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1. 发明申请

WO2007135146A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND GLEICHRICHTERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：半导体部件和整流器布置
公开(公告)号：WO2007135146A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/EP2007/054939
申请日：2007-05-22
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , QU, Ning , MUELLER, Markus
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , QU, Ning , MUELLER, Markus
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/866 , H01L29/16 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/22 , H01L29/7371 , H01L29/866 , H01L29/872
摘要： Es werden Halbleitereinrichtungen, sogenannte Hetero-Junction-Dioden (HJD) und Gleichrichteranordnungen mit derartigen Halbleitereinrichtungen angegeben. Die Hetero- Junction-Dioden (HJD) setzen sich zusammen aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien, insbesondere Silizium-Germanium und Silizium, die jeweils unterschiedlich dotiert sind. Durch Wahl des Germaniumanteils sowie der Dichte der SiGe-Schicht lassen sich Eigenschaften wie Durchbruchspannung und Sperrstrom der Diode in gewissen Bereichen einstellen. Die Hetero-Junction-Dioden (HJD) sind in Gleichrichteranordnungen, beispielsweise für Generatoren in Kraftfahrzeugen eingesetzt, wobei zusätzlich zu den Hetero-Junction-Dioden (HJD) weitere Halbleiterelemente geschaltet sein können, beispielsweise Schottky-Dioden, Zenerdioden oder Feldplatten. Durch die geringe Flussspannung der Hetero-Junction-Dioden (HJD) wird der Wirkungsgrad sowie die Abgabeleistung im Leerlauf des Generators gegenüber herkömmlichen Halbleiterbrücken verbessert.
摘要翻译：有标有这样的半导体器件，半导体器件，所谓的异质结二极管（HJD）和整流器组件。异质结二极管（HJD）由不同的半导体材料，特别是硅 - 锗和硅中，每个不同地掺杂。由锗含量的选择和SiGe层属性的密度可击穿电压和在设定特定区域的二极管的阻断电流。异质结二极管（HJD）在整流装置中使用，例如用于在机动车发电机，除异质结二极管（HJD）其它半导体元件可以被连接，例如，肖特基二极管，齐纳二极管或场板。由于异质结二极管（HJD）发电机空转期间的效率和功率输出的低正向电压超过常规半导体桥被改善。

2. 发明申请

WO2012055627A1 HALBLEITERANORDNUNG MIT SCHOTTKYDIODE 审中-公开
标题翻译：肖特基功率半导体装置
公开(公告)号：WO2012055627A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/EP2011/065614
申请日：2011-09-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/404 , H01L29/417
摘要： Halbleiteranordnung einer S uper- T rench- S chottky- B arrier- D iode (STSBD), bestehend aus einem n+-Substrat 10, einer n-Epischicht 20, in die n-Epischicht 20 eingeätzten Gräben (Trenchs) 30 mit einer Breite Wt und einem Abstand zum n+-Substrat 10 D_epi , Mesa-Bereichen 40 zwischen den benachbarten Gräben 30 mit einer Breite Wm , einer Metallschicht an der Vorderseite des Chips 50 die ein Schottky-Kontakt ist und als Anodenelektrode dient, und einer Metallschicht an der Rückseite des Chips 60 die ein ohmscher Kontakt ist und als Kathodenelektrode dient, dadurch gekennzeichnet, dass sich an der Trenchwand mehrere Schottky-Kontakte 70 mit einer Weite D_sk und einem Anstand zwischen den Schottky-Kontakten D_gap sowie zwischen dem Schottky-Kontakt 50 als Anodenelektrode und dem ersten Schottky-Kontakt 70 befinden.
摘要翻译：超沟槽肖特基势垒二极管（STSBD），由n +衬底10，n型外延层20，在n型外延层进行蚀刻的半导体装置20周的槽（沟槽），其具有一个宽度Wt和从n +的距离30 具有宽度Wm，在芯片50中，肖特基接触的前侧的金属层和用作阳极的电极，并在芯片60的背面上的金属层，欧姆30的相邻沟槽之间基板10 D_epi，台面部分40 接触，并作为其特征在于，有在沟槽壁几个肖特基接触70具有宽度D_SK一个阴极电极和肖特基接触之间D_gap和肖特基接触50作为阳极电极与所述第一肖特基接触之间的正当性70 ，

3. 发明申请

WO2011057848A1 SCHOTTKYDIODE 审中-公开
标题翻译：肖特基
公开(公告)号：WO2011057848A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/EP2010/064003
申请日：2010-09-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/47 , H01L29/475 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/8611
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung einer Schottkydiode mit integrierter PN-Diode als Klammerelement beschrieben, die sich insbesondere als Z-Diode mit einer Durchbruchspannung von ca. 20V zum Einsatz in Kfz-Generatorsystem eignet. Dabei besteht die Halbleiteranordnung der Schottkydiode aus einer Kombination von Schottkydiode und PN-Diode. Die Durchbruchspannung der PN-Diode BV_pn ist sehr viel niedriger als die Durchbruchspannung der Schottkydiode BV _ schottkyt , wobei die Halbleiteranordnung mit hohen Strömen im Durchbruch betrieben werden kann.
摘要翻译：它与集成PN二极管作为夹紧元件，一个肖特基二极管，其特别适合作为具有约20V为在电动发电机系统一起使用的击穿电压的齐纳二极管的半导体装置进行说明。存在来自肖特基二极管和PN二极管的组合肖特基二极管的半导体器件。 PN二极管BV_pn的击穿电压大于所述肖特基二极管BV_schottkyt的击穿电压低得多，其特征在于，该半导体器件可与在孔中的高电流下操作。

4. 发明申请

WO2011015393A1 HALBLEITERANORDNUNG MIT EINER SCHOTTKY-DIODE 审中-公开
标题翻译：与肖特基二极管功率半导体装置
公开(公告)号：WO2011015393A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：PCT/EP2010/058060
申请日：2010-06-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/66143
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung mit einer Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode (TJBS) mit integrierter PN-Diode als Klammerelement, die sich insbesondere als Z-Diode mit einer Durchbruchspannung von ca. 20V zum Einsatz in Kfz-Generatorsystem eignet, beschrieben. Dabei besteht die TJBS aus einer Kombination von Schottky-Diode und PN-Diode. Für die Durchbruchspannungen gilt, dass die Durchbruchspannung der PN-Diode BV_pn niedriger ist als die Durchbruchspannung der Schottky-Diode BV_schottky . Daher kann die Halbleiteranordnung mit hohen Strömen im Durchbruch betrieben werden.
摘要翻译：它是具有沟槽结势垒肖特基二极管（TJBS）集成PN二极管作为夹紧元件，其特别适合作为具有约20V用于描述汽车发电机系统一起使用的击穿电压的齐纳二极管的半导体器件。有肖特基二极管和PN二极管的组合的TJBS。它适用于击穿电压，该PN二极管的击穿电压BV_pn大于肖特基二极管BV_schottky的击穿电压低。因此，半导体器件可以在突破高的电流来操作。

5. 发明申请

WO2009040279A1 HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件和方法及其
公开(公告)号：WO2009040279A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/EP2008/062346
申请日：2008-09-17
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/868 , H01L29/0611 , H01L29/0623 , H01L29/161 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung bestehend aus einem hoch n-dotiertes Siliziumsubstrat (1) und einer ersten n-Siliziumepitaxieschicht (22), die sich direkt an das hoch n-dotiertes Siliziumsubstrat (1)anschließt, mit einer p-dotierten SiGe-Schicht (3), die sich an eine zweite n-dotierte Siliziumepitaxieschicht (12) anschließt und eine Heteroübergang-Diodebildet, welche sich über der ersten n-dotierten Siliziumepitaxieschicht (22) befindet und bei der sich der pn-Übergang innerhalb der p-dotierten SiGe-Schicht (3) befindet, beschrieben. Dabei hat die erste n-Siliziumepitaxieschicht (22) eine höhere Dotierkonzentration als die zweite n-Siliziumepitaxieschicht (12). Zwischen den beiden n-dotierten Epitaxieschichten liegt mindestens eine p-dotierte Emitterwanne (9),die einen vergrabenen Emitter bildet, wobei sich sowohl ein pn-Übergang zur ersten n-dotierten Siliziumepitaxieschicht (22) als auch zur zweiten n-dotierten Siliziumepitaxieschicht (12) ausbildet und wobei die mindestens eine Emitterwanne (9) vollständig von den beiden Epitaxieschichten umschlossen ist.
摘要翻译：其次是由高n掺杂硅衬底（1）和第一n-硅外延层（22）的半导体装置直接延伸到高度n掺杂硅衬底（1）中，用p型掺杂的SiGe层（3 ），其邻近于第二n型掺杂的硅外延层（12）和异质结二极管的形式，其位于（第一n掺杂硅外延层22）上，并且其中所述p掺杂的SiGe层内的pn结（3）进行说明。这里，第一n-硅外延层（22）具有更高的掺杂浓度比所述第二n硅外延层（12）。两个n型掺杂外延层位于之间的至少一个p型掺杂的发射极槽（9），其形成掩埋发射极，与两个pn结到第一n掺杂硅外延层（22）和所述第二n型掺杂的硅外延层（12 ）和形成所述至少一个发射器槽（9），由两个外延层是完全封闭的。

6. 发明申请

WO2011015394A1 HALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件和方法及其
公开(公告)号：WO2011015394A1
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：PCT/EP2010/058067
申请日：2010-06-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/8725 , H01L29/0623 , H01L29/0626 , H01L29/66143
摘要： Es wird eine Halbleiteranordnung mit einer Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode (TMBS) bestehend aus einer n-Epischicht (2), in der sich in einer zweidimensionalen Darstellungsweise mindestens zwei eingeätzte Gräben (6), auf einem n + -Substrat 1, das als Kathodenzone dient, befinden, vorgeschlagen. Dabei befindet sich in der n-dotierten Epischicht 2 mindestens an einer Stelle unterhalb des Grabenbodens eine elektrisch floatende p-dotiert Schicht, die als Anodenzone der PN-Diode dient. Eine Oxidschicht liegt zwischen einer Metallschicht 4 und der Oberfläche der Graben 6. Die n-dotierte Epischicht 2 kann sich auch aus zwei unterschiedlich hoch dotierten n-Schichten zusammensetzen.
摘要翻译：它具有沟槽MOS型势垒肖特基二极管（TMBS）由n外延层的半导体器件（2），其中，在二维表示中，至少两个蚀刻的沟槽（6），在n +衬底1，其用作阴极区，提出了建议。在这种情况下位于所述n型掺杂的外延层2至少在底部严重下方的位置的电浮置p型掺杂层，其用作PN二极管的阳极区。氧化物层位于金属层4和沟槽6 n型外延层2也可以由两个不同的高度掺杂的n型层的所述表面之间。

7. 发明申请

WO2006061277A1 HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件和方法及其
公开(公告)号：WO2006061277A1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：PCT/EP2005/055227
申请日：2005-10-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GOERLACH, Alfred , QU, Ning
发明人： GOERLACH, Alfred , QU, Ning
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/866
CPC分类号： H01L29/66143 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/872
摘要： Es werden Halbleitereinrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung beschrieben, wobei die Halbleitereinrichtungen als Trench-Schottky-Barrier-Schottky-Diode mit PN- Diode als Klammerelement (TSBS-PN) ausgestaltet ist und gegenüber herkömmlichen TSBS-Elementen zusätzliche Eigenschaften aufweist, die eine Anpassung der elektrischen Eigenschaften ermöglichen. Die TSBS-PN-Dioden werden mit speziellen Herstellungsverfahren erzeugt und sind in ihren physikalischen Eigenschaften so ausgelegt, dass sie für einen Einsatz in einem Gleichrichter für einen Kraftfahrzeuggenerator geeignet sind und auch als Z-Dioden betrieben werden können.
摘要翻译：将有用于生产半导体装置和工艺，其中所述半导体器件被设计为沟槽肖特基势垒肖特基二极管PN二极管作为夹紧元件（TSB的-PN）和比常规TSB的元件来描述具有其他属性的调整电气性能允许。的TSB的-PN二极管产生具有特殊的制造工艺和设计在它们的物理性能使得它们适合于在一个整流器使用用于车辆用交流发电机，并且也可以用作齐纳二极管。

8. 发明申请

WO2006048354A1 HALBLEITEREINRICHTUNG UND VERFAHREN FÜR DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法SAME
公开(公告)号：WO2006048354A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/EP2005/054538
申请日：2005-09-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GOERLACH, Alfred , QU, Ning
发明人： GOERLACH, Alfred , QU, Ning
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/866 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/8725 , H01L29/66143 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung (20), die eine Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode mit integrierter PN-Diode umfasst, sowie Verfahren für deren Herstellung.
摘要翻译：本发明涉及一种包括具有集成PN二极管的沟槽MOS势垒肖特基二极管的半导体器件（20），以及它们的制备方法。

9. 发明申请

WO2006037711A2 HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：半导体部件
公开(公告)号：WO2006037711A2
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/EP2005/054523
申请日：2005-09-12
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , FLOHRS, Peter , GOERLACH, Alfred , URBACH, Peter , FEILER, Wolfgang , QU, Ning , HEYERS, Klaus
发明人： FLOHRS, Peter , GOERLACH, Alfred , URBACH, Peter , FEILER, Wolfgang , QU, Ning , HEYERS, Klaus
IPC分类号： H01L29/8605
CPC分类号： H01L28/20 , G01K7/22 , H01L27/0802 , H01L29/8605 , H01L29/8611
摘要： Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes angegeben, das ein Widerstandsverhalten aufweist, das stark von der Temperatur abhängt. Dieses Widerstandsverhalten wird durch eine spezielle mehrschichtige Struktur des Halbleiterbauelements erhalten, wobei eine Schicht so ausgestaltet ist, dass beispielsweise in einem n-dotierten Gebiet mehrere p-dotierte Gebiet vorhanden sind, die auf einer Seite mittels Metallisierungsschicht kurzgeschlossen sind. Das Halbleiterbauelement kann beispielsweise zur Verringerung von Stromspitzen eingesetzt werden, wobei es dann in einen Leiter integriert wird. In kaltem Zustand weist das Halbleiterbauelement einen hohen Widerstand auf, der nach Erwärmung des Halbleiterbauelementes in Folge des fließenden Stromes signifikant kleiner wird.
摘要翻译：提供了一种半导体器件以及制造这种半导体器件的方法，该半导体器件具有强烈依赖于温度的电阻特性。此电阻器的行为，是由半导体器件，其中一个层被设计成使得多个p掺杂区的存在，例如，在n型掺杂的区域，该区域被短路通过金属化的手段在一侧的一个特殊的多层结构得到的。例如，可以使用半导体器件来减小电流峰值，然后将其集成到导体中。当冷时，半导体器件具有高电阻，其在半导体器件加热之后由于流动电流而变得明显更小

10. 发明申请

WO2013079304A1 HOCHSPANNUNGS-TRENCH-JUNCTION-BARRIER-SCHOTTKYDIODE 审中-公开
标题翻译：高压沟槽结势垒肖特基
公开(公告)号：WO2013079304A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/EP2012/072378
申请日：2012-11-12
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , QU, Ning , GOERLACH, Alfred
发明人： QU, Ning , GOERLACH, Alfred
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/8725 , H01L29/0634 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung betrifft eine Schottkydiode, die ein n + -Substrat, eine n-Epischicht, mindestens zwei in die n-Epischicht eingebrachte p-dotierte Gräben, Mesabereiche zwischen benachbarten Gräben, eine als Kathodenelektrode dienende Metallschicht und eine als Anodenelektrode dienende weitere Metallschicht aufweist. Die Dicke der Epischicht ist größer als das Vierfache der Tiefe der Gräben.
摘要翻译：本发明涉及一种肖特基二极管，具有n +衬底，n外延层，至少两个引入到相邻的沟槽之间的n外延层的p掺杂沟槽台面，作为阴极电极的金属层和作为金属构成的阳极电极进一步层。外延层的厚度是沟槽大于四倍的深度。

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