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1. 发明申请

WO2010057455A3 EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER CHIP 审中-公开
标题翻译：激光器芯片的边缘发射半导体
公开(公告)号：WO2010057455A3
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：PCT/DE2009001482
申请日：2009-10-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LAUER CHRISTIAN , KOENIG HARALD , REILL WOLFGANG , STRAUSS UWE
发明人： LAUER CHRISTIAN , KOENIG HARALD , REILL WOLFGANG , STRAUSS UWE
IPC分类号： H01S5/22 , H01S5/042 , H01S5/10
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/02284 , H01S5/0655 , H01S5/10 , H01S5/1017 , H01S5/1053 , H01S5/1064 , H01S5/1228 , H01S5/1234 , H01S5/1237 , H01S5/2036 , H01S5/2205 , H01S5/4012 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： The invention relates to an edge-emitting semiconductor laser chip (1), comprising - a semiconductor body (100), which comprises at least one active zone (14) in which electromagnetic radiation (10) is generated during operation of the semiconductor laser chip (1), - at least one contact strip (2), which is arranged on a cover surface (1a) on a top of the semiconductor body (100), and - at least two delimiting structures (4) for delimiting the current spreading between the contact strip (2) and the active zone (14), wherein - the delimiting structures (4) are arranged on both sides of the contact strip (2).
摘要翻译：所述边发射半导体激光器芯片（1），包括： - 一个半导体主体（100）包括，其中在半导体激光芯片的操作（1）的辐射被产生（10）的至少一个有源区（14），电磁， - 设置在至少一个接触片（2）顶面（1a）中被设置在半导体主体（100）的上表面上，和 - 至少两个限制结构（4），用于限制电流的接触带（2）和有源区（14），其中间铺展 - 限制结构（4）的两侧设置在接触带（2）。

2. 发明申请

WO2011141421A3 EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2011141421A3
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/EP2011057415
申请日：2011-05-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KOENIG HARALD , STRAUSS UWE , REILL WOLFGANG
发明人： KOENIG HARALD , STRAUSS UWE , REILL WOLFGANG
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/0625 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/30 , H01L33/005 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/4031 , H01L2924/00
摘要： An edge-emitting semiconductor laser (1001) is specified, having: - a semiconductor body (1) which comprises an active zone (5) suitable for producing electromagnetic radiation; - at least two facets (7) on the active zone (5), which form a resonator (55); - at least two contact points (2) which are spaced apart from one another in a lateral direction (100) by at least one intermediate region (22) and which are mounted on an outer face (11) of the semiconductor body (1).
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器（1001），包括： - 半导体主体（1），包括适合于产生电磁辐射活性区中的装置（5）; - 至少两个刻面（7）〜（5）形成的谐振器（55）的有源区; - 在横向方向（100）通过至少一个中间部分彼此连接的至少两个（22）间隔开的接触点（2）设置在所述半导体主体（1）的外表面（11）。

3. 发明申请

WO2009080011A2 LASER LIGHT SOURCE 审中-公开
标题翻译：激光光源
公开(公告)号：WO2009080011A2
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/DE2008002123
申请日：2008-12-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , REILL WOLFGANG , TAUTZ SOENKE , BRICK PETER , STRAUSS UWE
发明人： REILL WOLFGANG , TAUTZ SOENKE , BRICK PETER , STRAUSS UWE
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/22 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/4031
摘要： A laser light source especially comprises a semiconductor layer sequence (10) having an active layer with at least two active zones (45) that are adapted to emit, when operating, electromagnetic radiation via a lateral face of the semiconductor layer sequence (10) along a direction of emission (90), said lateral face being designed as a radiation output surface (12). The laser light source further comprises an electrical contact surface (30) above every of the at least two active zones (45) on a main surface (14) of the semiconductor layer sequence (10) and a surface structure in the main surface (14) of the semiconductor layer sequence (10). The at least two active zones (45) are arranged in the active layer (40) at a right angle to the direction of emission (90) and interspaced from each other. Every electrical contact surface (30) has a first section (31) and a second section (32) which grows wider along the direction of emission (90) towards the radiation output surface (12). The surface structure between the at least two electrical contact surfaces (30) has at least one first recess (6) along the direction of emission (90) and second recesses (7), every first section (31) of the electrical contact surfaces (30) being arranged between at least two second recesses (7).
摘要翻译：特别是激光光源包括与具有至少两个活性区域（45），其能够在所述操作电磁辐射通过一个运行的沿放射方向的半导体层序列（10）的辐射输出（12）侧表面的有源层的半导体层序列（10）（90）辐射，每一个电接触表面（30）在每个所述至少两个有源区（45）上的半导体层序列（10）和在该半导体层序列（10）的主表面（14）的表面结构的一个主表面（14），其中所述至少两种活性区域（45）横向于所述活性层（40）彼此间隔开的辐射（90）的方向布置，每个所述电接触表面（30）的第一部分（31）和具有沿辐射方向延伸的第二部分（32）（90）朝着辐射输出表面（12）朝着增加的宽度d移动他所述至少两个电接触表面之间的表面结构（30）至少一个第一凹槽（6）沿辐射（90），第二凹部的方向和（7），并在至少两个第二之间分别电接触区（30）的所述第一子区域（31）井（7）被安排。

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