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1. 发明申请

WO2014031570A1 SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A BURIED LOWER ELECTRODE IN CONJUNCTION WITH AN ENCAPSULATED MEMS DEVICE 审中-公开
标题翻译：与封装的MEMS器件连接形成一个下部电极的系统和方法
公开(公告)号：WO2014031570A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/US2013/055668
申请日：2013-08-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GRAHAM, Andrew, B. , FEYH, Ando , O'BRIEN, Gary
发明人： GRAHAM, Andrew, B. , FEYH, Ando , O'BRIEN, Gary
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81C1/00015
摘要： A system and method for forming a sensor device with a buried first electrode includes providing a first silicon portion with an electrode layer and a second silicon portion with a device layer. The first silicon portion and the second silicon portion are adjoined along a common oxide layer formed on the electrode layer of the first silicon portion and the device layer of the second silicon portion. The resulting multi-silicon stack includes a buried lower electrode that is further defined by a buried oxide layer, a highly-doped ion implanted region, or a combination thereof. The multi-silicon stack has a plurality of silicon layers and silicon dioxide layers with electrically isolated regions in each layer allowing for both the lower electrode and an upper electrode. The multi-silicon stack further includes a spacer that enables the lower electrode to be accessible from a topside of the sensor device.
摘要翻译：用于形成具有埋入的第一电极的传感器装置的系统和方法包括：提供具有电极层的第一硅部分和具有器件层的第二硅部分。第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的器件层上的公共氧化物层相邻。所得到的多硅堆叠包括掩埋下电极，其进一步由掩埋氧化物层，高度掺杂的离子注入区域或其组合限定。多硅堆叠具有多个硅层和在每个层中具有电隔离区域的二氧化硅层，允许下电极和上电极两者。多硅堆叠还包括使得下电极能够从传感器装置的顶侧接近的间隔件。

2. 发明申请

WO2014055506A1 CAPACITIVE PRESSURE SENSOR AND METHOD 审中-公开
标题翻译：电容式压力传感器及方法
公开(公告)号：WO2014055506A1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：PCT/US2013/062851
申请日：2013-10-01
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , FEYH, Ando , GRAHAM, Andrew, B.
发明人： FEYH, Ando , GRAHAM, Andrew, B.
IPC分类号： G01L9/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00476 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81C1/00182 , G01L9/0042 , G01L9/0073
摘要： In one embodiment, a method of forming a MEMS device includes providing a silicon wafer with a base layer and an intermediate layer above an upper surface of the base layer. A first electrode is defined in the intermediate layer and an oxide portion is provided above an upper surface of the intermediate layer. A cap layer is provided on an upper surface of the oxide portion and a second electrode is defined in the cap layer. The method further includes etching the oxide portion to form a cavity such that when the second electrode and the cavity are projected onto the intermediate layer, the projected second electrode encompasses the projected cavity.
摘要翻译：在一个实施例中，形成MEMS器件的方法包括在基底层的上表面上方提供具有基底层和中间层的硅晶片。在中间层中限定第一电极，并且在中间层的上表面上方设置氧化物部分。盖层设置在氧化物部分的上表面上，第二电极限定在盖层中。该方法还包括蚀刻氧化物部分以形成空腔，使得当第二电极和空腔被投射到中间层上时，突出的第二电极包围投影腔。

3. 发明申请

WO2014031592A1 MEMS PRESSURE SENSOR WITH MULTIPLE MEMBRANE ELECTRODES 审中-公开
标题翻译：具有多个膜电极的MEMS压力传感器
公开(公告)号：WO2014031592A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/US2013/055708
申请日：2013-08-20
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GRAHAM, Andrew, B. , FEYH, Ando , GEHL, Bernhard
发明人： GRAHAM, Andrew, B. , FEYH, Ando , GEHL, Bernhard
IPC分类号： G01L9/00 , B81C1/00 , G01D5/241
CPC分类号： B81B3/0081 , B81C1/00158 , G01D5/2417 , G01L9/0073
摘要： In one embodiment, a MEMS sensor (100) includes a first fixed electrode (108, 112) in a first layer, a cavity (116) defined above the first fixed electrode, a membrane (140) extending over the cavity, a first movable electrode (128) defined in the membrane and located substantially directly above the first fixed electrode, and a second movable electrode (132) defined at least partially within the membrane and located at least partially directly above the cavity.
摘要翻译：在一个实施例中，MEMS传感器（100）包括在第一层中的第一固定电极（108,112），限定在第一固定电极之上的空腔（116），在空腔上延伸的膜（140）限定在所述膜中并且基本上直接位于所述第一固定电极上方的电极（128）以及至少部分地限定在所述膜内并且至少部分地直接位于所述空腔上方的第二可移动电极（132）。

4. 发明申请

WO2012142424A1 WAFER WITH RECESSED PLUG 审中-公开
标题翻译：带有接收插头的波形
公开(公告)号：WO2012142424A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/US2012/033542
申请日：2012-04-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
发明人： GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/762
CPC分类号： B81B7/00 , B81B2203/0307 , B81C1/00126 , H01L21/76283
摘要： In one embodiment, a method of forming a plug includes providing a base layer, providing an intermediate oxide layer above an upper surface of the base layer, providing an upper layer above an upper surface of the intermediate oxide layer, etching a trench including a first trench portion extending through the upper layer, a second trench portion extending through the oxide layer, and a third trench portion extending into the base layer, depositing a first material portion within the third trench portion, depositing a second material portion within the second trench portion, and depositing a third material portion within the first trench portion.
摘要翻译：在一个实施例中，形成插头的方法包括提供基底层，在基底层的上表面上方提供中间氧化物层，在中间氧化物层的上表面上方提供上层，蚀刻包括第一延伸穿过上层的沟槽部分，延伸穿过氧化物层的第二沟槽部分和延伸到基层中的第三沟槽部分，在第三沟槽部分内沉积第一材料部分，在第二沟槽部分内沉积第二材料部分并且在第一沟槽部分内沉积第三材料部分。

5. 发明申请

WO2012142400A1 METHOD OF FORMING MEMBRANES WITH MODIFIED STRESS CHARACTERISTICS 审中-公开
标题翻译：具有改性应力特征的膜的形成方法
公开(公告)号：WO2012142400A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/US2012/033501
申请日：2012-04-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
发明人： GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/00
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81C1/00666 , G01L9/0042
摘要： A method of modifying stress characteristics of a membrane in one embodiment includes providing a membrane layer, determining a desired stress modification, and forming at least one trough in the membrane layer based upon the determined desired stress modification.
摘要翻译：在一个实施方案中，改进膜的应力特性的方法包括提供膜层，确定所需的应力改性，以及基于确定的所需应力改变在膜层中形成至少一个槽。

6. 发明申请

WO2012141854A1 MEMS PACKAGE OR SENSOR PACKAGE WITH INTRA-CAP ELECTRICAL VIA AND METHOD THEREOF 审中-公开
标题翻译：具有内部电气的MEMS封装或传感器封装及其方法
公开(公告)号：WO2012141854A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/US2012/029862
申请日：2012-03-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
发明人： GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/095
摘要： A MEMS device structure including a lateral electrical via encased in a cap layer and a method for manufacturing the same. The MEMS device structure includes a cap layer positioned on a MEMS device layer. The cap layer covers a MEMS device and one or more MEMS device layer electrodes in the MEMS device layer. The cap layer includes at least one cap layer electrode accessible from the surface of the cap layer. An electrical via is encased in the cap layer extending across a lateral distance from the cap layer electrode to the one or more MEMS device layer electrodes. An isolating layer is positioned around the electrical via to electrically isolate the electrical via from the cap layer.
摘要翻译：包括封装在盖层中的横向电通路的MEMS器件结构及其制造方法。 MEMS器件结构包括位于MEMS器件层上的盖层。盖层覆盖MEMS器件和MEMS器件层中的一个或多个MEMS器件层电极。盖层包括可从盖层的表面接近的至少一个盖层电极。电通孔被封装在覆盖层中，该覆盖层跨越从帽层电极到一个或多个MEMS器件层电极的横向距离延伸。绝缘层位于电通孔周围，以将电通孔与盖层电隔离。

7. 发明申请

WO2014088976A1 STRUCTURED GAP FOR A MEMS PRESSURE SENSOR 审中-公开
标题翻译： MEMS压力传感器的结构差距
公开(公告)号：WO2014088976A1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：PCT/US2013/072694
申请日：2013-12-02
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
发明人： GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
IPC分类号： G01L9/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00642 , B81B3/0021 , G01L9/0047 , G01L9/0073
摘要： A method of fabricating a pressure sensor (30) includes performing a chemical vapor deposition (CVD) process to deposit a first sacrificial layer having a first thickness onto a substrate (12). A portion of the first sacrificial layer is then removed down to the substrate to form a central region of bare silicon. One of a thermal oxidation process and an atomic layer deposition process is then performed to form a second sacrificial layer on the substrate having a second thickness in the central region that is less than the first thickness. A cap layer(14) is then deposited over the first and second sacrificial layers. The second sacrificial layer is removed from the central region, and the first and second sacrificial layers are removed from a perimeter region that at least partially surrounds the central region on the substrate to form a contiguous, structured gap between the cap layer and the substrate, the structured gap having a first width in the central region and a second width in the perimeter region with the second width being greater than the first width.
摘要翻译：制造压力传感器（30）的方法包括进行化学气相沉积（CVD）工艺以将具有第一厚度的第一牺牲层沉积到衬底（12）上。然后将第一牺牲层的一部分下移到衬底以形成裸硅的中心区域。然后执行热氧化工艺和原子层沉积工艺之一，以在衬底上形成第二牺牲层，其中心区域的第二厚度小于第一厚度。然后在第一和第二牺牲层上沉积覆盖层（14）。从中心区域去除第二牺牲层，并且从周边区域去除第一和第二牺牲层，周边区域至少部分地围绕衬底上的中心区域，以在盖层和衬底之间形成连续的，结构化的间隙，所述结构化间隙在所述中心区域具有第一宽度，并且所述周边区域中的第二宽度具有大于所述第一宽度的所述第二宽度。

8. 发明申请

WO2012142431A1 METHOD OF FORMING MEMBRANES WITH MODIFIED STRESS CHARACTERISTICS 审中-公开
标题翻译：改性应力特性成膜的方法
公开(公告)号：WO2012142431A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/US2012/033553
申请日：2012-04-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
发明人： GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/00
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81C1/00666 , G01L9/0042
摘要： A method of modifying stress characteristics of a membrane in one embodiment includes providing a membrane layer, determining a desired stress modification, and forming at least one trough in the membrane layer based upon the determined desired stress modification.
摘要翻译：在一个实施例中，改变膜的应力特性的方法包括提供膜层，确定期望的应力修改，以及基于所确定的期望应力修改在膜层中形成至少一个槽。

9. 发明申请

WO2012142415A1 WAFER WITH SPACER INCLUDING HORIZONTAL MEMBER 审中-公开
标题翻译：带有间隔器的水平包括水平构件
公开(公告)号：WO2012142415A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/US2012/033524
申请日：2012-04-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
发明人： GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/762
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/76232 , H01L21/76283 , H01L21/7682 , H01L23/4821 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In one embodiment, a method of forming an insulating spacer includes providing a base layer, providing an intermediate layer above an upper surface of the base layer, etching a first trench in the intermediate layer, depositing a first insulating material portion within the first trench, depositing a second insulating material portion above an upper surface of the intermediate layer, forming an upper layer above an upper surface of the second insulating material portion, etching a second trench in the upper layer, and depositing a third insulating material portion within the second trench and on the upper surface of the second insulating material portion.
摘要翻译：在一个实施例中，形成绝缘间隔物的方法包括提供基底层，在基底层的上表面上方提供中间层，蚀刻中间层中的第一沟槽，在第一沟槽内沉积第一绝缘材料部分，在所述中间层的上表面上方沉积第二绝缘材料部分，在所述第二绝缘材料部分的上表面上形成上层，蚀刻所述上层中的第二沟槽，以及在所述第二沟槽内沉积第三绝缘材料部分并且在第二绝缘材料部分的上表面上。

10. 发明申请

WO2012142381A1 METHOD OF FORMING NON-PLANAR MEMBRANES USING CMP 审中-公开
标题翻译：使用CMP形成非平面膜的方法
公开(公告)号：WO2012142381A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/US2012/033471
申请日：2012-04-13
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
发明人： GRAHAM, Andrew, B. , YAMA, Gary , O'BRIEN, Gary
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00103 , B81B2203/0376 , B81C2201/0104
摘要： A method of shaping a substrate in one embodiment includes providing a first support layer, providing a first shaping pattern on the first support layer, providing a substrate on the first shaping pattern, performing a first chemical mechanical polishing (CMP) process on the substrate positioned on the first shaping pattern, and removing the once polished substrate from the first shaping pattern.
摘要翻译：在一个实施例中，成形衬底的方法包括提供第一支撑层，在第一支撑层上提供第一成形图案，在第一成形图案上提供衬底，在定位的衬底上执行第一化学机械抛光（CMP）在第一成形图案上，并且从第一成形图案去除一次抛光的基板。

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