专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2004030107A1 HALBELEITERDIODE UND VERFAHREN ZUR IHRER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： HALF半导体二极管和方法生产同样
公开(公告)号：WO2004030107A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/DE2003/001809
申请日：2003-06-03
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KEPPELER, Dana , GOERLACH, Alfred , SPITZ, Richard
发明人： KEPPELER, Dana , GOERLACH, Alfred , SPITZ, Richard
IPC分类号： H01L29/861
CPC分类号： H01L29/861
摘要： Bei einer aus mehreren Teilschichten (1, 2, 3, 4) bestehenden Halbleiteranordnung (20) grenzt eine Teilschicht (4) über den grössten Teil einer Querschnittsfläche BC im Inneren der Halbleiteranordnung (20) unmittelbar an eine erste Teilschicht (2) und nur in einem vergleichsweise schmalen Randbereich der Querschnittsfläche BC an eine zweite Teilschicht (l). Die Halbleiteranordnung zeichnet sich durch einen geringen Bahnwiderstand und eine hohe Durchbruchsspannung im Randbereich aus. Weiter wird ein Verfahren zur Herstellung dieser Halbleiteranordnung angegeben.
摘要翻译：在若干子层中的一个（1，2，3，4）的现有的半导体器件（20）邻接的部分层（4）上的横截面面积BC的半导体器件（20）内的较大部分直接向第一部分层（2），并且仅在的横截面面积的BC到第二局部层（L）比较窄的边缘部分。由低体积电阻和高击穿电压的半导体器件的特征在于，在边缘区域中。此外，提供了一种用于这些半导体装置的制造方法。

2. 发明申请

WO2006056505A1 HALBLEITEREINRICHTUNG UND GLEICHRICHTERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件和整流器布置
公开(公告)号：WO2006056505A1
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：PCT/EP2005/055164
申请日：2005-10-11
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , MUELLER, Markus
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , MUELLER, Markus
IPC分类号： H01L29/872 , H01L27/08 , H01L25/07
CPC分类号： H01L29/8725 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L27/0814 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es werden Halbleitereinrichtungen, insbesondere Hocheffizienz-Schottky-Dioden (HED) und Gleichrichteranordnungen mit derartigen Halbleitereinrichtungen angegeben. Die Hocheffizienz-Schottky-Dioden (HED) setzen sich zusammen aus wenigstens einer Schottky-Diode kombiniert mit einem weiteren Halbleiterelement insbesondere mit Feldplatten (TMBS) oder mit pn-Dioden (TJBS) und weist Trenches bzw. Gräben auf. Solche Hocheffizienz-Schottky-Dioden haben keine Barrier Lowering und weisen daher eine Gesamtverlustleistung auf, die gegenüber herkömmlichen Dioden geringer ist, insbesondere bei höheren Temperaturen. Damit können Gleichrichter aufgebaut werden, die für höhere Temperaturen geeignet sind und daher in Kraftfahrzeuggeneratoren eingesetzt werden können, ohne dass besondere Kühlmaßnahmen wie Kühlkörper erforderlich sind. Eine Kombination von Hocheffizienz-Schottky-Dioden mit weiteren Halbleiterelementen er möglicht spezielle Ausgestaltungen der Gleichrichter und deren Anpassung an bestimmte Erfordernisse.
摘要翻译：有半导体器件，特别是高效率的肖特基二极管（HED）和整流器组件与这样的半导体器件表示。高效率的肖特基二极管（HED）由至少一个肖特基二极管与特别是与场板（TMBS）或PN二极管（TJBS）另一半导体元件组合的，并且具有沟槽或沟槽。这种高效率的肖特基二极管没有势垒降低，并因此具有较少与常规二极管，特别是在较高的温度相比的总功率损失。因此整流器可以构建适于较高的温度，因此可以在车辆用交流发电机，而不如需要散热器特别的冷却措施一起使用。与其它半导体元件的高效率的肖特基二极管的组合，它使所述整流器的具体实施例和它们适应特定要求。

3. 发明申请

WO2002084840A3 DIODENANORDNUNG MIT ZENERDIODEN UND GENERATOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084840A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/DE2002/001387
申请日：2002-04-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , TOPP, Rainer , GOERLACH, Alfred , HAUSMANN, Holger
发明人： SPITZ, Richard , TOPP, Rainer , GOERLACH, Alfred , HAUSMANN, Holger
IPC分类号： H02J7/14
摘要： Es wird eine Diodenanordnung (10) und ein Generator (20) vorgeschlagen, wobei Zenerdioden (2-7) Verwendung finden und wobei die Diodenanordnung (10) Wechselspannungsanschlüsse (U, V, W) und Gleichspannungsanschlüsse (B+, B-) aufweist, wobei die Zenerdioden (2-7) zur Gleichrichtung einer an den Wechselspannungsanschlüssen (U, V, W) anliegenden Wechselspannung in Durchlassrichtung betrieben werden, wobei für die Zenerspannung der Zenerdioden (2-7) eine untere Grenze (8) vorgesehen ist, wobei die untere Grenze (8) der Zenerspannung kleiner als eine untere vorgegebene Gleichspannung (11) vorgesehen ist.

4. 发明申请

WO2012076231A3 GENERATORVORRICHTUNG ZUR SPANNUNGSVERSORGUNG EINES KRAFTFAHRZEUGS 审中-公开
公开(公告)号：WO2012076231A3
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：PCT/EP2011/068298
申请日：2011-10-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , TOLKSDORF, Carolin
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , TOLKSDORF, Carolin
IPC分类号： H01L29/861 , H02M7/06
摘要： Die Erfindung betrifft eine Generatorvorrichtung zur Spannungsversorgung eines Kraftfahrzeugs, welche mit mindestens einem Gleichrichterelement zum Gleichrichten einer von einem Generator bereitgestellten Wechselspannung ausgestattet ist. Das Gleichrichterelement weist einen n-Kanal MOS-Feldeffekttransistor auf, bei dem Gate, Bodygebiet und Sourcegebiet fest elektrisch miteinander verbunden sind und bei dem das Draingebiet als Kathode dient.

5. 发明申请

WO2006072493A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERCHIPS AUS EINEM WAFER 审中-公开
标题翻译：方法制造半导体芯片不受晶片
公开(公告)号：WO2006072493A1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/EP2005/055790
申请日：2005-11-07
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , HAHN, Friederike
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , HAHN, Friederike
IPC分类号： H01L21/78 , H01L29/866
CPC分类号： H01L29/66106 , H01L21/78 , H01L29/045 , H01L29/866
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips (2) aus einem Wafer (1), der eine Vielzahl von Halbleiterchips (2) umfasst. Störungen in der Kristallstruktur der Chips (2) können wesentlich verringert werden, wenn in der Waferoberfläche nach der Fertigstellung des Wafers (1) Sollbruchstellen (14) erzeugt werden, und der Wafer (1) entlang der Sollbruchstellen (14) gebrochen wird, um die Halbleiterchips (2) zu vereinzeln.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于从晶片（1）的制造的半导体芯片（2），包括：多个半导体芯片（2）。在芯片（2）的晶体结构干扰可以如果在晶片表面（1）中产生预定的断裂点（14）在晶片的完成之后大大降低，而在晶片（1）沿着预定的断裂点（14）被破坏的半导体芯片（2）分离。

6. 发明申请

WO2012079816A1 GENERATORVORRICHTUNG MIT VERBESSERTER VERPOLFESTIGKEIT 审中-公开
标题翻译：具有改进的极性反转发生器装置
公开(公告)号：WO2012079816A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/EP2011/068648
申请日：2011-10-25
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , MEHRINGER, Paul , SPITZ, Richard , BAUR, Markus , GOERLACH, Alfred , SUELZLE, Helmut , JAROS, Rolf
发明人： MEHRINGER, Paul , SPITZ, Richard , BAUR, Markus , GOERLACH, Alfred , SUELZLE, Helmut , JAROS, Rolf
IPC分类号： H02J7/02 , H02J7/14 , H02M7/06 , H02M7/12 , H02M7/219
CPC分类号： H02J7/1461 , H02M1/32 , H02M7/219
摘要： Die Erfindung betrifft eine Generatorvorrichtung zur Spannungsversorgung eines Kraftfahrzeugs, welche einen Generator und einen mit dem Generator verbundenen Gleichrichter aufweist. Der Gleichrichter weist zur Verbesserung der Verpolfestigkeit mindestens eine Schottkydiode auf.
摘要翻译：本发明涉及一种用于机动车辆的电源的发电机装置，包括发电机和连接到发电机的整流器。整流器具有提高极性反转的至少一个肖特基二极管。

7. 发明申请

WO2007135146A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND GLEICHRICHTERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：半导体部件和整流器布置
公开(公告)号：WO2007135146A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/EP2007/054939
申请日：2007-05-22
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , QU, Ning , MUELLER, Markus
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , QU, Ning , MUELLER, Markus
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/866 , H01L29/16 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/22 , H01L29/7371 , H01L29/866 , H01L29/872
摘要： Es werden Halbleitereinrichtungen, sogenannte Hetero-Junction-Dioden (HJD) und Gleichrichteranordnungen mit derartigen Halbleitereinrichtungen angegeben. Die Hetero- Junction-Dioden (HJD) setzen sich zusammen aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien, insbesondere Silizium-Germanium und Silizium, die jeweils unterschiedlich dotiert sind. Durch Wahl des Germaniumanteils sowie der Dichte der SiGe-Schicht lassen sich Eigenschaften wie Durchbruchspannung und Sperrstrom der Diode in gewissen Bereichen einstellen. Die Hetero-Junction-Dioden (HJD) sind in Gleichrichteranordnungen, beispielsweise für Generatoren in Kraftfahrzeugen eingesetzt, wobei zusätzlich zu den Hetero-Junction-Dioden (HJD) weitere Halbleiterelemente geschaltet sein können, beispielsweise Schottky-Dioden, Zenerdioden oder Feldplatten. Durch die geringe Flussspannung der Hetero-Junction-Dioden (HJD) wird der Wirkungsgrad sowie die Abgabeleistung im Leerlauf des Generators gegenüber herkömmlichen Halbleiterbrücken verbessert.
摘要翻译：有标有这样的半导体器件，半导体器件，所谓的异质结二极管（HJD）和整流器组件。异质结二极管（HJD）由不同的半导体材料，特别是硅 - 锗和硅中，每个不同地掺杂。由锗含量的选择和SiGe层属性的密度可击穿电压和在设定特定区域的二极管的阻断电流。异质结二极管（HJD）在整流装置中使用，例如用于在机动车发电机，除异质结二极管（HJD）其它半导体元件可以被连接，例如，肖特基二极管，齐纳二极管或场板。由于异质结二极管（HJD）发电机空转期间的效率和功率输出的低正向电压超过常规半导体桥被改善。

8. 发明申请

WO2005006529A1 GLEICHRICHTERANORDNUNG MIT UNTERSCHIEDLICHEN GLEICHRICHTERELEMENTEN 审中-公开
标题翻译：与不同整流元件整流器布置
公开(公告)号：WO2005006529A1
公开(公告)日：2005-01-20
申请号：PCT/DE2004/001352
申请日：2004-06-26
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , MUELLER, Markus
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , MUELLER, Markus
IPC分类号： H02M7/06
CPC分类号： H02M7/06
摘要： Gleichrichteranordnung, insbesonders Gleichrichterbrücke für einen Drehstromgenerator, die mehrere Gleichrichterelemente umfasst wobei vorgebbare Gleichrichterelemente sich in wenigstens einer Eigenschaft von den übrigen Gleichrichterelementen unterscheiden. Die Gleichrichterelemente sind beispielsweise Dioden, die sich in den Eigenschaften Schaltzeit, bzw. die Reverse Recovery-Schaltzeit (trr) und/oder Stromdichte und/oder Chipfläche und/oder Chipdicke und/oder die Durchbruchspannung (UZ) und/oder Innenwiderstand (RI) und/oder Bahnwiderstand und/oder durch eine weitere Eigenschaft, die zur Reduzierung der Welligkeit geeignet ist, voneinander unterscheiden.
摘要翻译：整流器布置，特别是桥式整流器对交流发电机，其包括多个整流元件是预先确定的整流元件中的至少一个特性上不同于其他整流元件。整流元件是例如二极管，导致在特性切换时间或反向恢复的切换时间（TRR）和/或电流密度和/或芯片表面和/或芯片的厚度和/或击穿电压（UZ）和/或内部电阻（RI）和/或片材电阻，和/或以其他属性适合于彼此的纹波的减少不同。

9. 发明申请

WO2003061015A1 HALBLEITERANORDNUNG MIT EINEM PN-ÜBERGANG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：根据上述制造半导体器件的pn结和方法功率半导体装置
公开(公告)号：WO2003061015A1
公开(公告)日：2003-07-24
申请号：PCT/DE2002/004255
申请日：2002-11-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , DEL ROCIO MARTIN LOPEZ, Maria , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WILL, Barbara
发明人： DEL ROCIO MARTIN LOPEZ, Maria , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WILL, Barbara
IPC分类号： H01L29/866
CPC分类号： H01L29/66106 , H01L29/866 , Y10S438/965
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung (200) mit einem pn-Übergang und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung (200) vorgeschlagen, wobei die Halbleiteranordnung (200) als Chip (10) mit einem Randbereich ausgebildet ist, wobei die Halbleiteranordnung (200) eine erste Schicht (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweite Schicht (1) eines zweiten, dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten, Leitfähigkeitstyps umfasst, wobei die erste Schicht (2) einen Randbereich (2a) und einen Mittenbereich (2b) aufweist, wobei zwischen der ersten Schicht (2) und der zweiten Schicht (1) der pn-Übergang vorgesehen ist, wobei die zweite Schicht (2) in ihrem Randbereich (2a) schwächer dotiert vorgesehen ist als in ihrem Mittenbereich (2b) und wobei die Grenzfläche (12) des pn-Übergangs am Randbereich (2a) nichtparallel zur Hauptchipebene (13) vorgesehen ist.
摘要翻译：公开的是具有pn结和用于制造半导体器件（200），其中，所述半导体装置（200）被形成为芯片（10）具有边缘区域的方法，一种半导体器件（200），其中半导体器件（200）的第一层（2）第二，在第一导电类型相反，其包括导电型，所述第一层（2）具有边缘区域（2a）和第一导电类型的中心区域（2b）和第二层（1）其中（第一层之间 2），并且其中所述第二层（2）（在其周边区域2a）设有弱掺杂比（在其中间区域2b）中，pn结被提供时，第二层（1），并且其中所述pn的接口（12）在边缘区域（2a）的过渡不平行于所述芯片（13）的主平面设置。

10. 发明申请

WO2005020322A1 EINPRESSDIODE MIT VERSILBERTEM DRAHTANSCHLUSS 审中-公开
标题翻译：银压接二极管镀线连接
公开(公告)号：WO2005020322A1
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：PCT/DE2004/001285
申请日：2004-06-19
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , EINSIEDLER, Mario , SCHOENE, Stefan
发明人： SPITZ, Richard , EINSIEDLER, Mario , SCHOENE, Stefan
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： C23C30/00 , H01L23/04 , H01L23/049 , H01L24/01 , H01L24/33 , H01L2924/01033
摘要： Die Erfindung betrifft eine Einpressdiode, insbesondere für Gleichrichteranwendungen, umfassend einen Diodenchip (7), einen Sockelkontakt (3) zum Einpressen in einen Träger, der einen ersten Anschluss der Einpressdiode (1) bildet und einen Drahtkontakt (2) der einen zweiten Anschluss der Einpressdiode (1) bildet. Eine gut lötbare und korrosionsresistente Einpressdiode (1) kann dadurch hergestellt werden, dass der Drahtkontakt (2) wenigstens teilweise mit einer Silberschicht (10) versehen wird, wobei der Sockelkontakt (3) vorzugsweise keine Silberschicht (10) aufweist.
摘要翻译：本发明涉及一种压配合二极管，特别是用于整流器应用，包括二极管芯片（7），一个基极接触（3）压入一个载体中，形成压配合二极管的第一端子（1）和一个金属丝（2）接触的压入二极管的第二端子的（1）。良好的可焊接和耐腐蚀的压配合二极管（1）可如下制备，使线接触（2）被至少部分地设置有一个银层（10），所述底座（3）接触，优选无银层（10）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式