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    • 2. 发明申请
    • PLASMABEHANDLUNG ZUR REINIGUNG VON KUPFER ODER NICKEL
    • 等离子体处理清洁铜或镍
    • WO2004098259A2
    • 2004-11-18
    • PCT/EP2004/004904
    • 2004-05-07
    • KOLEKTOR GROUP D.O.O.MOZETIC, MiranCVELBAR, Uros
    • MOZETIC, MiranCVELBAR, Uros
    • B08B7/00B23K1/20C23G5/00
    • C23G5/00B08B7/0035B23K1/20
    • Ein Verfahren zur Behandlung von elektronischen Bauteilen, die aus Kupfer oder Nickel oder ihren Legierungen untereinander oder mit anderen Materialien wie etwa Messing hergestellt sind oder damit überzogen sind, umfasst folgende Schritte: Anordnen der Bauteile in einer Behandlungskammer; Evakuieren der Behandlungskammer; Einleiten von Sauerstoff in die Behandlungskammer; Sicherstellen eines Drucks im Bereich von 10 -1 bis 50 mbar in der Behandlungskammer und Anregen eines Plasmas in der Kammer durch einen Hochfrequenzgenerator mit einer Frequenz von mehr als etwa 1 MHz; Einwirken von Sauerstoffradikalen auf die Bauelemente, wobei der Fluss der Radikale auf die Bauteiloberfläche mehr als etwa 10 21 Radikale pro Quadratmeter pro Sekunde beträgt; Auspumpen der Kammer; Einleiten von Wasserstoff in die Behandlungskammer; Sicherstellen eines Drucks im Bereich von 10 -1 bis 50 mbar in der Behandlungskammer und Anregen eines Plasmas in der Kammer durch einen Hochfrequenzgenerator mit einer Frequenz von mehr als etwa 1 MHz; Einwirken von Wasserstoffradikalen auf die Bauelemente, wobei der Fluss der Radikale auf die Bauteiloberfläche mehr als etwa 10 21 Radikale pro Quadratmeter pro Sekunde beträgt
    • 一种用于治疗的电子元件,由铜或镍或它们与彼此或与其它材料如黄铜或镀合金制成,其包括以下步骤的方法:将在一个处理室中的部件; 抽空所述处理室; 将氧气引入所述处理室; 由具有大于约1MHz的频率的高频发生器确保压力在10 <-1> 50毫巴的范围内,所述腔室中处理室和激发等离子体; 暴露于上的组件氧自由基,其中原子团流是在构件表面上超过约10每秒每平方米<21>的基团; 抽空所述腔室; 将氢气引入所述处理室; 由具有大于约1MHz的频率的高频发生器确保压力在10 <-1> 50毫巴的范围内,所述腔室中处理室和激发等离子体; 上的组件氢基团,其中原子团流是在构件表面上超过约10 <21>每秒每平方米自由基的作用
    • 7. 发明申请
    • METHOD AND DEVICE FOR MEASURING ULTRAHIGH VACUUM
    • 用于测量超声波真空的方法和装置
    • WO2005080932A1
    • 2005-09-01
    • PCT/SI2005/000003
    • 2005-01-26
    • INSTITUT "JOSEF STEFAN"VESEL, AlenkaMOZETIC, Miran
    • VESEL, AlenkaMOZETIC, Miran
    • G01L21/34
    • G01L21/34
    • The invention relates to a method and a device for measuring ultrahigh vacuum and, more particularly, to a method for measuring ultrahigh vacuum with an ultrahigh­vacuum cold cathode pressure gauge, and to an ultrahigh­vacuum cold cathode pressure gauge. The pressure gauge according to the invention operates at a voltage that varies with pressure in such a way that the ion current is maintained at its maximum value at all times. The method for measuring ultrahigh vacuum by means of an ultrahigh­vacuum'cold cathode pressure gauge is characterized in that the voltage-controlled source (3) preliminarily scans the entire voltage range, preferably between 1 kV and 12 kV, in a short time, and subsequently sets the source to the voltage, at which the current was at its maximum value, or that, alternatively, the voltage-controlled source (3), based on the calibration of the gauge, sets the voltage, for a given pressure, to the value that has been previously stored as optimal. The device for measuring ultrahigh vacuum, is characterized in that the anode (1) of the pressure gauge cell is connected to a voltage-controlled source (3) providing a varying voltage.
    • 本发明涉及一种用于测量超高真空度的方法和装置,更具体地说,涉及一种用超高真空冷阴极压力计测量超高真空度的方法和超高真空冷阴极压力计。 根据本发明的压力表以在压力下变化的电压工作,使得离子电流始终保持在其最大值。 通过超高真空阴极压力表测量超高真空的方法的特征在于,压控源(3)在短时间内预先扫描整个电压范围,优选在1kV和12kV之间,随后 将电源设置为电流处于其最大值的电压,或者基于量规的校准,电压源(3)将给定压力的电压设置为 以前存储为最佳值。 用于测量超高真空的装置的特征在于,压力计单元的阳极(1)连接到提供变化电压的电压源(3)。