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1. 发明申请

WO2009156954A1 INTERFACIAL LAYER REGROWTH CONTROL IN HIGH-K GATE STRUCTURE FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：场效应晶体管的高K栅结构的界面层响应控制
公开(公告)号：WO2009156954A1
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/IB2009/052709
申请日：2009-06-24
申请人： NXP B.V. , MUELLER, Markus , BOCCARDI, Guillaume , PETRY, Jasmine
发明人： MUELLER, Markus , BOCCARDI, Guillaume , PETRY, Jasmine
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/51 , H01L21/3115
CPC分类号： H01L29/51 , H01L21/265 , H01L21/28176 , H01L21/3115 , H01L21/31155 , H01L29/4236 , H01L29/49 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78 , H01L29/78696
摘要： A field effect transistor having a gate structure comprising a high-K dielectric layer, a gate electrode located on the high-K dielectric layer, and an interfacial layer located in between the high-K dielectric layer and a channel region of the field effect transistor. The interfacial layer comprises a layer of SiO 2 containing a regrowth inhibiting agent. A method of forming the gate structure includes forming a gate stack comprising, in order: a SiO 2 layer adjacent a channel region of the field effect transistor;a high-K dielectric layer on the SiO 2 layer; and a gate electrode on the high-K dielectric layer. The method also includes introducing a regrowth inhibiting agent into the SiO 2 layer and then annealing the gate structure. The presence of the regrowth inhibiting agent in the SiO 2 interfacial layer inhibits regrowth of the SiO 2 layer into the channel region during the annealing step.
摘要翻译：具有栅极结构的场效应晶体管包括高K电介质层，位于高K电介质层上的栅电极以及位于高K电介质层与场效应晶体管的沟道区之间的界面层。界面层包含含有再生长抑制剂的SiO 2层。一种形成栅极结构的方法包括：形成栅叠层，其顺序包括：与场效应晶体管的沟道区相邻的SiO 2层; SiO 2层上的高K电介质层; 以及在高K电介质层上的栅电极。该方法还包括将再生长抑制剂引入SiO 2层中，然后对栅极结构进行退火。在SiO 2界面层中再生抑制剂的存在在退火步骤期间抑制SiO 2层进入沟道区的再生长。

2. 发明申请

WO2009133515A1 GATE STRUCTURE FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：场效应晶体管的门结构
公开(公告)号：WO2009133515A1
公开(公告)日：2009-11-05
申请号：PCT/IB2009/051714
申请日：2009-04-27
申请人： NXP B.V. , MUELLER, Markus , BOCCARDI, Guillaume , PETRY, Jasmine
发明人： MUELLER, Markus , BOCCARDI, Guillaume , PETRY, Jasmine
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/265 , H01L29/51 , H01L21/3115
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/28158 , H01L21/28176 , H01L21/31155 , H01L21/32155 , H01L29/495 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要： A field effect transistor having a gate structure that comprises an interfacial layer positioned in between the transistor channel region and a high-K dielectric layer of the gate stack. The interfacial layer comprises Al x Si y O z , which has a higher relative dielectric constant value than SiO 2 . A method of forming the gate structure of a field effect transistor. The method includes forming a gate stack comprising, in order: a SiO 2 -based layer adjacent a channel region of the field effect transistor; a high-K dielectric layer on the SiO 2 -based layer; and a gate electrode on the high-K dielectric layer. The method also includes introducing Al into the SiO 2 -based layer to form an Al x Si y O z interfacial layer in between the high-K dielectric layer and the channel region. A heating step to allows Al introduced into channel region to diffuse out of the channel region into the interfacial layer.
摘要翻译：具有栅极结构的场效应晶体管包括位于晶体管沟道区域和栅极叠层的高K电介质层之间的界面层。界面层包含Al x Se y O z，其比SiO 2具有更高的相对介电常数值。一种形成场效应晶体管的栅极结构的方法。该方法包括形成栅极堆叠，其顺序包括：与场效应晶体管的沟道区相邻的基于SiO 2的层; 在SiO 2基层上的高K电介质层; 以及在高K电介质层上的栅电极。该方法还包括将Al引入SiO 2基层中以在高K电介质层和沟道区之间形成Al x Se y O z界面层。加热步骤，允许引入通道区域的Al扩散到沟道区域内进入界面层。

3. 发明申请

WO2010079389A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2010079389A1
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：PCT/IB2009/055284
申请日：2009-11-23
申请人： NXP B.V. , MUELLER, Markus , SINGANAMALLA, Raghunath
发明人： MUELLER, Markus , SINGANAMALLA, Raghunath
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L21/26586 , H01L29/78
摘要： A semiconductor device and a method of manufacturing a gate stack for such a semiconductor device. The device includes a gate stack that has a gate insulation layer provided over a channel region of the device, and a metal layer that is insulated from the channel region by the gate insulation layer. The metal layer contains work function modulating impurities which have a concentration profile that varies along a length of the metal layer from the source region to the drain region. The gate stack has a first effective work function in the vicinity of a source region and/or the drain region of the device and a second, different effective work function toward a centre of the channel region.
摘要翻译：半导体器件及其制造方法。该器件包括栅极堆叠，其具有设置在器件的沟道区域上的栅极绝缘层，以及通过栅极绝缘层与沟道区域绝缘的金属层。金属层包含调制杂质的功函数，这些杂质具有沿着金属层从源极区域到漏极区域的长度变化的浓度分布。栅极堆叠在器件的源极区域和/或漏极区域附近具有第一有效功函数，以及朝向沟道区域的中心的第二有效功函数。

4. 发明申请

WO2010069301A3 VOLLVARIOTURBINEN FÜR ABGASTURBOLADER 审中-公开
公开(公告)号：WO2010069301A3
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/DE2009/001818
申请日：2009-12-18
申请人： SUMSER, Siegfried , MUELLER, Markus , FLEDERSBACHER, Peter , TTI TURBO TECHNIK INNOVATION GMBH
发明人： SUMSER, Siegfried , MUELLER, Markus , FLEDERSBACHER, Peter
IPC分类号： F01D17/16
摘要： Die Erfindung betrifft einen Abgasturbolader (118) für eine Verbrennungskraftmaschine (112) mit einem Turbinenrad (22), bei welchem in einem Turbinenradaustrittsbereich (30) eine erste Verstellvorrichtung (28), insbesondere ein Konusschieber (28), zur variablen Einstellung einer Turbinenradaustrittsströmungsfläche angeordnet ist, wobei in einem Turbinenradeintrittsbereich (26) eine zweite Verstellvorrichtung (24) zur variablen Einstellung einer Turbinenradeintrittsströmungsfläche angeordnet ist, sowie ein Verfahren für einen Abgasturbolader (118) für eine Verbrennungskraftmaschine (112) mit einem Turbinenrad (22), bei welchem mittels einer ersten, in einem Turbinenradaustrittsbereich (30) angeordneten Verstellvorrichtung (28) eine Turbinenradaustrittsströmungsfläche in Abhängigkeit von Betriebsparametern des Abgasturboladers (118) variabel eingestellt wird, wobei mittels einer zweiten, in einem Turbinenradeintrittsbereich (26) angeordneten Verstellvorrichtung (24) eine Turbinenradeintrittsströmungsfläche in Abhängigkeit von Betriebsparametern des Abgasturboladers (118) variabel eingestellt wird. Aufgrund der weiter steigenden Anforderungen an die Reduktion der Verbrauchs- und Emissionswerte der aufgeladenen Fahrzeug-Motoren werden die zukünftigen Entwicklungsaktivitäten verstärkt auf eine Vollvariabilität der Abgasturboladerturbinen hinauslaufen.

5. 发明申请

WO2008006643A1 GENERATORVORRICHTUNG MIT AKTIVEM LOAD DUMP-SCHUTZ 审中-公开
标题翻译：考虑有源负载突降保护发电设备
公开(公告)号：WO2008006643A1
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：PCT/EP2007/055088
申请日：2007-05-25
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , MUELLER, Markus
发明人： MUELLER, Markus
IPC分类号： H02J7/14 , H02J9/04 , H02P9/10
CPC分类号： H02J7/14 , H02P9/102
摘要： Die Erfindung betrifft eine Generatorvorrichtung mit einem Generator, einem Generatorregler und einer Gleichrichterbrücke. Weiterhin ist eine Detektoreinheit zur Erkennung einer Lastabschaltung vorgesehen. Wird eine Lastabschaltung erkannt, wird ein Schalter durchlässig gesteuert, so dass durch die Lastabschaltung gebildete Energie in einem Energiespeicher abgespeichert wird. Von dort aus kann sie in das Bordnetz rückgespeist werden.
摘要翻译：本发明涉及一种具有发电机，发电机控制器和一个整流桥的发电装置。此外，提供了一种用于检测负载切断的检测器单元。负载断开被检测到，一个开关是可渗透受控的能量使得由负载切断形成被存储在能量存储。从那里，他们可以反馈到电气系统。

6. 发明申请

WO2007104976A1 GENERATOR AND MAGNETIC FLUX CONDUCTING UNIT 审中-公开
标题翻译：发电机和磁通电导体单元
公开(公告)号：WO2007104976A1
公开(公告)日：2007-09-20
申请号：PCT/GB2007/000883
申请日：2007-03-14
申请人： THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF EDINBURGH , MUELLER, Markus , OCHIJE, Kenneth
发明人： MUELLER, Markus , OCHIJE, Kenneth
IPC分类号： H02K23/54
CPC分类号： H02K21/12 , F03B13/1845 , F03D9/25 , F05B2220/7066 , F05B2220/7068 , F05B2220/707 , H02K7/08 , H02K7/088 , H02K7/1838 , H02K16/00 , H02K21/24 , H02K35/02 , H02K41/031 , H02K2201/15 , Y02E10/38 , Y02E10/725
摘要： The invention relates to a generator, to a magnetic flux conducting unit for a generator, and to a power generation machine comprising such a generator. In an embodiment of the invention, a generator (412) is disclosed which comprises at least one coil assembly (428) and at least one magnetic flux conducting unit (410). The magnetic flux conducting unit (410) comprises at least one magnet (314, 316), a pair of opposed magnetic flux conducting elements (318, 320) defining a space (326) therebetween for receiving the coil assembly (428), and at least one connecting portion (322) extending between the opposed magnetic flux conducting elements (318, 320). The at least one magnet (314, 316) is arranged relative to the opposed magnetic flux conducting elements (318, 320) such that magnetic attraction forces between the elements (318, 320) are reacted through and balanced within the connecting portion (322).
摘要翻译：本发明涉及一种发电机，一种用于发电机的磁通量传导单元和一种包括这种发电机的发电机。在本发明的一个实施例中，公开了一种发生器（412），其包括至少一个线圈组件（428）和至少一个磁通导通单元（410）。磁通导体单元（410）包括至少一个磁体（314,316），一对相对的磁通量传导元件（318,320），在其间限定用于容纳线圈组件（428）的空间（326），并且在在相对的磁通传导元件（318,320）之间延伸的至少一个连接部分（322）。至少一个磁体（314,316）相对于相对的磁通传导元件（318,320）布置成使得元件（318,320）之间的磁吸引力在连接部分（322）内反应并平衡，。

7. 发明申请

WO2011157683A1 EXTRACTION OF NUCLEIC ACIDS FROM WAX-EMBEDDED SAMPLES 审中-公开
标题翻译：从嵌入式样品中提取核酸
公开(公告)号：WO2011157683A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/EP2011/059784
申请日：2011-06-14
申请人： QIAGEN GMBH , MUELLER, Markus , SINGER, Thorsten , ROSENBERG, Esther , HUCKLENBROICH, Joerg
发明人： MUELLER, Markus , SINGER, Thorsten , ROSENBERG, Esther , HUCKLENBROICH, Joerg
IPC分类号： C12N15/10 , C12Q1/68
CPC分类号： C12Q1/6806 , C12N15/1003
摘要： The present invention relates to a method for extracting nucleic acids from a wax-embedded sample, the use of particular solvents for removing wax from a wax-embedded sample in a method for extracting, isolating and/or purifying nucleic acids from a crosslinked wax-embedded sample as well as to a kit for extracting, isolating and/or purifying nucleic acids from a wax-embedded sample.
摘要翻译：本发明涉及一种从嵌入蜡的样品中提取核酸的方法，在从交联的蜡 - 样品中提取，分离和/或纯化核酸的方法中使用特定溶剂从蜡包埋的样品中除去蜡，嵌入样品以及用于从蜡嵌入样品中提取，分离和/或纯化核酸的试剂盒。

8. 发明申请

WO2010069301A2 VOLLVARIOTURBINEN FÜR ABGASTURBOLADER 审中-公开
标题翻译： FULL VARIO涡轮机涡轮增压器
公开(公告)号：WO2010069301A2
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：PCT/DE2009/001818
申请日：2009-12-18
申请人： SUMSER, Siegfried , MUELLER, Markus , FLEDERSBACHER, Peter , TTI TURBO TECHNIK INNOVATION GMBH
发明人： SUMSER, Siegfried , MUELLER, Markus , FLEDERSBACHER, Peter
IPC分类号： F02C6/12 , F01D17/14
CPC分类号： F02C6/12 , F01D17/14 , F01D17/143 , F01D17/165 , F01D17/167 , F02B37/22 , F02B37/24 , F05D2220/40 , F05D2250/51 , F05D2250/52 , Y02T10/144
摘要： Die Erfindung betrifft einen Abgasturbolader (118) für eine Verbrennungskraftmaschine (112) mit einem Turbinenrad (22), bei welchem in einem Turbinenradaustrittsbereich (30) eine erste Verstellvorrichtung (28), insbesondere ein Konusschieber (28), zur variablen Einstellung einer Turbinenradaustrittsströmungsfläche angeordnet ist, wobei in einem Turbinenradeintrittsbereich (26) eine zweite Verstellvorrichtung (24) zur variablen Einstellung einer Turbinenradeintrittsströmungsfläche angeordnet ist, sowie ein Verfahren für einen Abgasturbolader (118) für eine Verbrennungskraftmaschine (112) mit einem Turbinenrad (22), bei welchem mittels einer ersten, in einem Turbinenradaustrittsbereich (30) angeordneten Verstellvorrichtung (28) eine Turbinenradaustrittsströmungsfläche in Abhängigkeit von Betriebsparametern des Abgasturboladers (118) variabel eingestellt wird, wobei mittels einer zweiten, in einem Turbinenradeintrittsbereich (26) angeordneten Verstellvorrichtung (24) eine Turbinenradeintrittsströmungsfläche in Abhängigkeit von Betriebsparametern des Abgasturboladers (118) variabel eingestellt wird. Aufgrund der weiter steigenden Anforderungen an die Reduktion der Verbrauchs- und Emissionswerte der aufgeladenen Fahrzeug-Motoren werden die zukünftigen Entwicklungsaktivitäten verstärkt auf eine Vollvariabilität der Abgasturboladerturbinen hinauslaufen.
摘要翻译：本发明涉及一种排气涡轮增压器（118）用于内燃发动机（112）具有涡轮机叶轮（22），其特征在于，在涡轮机叶轮出口区域（30）具有一个第一调整装置（28），尤其是锥形滑动件（28）被布置用于涡轮叶轮出口流通面积的可变设定其中，在Turbinenradeintrittsbereich（26）的第二调节装置（24）被布置为一Turbinenradeintrittsströmungsfläche的可变设置，以及用于废气涡轮增压器（118）用于内燃发动机（112）具有涡轮机叶轮（22），其中由第一的装置的方法，在涡轮叶轮出口区域被布置（30），调整（28）的涡轮叶轮出口流动面积的排气涡轮增压器（118）的操作参数的函数被可变地设置，并且设置成通过第二方式，在一个Turbinenradeintrittsbereich（26）调节（24）一个透平在所述排气涡轮增压器（118）的操作参数的依赖enradeintrittsströmungsfläche可变地设定。由于对燃油消耗和充电的车辆引擎未来发展的活动排放的减少不断增长的需求越来越量涡轮增压器涡轮机的完全变性。

9. 发明申请

WO2003000129A2 MICRODIALYSIS PROBES AND METHODS OF USE 审中-公开
标题翻译： MICRODIALYSIS探针和使用方法
公开(公告)号：WO2003000129A2
公开(公告)日：2003-01-03
申请号：PCT/US2002/020021
申请日：2002-06-21
申请人： UNIVERSITY OF FLORIDA , DERENDORF, HARTMUT , MUELLER, Markus
发明人： DERENDORF, HARTMUT , MUELLER, Markus
IPC分类号： A61B5/00
CPC分类号： A61B5/145 , A61B5/14528 , A61B5/411 , A61B6/12 , A61B8/0833 , A61B10/0045 , A61B2010/008 , A61B2090/3925
摘要： The subject invention pertains to novel microdialysis probes having advantageous structural features, particularly for clinical applications. A microdialysis probe of the subject invention can be introduced into a biological tissue using insertion means such that the insertion means can then be completely dissociated from the biological tissue and the microdialysis probe. The microdialysis probes of the subject invention can further include guiding means composed of imageable materials that may be used to guide the microdialysis probes to a target tissue using the appopriate sensing equipment. A further aspect of the subject invention relates to methods of using novel microdialysis probes to assess the presence or absence of a substance within biological tissue. The subject invention further relates to methods of using novel microdialysis probes to deliver a substance within biological tissue.
摘要翻译：本发明涉及具有有利结构特征的新型微量透析探针，特别适用于临床应用。本发明的微透析探针可以使用插入装置引入生物组织，使得插入装置然后可以完全离开生物组织和微透析探针。本发明的微透析探针还可以包括由可成像材料构成的引导装置，其可以用于使用适当的感测设备将微量透析探针引导到目标组织。本发明的另一方面涉及使用新型微量透析探针来评估生物组织内物质的存在或不存在的方法。本发明进一步涉及使用新的微量透析探针以在生物组织内递送物质的方法。

10. 发明申请

WO2007135146A1 HALBLEITERBAUELEMENT UND GLEICHRICHTERANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：半导体部件和整流器布置
公开(公告)号：WO2007135146A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/EP2007/054939
申请日：2007-05-22
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , QU, Ning , MUELLER, Markus
发明人： SPITZ, Richard , GOERLACH, Alfred , WOLF, Gert , QU, Ning , MUELLER, Markus
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/866 , H01L29/16 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/737
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/22 , H01L29/7371 , H01L29/866 , H01L29/872
摘要： Es werden Halbleitereinrichtungen, sogenannte Hetero-Junction-Dioden (HJD) und Gleichrichteranordnungen mit derartigen Halbleitereinrichtungen angegeben. Die Hetero- Junction-Dioden (HJD) setzen sich zusammen aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien, insbesondere Silizium-Germanium und Silizium, die jeweils unterschiedlich dotiert sind. Durch Wahl des Germaniumanteils sowie der Dichte der SiGe-Schicht lassen sich Eigenschaften wie Durchbruchspannung und Sperrstrom der Diode in gewissen Bereichen einstellen. Die Hetero-Junction-Dioden (HJD) sind in Gleichrichteranordnungen, beispielsweise für Generatoren in Kraftfahrzeugen eingesetzt, wobei zusätzlich zu den Hetero-Junction-Dioden (HJD) weitere Halbleiterelemente geschaltet sein können, beispielsweise Schottky-Dioden, Zenerdioden oder Feldplatten. Durch die geringe Flussspannung der Hetero-Junction-Dioden (HJD) wird der Wirkungsgrad sowie die Abgabeleistung im Leerlauf des Generators gegenüber herkömmlichen Halbleiterbrücken verbessert.
摘要翻译：有标有这样的半导体器件，半导体器件，所谓的异质结二极管（HJD）和整流器组件。异质结二极管（HJD）由不同的半导体材料，特别是硅 - 锗和硅中，每个不同地掺杂。由锗含量的选择和SiGe层属性的密度可击穿电压和在设定特定区域的二极管的阻断电流。异质结二极管（HJD）在整流装置中使用，例如用于在机动车发电机，除异质结二极管（HJD）其它半导体元件可以被连接，例如，肖特基二极管，齐纳二极管或场板。由于异质结二极管（HJD）发电机空转期间的效率和功率输出的低正向电压超过常规半导体桥被改善。

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