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1. 发明申请

WO2009152896A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR EINSEITIGEN NASSCHEMISCHEN UND/ODER ELEKTROLYTISCHEN BEHANDLUNG VON GUT 审中-公开
标题翻译：装置和方法单侧湿化学和/或良好的电解处理
公开(公告)号：WO2009152896A1
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/EP2009/003294
申请日：2009-05-08
申请人： RENA GMBH , BÜRGER, Norbert , DELAHAYE, Franck , KALTENBACH, Konrad
发明人： BÜRGER, Norbert , DELAHAYE, Franck , KALTENBACH, Konrad
IPC分类号： C25D5/08 , C25D7/12 , C25D17/02 , C25D17/06 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/18 , C23C18/1621 , C23C18/163 , C25D5/006 , C25D5/028 , C25D5/08 , C25D5/18 , C25D7/126 , C25D17/001 , C25D17/005 , C25D17/02 , C25D17/06 , C25F3/12 , C25F7/00
摘要： Die Erfindung betrifft die nasschemische oder elektrolytische Behandlung von ebenem Gut wie beispielsweise einem Wafer, welches nach dem Stand der Technik mittels technisch komplexer Rahmen oder Greifer in Behandlungsräumen behandelt wird. Insbesondere bei bruchempfindlichem Gut wie z.B. Solarzellen aus Silizium ist die Handhabung sehr Zeit aufwändig, insbesondere dann, wenn die Unterseite des Gutes nicht benetzt werden darf. Erfindungsgemäß wird das Gut (1) ohne Rahmen, Greifer oder Halter derart über einem vertikal angeordneten Behandlungsraum (3) abgelegt, dass lediglich die Unterseite von der Behandlungsflüssigkeit benetzt wird. Durch eine rotationssymmetrische Strömung (4) an der Unterseite (7) des auf der Oberfläche einer Behandlungsflüssigkeit abgelegten Gutes neutralisieren sich die auf das Gut (1) horizontal einwirkenden Adhäsionskräfte gegenseitig. Eine seitliche Verschiebung des Gutes erfolgt nicht. Daher kann auf die üblicherweise verwendeten Begrenzer oder seitlichen Endanschläge verzichtet werden.
摘要翻译：本发明涉及一种湿化学或平面材料的电解处理，诸如，例如，晶片，其根据通过在治疗室技术上复杂框架或夹持器的装置中的现有技术处理。特别是在脆性材料例如的情况下，例如由硅制成的太阳能电池的处理是非常耗费时间，特别是当货物的底部不能被弄湿。根据本发明的材料（1）没有框架，夹持器或持有者存储，只有下侧被处理液以这样的方式通过垂直设置的处理室润湿（3）。通过对下侧的旋转对称的流（4）（7）的所沉积的处理液体良好的表面上中和密合性的上货物（1）水平地作用的力到彼此。所述材料的横向位移不会发生。因此，它可以与常规使用的限幅器或侧向止动被分配。

2. 发明申请

WO2008071239A1 APPARATUS AND PROCESS FOR SINGLE-SIDE WET CHEMICAL AND ELECTROLYTIC TREATMENT OF GOODS 审中-公开
标题翻译：单面湿法化学和电解处理产品的设备和工艺
公开(公告)号：WO2008071239A1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：PCT/EP2007/003746
申请日：2007-04-27
申请人： RENA SONDERMASCHINEN GMBH , BÜRGER, Norbert , LÜTKE NOTARP, Dietmar , KALTENBACH, Konrad , DELAHAYE, Franck
发明人： BÜRGER, Norbert , LÜTKE NOTARP, Dietmar , KALTENBACH, Konrad , DELAHAYE, Franck
IPC分类号： C25D5/08 , C25D7/12 , C25D17/02 , C25D17/06 , H01L21/288
CPC分类号： C25D5/08 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25D17/02 , C25D17/06 , H01L31/022425 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： The invention relates to the wet chemical or electrolytic treatment of planar good, i.e. a wafer, that is, according to the state of the art, treated by the aid of technically complex frames or grippers inside treatment chambers. Especially for fragile good, e.g. for solar cells made from silicon, the handling is quite time consuming, in particular if the bottom side of the good must not be wetted. According to the invention, the good 1 is placed over a vertically arranged treatment chamber 3 without frames, grippers or holders, in such a manner so that only the bottom side is wetted by the treatment fluid. By a rotational- symmetric stream 4 at the bottom side 7 of the good that is placed onto at least one support 2, the adhesion forces acting horizontally onto the good 1 neutralize each other. A lateral displacement of the good does not occur. Therefore, the commonly used limiters or lateral end stops can be omitted. According to the invention, the vertically acting components of the adhesion force cause the good 1 to adhere the supports or the contacts 2, respectively, providing a secure electrical contact for electrolytic treatment. For complete de-metallization of the contacts 2 the natural electrolyte/air boundary 25 is moved in the vicinity of the contacts by means of a gas stream 26 that is directed against the flow direction or against the level of the electrolyte. For solar cells, the metallization of contacts can be completely avoided by illumination of the bottom side that is to be electroplated, due to the contacts being located outside the electrolyte.
摘要翻译：本发明涉及平面状，即晶片的湿式化学或电解处理，也就是说，根据现有技术，通过处理室内的技术上复杂的框架或夹持器进行处理。特别是对于脆弱的品质，例如对于由硅制成的太阳能电池，处理相当耗时，特别是如果底部的底部不能被润湿。根据本发明，将物品1放置在没有框架，夹具或保持器的垂直布置的处理室3上，使得只有底面被处理流体润湿。通过放置在至少一个支撑件2上的良好的底部7处的旋转对称流4，水平地作用在良品1上的粘合力彼此中和。商品的横向位移不会发生。因此，可以省略常用的限制器或侧端止动件。根据本发明，粘附力的垂直作用部件分别使得良好的粘合剂1附着在支撑体或触点2上，为电解处理提供了可靠的电接触。为了使触点2完全去金属化，天然电解质/空气边界25通过气流26在触点附近移动，气流26被引向流动方向或抵靠电解质的水平。对于太阳能电池，由于触点位于电解质外部，可以通过照亮要被电镀的底侧来完全避免触点的金属化。

3. 发明申请

WO2009153061A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM TRANSPORTIEREN VON GEGENSTÄNDEN 审中-公开
标题翻译：方法和设备移动对象
公开(公告)号：WO2009153061A1
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/EP2009/004461
申请日：2009-06-19
申请人： RENA GMBH , POTOFEEW, Vitalij , BAREIS, Dirk , KALTENBACH, Konrad , DELAHAYE, Franck
发明人： POTOFEEW, Vitalij , BAREIS, Dirk , KALTENBACH, Konrad , DELAHAYE, Franck
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67784
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zum Transportieren von im Wesentlichen flachen, frei beweglichen Gegenständen, wobei zumindest das Halten und Führen unter ausschließlicher Verwendung einer strömenden Flüssigkeit erfolgt. Die erfindungsgemäße Vorrichtung umfasst mindestens eine Behandlungsfläche mit mindestens einem Anströmbereich mit einer Mehrzahl von Durchtrittsöffnungen, mindestens einen Ablaufbereich zum Ablaufen der Flüssigkeit nach dem Anströmen, jedoch keine nicht-fluidischen Kanten, Begrenzer oder sonstige mechanische Führungshilfen zum Führen des flachen Gegenstands. Eine auf der Erfindung basierende Transportvorrichtung kann vorzugsweise innerhalb und zwischen Behandlungsanlagen für flache Gegenstände oder Substrate angewendet werden. Ferner kann zeitgleich zum Transport eine vorzugsweise nasschemische Behandlung erfolgen, sofern die Transportflüssigkeit entsprechende Eigenschaften aufweist bzw. Substanzen oder Wirkstoffe beinhaltet.
摘要翻译：本发明涉及一种方法和装置用于输送基本上是平的，可自由移动的物体，其特征在于，至少所述保持和引导所述专用的流动液体的。本发明的装置包括与具有多个通道开口中的至少一个入流区，为对入射流后的液体的引流至少一个出口区域，但是没有非流体边缘，限制器或其它机械导向助剂用于引导平面对象的至少一个处理表面。基于本发明的评级，该输送装置可以优选地被内和处理厂之间用于扁平物件或基材。此外，同时与输送发生优选湿化学处理，只要具有适当的性质，或包含物质或活性成分输送液体。

4. 发明申请

WO2012175079A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DURCHKONTAKTIERTER SOLARZELLEN 审中-公开
标题翻译：工艺用于制造太阳能电池所接触
公开(公告)号：WO2012175079A2
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/DE2012/100185
申请日：2012-06-22
申请人： RENA GMBH , DELAHAYE, Franck
发明人： DELAHAYE, Franck
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02245 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Verfahren zur Herstellung einer durchkontaktierten Solarzelle (70) aufweisend Verfahrensschritte des Einbringens (10; 30) von Kontaktlöchern (54) in ein Solarzellensubstrat (52), des Eindiffundierens (14) von Dotierstoff in das Solarzellensubstrat (52) zum Zwecke des Ausbildens eines Emitters (82) auf einer Vorderseite des Solarzellensubstrats (52) und des Aufbringens (18) einer dielektrischen Beschichtung (88) auf eine Rückseite des Solarzellensubstrats (52) zum Zwecke der Passivierung dieser Rückseite, bei welchem bei dem Eindiffundieren (14) von Dotierstoff in das Solarzellensubstrat (52) zum Zwecke des Ausbildens eines Emitters (82) auf der Vorderseite des Solarzellensubstrats (52) auf zumindest einem Teil der Rückseite des Solarzellensubstrats (52) Dotierstoff in das Solarzellensubstrat (52) eindiffundiert wird (14) und in dieser Weise der Emitter zum Teil auf der Rückseite des Solarzellensubstrats (52) ausgebildet wird (14) und bei welchem der Emitter von der Rückseite des Solarzellensubstrats (52) vollständig entfernt wird (16), bevor die dielektrische Beschichtung (88) auf die Rückseite aufgebracht wird (18), sowie das Eindiffundieren (14) von Dotierstoff in das Solarzellensubstrat (52) zum Zwecke des Ausbildens des Emitters (82) in einem einzigen Diffusionsschritt erfolgt.
摘要翻译：（10; 30）一种用于生产镀通的太阳能电池（70）包括将步骤过程中在用于形成发射极的目的，太阳能电池基板（52）的掺杂剂的扩散（14）的太阳能电池基板（52）的接触孔（54）（ 82）（在太阳能电池基板52），并施加（18）上的背面侧的钝化为目的的太阳能电池基板（52）的背面的电介质涂层（88）的前侧，其特征在于，在所述太阳能电池基板的掺杂剂的扩散（14）（52），用于形成在对至少所述太阳能电池基板的背面的一部分的太阳能电池基板（52）的前侧的发射极（82）的目的（52）掺杂剂在太阳能电池基板（52）（14）扩散的并以这种方式，发射器向部分形成在太阳能电池基板（52）（14），并且其中的背面的背面的发射极太阳能电池基板（52）被完全去除（16）之前的电介质涂层（88）被施加到后侧面（18），和掺杂剂在用于形成发射极的目的，太阳能电池基板（52）的扩散（14）（82）发生在一个单一的扩散步骤。

5. 发明申请

WO2011035748A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM RÜCKÄTZEN EINER HALBLEITERSCHICHT 审中-公开
标题翻译： METHOD AND APPARATUS FOR的半导体层的回蚀刻
公开(公告)号：WO2011035748A1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/DE2010/000168
申请日：2010-02-15
申请人： RENA GMBH , DELAHAYE, Franck , SAULE, Werner , WEFRINGHAUS, Eckard , QUEISSER, Steffen
发明人： DELAHAYE, Franck , SAULE, Werner , WEFRINGHAUS, Eckard , QUEISSER, Steffen
IPC分类号： H01L21/00 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/67086 , H01L21/67069 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Verfahren zum wenigstens teilweisen Rückätzen einer Halbleiterschicht (1) eines Substrats (3), bei welchem das Substrat (3) zumindest teilweise in einer Ätzlösung (5) angeordnet wird und bei welchem außerhalb der Ätzlösung (5) gelegene Bereiche der Halbleiterschicht (3) mittels der Ätzlösung (5) entstammender reaktiver Dämpfe (11) wenigstens zum Teil abgetragen werden sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
摘要翻译：一种半导体层的至少部分地再次蚀刻方法（1）的基板（3），其中所述衬底（3）被至少部分地设置在蚀刻溶液中的（5），并且其中所述蚀刻溶液的外侧（5）借助于在半导体层（3）的定位的区域蚀刻溶液（5）方向entstamme反应性蒸汽（11）被去除至少部分，以及用于执行所述方法的装置。

6. 发明申请

WO2011072706A1 VERFAHREN ZUM ABTRAGEN VON SUBSTRATSCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：方法去除基底层
公开(公告)号：WO2011072706A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2009/009138
申请日：2009-12-18
申请人： RENA GMBH , SANDER, Bernd-Uwe , QUEISSER, Steffen , DELAHAYE, Franck
发明人： SANDER, Bernd-Uwe , QUEISSER, Steffen , DELAHAYE, Franck
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/306 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/67086 , H01L21/31111
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum ausschließlich einseitigen nasschemischen Abtragen von auf flachen Substraten wie insbesondere Siliziumscheiben vorhandenen passivierenden und/oder dielektrischen Oxidschichten durch einseitiges Ätzen der unteren Seite eines horizontal durch einen mit einer Ätzflüssigkeit gefüllten Behälter transportierten Substrates. Unter Anwendung dieses Verfahrens ist kein Schutz der nicht zu behandelnden Substratseite in Form einer Beschichtung oder mechanischer Hilfsmittel erforderlich. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Ätzflüssigkeit Wasser, Flusssäure sowie mindestens eine weitere aus der Gruppe bestehend aus Schwefel- und Phosphorsäure sowie deren Alkali-, Ammonium-, und Organoammonium-Hydrogensalzen und Salzen, Hexafluorokieselsäure, und Siliziumtetrafluorid ausgewählte Komponente enthält.
摘要翻译：本发明涉及一种用于专门单面湿式化学去除通过填充有蚀刻液容器基底的容器存在于平面基底，如在特定的钝化和/或介电涂层的硅晶片通过的水平输送的下侧的单面蚀刻的。使用这种方法，不需要在涂层或机械装置的形式的基板的非处理面上的保护。根据本发明，它提供的是，蚀刻液含有水，氢氟酸和至少一个其它选自硫酸和磷酸及它们的碱金属，铵基团，和有机铵盐和酸式盐，氟硅酸和四氟化硅选定组件。

7. 发明申请

WO2005093788A1 VERFAHREN ZUR BEHANDLUNG VON SUBSTRATOBERFLÄCHEN 审中-公开
标题翻译：了治疗基底表面
公开(公告)号：WO2005093788A1
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：PCT/DE2004/000597
申请日：2004-03-22
申请人： RENA SONDERMASCHINEN GMBH , DELAHAYE, Franck
发明人： DELAHAYE, Franck
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/02019 , H01L21/30604 , H01L21/67086
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein die Behandlung bzw. Bearbeitung von Substratoberflächen. Insbesondere betrifft die Erfindung Verfahren zur Modifikation der Oberfläche von Siliziumscheiben.
摘要翻译：本发明一般涉及衬底表面的处理或加工。特别地，本发明涉及到用于改变硅晶片的表面的方法。

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