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1. 发明申请

WO2019063436A1 VORRICHTUNG MIT LEITERRAHMEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON VORRICHTUNGEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2019063436A1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：PCT/EP2018/075648
申请日：2018-09-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： WINDISCH, Reiner , BÖSL, Florian , DOBNER, Andreas , SPERL, Matthias
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/54 , H01L33/62
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/62
摘要： Es wird eine Vorrichtung (1) mit einem Leiterrahmen (3), einem Formkörper (4) und einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die zur Erzeugung von Strahlung eingerichtet sind, angegeben, wobei - der Leiterrahmen zwei Anschlussteile (31) zur externen elektrischen Kontaktierung der Vorrichtung aufweist; - der Formkörper an den Leiterrahmen angeformt ist; - der Formkörper für die im Betrieb der Vorrichtung erzeugte Strahlung durchlässig ist; und - die Halbleiterchips auf einer Vorderseite (41) des Formkörpers angeordnet sind und jeweils in Draufsicht auf die Vorrichtung mit dem Formkörper überlappen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Vorrichtungen angegeben.

2. 发明申请

WO2008040274A1 LED-HALBLEITERKÖRPER UND VERWENDUNG EINES LED-HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
标题翻译： LED半导体主体和LED半导体主体的用途
公开(公告)号：WO2008040274A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/DE2007/001536
申请日：2007-08-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph
发明人： WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/08 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung beschreibt einen LED-Halbleiterkörper (1) mit mindestens einer ersten strahlungserzeugenden aktiven Schicht (31) und mindestens einer zweiten strahlungserzeugenden aktiven Schicht (32), wobei der LED-Halbleiterkörper (1) einen photonischen Kristall (6) aufweist. Ferner beschreibt die Erfindung die Verwendung eines derartigen LED-Halbleiterkörpers (1).
摘要翻译：本发明描述了一种具有至少一个LED半导体主体（1）的第一辐射产生活性层（31）和至少一个第二辐射产生活性层（32），其中，所述LED半导体主体（1）的光子晶体（6）。此外，本发明描述了使用这样的LED半导体主体（1）的。

3. 发明申请

WO2009094966A2 STRAHLUNGSEMPFÄNGER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMPFÄNGERS 审中-公开
标题翻译：辐射接收器和用于产生辐射接收器的方法
公开(公告)号：WO2009094966A2
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/DE2008/002126
申请日：2008-12-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BUTENDEICH, Rainer , WINDISCH, Reiner
发明人： BUTENDEICH, Rainer , WINDISCH, Reiner
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/02162 , H01L31/105 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein Strahlungsempfänger (1) mit einem Halbleiterkörper (2) angegeben, der einen ersten aktiven Bereich (210) und einen zweiten aktiven Bereich (220) aufweist, die jeweils zur Detektion von Strahlung vorgesehen sind. Der erste aktive Bereich (210) und der zweite aktive Bereich (220) sind in vertikaler Richtung voneinander beabstandet. Zwischen dem ersten aktiven Bereich (210) und dem zweiten aktiven Bereich (220) ist ein Tunnelbereich (24) angeordnet. Der Tunnelbereich (24) ist mit einer Anschlussfläche (31) elektrisch leitend verbunden, die zur externen elektrischen Kontakt ierung des Halbleiterkörpers (2) zwischen dem ersten aktiven Bereich (210) und dem zweiten aktiven Bereich (220) vorgesehen ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsempfängers angegeben.
摘要翻译：示出了具有半导体主体（2）的辐射接收器（1），其具有第一有源区域（210）和第二有源区域（220），每个用于检测提供辐射。第一有源区域（210）和第二有源区域（220）在垂直方向上间隔开。在第一有源区域（210）和第二有源区域（220）之间布置隧道区域（24）。隧道区（24）导电地连接到为第一有源区（210）和第二有源区（220）之间的半导体本体（2）的外部电接触提供的连接表面（31）。此外，还规定了制造辐射接收器的方法。

4. 发明申请

WO2009039804A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDE BAUELEMENTE ZUM ERZEUGEN VON LINEAR POLARISIERTEM LICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2009039804A3
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001301
申请日：2008-08-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl , WIESMANN, Christopher
发明人： WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl , WIESMANN, Christopher
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierendes Bauelement (B) angegeben mit einem auf einem Halbleitermaterial basierenden Schichtstapel, der eine aktive Schichtfolge (A, C1, C2) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass: auf einer letzten Schicht (C2) des Schichtenstapels in Abstrahlrichtung (e) eine Vielzahl von Metallflächen (M) aufgebracht sind, die Metallflächen (M) in einer ersten Richtung (d1) und in einer davon unterschiedlichen zweiten Richtung (d2) unterschiedliche Abmessungen (a1, a2) aufweisen, und die Metallflächen (M) periodisch in der ersten Richtung (d1) und periodisch in der zweiten Richtung (d2) angeordnet sind.

5. 发明申请

WO2008080383A1 OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM BETRIEB EINER OPTOELEKTRONISCHEN ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：亚光电子装置和一种用于操作光电安排
公开(公告)号：WO2008080383A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/DE2007/002264
申请日：2007-12-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÜNTHER, Ewald Karl Michael , WINDISCH, Reiner , ROSE, Monika
发明人： GÜNTHER, Ewald Karl Michael , WINDISCH, Reiner , ROSE, Monika
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , F21K7/00
CPC分类号： H01L25/0753 , F21K9/00 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/167 , H01L2224/48227 , H01L2924/19105 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Eine optoelektronische Anordnung (1) umfasst eine Leistungsleuchtdiode (10) und eine Einstell-Leuchtdiode (20). Von der Leistungsleuchtdiode (10) ist eine erste Strahlung (SL) mit einem ersten Emissionsspektrum (EL) abstrahlbar. Von der Einstell-Leuchtdiode (20) ist eine zweite Strahlung (SE) mit einem zweiten Emissionsspektrum (EE) abstrahlbar. Eine Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1) umfasst die erste Strahlung (SL) und die zweite Strahlung (SE).
摘要翻译：的光电装置（1）包括功率发光二极管（10）和一调节发光二极管（20）。从功率发光二极管（10）是具有一个辐射第一发射光谱（EL）的第一辐射（SL）。从该组向上发光二极管（20）是具有第二发射光谱（EE）辐射的第二辐射（SE）。光电子器件（1）的总辐射（SO）包括第一辐射（SL）和第二辐射（SE）。

6. 发明申请

WO2005096394A1 STRAHLUNGSDETEKTOR 审中-公开
标题翻译：辐射探测器
公开(公告)号：WO2005096394A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/DE2005/000428
申请日：2005-03-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , JAEGER, Arndt , STAUSS, Peter , WINDISCH, Reiner
发明人： JAEGER, Arndt , STAUSS, Peter , WINDISCH, Reiner
IPC分类号： H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02162 , H01L31/0687 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung (8) gemäß einer vorgegebenen spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9), die ein Maximum bei einer vorgegebenen Wellenlänge λ o aufweist, umfassend einen Halbleiterkörper (1) mit einem der Detektorsignalerzeugung dienenden und zum Strahlungsempfang vorgesehenen aktiven Bereich (5) angegeben, wobei der aktive Bereich (5) gemäß einer Ausführungsform eine Mehrzahl von Funktionsschichten (4a, 4b, 4c, 4d) umfasst, die unterschiedliche Bandlücken und/oder Dicken aufweisen und derart ausgebildet sind, dass sie (4a, 4b, 4c, 4d) zumindest teilweise Strahlung in einem Wellenlängenbereich größer als λ0 absorbieren. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist dem aktiven Bereich eine Filterschichtstruktur (70) nachgeordnet, die zumindest eine Filterschicht (7, 7a, 7b, 7c) umfasst, wobei die Filterschichtstruktur die kurzwellige Seite (101) der Detektorempfindlichkeit (10) gemäß der vorgegebenen spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9) durch Absorption von Wellenlängen kleiner als λ o bestimmt. Weiterhin wird ein Strahlungsdetektor zur Detektion von Strahlung (8) gemäß der spektralen Empfindlichkeitsverteilung (9) des menschlichen Auges angegeben. Der Halbleiterkörper kann monolithisch integriert sein.
摘要翻译：它正在服务的放射线检测器，用于检测辐射（8）根据其具有在预定波长lambdao最大包括半导体主体（1）与所述检测器信号生成中的一个和用于接收辐射有源区域中的预定光谱灵敏度分布（9）（5）指定的，其中，根据一个实施例的有源区（5）包括多个功能层（4A，4B，4C，4D），其具有不同带隙和/或厚度和被形成为使得它们（图4a，4b，4c，4d的的波长范围内大于lambda0更大吸收）至少部分辐射。根据进一步的实施例中，过滤层结构（70）被设置在有源区的下游，所述至少一个滤光层（7，图7A，7B，7C），其中，所述过滤器层结构中的给定的光谱灵敏度分布的检测器灵敏度（10）的短波长侧（101）（ 9）通过波长的吸收来测定比lambdao小。此外，提供用于检测根据人眼的光谱灵敏度分布（9）辐射（8）的放射线检测器。半导体本体可以单片集成。

7. 发明申请

WO2005024961A1 STRAHLUNGEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：辐射的半导体器件
公开(公告)号：WO2005024961A1
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：PCT/DE2004/001708
申请日：2004-07-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STEIN, Wilhelm , WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph , PIETZONKA, Ines
发明人： STEIN, Wilhelm , WINDISCH, Reiner , WIRTH, Ralph , PIETZONKA, Ines
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/02
摘要： Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, umfassend eine erste Hauptfläche (5), eine zweite Hauptfläche (9) und eine Halbleiterschichtenfolge (4) mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (4) zwischen der ersten und der zweiten Hauptfläche (5,9) angeordnet ist, eine erste Stromaufweitungsschicht (3) auf der ersten Hauptfläche (5) angeordnet und mit der Halbleiterschichtenfolge (4) elektrisch leitend verbunden ist sowie eine zweite Stromaufweitungsschicht (10) auf der zweiten Hauptfläche (9) angeordnet und mit der Halbleiterschichtenfolge (4) elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：发射辐射的半导体元件具有半导体主体，其包括第一主表面（5），一个第二主表面（9）和一个半导体层序列（4）与电磁辐射产生活性区（7），其中，所述半导体层序列（4）在第一和第二主表面之间（5,9）被布置设置在第一主表面上的第一电流扩展层（3）（5）和与该半导体层序列（4）导电连接，并且在第二主表面（9）的第二电流扩展层（10）和设置有半导体层序列（4）导电连接。

8. 发明申请

WO2022029292A2 DETEKTOR ZUR SPEKTROSKOPIE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022029292A2
公开(公告)日：2022-02-10
申请号：PCT/EP2021/072011
申请日：2021-08-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： WINDISCH, Reiner , LANKES, Simon
IPC分类号： G01J3/02 , G01J3/10 , G01J3/28 , G01J3/42 , G01J3/12 , G01J2003/102 , G01J2003/1226 , G01J2003/2806 , G01J3/021 , G01J3/0229 , G01J3/0256 , G01J3/0262 , G01J3/0291 , G01J3/2803
摘要： Die Erfindung betrifft einen Detektor zur Spektroskopie im Nahbereich eines Messobjektes mit einem Gehäuse (10) mit wenigstens einer Apertur (21) zum Zuführen eines von dem Messobjekt reflektierten oder abgestrahlten Lichtbündels, wobei das Gehäuse das wenigstens eine Querschnittsebene aufweist, in der die wenigstens eine Apertur eine erste und eine zweite nicht zusammenhängende Schnittfläche aufweist. Eine Detektoranordnung zum wellenlängen- und winkelabhängigen Detektieren von Licht, ist in dem Gehäuse (10) lateral beabstandet von der wenigstens einen Apertur (21) angeordnet. Der Detektor umfasst ein erstes und ein zweites einer Detektorfläche gegenüberliegendes Reflektorelement (15) in dem Gehäuse. Das erste Reflektorelement ist (13) in einem Strahlengang der wenigstens einen Apertur (21) angeordnet und lenkt ein durch die wenigstens eine Apertur einfallendes Lichtbündel auf das zweite Reflektorelement lenkt, das ausgestaltet ist, ein einfallendes Lichtbündel auf die Detektorfläche zu lenken.

9. 发明申请

WO2010051790A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNG EMITTIERENDEN DÜNNSCHICHTBAUELEMENTS UND STRAHLUNG EMITTIERENDES DÜNNSCHICHTBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产辐射发射的薄膜成分和发射辐射的薄膜COMPONENT
公开(公告)号：WO2010051790A1
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/DE2009/001449
申请日：2009-10-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUGAUER, Hans-Jürgen , STREUBEL, Klaus , STRASSBURG, Martin , WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl
发明人： LUGAUER, Hans-Jürgen , STREUBEL, Klaus , STRASSBURG, Martin , WINDISCH, Reiner , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , B82Y20/00 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnschichtbauelements (1) weist dieses folgende Schritte auf: - Bereitstellen eines Substrats (2), - Aufwachsen von Nanostäben (3) auf dem Substrat (2), - epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (4) mit mindestens einer aktiven Schicht (5) auf den Nanostäben (3), - Aufbringen eines Trägers (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (4), und - Abtrennen von Halbleiterschichtenfolge (4) und Träger (6) vom Substrat (2) durch mindestens teilweises Zerstören der Nanostäbe (3). Durch ein solches Herstellungsverfahren können mechanische Spannungen und Risse in der Halbleiterschichtenfolge (4), die durch das Aufwachsen resultieren, reduziert werden.
摘要翻译：在用于制造发射辐射的薄膜元件（1）具有在此以下步骤的方法的至少一个实施例中： - 在衬底（2）上的纳米棒（3）的生长， - - 提供衬底（2），外延生长的半导体层序列（4- ），具有至少一个有源层（5）上的纳米棒（3）， - 将载体（6）在该半导体层序列（4），以及 - （4）和载体从衬底（2）由至少（6）分离所述半导体层序列纳米棒的部分破坏（3）。由机械应力和裂纹这样的制造方法，能够在半导体层序列中的（4）可以减小通过生长得到的。

10. 发明申请

WO2009143795A1 HALBLEITERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2009143795A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/DE2009/000542
申请日：2009-04-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZEILER, Thomas , WINDISCH, Reiner , GRUBER, Stefan , KIRSCH, Markus , MUSCHAWECK, Julius , BAADE, Torsten , BRUNNER, Herbert , KÖHLER, Steffen
发明人： ZEILER, Thomas , WINDISCH, Reiner , GRUBER, Stefan , KIRSCH, Markus , MUSCHAWECK, Julius , BAADE, Torsten , BRUNNER, Herbert , KÖHLER, Steffen
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/0232 , H01L31/0203
CPC分类号： H01L33/54 , H01L25/042 , H01L25/0753 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/00
摘要： Gemäß mindestens einer Ausführungsform der Halbleiteranordnung umfasst diese eine Montageseite, mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip mit einander gegenüberliegenden Chipober- und Chipunterseiten, sowie mindestens einen zumindest teilweise strahlungsdurchlässigen Körper mit einer Körperunterseite, an der der Halbleiterchip so angebracht ist, dass die Chipoberseite der Körperunterseite zugewandt ist. Des Weiteren umfasst die Halbleiteranordnung mindestens zwei elektrische Anschlussstellen zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips, wobei die Anschlussstellen den Körper lateral nicht überragen und mit ihrer, dem Halbleiterchip abgewandten Seite die Halbleiteranordnung an deren Montageseite begrenzen.
摘要翻译：根据半导体器件的至少一个实施例中，它包括一个安装侧，至少一个光电子半导体芯片具有相对Chipober-和芯片个碱基，并且具有在其上安装的半导体芯片，使得所述主体底部的芯片顶侧面的主体基座的至少一个至少部分地辐射透明体。此外，半导体装置包括用于光电子半导体芯片的电接触，其特征在于，所述主体的所述连接点横向不突出，并与它们相面对的从半导体器件的半导体芯片侧远在安装侧限定至少两个电连接点。

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