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1. 发明申请

WO2008000208A1 LICHTEMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发光器件
公开(公告)号：WO2008000208A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/DE2007/000972
申请日：2007-05-31
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , OTT, Hubert , STATH, Norbert , STRAUSS, Uwe
发明人： HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , OTT, Hubert , STATH, Norbert , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： G02B6/42 , G02B6/00 , F21V9/16 , G01M11/08 , G01M11/04
CPC分类号： G02B6/0003 , F21S41/13 , F21S41/135 , F21S41/14 , F21S41/141 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S45/46 , G01M11/062 , G01M11/088 , G01M11/31 , G01M11/33 , G02B6/4469 , G02B6/447
摘要： Eine Ausführungsform der Erfindung schlägt eine lichtemittierende Vorrichtung, die eine - Strahlung erster Wellenlänge emittierende Strahlungsquelle (5), - einen Lichtleiter (10), in den die von der Strahlungsquelle emittierte Strahlung eingekoppelt wird, und - ein Konvertermaterial (15), das die durch den Lichtleiter (10) transportierte Strahlung in Licht (20) zweiter, längerer Wellenlänge konvertiert, umfasst, vor. Eine derartige lichtemittierende Vorrichtung kann eine verbesserte Effizienz der Lichtkonversion aufweisen.
摘要翻译：本发明的一个实施例提出了一种发光器件，包括一 - 主波长发射辐射的辐射源（5）， - 在其中由所述辐射源发出的辐射被耦合在光导（10），以及 - 转换器材料（15），其通过所述光导（10）输送到光辐射（20）第二，较长波长转换，包括前，。这样的发光装置可以具有的光转换效率提高。

2. 发明申请

WO2008077380A1 LICHT EMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发光器件
公开(公告)号：WO2008077380A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/DE2007/002263
申请日：2007-12-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OTT, Hubert , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker , STATH, Norbert
发明人： OTT, Hubert , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker , STATH, Norbert
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： G02B6/0003 , G02B6/001 , G02B6/03622 , G02B6/03638
摘要： Eine Ausführungsform der Erfindung schlägt eine Licht emittierende Vorrichtung vor, die eine Strahlungsquelle (5) zur Emission einer Strahlung (11) zumindest einer ersten Wellenlänge und einen elongierten gekrümmten Lichtleitkörper (20) umfasst, in den die von der Strahlungsquelle emittierte Strahlung (11) eingekoppelt wird und der auf Grund der eingekoppelten Strahlung (11) erster Wellenlänge Licht (12) in einem Winkel zu seiner Längsachse auskoppelt.
摘要翻译：本发明的一个实施例提出一种发光装置，该装置包括一个辐射源（5），用于发射（11），其耦合由辐射源发射的辐射到其中的辐射（11）的至少第一波长和细长弯曲导光体（20）是与以一个角度其纵向轴线具有第一波长的光耦合输出（12）耦合的辐射（11）的基础上。

3. 发明申请

WO2008000222A1 ANORDNUNG MIT EINEM LICHTLEITER 审中-公开
标题翻译：具有光导向装置
公开(公告)号：WO2008000222A1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/DE2007/001060
申请日：2007-06-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , OTT, Hubert , STATH, Norbert , STRAUSS, Uwe
发明人： HÄRLE, Volker , LELL, Alfred , OTT, Hubert , STATH, Norbert , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： G01M11/00 , G01M11/08
CPC分类号： G01M11/088 , B60Q1/0011 , B60Q11/005 , F21S8/06 , F21S41/13 , F21S41/141 , F21S41/16 , F21S41/24 , F21S45/46 , F21S45/47 , F21V3/061 , F21V3/062 , F21V3/10 , F21V7/005 , F21V7/045 , F21V7/22 , F21V9/30 , F21Y2103/00 , G01M11/30
摘要： Eine Ausführungsform der Erfindung schlägt eine Anordnung mit einem Lichtleiter (10) und einer Detektionsvorrichtung (25) vor, wobei der Lichtleiter (10) einen Kernbereich (10E), und einen, den Kernbereich (10E) umgebenden Mantelbereich (10C) umfasst, wobei der Kernbereich einen höheren Brechungsindex aufweist als der Mantelbereich, und bei der die Detektionsvorrichtung (25) eine Beschädigung des Lichtleiters (10) detektieren kann.
摘要翻译：本发明的一个实施例提出了与之前的光导（10）和检测装置（25）的布置，包括：光导（10）具有一个芯部区域（10E），以及包围包层区域（10C）的核心区（10E），其中，所述芯区域具有比所述包层区域具有更高的折射率，并且，在所述检测装置（25）检测到所述光导（10）的损坏。

4. 发明申请

WO2009039827A1 HALBLEITERLICHTQUELLE MIT EINER PRIMÄRSTRAHLUNGSQUELLE UND EINEM LUMINESZENZKONVERSIONSELEMENT 审中-公开
标题翻译：与主辐射源和发光半导体光源
公开(公告)号：WO2009039827A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001529
申请日：2008-09-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , OTT, Hubert , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , BAUMANN, Frank , PETERSEN, Kirstin
发明人： OTT, Hubert , LELL, Alfred , TAUTZ, Sönke , STRAUSS, Uwe , BAUMANN, Frank , PETERSEN, Kirstin
IPC分类号： H01L33/00 , F21K7/00
CPC分类号： F21K9/64 , F21V9/30 , F21Y2115/10 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L33/60
摘要： Es wird eine Halbleiterlichtquelle mit einer Primärstrahlungsquelle (1), welche im Betrieb der Halbleiterlichtquelle elektromagnetische Primärstrahlung (5) in einem ersten Wellenlängenbereich emittiert, und mit einem Lumineszenzkonversionsmodul (2), in welches von der Primärstrahlungsquelle (1) emittierte Primärstrahlung (5) eingekoppelt wird, angegeben. Das Lumineszenzkonversionsmodul (2) enthält ein Lumineszenzkonversionselement (6), welches mittels eines Leuchtstoffs Primärstrahlung (5) aus dem ersten Wellenlängenbereich absorbiert und elektromagnetische Sekundärstrahlung (15) in einem zweiten Wellenlängenbereich emittiert. Das Lumineszenzkonversionselement (6) ist von der Primärstrahlungsquelle (1) beabstandet an einem Kühlkörper (3) angeordnet. Es weist eine Reflektorfläche (7, 71, 72) auf, die durch das Lumineszenzkonversionselement (6) tretende, von diesem nicht absorbierte Primärstrahlung (5) in das Lumineszenzkonversionselement (6) zurückreflektiert und/oder Sekundärstrahlung (15) in Richtung einer Lichtauskoppelfläche (601) des Lumineszenzkonversionselements (6) reflektiert.
摘要翻译：它是具有（1）在所述半导体光源的操作发射初级辐射源的半导体光源电磁初级辐射（5）在第一波长范围内，并用一个Lumineszenzkonversionsmodul（1）发射的初级辐射（5）被耦合（2），在其中主辐射源的表示。所述Lumineszenzkonversionsmodul（2）包含一个发光转换元件（6），其发射由一个荧光体初级辐射（5）和在第二波长范围内的电磁辐射的二次（15）的装置从所述第一波长范围吸收。初级辐射源（1）的发光转换元件（6）间隔开，在散热片（3）。它具有被反射回来通过发光转换元件（6）通过一个反射器表面（7，71，72），从在发光转换元件（6）和/或次级辐射（15）这种非吸收的初级辐射（5）（在光输出表面601的方向）发光转换元件（6）的被反射。

5. 发明申请

WO2009155907A3 WÄRMEABFUHR FÜR EIN KONVERSIONSELEMENT UND ENTSPRECHENDES LEUCHTMITTEL 审中-公开
公开(公告)号：WO2009155907A3
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/DE2009/000883
申请日：2009-06-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUMANN, Frank , PETERSEN, Kirstin , TAUTZ, Sönke , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe
发明人： BAUMANN, Frank , PETERSEN, Kirstin , TAUTZ, Sönke , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01L33/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Konversionselements (1) ist dieses mit einem lichtdurchlässigen Matrixmaterial (2) gestaltet, in dem Wärmeleitpartikel (4) und mindestens ein Konversionsmittel (3) eingebettet sind, wobei das Konversionsmittel (3) dazu ausgestaltet ist, Licht einer Wellenlänge zumindest zum Teil in Licht einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Durch das Konversionsmittel (3) und/oder die Wärmeleitpartikel (4) sind Wärmeleitpfade P im Konversionselement (1) gebildet. Über solche, durch Wärmeleitpartikel (4) und Konversionsmittel (3) gebildete Wärmeleitpfade (P) kann Wärme aus dem Konversionselement (1) effizient abgeführt werden. Hierdurch erhöht sich die Konversionseffizienz des Konversionselements.

6. 发明申请

WO2012045685A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2012045685A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/EP2011/067160
申请日：2011-09-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LELL, Alfred , BREIDENASSEL, Andreas , DINI, Dimitri , STRAUSS, Uwe
发明人： LELL, Alfred , BREIDENASSEL, Andreas , DINI, Dimitri , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/22 , H01S5/40 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/10 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/0021 , H01S5/02212 , H01S5/026 , H01S5/0286 , H01S5/0425 , H01S5/1017 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/204 , H01S5/2202
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserangegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der zumindest zwei in Querrichtung (101) nebeneinander angeordnete Streifenemitter (10) umfasst, wobei jeder Streifenemitter (10) zumindest eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtete aktive Zone (2) umfasst; - zumindest zwei Facetten (11) an den aktiven Zonen (2), die zumindest einen Resonator (33) für zumindest einen der Streifenemitter (10) bilden; - zumindest zwei in der Querrichtung (101) voneinander beabstandete Kontaktflächen (3), die auf einer Außenfläche (12) des Halbleiterkörpers (1) angebracht sind, wobei - jedem Streifenemitter (10) eine Kontaktfläche (3) eindeutig zugeordnet ist, - über die Kontaktflächen (3) während des Betriebs des Halbleiterlasers (100) Strom in zumindest einen der Streifenemitter (10) eingeprägt wird, und - zumindest zwei der Streifenemitter (10) getrennt voneinander elektrisch betreibbar sind.
摘要翻译：有一个边发射半导体激光器指示，具有 - 包括半导体主体（1），在横向方向上，所述至少两个（101）布置成通过侧条带发射极侧（10），每个带发射器（10）包括至少一个指定的用于将电磁辐射活性区的产生（2） ; - 至少两个刻面（11）上的有源区（2），形成至少一个用于带发射器中的至少一个（10）谐振器（33）; - 在横向方向的至少两个（101）间隔开，其安装在所述半导体主体（1），的外表面（12）的接触面（3） - 的接触面（3）被唯一地分配给每个条发射器（10）， - 在半导体激光器的发射器条带中的至少一个（10）（100）的电流的操作期间接触表面（3）是深刻的印象，以及 - 从所述条带发射极彼此电操作的至少两个（10）隔开。

7. 发明申请

WO2007121735A2 VERBUNDSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES VERBUNDSUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：复合基板及其制造方法的复合基板
公开(公告)号：WO2007121735A2
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/DE2007/000725
申请日：2007-04-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HÄRLE, Volker , STRAUSS, Uwe , BRÜDERL, Georg , EICHLER, Christoph , AVRAMESCU, Adrian
发明人： HÄRLE, Volker , STRAUSS, Uwe , BRÜDERL, Georg , EICHLER, Christoph , AVRAMESCU, Adrian
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L31/0248
CPC分类号： H01L31/184 , H01L21/76254 , H01L31/1852 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , Y02E10/544
摘要： Es wird ein Verbundsubstrat (1) mit einem Substratkörper (2) und einer auf dem Substratkörper (2) befestigten Nutzschicht (31) angegeben, wobei zwischen der Nutzschicht (31) und dem Substratkörper (2) eine Planarisierungsschicht (4) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundsubstrats (1) angegeben, bei dem auf einem bereitgestellten Nutzsubstrat (3) eine Planarisierungsschicht (4) aufgebracht wird. Das Nutzsubstrat (3) wird auf einem Substratkörper (2) für das Verbundsubstrat (1) befestigt. Nachfolgend wird das Nutzsubstrat (3) abgetrennt, wobei eine Nutzschicht (31) des Nutzsubstrats (3) für das Verbundsubstrat (1) auf dem Substratkörper (2) verbleibt.
摘要翻译：本发明提供一种复合衬底（1），具有基板主体（2）和一个在基板主体（2）固定到穿层（31），其中，所述耐磨层（31）和所述基板主体（2）之间被布置在平坦化层上（4）。此外，在其中设置（3）提供的平坦化层（4）施加一个有用的基片上制造的复合基板（1）的方法。有用的基片（3）被用于复合基板安装在基板主体（2）（1）。随后，将有用的衬底（3）分离出，其中，对于所述基板主体上的复合衬底（1）有用的衬底（3）的耐磨层（31）保持（2）。

8. 发明申请

WO2009106028A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2009106028A1
公开(公告)日：2009-09-03
申请号：PCT/DE2009/000116
申请日：2009-01-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker
发明人： AVRAMESCU, Adrian Stefan , EICHLER, Christoph , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01S5/02 , H01L33/00 , H01L21/20
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L2924/0002 , H01S5/0217 , H01S5/0424 , H01S5/12 , H01S5/18308 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement gemäß der Erfindung enthält eine auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierende Epitaxieschichtenfolge (6) mit einer aktiven Schicht (4), wobei das Aufwachssubstrat (1) A1 1-x Ga x N mit 0 1-x (In y Ga 1-y ) x N oder In 1-x Ga x N mit 0
摘要翻译：根据本发明的光电子器件包括基于（6），其具有有源层（4）上的氮化物化合物半导体层序列，其中所述生长衬底（1）具有A11-xGaxN与0

9. 发明申请

WO2007121739A2 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2007121739A2
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/DE2007/000740
申请日：2007-04-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EICHLER, Christoph , MILLER, Stephan , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker , SABATHIL, Matthias
发明人： EICHLER, Christoph , MILLER, Stephan , STRAUSS, Uwe , HÄRLE, Volker , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/465 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement, mit: - einem Trägersubstrat, - einer Zwischenschicht, die eine Haftung zwischen dem Trägersubstrat und einer Bauelementstruktur vermittelt, wobei die Bauelementstruktur eine aktive Schicht umfasst, die zur Strahlungserzeugung vorgesehen ist, angegeben.
摘要翻译：它是一种光电子半导体器件，其包括： - 支撑基底， - 促进所述载体基板和器件结构，其中所述装置结构包括用于产生辐射，指定的有源层之间的粘附性的中间层。

10. 发明申请

WO2007012327A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2007012327A1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/DE2006/001323
申请日：2006-07-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AVRAMESCU, Adrian , HÄRLE, Volker , HÖPPEL, Lutz , PETER, Matthias , SABATHIL, Matthias , STRAUSS, Uwe
发明人： AVRAMESCU, Adrian , HÄRLE, Volker , HÖPPEL, Lutz , PETER, Matthias , SABATHIL, Matthias , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/343 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/2009 , H01S5/3072 , H01S5/3095 , H01S5/3202 , H01S5/3407 , H01L2924/00
摘要： Die Anmeldung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (20) mit folgender Abfolge von Bereichen in einer Wachstumsrichtung (c) des Halbleiterchips (20): eine p-dotierte Barriereschicht (1), für einen aktiven Bereich (2), der aktive Bereich (2), der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, wobei der aktive Bereich auf einem hexagonalen Verbindungshalbleiter basiert, und eine n-dotierte Barriereschicht (3) für den aktiven Bereich (2) . Ferner betrifft die Anmeldung ein Bauelement mit solch einem Halbleiterchip (20) und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips (20).
摘要翻译：本申请涉及的光电子半导体芯片（20）在生长方向上的半导体芯片的字段的下列序列（c）中（20）包括：p型掺杂的势垒层（1），有源区（2），所述有源区（2），这是适合于产生电磁辐射，其中，所述有源区域是基于六方晶系化合物半导体，以及用于所述有源区（2）n型掺杂的阻挡层（3）。此外，本申请涉及与这种半导体芯片（20）和用于制造这样的半导体芯片（20）的方法的装置。

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