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    • 1. 发明申请
    • SCHICHTSYSTEM MIT EINER SILIZIUMSCHICHT UND EINER PASSIVIERSCHICHT, VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINER PASSIVIERSCHICHT AUF EINER SILIZIUMSCHICHT UND DEREN VERWENDUNG
    • 具有硅层和被动层的层系统,用于在硅层上产生被动层的方法及其用途
    • WO2004016546A2
    • 2004-02-26
    • PCT/DE2003/001436
    • 2003-05-06
    • ROBERT BOSCH GMBHURBAN, AndreaLAERMER, FranzBREITSCHWERDT, Klaus
    • URBAN, AndreaLAERMER, FranzBREITSCHWERDT, Klaus
    • B81C1/00
    • B81C1/00571B81B2203/033B81C2201/016H01L21/0332
    • Es wird ein Schichtsystem mit einer Siliziumschicht (11) vorgeschlagen, auf der zumin­dest bereichsweise oberflächlich eine Passivierschicht (17) aufgebracht ist, wobei die Passivierschicht (17) eine erste, zumindest weitgehend anorganische Teilschicht (14) und eine zweite, zumindest weitgehend polymere Teilschicht (15) aufweist. Weiter wird ein Verfahren zur Erzeugung einer Passivierschicht (17) auf einer Siliziumschicht (11) vor­ geschlagen, wobei auf der Siliziumschicht (11) eine erste, anorganische Teilschicht (14), auf dieser eine Zwischenschicht und auf dieser eine zweite, polymere Teilschicht (15) er­zeugt wird, die die Passivierschicht (17) bilden. Die Erzeugung der Zwischenschicht er­folgt derart, dass die Zwischenschicht in ihrem der ersten Teilschicht (14) benachbarten Oberflächenbereich wie die erste Teilschicht (14) und in ihrem der zweiten Teilschicht (15) benachbarten Oberflächenbereich wie die zweite Teilschicht (15) zusammengesetzt ist, und dass die Zusammensetzung der Zwischenschicht kontinuierlich oder stufenweise von der Zusammensetzung entsprechend der ersten Teilschicht in die Zusammensetzung entsprechend der zweiten Teilschicht übergeht. Das vorgeschlagene Schichtsystem oder das vorgeschlagene Verfahren eignet sich besonders bei der Erzeugung von freitragenden Strukturen in Silizium.
    • 本发明涉及具有硅层(11),其上在&害羞的层系统;施加至少一些区域,表面BEAR悠闲的钝化层(17),其中,所述钝化层(17)包括第一,至少基本上无机的部分层 (14)和第二,至少基本上是聚合物的部分层(15)。 此外,还提供了一种在硅之前在硅层(11)上形成钝化层(17)的方法。 打浆,其中,所述硅层(11)上包括该中间层上的第一无机局部层(14),并在此第二聚合物部分层(15)他&害羞;证据表明,形成钝化层(17)。 中间层它&害羞的产生;如下,使得在它的第一部分层的中间层(14)相邻的表面BEAR chenbereich作为第一局部层(14)和在其第二部分层(15)相邻的表面BEAR chenbereich类似于第二局部层(15 ),并且中间层的组成连续地或阶段地从对应于第一局部层的组合物进入对应于第二局部层的组合物。 所提出的层系或所提出的方法特别适用于硅中自支撑结构的制造。

    • 2. 发明申请
    • ELEKTRISCHES BAUELEMENT, INSBESONDERE MIKROELEKTRONISCHES ODER MIKRROELEKTROMECHANISCHES HOCHFREQUENZBAUELEMENT.
    • 电气元件,尤其是电子科技或MIKRROELEKTROMECHANISCHES高频成分。
    • WO2004006382A1
    • 2004-01-15
    • PCT/DE2003/002087
    • 2003-06-24
    • ROBERT BOSCH GMBHBREITSCHWERDT, KlausULM, MarkusURBAN, AndreaREIMANN, Mathias
    • BREITSCHWERDT, KlausULM, MarkusURBAN, AndreaREIMANN, Mathias
    • H01P1/04
    • H01L23/66H01L2223/6616H01L2223/6627H01L2924/15313H01L2924/16152H01L2924/1903H01L2924/3011H01P1/047H01P11/00
    • Es wird ein elektrisches Bauelement (5), insbesondere ein mikroelektronisches oder mik­roelektromechanisches Hochfrequenzbauelement, mit einem mit einer Durchführung (13) versehenen Grundkörper (10) vorgeschlagen, wobei mittels der Durchführung (13) eine auf einer Oberseite (21) des Grundkörpers (10) verlaufende erste Leitstruktur (11) mit ei­ner auf einer Unterseite (20) des Grundkörpers (10) verlaufenden zweiten Leitstruktur (12) für hochfrequente elektromagnetische Wellen durchgängig verbunden ist. Die Durchführung (13) weist die Form eines geraden Prismas oder Zylinders auf und die erste und/oder die zweite Leitstruktur (11, 12) ist als planarer Wellenleiter, insbesondere als koplanarer Wellenleiter ausgebildet. Daneben wird ein Verfahren zur Erzeugung eines e­lektrischen Bauelementes (5) mit einer Durchführung (13) für hochfrequente elektromag­ netische Wellen durch einen Grundkörper (10) vorgeschlagen, wobei auf einer Oberseite (21) des Grundkörpers (10) eine elektrisch leitfähige Schicht und auf einer Unterseite (20) des Grundkörpers (10) eine Ätzmaskierung aufgebracht wird, danach in den Grund­körper (10) in einem Plasmaätzschritt ein den Grundkörper durchquerender Trenchgraben (14) mit zumindest nahezu senkrechten Seitenwänden eingeätzt wird, nach dem Ätzen und einem Entfernen der Ätzmaskierung auf der Unterseite (20) eine elektrisch leitfähige Schicht aufgebracht wird, und schließlich der Trenchgraben (14) mit einem elektrisch leitfähigen Material ausgefüllt oder belegt wird.
    • 有一个电元件(5),特别是微电子或微机电高频装置,提出具备有通道(13)底座(10),通过在基座的上表面(21)进行(13)(10) 上延伸的用于高频电磁波连续地延伸的第二引导结构(12)的基体(10)的下侧(20),具有第一引导结构(11)。 衬套(13)具有一个直棱柱或圆柱,并且第一和/或第二导电结构(11,12)的形状被形成为平面波导,尤其是作为共面波导。 此外,与用于高频的通道(13)产生的电组件(5)的方法,通过一个基体(10)electromag NETIC波提出,其特征在于,在所述基体(10)的导电层和上一个的顶侧(21) 所述基体(10)的底部(20)具有一个蚀刻掩模被施加,然后在等离子蚀刻的基体通过沟槽的沟槽(14)交叉的主体(10),具有至少几乎垂直的侧壁被蚀刻,蚀刻和在移除所述蚀刻掩模之后 底(20)被施加的导电层,最后,沟槽(14)中填充有导电材料或占据。
    • 4. 发明申请
    • LAYER SYSTEM WITH A SILICON LAYER AND A PASSIVATION LAYER, METHOD FOR PRODUCTION OF A PASSIVATION LAYER ON A SILICON LAYER AND USE THEREOF
    • 具有产生钝化层上的硅层及其用途的硅层和钝化层,工艺层SYSTEM
    • WO2004016546A3
    • 2004-09-02
    • PCT/DE0301436
    • 2003-05-06
    • BOSCH GMBH ROBERTURBAN ANDREALAERMER FRANZBREITSCHWERDT KLAUS
    • URBAN ANDREALAERMER FRANZBREITSCHWERDT KLAUS
    • B81C1/00H01L21/033
    • B81C1/00571B81B2203/033B81C2201/016H01L21/0332
    • A layer system with a silicon layer (11) is disclosed, on which a surface passivation layer (17) is at least partly applied. The passivation layer (17) comprises a first at least extensively inorganic partial layer (14) and a second at least extensively polymeric partial layer (15). A method for production of a passivation layer (17) on a silicon layer (11) is also disclosed, whereby a first inorganic partial layer (14) is applied to the silicon layer (11), an intermediate layer applied to the above and on the intermediate layer a second polymeric partial layer (15) is applied to form the passivation layer (17). The production of the intermediate layer is achieved, whereby in the surface region thereof adjacent to the first partial layer (14), the composition thereof is the same as the first partial layer (14) and in the surface region thereof adjacent to the second partial layer (15) the composition thereof is the same as the second partial layer (15) and that the composition of the intermediate layer varies continuously or stepwise from the composition corresponding to the first partial layer to the composition corresponding to the second partial layer. The disclosed layer system or the disclosed method are particularly suitable for the production of self-supporting structures in silicon.
    • 公开的是具有硅层的层系统(11)被施加在至少部分所述表面上形成钝化层(17),其中,所述钝化层(17)(第一,至少基本上无机的局部层(14)和第二,至少基本上聚合部分层上 15)。 此外,用于生产硅层上的钝化层(17)(11)的方法之前撞击,其特征在于,在硅层上(11)包括该中间层上的第一无机局部层(14),并且该第二聚合物部分层上(15 )被产生,形成钝化层(17)。 中间层的产生是这样的,所述中间层是在其所述的第一相邻子层(14)相邻的表面区域作为第一局部层(14)和在其第二部分层(15)表面区域作为第二局部层(15)组成,并且 中间层的组成是由所述第一部分层到第二局部层的组合物的组合物连续地或逐步地。 所提出的涂层系统或所提出的方法特别适合于在硅生产自支撑结构。
    • 6. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MIKROMECHANISCHEN BAUELEMENTS SOWIE MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT
    • 用于生产微机械结构和微机械部件
    • WO2007000363A1
    • 2007-01-04
    • PCT/EP2006/061898
    • 2006-04-27
    • ROBERT BOSCH GMBHARTMANN, HansURBAN, AndreaHOECHST, Arnim
    • ARTMANN, HansURBAN, AndreaHOECHST, Arnim
    • B81C1/00
    • B81C1/00595B81B2203/0315Y10T428/24562
    • Mit der vorliegenden Erfindung wird ein mikromechanisches Verfahren zur Herstellung einer Kaverne in einem Substrat beziehungsweise ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikromechanisches Bauelement beschrieben. In diesem Verfahren wird in einem ersten Schritt eine erste Schicht auf oder in einem Substrat erzeugt. Anschließend wird auf die erste Schicht wenigstens eine zweite Schicht aufgebracht. In diese zweite Schicht wird ein Zugangsloch erzeugt. Durch dieses Zugangsloch kann Material der ersten Schicht und des Substrats herausgelöst werden, so dass eine Kaverne unterhalb wenigstens eines Teils der zweiten Schicht im Substrat erzeugt wird. Diese zweite Schicht oberhalb der Kaverne kann im folgenden als Membran verwendet werden. Darüber hinaus besteht jedoch auch die Möglichkeit, weitere Schichten auf die zweite Schicht abzuscheiden, die erst als ganzes die Membran bilden. Der Kern der Erfindung besteht nun darin, dass das Material der ersten Schicht derart gewählt wird, dass durch das Herauslösen des Materials der ersten Schicht eine Übergangskante in der ersten Schicht erzeugt wird, die einen vorgebbaren Winkel zwischen dem Substrat und der zweiten Schicht aufweist.
    • 本发明中,将描述用于在衬底中或与该方法的微机械部件制造的产品制备的腔体的微机械加工。 在该方法中,形成上或在第一工序中的基板的第一层。 然后施加到所述第一层的至少一个第二层。 在该第二层中的进入孔被产生。 通过第一层和衬底的该访问孔材料可以被移除,从而在衬底上形成所述第二层的至少一个部分的下方的空腔。 空腔上述该第二层可以以下面的作为膜使用。 此外,然而,也可以沉积附加层到第二层,所述第一形式作为一个整体的膜。 本发明的本质在于,第一层的材料被选择成使得一个过渡边缘通过具有所述基板和所述第二层之间限定的角度在第一层的材料的溶解在所述第一层中产生的。
    • 7. 发明申请
    • PLASMAANLAGE UND VERFAHREN ZUM ANISOTROPEN EINÄTZEN VON STRUKTUREN IN EIN SUBSTRAT
    • 等离子系统和方法用于在衬底各向异性刻蚀结构
    • WO2004036627A2
    • 2004-04-29
    • PCT/DE2003/002971
    • 2003-09-09
    • ROBERT BOSCH GMBHLAERMER, FranzURBAN, Andrea
    • LAERMER, FranzURBAN, Andrea
    • H01L21/00
    • H01L21/67069
    • Es wird ein Verfahren und eine Plasmaanlage (5) zum anisotropen Einätzen von Strukturen in ein in einer Ätzkammer (12) angeordnetes Substrat (21), insbesondere von mit einer Ätzmaske definierten Strukturen ein Siliziumsubstrat, mittels eines Plasmas (22) vor geschlagen. Dazu wird der Ätzkammer (12) zumindest zeitweilig ein Ätzgas und zumindest zeitweilig ein Passiviergas zugeführt, wobei die Zufuhr des Passiviergases zu der Ätzkammer (12) getaktet mit einer zeitlichen Länge der Passiviergastakte zwischen 0,05 s und 1 s erfolgt. Bei der Plasmaanlage (5) sind dazu neben einer Plasmaquelle (19), mit der das auf das Substrat (21) einwirkende Plasma (22) erzeugbar ist, Mittel (17, 23, 24, 20, 25, 26, 27, 28, 29, 30) zur zumindest zeitweiligen Zufuhr des Ätzgases und zur zumindest zeitweiligen Zufuhr des Passiviergases zu der Ätzkammer (12) vorgesehen, die derart ausgebildet sind, dass das Passiviergas der Ätzkammer (12) getaktet zuführbar ist, wobei die Passiviergastakte eine zeitlichen Länge zwischen 0,05 s und 1 s aufweisen.
    • 它是这样的方法和用于在在蚀刻室中(12)的结构的各向异性蚀刻的等离子体系统(5),设置基板(21),特别是与蚀刻掩模结构中,硅衬底,通过在前面的等离子体(22)的装置被打限定。 为了这个目的,在蚀刻腔室(12)至少暂时供给的蚀刻气体和至少暂时地,钝化气体,其特征在于,时钟与0.05携带秒和1秒之间的钝化气体循环的时间长度钝化气体到蚀刻室(12)的供给。 在等离子体系统(5)除了与能够产生的所述基板(21)作用的等离子体(22)的等离子体源(19),装置(17,23,24,20,25,26,27,28, 29,提供了一种用于至少暂时地供给蚀刻气体和用于至少暂时供给钝化气体,其被形成为使得所述钝化气体到蚀刻腔室(12)计时的被供给的蚀刻室(12),其中,所述钝化气体循环,在0的时间长度为30) 具有05秒到1秒。
    • 10. 发明申请
    • PLASMA SYSTEM AND METHOD FOR ANISTROPICALLY ETCHING STRUCTURES INTO A SUBSTRATE
    • 等离子体装置和将基板各向异性化成基板的方法
    • WO2004036627A3
    • 2004-07-22
    • PCT/DE0302971
    • 2003-09-09
    • BOSCH GMBH ROBERTLAERMER FRANZURBAN ANDREA
    • LAERMER FRANZURBAN ANDREA
    • H01L21/00H01J37/32H01L21/306H01L21/3065
    • H01L21/67069
    • The invention relates to a method and a plasma system (5) for anistropically etching structures into a substrate (2) arranged in an etching chamber (12), especially a silicon substrate with structures defined by an etching mask, by means of plasma (22). An etching gas and a passivating gas are at least temporarily supplied to the etching chamber (12). The passivating gas is supplied to the etching chamber (12) in a clocked manner, the duration of the clocked intervals of the passivating gas being between 0.05 s and 1 s. The plasma system (5) comprises a plasma source (19) enabling the plasma acting upon the substrate (21) to be produced, means (17, 23, 24, 20, 25, 26, 27, 28, 29, 30) for at least temporarily supplying the etching gas and the passivating gas to the etching chamber (12) which are embodied in such a way that the passivating gas can be supplied to the etching chamber (12) in a clocked manner, the duration of the clocked intervals of the passivating gas being between 0.05 s and 1 s.
    • 它是这样的方法和用于在在蚀刻室中(12)的结构的各向异性蚀刻的等离子体系统(5),设置基板(21),特别是与蚀刻掩模结构中,硅衬底,通过在前面的等离子体(22)的装置被打限定。 为了这个目的,在蚀刻腔室(12)至少暂时供给的蚀刻气体和至少暂时地,钝化气体,其特征在于,时钟与0.05携带秒和1秒之间的钝化气体循环的时间长度钝化气体到蚀刻室(12)的供给。 在等离子体系统(5)除了与能够产生的所述基板(21)作用的等离子体(22)的等离子体源(19),装置(17,23,24,20,25,26,27,28, 29,提供了一种用于至少暂时地供给蚀刻气体和用于至少暂时供给钝化气体,其被形成为使得所述钝化气体到蚀刻腔室(12)计时的被供给的蚀刻室(12),其中,所述钝化气体循环,在0的时间长度为30) ,05秒和1秒。