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    • 6. 发明申请
    • PLASMABEHANDLUNG ZUR REINIGUNG VON KUPFER ODER NICKEL
    • 等离子体处理清洁铜或镍
    • WO2004098259A2
    • 2004-11-18
    • PCT/EP2004/004904
    • 2004-05-07
    • KOLEKTOR GROUP D.O.O.MOZETIC, MiranCVELBAR, Uros
    • MOZETIC, MiranCVELBAR, Uros
    • B08B7/00B23K1/20C23G5/00
    • C23G5/00B08B7/0035B23K1/20
    • Ein Verfahren zur Behandlung von elektronischen Bauteilen, die aus Kupfer oder Nickel oder ihren Legierungen untereinander oder mit anderen Materialien wie etwa Messing hergestellt sind oder damit überzogen sind, umfasst folgende Schritte: Anordnen der Bauteile in einer Behandlungskammer; Evakuieren der Behandlungskammer; Einleiten von Sauerstoff in die Behandlungskammer; Sicherstellen eines Drucks im Bereich von 10 -1 bis 50 mbar in der Behandlungskammer und Anregen eines Plasmas in der Kammer durch einen Hochfrequenzgenerator mit einer Frequenz von mehr als etwa 1 MHz; Einwirken von Sauerstoffradikalen auf die Bauelemente, wobei der Fluss der Radikale auf die Bauteiloberfläche mehr als etwa 10 21 Radikale pro Quadratmeter pro Sekunde beträgt; Auspumpen der Kammer; Einleiten von Wasserstoff in die Behandlungskammer; Sicherstellen eines Drucks im Bereich von 10 -1 bis 50 mbar in der Behandlungskammer und Anregen eines Plasmas in der Kammer durch einen Hochfrequenzgenerator mit einer Frequenz von mehr als etwa 1 MHz; Einwirken von Wasserstoffradikalen auf die Bauelemente, wobei der Fluss der Radikale auf die Bauteiloberfläche mehr als etwa 10 21 Radikale pro Quadratmeter pro Sekunde beträgt
    • 一种用于治疗的电子元件,由铜或镍或它们与彼此或与其它材料如黄铜或镀合金制成,其包括以下步骤的方法:将在一个处理室中的部件; 抽空所述处理室; 将氧气引入所述处理室; 由具有大于约1MHz的频率的高频发生器确保压力在10 <-1> 50毫巴的范围内,所述腔室中处理室和激发等离子体; 暴露于上的组件氧自由基,其中原子团流是在构件表面上超过约10每秒每平方米<21>的基团; 抽空所述腔室; 将氢气引入所述处理室; 由具有大于约1MHz的频率的高频发生器确保压力在10 <-1> 50毫巴的范围内,所述腔室中处理室和激发等离子体; 上的组件氢基团,其中原子团流是在构件表面上超过约10 <21>每秒每平方米自由基的作用