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1. 发明申请

WO2006089540A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTISCHEN UND EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTES UND OPTISCHES SOWIE STRAHLUNSEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法产生的光辐射及发光元件光学及COMPONENT STRAHLUNSEMITTIERENDES
公开(公告)号：WO2006089540A2
公开(公告)日：2006-08-31
申请号：PCT/DE2006/000361
申请日：2006-02-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , JÄGER, Harald , SORG, Jörg
发明人： BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , JÄGER, Harald , SORG, Jörg
IPC分类号： G02B1/04 , B29C45/00 , H01L33/00
CPC分类号： C08G59/4215 , B29C45/0001 , B29C45/02 , B29K2083/00 , B29K2105/0005 , B29L2011/00 , C08G59/3245 , C08G77/06 , C08G77/42 , C08G77/455 , C08L63/00 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/12044 , C08L2666/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelements mittels eines Molding-Prozesses und ein optisches sowie ein strahlungsemittierendes Bauelement mit definierter Viskosität.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产光学和通过模制工艺来发射辐射的装置和光学以及一个辐射发射元件具有确定的粘度的方法。

2. 发明申请

WO2007025515A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：表面安装光电半导体器件与方法研究
公开(公告)号：WO2007025515A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/DE2006/001492
申请日：2006-08-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , HÖFER, Thomas , JÄGER, Harald , SCHWARZ, Raimund
发明人： BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , HÖFER, Thomas , JÄGER, Harald , SCHWARZ, Raimund
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L24/97 , H01L25/167 , H01L33/62 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/8592 , H01L2924/01055 , H01L2924/01065 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Es wird ein oberflächenmontierbares Bauelement, mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (1), einem Formkörper (2), der an den Halbleiterchip (1) angeformt ist, einer Montagefläche (3), die zumindest stellenweise durch eine Oberfläche des Formkörper (2) gebildet ist, und zumindest einer Anschlussstelle (4a, 4b), die lateral vom Formkörper (2) überragt wird oder bündig mit dem Formkörper (2) abschließt angegeben. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.
摘要翻译：它是具有（1），其在半导体芯片上形成的成形体（2）（1），其至少部分地由所述成形体的表面的地方（2）形成的安装表面（3），光电子半导体芯片的表面安装设备，和至少一个连接点（4A，4B）终止指定的横向从模具主体（2）占主导或齐平与模制主体（2）。此外，提供一种用于制造这种部件的方法。

3. 发明申请

WO2005064696A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDES UND/ODER STRAHLUNGSEMPFANGENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：辐射和/或辐射接收半导体部件及其制造方法
公开(公告)号：WO2005064696A1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：PCT/DE2004/002738
申请日：2004-12-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUNNER, Herbert , JÄGER, Harald , SORG, Jörg Erich
发明人： BRUNNER, Herbert , JÄGER, Harald , SORG, Jörg Erich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/56 , H01L31/0203 , H01L33/486 , H01L33/501 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement mit einem strahlungsemittierenden und/oder strahlungsempfangenden Halbleiterchip, einem Kunststoff-Formteil, das für eine vom Halbleiterbauelement zu emittierende und/oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist und mit dem der Halbleiterchip zumindest teilweise umformt ist, und mit externen elektrischen Anschlüssen, die mit elektrischen Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch verbunden sind. Das Kunststoff-Formteil besteht aus einer reaktionshärtenden Silikon-Formmasse. Weiterhin ist ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：发射辐射的和/或具有辐射发射和/或辐射接收半导体芯片，塑料成型，其是可渗透到从半导体元件发出的辐射接收半导体元件和/或接收电磁辐射，并将半导体芯片至少部分地转换，并且与外部电端子，其被电连接到半导体芯片的电接触表面。塑料模塑部分由反应固化型硅氧烷模塑组合物。此外，提供一种用于制造这种半导体器件的方法。

4. 发明申请

WO2005030904A1 GRÜN EMITTIERENDE LED 审中-公开
标题翻译：绿色发光LED
公开(公告)号：WO2005030904A1
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：PCT/DE2004/002136
申请日：2004-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PATENT-TREUHAND- GESELLSCHAFT FÜR ELEKTRISCHE GLÜHLAMPEN MBH , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUNNER, Herbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin , BRAUNE, Bert
发明人： BRUNNER, Herbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , FIEDLER, Tim , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin , BRAUNE, Bert
IPC分类号： C09K11/79
CPC分类号： H01L33/502 , C09K11/0883 , C09K11/7734 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Leuchtstoff aus der Klasse der Oxinitridosilikate, mit einem Kation M, das mit zweiwertigem Europium dotiert ist, und mit der grundsätzlichen Formel M (1-c) Si 2 O 2 N 2 :D c , wobei M = Sr, oder M = Sr (1-x-y) Ba y Ca x mit x+y
摘要翻译： DC，其中M = Sr或M =锶（1-XY）与BayCax：类oxynitridosilicates，具有阳离子M，其掺杂有二价铕和具有经验式M（1-c）的Si2O2N2的荧光体 x + y为使用<0.5，其中，所述完全oxynitridosilicate或主要的高温稳定变HT组成。

5. 发明申请

WO2007025516A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2007025516A1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：PCT/DE2006/001493
申请日：2006-08-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , PETERSEN, Kirstin , STRAUSS, Jörg
发明人： BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , PETERSEN, Kirstin , STRAUSS, Jörg
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement beschrieben, das einen Halbleiterkörper (3), der im Betrieb des optoelektronischen Bauelementes elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge emittiert, und ein separaten optischen Element (9), das dem Halbleiterkörper (3) in dessen Abstrahlrichtung beabstandet nachgeordnet ist, umfasst. Das optische Element (9) weist mindestens einen ersten Wellenlängenkonversionsstoff (10) auf, der Strahlung der ersten Wellenlänge in Strahlung einer von der ersten verschiedenen zweiten Wellenlänge umwandelt.
摘要翻译：这是描述的光电装置，具有半导体主体（3），其发射第一波长的电磁辐射在所述光电部件的操作，这是半导体本体的下游的单独的光学元件（9）（3）间隔开在辐射包括的方向，的光学元件（9）具有至少一个第一波长转换物质（10），所述第一波长的辐射转换成第二波长不同于所述第一辐射。

6. 发明申请

WO2004093203A2 LEUCHTSTOFFBASIERTE LED UND ZUGEHÖRIGER LEUCHTSTOFF 审中-公开
标题翻译：荧光灯为主及相关LED日光灯
公开(公告)号：WO2004093203A2
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/DE2004/000722
申请日：2004-04-06
申请人： PATENT-TREUHAND-GESELL SCHAFT FÜR ELEKTRISCHE GLÜHLAMPEN MBH , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
发明人： BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert , JERMANN, Frank , ZACHAU, Martin
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/502 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Eine LED mit anorganischem Leuchtstoff, wobei ein LED-Chip primäre Strahlung im Bereich 300 bis 470 nm emittiert, wobei diese Strahlung teilweise oder vollständig in längerwellige Strahlung konvertiert wird durch mindestens einen Leuchtstoff, der der primären Strahlung der LED ausgesetzt ist, wobei die Konversion zumindest unter Zuhilfenahme eines Leuchtstoffs, dessen mittlere Partikelgröße d50 im Bereich 1 bis 50 nm, bevorzugt 2 bis 25 nm, liegt, erreicht wird.
摘要翻译：与无机磷光体，其中LED芯片的范围内发射的初级辐射300至470nm，该辐射被部分或完全转换成更长波长的辐射通过被暴露于LED的初级辐射的至少一个磷光体，其中所述转化的LED至少与具有平均粒度d50的荧光体的帮助下在范围为1〜50nm，优选2至25nm，位于，得以实现。

7. 发明申请

WO2004040661A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER LEUCHTDIODEN-LICHTQUELLE MIT LUMINESZENZ-KONVERSIONSELEMENT 审中-公开
标题翻译：利用发光转换元件产生照明光源的方法
公开(公告)号：WO2004040661A2
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/DE2003/003493
申请日：2003-10-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert
发明人： BRAUNE, Bert , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/505 , H01L33/38 , H01L2224/11 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zum Herstellen einer insbesondere mischfarbigen Leuchtdioden-Lichtquelle, bei der mindestens ein Teil einer von einem Chip ausgesandten Primärstrahlung mittels Lumineszenzkonversion umgewandelt wird. Es handelt sich hierbei um einen Chip mit einem vorderseitigen (d.h. die Seite, die zur Abstrahlrichtung hingewandt ist) elektrischen Kontakt, auf dessen Oberfläche ein Lumineszenz-Konversionsmaterial in Form einer dünnen Schicht aufgetragen wird. Dazu wird der vorderseitige elektrische Kontakt vor dem Beschichten durch Aufbringen eines elektrisch leitenden Materials auf die elektrische Kontaktfläche erhöht. Das Verfahren erlaubt durch Kontrolle des Farbortes (IEC Farbtafel) und Abdünnen der Schicht aus Lumineszenz-Konversionsmaterial ein gezieltes Einstellen eines bestimmten Farbortes. Zudem eignet sich das Verfahren insbesondere zur gleichzeitigen Herstellung mehrerer Leuchtdioden-Lichtquellen aus einer Vielzahl gleichartiger Chips in einem Waferverbund.
摘要翻译：本发明描述了一种用于制造特别是混合色的发光二极管光源的方法，其中芯片发射的初级辐射的至少一部分通过发光转换而被转换。这是一种具有前电接触（即，面向辐射方向的一侧）的芯片，其表面上沉积有薄层形式的发光转换材料。为此，在涂覆之前通过将导电材料施加到电接触表面来获得正面电接触。通过控制颜色位置（IEC颜色图表）并终止发光转换材料层，该方法允许针对性地设置特定的颜色位置。另外，该方法特别适用于同时从晶片组件中的多个类似芯片生产多个发光二极管光源。

8. 发明申请

WO2011009677A2 OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTISCHEN ELEMENTS FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译： OPTO电子元件和方法用于生产光学元件，用于光电组件
公开(公告)号：WO2011009677A2
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/058084
申请日：2010-06-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , JÄGER, Harald , BRUNNER, Herbert , PREUSS, Stephan
发明人： JÄGER, Harald , BRUNNER, Herbert , PREUSS, Stephan
IPC分类号： B29C45/14 , H01L33/52 , H01L33/58
CPC分类号： H01L33/54 , B29C43/021 , B29C43/18 , B29C43/40 , B29C45/14639 , B29C45/14827 , B29L2011/00 , H01L2224/48091 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauteils (1) umfasst dieses einen Träger (3) und mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (2), der an dem Träger (3) angebracht ist. Ferner beinhaltet das optoelektronische Bauteil (1) wenigstens ein optisches Element (45), das ebenfalls an dem Träger (3) angebracht ist. Das optische Element (45) weist hierbei einen Grundkörper (5) mit einem strahlungsdurchlässigen Formmaterial auf. Das Formmaterial ist ein Silikon, ein Epoxid oder ein Silikon- Epoxid-Hybridmaterial. Weiterhin ist der Grundkörper (5) formgepresst, formgespritzt oder formgegossen. Außerdem umfasst das optische Element (45) eine Folie (4), die eine dem Halbleiterchip (2) abgewandte Begrenzungsfläche (7) des optischen Elements (45) bildet. Die Folie (4) ist verbindungsmittelfrei und unmittelbar mit dem Grundkörper (5) verbunden.
摘要翻译：在光电子器件中的至少一个实施例中（1）包括所述安装在所述支撑件（3）一种载体（3）和至少一个光电子半导体芯片（2）。此外，光电子器件（1）包括也安装在所述支撑件（3）至少一个光学元件（45）。在这种情况下，光学元件（45）具有基体（5）与辐射可透过的模具材料。在模制材料为硅树脂，环氧树脂或有机硅环氧树脂混合材料。此外，基体（5）是压塑，注塑或模制。此外，所述光学元件（45）包括膜（4），其形成面对从半导体芯片（2）中的边界表面（7）的光学元件（45）的。所述膜（4）是与直接连接到所述基体（5）自由连接。

9. 发明申请

WO2012163655A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON VERKAPSELTEN LEUCHTDIODEN MIT WELLENLÄNGENKONVERTER IN DER VERKAPSELUNG 审中-公开
标题翻译：的生产方法封装的LED提供包胶波长转换器
公开(公告)号：WO2012163655A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：PCT/EP2012/058825
申请日：2012-05-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , JÄGER, Harald , GALLMEIER, Hans-Christoph , BRUNNER, Herbert
发明人： JÄGER, Harald , GALLMEIER, Hans-Christoph , BRUNNER, Herbert
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/50 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/0095 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00
摘要： Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von gleichartigen Leuchtdioden-Bauelementen, mit jeweils zumindest einem Leuchtdioden-Chip (3) und einem Konversionsmittel, das einer den Leuchtdioden-Chip (3) umgebenden Spritzmasse (2) beigefügt ist und welches zumindest einen Teil einer vom zumindest einen Leuchtdioden-Chip (3) ausgesandten elektromagnetischen Primärstrahlung wellenlängenkonvertiert.
摘要翻译：制造多个类似的光发射器件的的方法，每一个具有至少一个发光二极管芯片（3）和一个转换装置，围绕所述发光二极管芯片（3）喷雾质谱（2）附连并且其具有的至少一个的至少一部分发光二极管芯片（3）在波长所发射的电磁初级辐射。

10. 发明申请

WO2012084516A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件和光电子器件
公开(公告)号：WO2012084516A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/EP2011/072064
申请日：2011-12-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUNNER, Herbert , JÄGER, Harald , PINDL, Markus , PREUSS, Stephan
发明人： BRUNNER, Herbert , JÄGER, Harald , PINDL, Markus , PREUSS, Stephan
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100, 101, 200, 201) beschrieben. Zunächst wird eine Kavität (103) bereitgestellt. Anschließend wird ein flüssiges Matrixmaterial (112) in die Kavität (103) eingebracht. Im Matrixmaterial (112) sind Leuchtstoffpartikel (114) verteilt. Anschließend wird ein Halbleiterchip (110) in das Matrixmaterial (112) eingebracht. Daraufhin werden die Leuchtstoffpartikel (114 ) im Matrixmaterial ( 112 ) sedimentiert. Anschließend wird das Matrixmaterial (112) ausgehärtet. Dabei wird eine Leuchtstoffpartikel (114 ) aufweisende Konversionsschicht (115) erzeugt. Die Konversionsschicht (115) ist auf dem Halbleiterchip (110) angeordnet.
摘要翻译：它是用于制造后述的光电部件（100，101，200，201）的方法。首先，一个腔体（103）被提供。随后，将液体基质材料（112）被引入到所述腔（103）。在基体材料（112）的荧光体颗粒（114）被分布。随后，在半导体芯片（110）被引入到所述基质材料（112）。此后，在基体材料（112）的荧光体粒子（114）的沉降。随后，将基体材料（112）固化。这里，生成具有转换层（115）的荧光体粒子（114）。转换层（115）设置在半导体芯片（110）上。

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