11) vorgeschlagen, auf dem bereichsweise eine insbesondere planare Leiterstruktur (17, 17', 17", 17"') angeordnet ist. Weiter ist ein Dichtungsbereich (16) vorgesehen, in dem die Leiterstruktur (17, 17', 17", 17"') von dem Grundkörper (11) und einem Glas (19) umschlossen ist. Die mit dem Glas (19) eingeschlossene Leiterstruktur (17, 17', 17", 17"') dient vor allem als hermetisch dichte Durchführung für hochfrequente elektromagnetische Wellen aus dem Innenraum (21) eines verkappten Bauteils (12) oder Sensorelementes.
摘要翻译：它是一种微结构器件（5），在与基体特定的微结构化的高频成分（11）的建议，在区，特定的平面导体结构（17，17”，17”，17" '）被布置。此外，密封部分（16）设置，其中，该导体结构（17，17”，17”，17" '）的基体（11）和玻璃（19）的被包围。与玻璃（19）封闭的导体结构（17，17”，17”，17" '）主要用作掩蔽组分（12）或所述传感器元件的气密密封的衬套为高频电磁波从内部（21）。

8. 发明申请

WO2004006382A1 ELEKTRISCHES BAUELEMENT, INSBESONDERE MIKROELEKTRONISCHES ODER MIKRROELEKTROMECHANISCHES HOCHFREQUENZBAUELEMENT. 审中-公开
标题翻译：电气元件，尤其是电子科技或MIKRROELEKTROMECHANISCHES高频成分。
公开(公告)号：WO2004006382A1
公开(公告)日：2004-01-15
申请号：PCT/DE2003/002087
申请日：2003-06-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BREITSCHWERDT, Klaus , ULM, Markus , URBAN, Andrea , REIMANN, Mathias
发明人： BREITSCHWERDT, Klaus , ULM, Markus , URBAN, Andrea , REIMANN, Mathias
IPC分类号： H01P1/04
CPC分类号： H01L23/66 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2924/15313 , H01L2924/16152 , H01L2924/1903 , H01L2924/3011 , H01P1/047 , H01P11/00
摘要： Es wird ein elektrisches Bauelement (5), insbesondere ein mikroelektronisches oder mikroelektromechanisches Hochfrequenzbauelement, mit einem mit einer Durchführung (13) versehenen Grundkörper (10) vorgeschlagen, wobei mittels der Durchführung (13) eine auf einer Oberseite (21) des Grundkörpers (10) verlaufende erste Leitstruktur (11) mit einer auf einer Unterseite (20) des Grundkörpers (10) verlaufenden zweiten Leitstruktur (12) für hochfrequente elektromagnetische Wellen durchgängig verbunden ist. Die Durchführung (13) weist die Form eines geraden Prismas oder Zylinders auf und die erste und/oder die zweite Leitstruktur (11, 12) ist als planarer Wellenleiter, insbesondere als koplanarer Wellenleiter ausgebildet. Daneben wird ein Verfahren zur Erzeugung eines elektrischen Bauelementes (5) mit einer Durchführung (13) für hochfrequente elektromag netische Wellen durch einen Grundkörper (10) vorgeschlagen, wobei auf einer Oberseite (21) des Grundkörpers (10) eine elektrisch leitfähige Schicht und auf einer Unterseite (20) des Grundkörpers (10) eine Ätzmaskierung aufgebracht wird, danach in den Grundkörper (10) in einem Plasmaätzschritt ein den Grundkörper durchquerender Trenchgraben (14) mit zumindest nahezu senkrechten Seitenwänden eingeätzt wird, nach dem Ätzen und einem Entfernen der Ätzmaskierung auf der Unterseite (20) eine elektrisch leitfähige Schicht aufgebracht wird, und schließlich der Trenchgraben (14) mit einem elektrisch leitfähigen Material ausgefüllt oder belegt wird.
摘要翻译：有一个电元件（5），特别是微电子或微机电高频装置，提出具备有通道（13）底座（10），通过在基座的上表面（21）进行（13）（10）上延伸的用于高频电磁波连续地延伸的第二引导结构（12）的基体（10）的下侧（20），具有第一引导结构（11）。衬套（13）具有一个直棱柱或圆柱，并且第一和/或第二导电结构（11，12）的形状被形成为平面波导，尤其是作为共面波导。此外，与用于高频的通道（13）产生的电组件（5）的方法，通过一个基体（10）electromag NETIC波提出，其特征在于，在所述基体（10）的导电层和上一个的顶侧（21）所述基体（10）的底部（20）具有一个蚀刻掩模被施加，然后在等离子蚀刻的基体通过沟槽的沟槽（14）交叉的主体（10），具有至少几乎垂直的侧壁被蚀刻，蚀刻和在移除所述蚀刻掩模之后底（20）被施加的导电层，最后，沟槽（14）中填充有导电材料或占据。

9. 发明申请

WO2005036580A1 BAUTEIL ZU IMPEDANZÄNDERUNG BEI EINEM KOPLANAREN WELLENLEITER SOWIE VERFAHREN ZU HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：组件阻抗变化共面波导和方法的用于制造部件
公开(公告)号：WO2005036580A1
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：PCT/DE2004/001658
申请日：2004-07-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , MUELLER-FIEDLER, Roland , ULM, Markus , REIMANN, Mathias , BUCK, Thomas
发明人： MUELLER-FIEDLER, Roland , ULM, Markus , REIMANN, Mathias , BUCK, Thomas
IPC分类号： H01H59/00
CPC分类号： H01H59/0009 , Y10T29/49105
摘要： Es wird ein Bauelement (1) zur Impedanzänderung bei einem koplanaren Wellenleiter (2) vorgeschlagen, das (2) Masseleitungen (3, 4) und eine zwischen den Masseleitungen (3, 4) liegende Signalleitung (5) sowie ein leitendes Verbindungselement (6) umfasst, welches zu den beiden Masseleitungen (3, 4) und der Signalleitung (5) eine Überdeckungsfläche aufweist und elektrisch isoliert ist, so dass jeweils ein Kondensator ausgebildet wird. Erfindungsgemäß sind das Verbindungselement (6) und die Leitungen (3, 4, 5) derart angeordnet bzw. ausgestaltet, dass der jeweilige Kondensator zwischen den Masseleitungen (3, 4) und dem Verbindungselement (6) eine unveränderbare Kapazität, jedoch der Kondensator zwischen dem Verbindungselement (6) und Signalleitung (5) eine veränderbare Kapazität aufweist. Außerdem wird eine Struktur vorgeschlagen, bei der genau umgekehrt der jeweilige Kondensator zwischen den Masseleitungen (3, 4) und dem Verbindungselement (6) eine veränderbare Kapazität, jedoch der Kondensator zwischen Verbindungselement (6) und Signalleitung (5) eine unveränderbare Kapazität besitzt. Im Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements vorgeschlagen.
摘要翻译：它是提出一种用于在共面波导（2）的阻抗变化的装置（1），（2）的接地线（3，4）和接地线之间的（3，4）位于信号线（5）和一个导电连接元件（6）包括具有两个接地线的重叠区域（3，4）和信号线（5）和具有电绝缘性，使得在每种情况下形成的电容器。根据本发明，所述连接元件（6）和所述线（3,4，5）被布置或配置成使得所述接地线之间的相应的电容器（3,4）和连接元件（6）的不可改变的容量，然而，该间电容器连接元件（6）和信号线（5）具有的可变电容。此外，一种结构，提出了将接地线之间的各个电容器的正好相反（3，4）和所述连接元件（6）具有可变电容，然而，所述连接元件（6）和信号线（5）之间的电容器有一个不变的容量。此外，用于制造这种装置的方法，提出了

10. 发明申请

WO2018054470A1 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：微机械结构元件
公开(公告)号：WO2018054470A1
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：PCT/EP2016/072575
申请日：2016-09-22
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： ULM, Markus , CLASSEN, Johannes
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00238
摘要： Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauelements (100), aufweisend die Schritte: - Bereitstellen eines MEMS-Wafers (10); - Bereitstellen eines ASIC-Wafers (20); - Ausbilden von wenigstens zwei zumindest abschnittsweise übereinander angeordneten festen oder beweglichen Strukturen (14,15) im MEMS- Wafer (10); -Verbinden des MEMS-Wafers (10) mit dem ASIC-Wafer (20); -Ausbilden von elektrisch leitenden Verbindungselementen im MEMS- Wafer (10), wobei die Verbindungselemente die wenigstens zwei festen oder beweglichen Strukturen (14,15) im MEMS-Wafer (10) durchdringen und bis zum ASIC-Wafer (20) ausgebildet werden;und -Aufbringeneines Kappenwafers (30) auf die miteinander verbundenen Wafer(10, 20).
摘要翻译：一种制造微机械器件（100）的方法，包括以下步骤： - 提供MEMS晶片（10）; - 提供ASIC晶片（20）; - 在所述MEMS晶片（10）中形成至少两个至少部分布置在所述其他固定或可移动结构（14,15）上方的一个; 将MEMS晶片（10）结合到ASIC晶片（20）; 在MEMS晶片（10）的导电连接元件，其中，所述连接元件穿过在MEMS晶片（10）的至少两个固定的或可移动的结构（14,15）的-Ausbilden形成，并且到ASIC晶片（20）;和将帽晶片（30）施加到互连的晶片（10,20）上。

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