专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2017059970A1 HOCHAUFLÖSENDES THERMOPILE INFRAROT SENSORARRAY MIT MONOLITHISCH INTEGRIERTER SIGNALVERARBEITUNG 审中-公开
标题翻译：和单片集成信号处理高清晰度热电红外阵列
公开(公告)号：WO2017059970A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：PCT/EP2016/065844
申请日：2016-07-05
申请人： HEIMANN SENSOR GMBH
发明人： FORG, Bodo , SCHNORR, Michael , SCHIEFERDECKER, Jörg , STORCK, Karlheinz , SIMON, Marion , LENEKE, Wilhelm
IPC分类号： G01J5/08 , G01J5/12 , H04N5/33
CPC分类号： G01J5/0881 , G01J5/12 , H04N5/33 , H04N5/378
摘要： Die Erfindung betrifft einen hochauflösenden Thermopile Infrarot Sensorarray mit monolithisch integrierter Signalverarbeitung und mehreren parallelen Signalverarbeitungskanälen für die Signale von Pixeln eines Sensorarrays, sowie einen Digitalport zur seriellen Ausgabe der Signale der Pixel, wobei sich das Sensorarray auf einem oder mehreren Sensorchips befindet. Die Aufgabe besteht darin, ein Thermopile Infrarot Sensorarray mit monolithisch integrierter Signalverarbeitung und mehreren parallelen Signalverarbeitungskanälen anzugeben, das bei geringster Verlustleistung eine hohe Integrationsdichte aufweist und das zugleich thermisch und geometrisch hochauflösend ist. Erreicht wird das dadurch, dass jeder Signalverarbeitungskanal (K 1 ...K N ) mindestens einen Analog/Digital-Wandler (ADC) aufweist und das jedem Signalbearbeitungskanal (K 1 ...K N ) ein Speicherbereich in einem Speicher (RAM) zur Speicherung der Signale der Pixel (SE) zugeordnet ist.
摘要翻译：本发明涉及一种高分辨率热电堆型红外线传感器阵列单片集成信号处理和多个用于传感器阵列的像素的信号的并行信号处理通道，和一个数字端口的像素的信号的串行输出，其中，所述传感器阵列被设置在一个或多个传感器芯片。目的是提供一种热电堆型红外线传感器阵列的信号处理单片集成和多个并行信号处理通道，它与最小功率损耗的高集成度，这是热和几何高分辨率。这是实现在各信号处理通道（K1 ... KN）具有至少一个模拟/数字转换器（ADC）和各信号处理通道（K1 ...... KN），用于存储的信号在存储器（RAM）的存储区域像素（SE）相关联。

2. 发明申请

WO2018134288A1 HOCHAUFLÖSENDES THERMOPILE INFRAROT SENSORARRAY 审中-公开
公开(公告)号：WO2018134288A1
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：PCT/EP2018/051166
申请日：2018-01-18
申请人： HEIMANN SENSOR GMBH
发明人： SCHIEFERDECKER, Jörg , FORG, Bodo , SCHNORR, Michael , STORCK, Karlheinz , LENEKE, Wilhelm , SIMON, Marion
IPC分类号： G01J5/08 , G01J5/12 , H04N5/33 , H04N5/378
摘要： Hochauflösendes Thermopile Infrarot Sensorarray mit mehreren parallelen Signalverarbeitungskanälen für die Signale eines Sensorarrays, sowie einem Digitalport zur seriellen Ausgabe der Signale, wobei jeder Signalverarbeitungskanal mindestens einen A/D-Wandler aufweist und das jedem Signalverarbeitungskanal ein Speicherbereich in einem Speicher zur Speicherung der Ergebnisse der A/D-Wandler zugeordnet ist. Das Infrarot Sensorarray mit besonders hoher Pixelzahl soll bei hoher Signalauflösung einen geringst möglichen Stromverbrauch aufweisen. Erreicht wird das dadurch, dass bei einem Sensorarray (TPA) mit mindestens 16 Zeilen und mindestens 16 Spalten höchstens 8 oder 16 Pixel (SE) mit einem Signalverarbeitungskanal (K 1 ...K N ) verbunden sind, wobei die Anzahl der Signalverarbeitungskanäle (K 1 ...K N ) mindestens dem 4-fachen der Anzahl der Zeilen entspricht, dass ein Teil der Signalverarbeitungskanäle (K 1 ...K N ) jeweils im Zwischenraum zwischen den Pixeln (SE) und ein weiterer Teil der Signalverarbeitungskanäle (K 1 ...K N ) zusammen mit weiterer Elektronik in dem das Sensorarray (TPA) umgebenden äußeren Randbereichdes Sensorchips (SP) angeordnet ist, dass jeder Tiefpassfilter (TPF) ein Grenzfrequenz von höchstens dem achtfachen Betrag des Produktesaus Bildrate des Thermopile Infrarot Sensorarrays (TPA) und der Anzahl der Pixel pro Signalverarbeitungskanal (K 1 ...K N ) aufweist und wobei der Mittenabstand der Pixel (SE) kleiner als 200µm beträgt.

3. 发明申请

WO2004102140A1 INFRAROTSENSOR MIT OPTIMIERTER FLÄCHENNUTZUNG 审中-公开
标题翻译：与改进土地利用红外线传感器
公开(公告)号：WO2004102140A1
公开(公告)日：2004-11-25
申请号：PCT/DE2004/000970
申请日：2004-05-13
申请人： HEIMANN SENSOR GMBH , SIMON, Marion , LENEKE, Wilhelm , SCHULZE, Mischa , STORCK, Karlheinz , SCHIEFERDECKER, Jörg
发明人： SIMON, Marion , LENEKE, Wilhelm , SCHULZE, Mischa , STORCK, Karlheinz , SCHIEFERDECKER, Jörg
IPC分类号： G01J5/10
CPC分类号： G01J5/10 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Strahlungssensor, z. B. für die berührungslose Temperaturmessung oder die Infrarot-Spektroskopie, mit einem Detektorelement, wobei das Detektorelement ein Absorberelement (13, 14, 15, 16, 51, 52), das Strahlung absorbiert und sich dadurch erwärmt, und einen Tragkörper (2) mit einer Tragkörperfläche zur Aufnahme des Absorberelements (13, 14, 15, 16, 51, 52) aufweist, wobei die Tragkörperfläche eine Ausnehmung aufweist und das Absorberelement (13, 14, 15, 16, 51, 52) derart auf der Tragkörperfläche und über der Ausnehmung angeordnet ist, daß zumindest ein Abschnitt des Absorberelements (13, 14, 15, 16, 51, 52) den Tragkörper (2) nicht berührt. Um einen Strahlungssensor der eingangs genannten Art zur Verfügung zu stellen, welcher auf möglichst kleiner Chipfläche ein verstärktes Signal erzeugt und der einen kleinen Meßfleck erlaubt und mit bekannten standardisierten Technologien hergestellt werden kann, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß die Ausnehmung eine Ausdehnung hat, die mindestens 45% der Tragkörperfläche entspricht.
摘要翻译：本发明涉及一种辐射传感器，例如。作为用于非接触式温度测量，或红外光谱，用检测器元件，该检测器元件的吸收体元件（13，14，15，16，51，52），其吸收辐射并由此被加热，并且在支撑体（2）与所述吸收元件（13，14，15，16，51，52），其中所述支撑体表面在在承载体表面和上述这样的方式具有凹部和所述吸收元件（13，14，15，16，51，52）的支撑体接收表面，凹部被布置成至少所述吸收元件（13，14，15，16，51，52）的支撑体的部分（2）不会受到影响。提供一种能够在尽可能小的芯片面积的放大信号，并使其与通过已知的标准化的技术制备的小的测量点来制造在开头提到的类型的辐射传感器，它根据本发明，所述凹部，提出了具有延伸部，其中至少45 支承体表面的％对应。

4. 发明申请

WO2018122148A9 SMD-FÄHIGER THERMOPILE INFRAROT SENSOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2018122148A9
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/EP2017/084306
申请日：2017-12-22
申请人： HEIMANN SENSOR GMBH
发明人： SCHIEFERDECKER, Jörg , HERRMANN, Frank , SCHMIDT, Christian , LENEKE, Wilhelm , SIMON, Marion , STORCK, Karlheinz , SCHULZE, Mischa
IPC分类号： G01J5/04 , G01J5/12 , G01J5/02 , G01J5/08
摘要： Die Erfindung betrifft einen SMD-fähigen Thermopile Infrarot Sensor zur berührungslosen Temperaturmessung, als Hot-Spot oder zur Gestendetektion, mit mindestens einem miniaturisierten Thermopilepixel auf einem monolithisch integrierten Sensorchip, der in einem hermetisch verschlossenen Gehäuse, bestehend aus zumindest teilweise nichtmetallischen Gehäusesubstrat und einem Gehäusedeckel, untergebracht ist, wobei sich im Gehäuse ein Gas-oder Gasgemisch befindet. Durch die Erfindung soll ein miniaturisierter oberflächenmontierbarer Thermopile Infrarot Sensor angegeben werden, der insbesondere in z-Richtung eine besonders geringe Bauhöhe aufweist. Erreicht wird das dadurch, dass im Gehäusedeckel (3) gegenüber dem oder den Thermopilepixeln (29) eine Aperturöffnung (26) eingebracht ist, die mit einer fokussierenden Linse (4) verschlossen ist, welche die Strahlung von Objekten auf das oder die Thermopilepixel (29) auf dem Gehäusesubstrat (1) fokussiert, dass auf dem selben Sensorchip (2) neben den Thermopilepixeln (29) eine Signalverarbeitungseinheit (12) integriert ist und wobei die gesamte Gehäusehöhe (1) und Gehäusedeckel (3) höchstens 3 mm oder weniger als 2,5 mm beträgt.

5. 发明申请

WO2017220381A1 THERMOPILE INFRAROT EINZELSENSOR FÜR TEMPERATURMESSUNGEN ODER ZUR GASDETEKTION 审中-公开
标题翻译：用于温度测量或气体检测的热电红外单传感器
公开(公告)号：WO2017220381A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：PCT/EP2017/064429
申请日：2017-06-13
申请人： HEIMANN SENSOR GMBH
发明人： SIMON, Marion , SCHULZE, Mischa , LENEKE, Wilhelm , STORCK, Karlheinz , HERRMANN, Frank , SCHMIDT, Christian , SCHIEFERDECKER, Jörg
IPC分类号： G01J5/00 , G01J5/12
摘要： Die Erfindung betrifft einen Thermopile Infrarot Einzelsensor in einem mit einem Gasmedium gefüllten Gehäuse mit Optik sowie einem oder mehreren Sensor-Chips mit individuellen Sensorzellen mit Infrarot- Sensorstrukturen mit retikulierten Membranen, deren infrarotsensitive Bereiche durch jeweils mindestens einen Beam über einer Aushöhlung in einem gut Wärme leitenden Tragekörper aufgespannt sind. Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Thermopile-Infrarot Sensor in monolithischer Si-Mikromechanik Technologie für berührungslose Temperaturmessungen, der bei ausreichend großer Empfängerfläche ein hohes Signal mit hoher Ansprechgeschwindigkeit abgibt und der unter einem Gasmedium mit Normaldruck oder mit reduziertem Druck betrieben werden kann und der ohne aufwändige Technologien zum Gehäuseverschluss in Massenstückzahlen herstellbar ist. Erreicht wird das dadurch, dass jeweils mehrere individuelle benachbarte Sensorzellen (18) mit je einem Infrarot sensitiven Bereich mit Thermopilestrukturen (14, 15) auf der Membran (12) auf einem gemeinsamen Tragekörper (1) eines Einzelchips zu einer einzelnen Thermopile-Sensorstruktur mit einem Signalausgang in dem Gehäuse, bestehend aus einer mit einer Grundplatte (3) verschlossenen Kappe (12) mit gemeinsamen Gasmedium (10) zusammengefasst sind.
摘要翻译：
本发明涉及热电堆红外线单个传感器与气体介质导航用途llten去BEAR由一个或多个传感器芯片与具有网状膜，其红外敏感区域的红外传感器的结构单独的传感器单元与光学器件使用，以及一个GEF 在每种情况下，壳体上的至少一个梁安装在携带良好的承载体中。本发明的目的是热电堆型红外线传感器，在单片硅微机械加工技术˚F导航用途ř关于导航用途引导接触式温度测量在足够BIG他接收机BEAR发射枝高信号具有高的响应速度和其与气体介质相连; ngerfl＆AUML 正常压力或可以在减压下运行，并且可以在没有复杂技术的情况下进行生产，从而可以批量生产。这是在于，在每种情况下，多个单独的相邻的传感器单元（18），每一个都具有红外线敏感与Thermopilestrukturen上在共同Tragek＆OUML所述膜（12）区域（14，15）来实现;主体（1）一个单独的芯片到单个热电堆传感器结构的与壳体中的信号输出组合，所述信号由通过气体介质（10）与底板（3）封闭的盖（12）组成，

6. 发明申请

WO2013120652A1 THERMOPILE INFRAROT-SENSORSTRUKTUR MIT HOHEM FÜLLGRAD 审中-公开
标题翻译：具有高的填充度热电堆型红外线传感器结构
公开(公告)号：WO2013120652A1
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：PCT/EP2013/050881
申请日：2013-01-18
申请人： HEIMANN SENSOR GMBH
发明人： HERRMANN, Frank , SIMON, Marion , LENEKE, Wilhelm , FORG, Bodo , STORCK, Karlheinz , MÜLLER, Michael , SCHIEFERDECKER, Jörg
IPC分类号： G01J5/12 , G01J5/08 , G01J5/02
CPC分类号： G01J5/12 , G01J5/023 , G01J5/06 , G01J5/0815 , G01J5/0853
摘要： Thermopile Infrarot-Sensorstruktur mit hohem Füllgrad in einem mit einem Medium (15) gefüllten Gehäuse, bestehend aus einem Trägersubstrat (11), das elektrische Verbindungen (28, 28') nach außen aufweist und das mit einer Optikbaugruppe (13) verschlossen ist und wobei auf dem Trägersubstrat (11) im Gehäuse ein Sensorchip (14) aufgebracht ist, das mehrere thermoelektrische Sensorelementstrukturen (16) trägt, deren sogenannten "heiße Kontakte" (10) sich auf individuellen Membranen (3) befinden, die über je einer Aushöhlung (9) in einem gut wärmeleitenden Siliziumtragkörper (24) aufgespannt sind, wobei sich die "kalten Kontakte" (25) auf oder in der Nähe des Siliziumtragkörpers (24) befinden. Aufgabe der Erfindung ist es, einen Thermopile-Infrarot-Array-Sensor (Sensorzelle) anzugeben, der bei kleiner Chipgröße ein hohes thermisches Auflösungsvermögen und einen besonders hohen Füllgrad aufweist. Dieser Sensor soll bevorzugt unter Gas mit Normaldruck oder reduziertem Druck betrieben werden und soll ohne aufwendige Technologien zum Gehäuseverschluss unter Höchst-Vakuum kostengünstig in Massenstückzahlen herstellbar sein. Erreicht wird das dadurch, dass sich über jeder individuellen Membran (3) der Sensorelementstrukturen (16), die eine Aushöhlung (9) überspannt, ein Strahlungskollektoraufbau (17) befindet.
摘要翻译：具有向外并与光学组件填充高度在一个与介质（15）壳体填充，由载体基板（11），所述电连接（28，28“）中的热电堆型红外线传感器结构（13）是封闭的，并且其中在壳体中的载体基底（11）上的传感器芯片（14）被施加其承载多个热电传感器元件结构（16）的，所谓的“热接触”（10）向个别膜（3）的位置，从而（经由相应的模腔9 ）被夹紧在一高导热性硅支撑体（24），用“冷接点”（25）或（在硅支撑体24的附近）的位置。本发明的目的是提供一种具有高的热分辨能力和特别高的程度的小芯片尺寸的填充的热电堆红外线阵列传感器（传感器单元）。该传感器应优选具有下常压或减压气体操作，并且应当是便宜的质量的数量和壳体封闭，以产生在高真空下，而无需复杂的技术。实现跨越具有腔（9），所述传感器元件的结构（16）的每个单独的膜（3）跨越是一个辐射收集器结构（17），则。

7. 发明申请

WO2006122529A2 THERMOPILE INFRAROT SENSORARRAY 审中-公开
标题翻译：热电红外阵列
公开(公告)号：WO2006122529A2
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：PCT/DE2006/000841
申请日：2006-05-16
申请人： HEIMANN SENSOR GMBH , LENEKE, Wilhelm , SIMON, Marion , SCHULZE, Mischa , STORCK, Karlheinz , SCHIEFERDECKER, Jörg
发明人： LENEKE, Wilhelm , SIMON, Marion , SCHULZE, Mischa , STORCK, Karlheinz , SCHIEFERDECKER, Jörg
IPC分类号： H04N5/33 , H04N3/15 , G01J5/06 , G01J5/22
CPC分类号： G01J5/06 , G01J5/12 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H04N5/2253 , H04N5/33 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Thermopile Infrarot Sensorarray, bestehend aus einem Sensorchip mit einer Vielzahl von Thermopile-Sensorelementen, aufgebaut auf einem Halbleitersubstrat und zugehörigen Elektronikkomponenten, wobei das Sensorchip auf einer Trägerplatine montiert und mit einer Kappe umhaust ist, in der sich eine Optik befindet. Durch die Erfindung soll ein monolithisches Infrarot-Sensorarray angegeben werden, das bei kleiner Chipgröße ein hohes thermisches Auflösungsvermögen aufweist und das kostengünstig herstellbar ist. Erreicht wird das dadurch, dass sich auf dem Halbleitersubstrat des Sensor-Chips (1) eine dünne Membran (12) aus nicht leitendem Material angeordnet ist, auf der sich Thermopile Sensorelemente (13) in einem Array befinden, wobei die Rückseite der Membran (12) unter jedem Thermopile Sensorelement (13) wabenähnlich freigeätzt ist und dass die Elektronikkomponenten im Randbereich des Sensorchips angeordnet sind, wobei für jede Spalte und jede Zeile von Sensorelementen (13, 14) jeweils ein individueller Vorverstärker VV mit nachgeschaltetem Tiefpass TP (6) vorgesehen ist.
摘要翻译：本发明涉及热电堆型红外线传感器阵列，其包括具有多个安装在半导体基板和相关的电子组件上的热电堆传感器元件的传感器芯片，所述传感器芯片安装在载体基板与其中光学系统位于帽包围。本发明提供的单片红外线传感器阵列将被指定，其具有小的芯片尺寸高热分辨能力和制造成本低。在所取得的传感器芯片的半导体基板（1）是一个薄的膜（12）由非导电性材料的热电堆传感器元件（13），其上是在阵列中的，其中所述膜的背面（12 ）是每个热电堆传感器元件（13下类似蚀刻蜂窝），并且在所述传感器芯片的边缘区域中的电子元件中，所述（13针对各列和传感器元件14）的每个中的每一行与一个下游低通TP单个前置放大器VV（6）设置，

8. 发明申请

WO2021005150A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES THERMISCHEN INFRAROT-SENSOR ARRAYS IN EINEM VAKUUMGEFÜLLTEN WAFERLEVEL GEHÄUSE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021005150A1
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：PCT/EP2020/069354
申请日：2020-07-09
申请人： HEIMANN SENSOR GMBH
发明人： SCHIEFERDECKER, Jörg , HERRMANN, Frank , SCHMIDT, Christian , LENEKE, Wilhelm , FORG, Bodo , SIMON, Marion , SCHNORR, Michael
IPC分类号： G01J5/08 , G01J5/12
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines thermischen Infrarot-Sensor Arrays in einem vakuumgefüllten Waferlevel Gehäuse mit besonders kleinen Abmessungen, das aus mindestens zwei Wafern, einem Deckelwafer (1) und einem zentralen Wafer (3) mit mehreren sensitiven infrarotempfindlichen Sensor-Pixeln (5) auf je einer dünnen, geschlitzten Membran (5'') über einer wärmeisolierenden Kavität (11) besteht. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines hochauflösenden Thermopile Arraysensor in monolithischer Silizium-Mikromechanik-Technologie im Wafer Level Package anzugeben, der ein besonders hohes räumliches Auflösungsvermögen und einen sehr hohen Füllgrad bei kleinsten Gehäuseabmessungen, insbesondere sehr geringer Gesamtdicke erreicht und mit Standard- CMOS- Prozessen kostengünstig hergestellt werden kann. Erreicht wird das dadurch, dass zunächst der Deckelwafer (1) mit dem vorbereiteten zentralen Wafer (3) des Wafers mit den Sensorpixeln 5 mit den infrarotempfindlichen Pixeln (5) durch Waferbonden mechanisch fest verbunden wird und dass der zentrale Wafer (3) nachfolgend von der Waferrückseite her auf eine vorgegebene Dicke abgedünnt wird.

9. 发明申请

WO2018122148A1 SMD-FÄHIGER THERMOPILE INFRAROT SENSOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2018122148A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：PCT/EP2017/084306
申请日：2017-12-22
申请人： HEIMANN SENSOR GMBH
发明人： SCHIEFERDECKER, Jörg , HERRMANN, Frank , SCHMIDT, Christian , LENEKE, Wilhelm , SIMON, Marion , STORCK, Karlheinz , SCHULZE, Mischa
IPC分类号： G01J5/04 , G01J5/12 , G01J5/02 , G01J5/08
摘要： Die Erfindung betrifft einen SMD-fähigen Thermopile Infrarot Sensor zur berührungslosen Temperaturmessung, als Hot-Spot oder zur Gestendetektion, mit mindestens einem miniaturisierten Thermopilepixel auf einem monolithisch integrierten Sensorchip, der in einem hermetisch verschlossenen Gehäuse, bestehend aus zumindest teilweise nichtmetallischen Gehäusesubstrat und einem Gehäusedeckel, untergebracht ist, wobei sich im Gehäuse ein Gas-oder Gasgemisch befindet. Durch die Erfindung soll ein miniaturisierter oberflächenmontierbarer Thermopile Infrarot Sensor angegeben werden, der insbesondere in z-Richtung eine besonders geringe Bauhöhe aufweist. Erreicht wird das dadurch, dass im Gehäusedeckel (3) gegenüber dem oder den Thermopilepixeln (29) eine Aperturöffnung (26) eingebracht ist, die mit einer fokussierenden Linse (4) verschlossen ist, welche die Strahlung von Objekten auf das oder die Thermopilepixel (29) auf dem Gehäusesubstrat (1) fokussiert, dass auf dem selben Sensorchip (2) neben den Thermopilepixeln (29) eine Signalverarbeitungseinheit (12) integriert ist und wobei die gesamte Gehäusehöhe (1) und Gehäusedeckel (3) höchstens 3 mm oder weniger als 2,5 mm beträgt.

10. 发明申请

WO2017089604A1 THERMISCHER INFRAROT-SENSORARRAY IM WAFER-LEVEL-PACKAGE 审中-公开
标题翻译：晶片级封装中的热红外传感器阵列
公开(公告)号：WO2017089604A1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：PCT/EP2016/078943
申请日：2016-11-28
申请人： HEIMANN SENSOR GMBH
发明人： HERRMANN, Frank , SCHMIDT, Christian , SCHIEFERDECKER, Jörg , LENEKE, Wilhelm , FORG, Bodo , SIMON, Marion , SCHNORR, Michael
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/04
CPC分类号： G01J5/0225 , G01J5/0285 , G01J5/045 , G01J5/046 , G01J2005/106 , G01J2005/123
摘要： Die Erfindung betrifft einen thermischen Infrarot-Sensorarray im WLP mit mindestens einem in Siliziummikromechanik hergestellten Infrarot sensitiven Pixel, mit einer wärmeisolierenden Grube in einem Siliziumsubstrat, die durch einen Siliziumrand umgeben ist, sowie einer dünnen Membran, die mittels dünner Beams mit dem Siliziumrand verbunden ist, wobei sich die Grube durch das Siliziumsubstrat bis zur Membran erstreckt, wobei sich zwischen der Membran, den Beams und dem Siliziumrand Schlitze befinden. Durch die Erfindung ist es, einen hochempfindlichen Sensor in einem WLP mit einer einfachen CMOS-kompatiblen Prozesstechnik für einen Sensorwafer selbst und einem vakuumdichten Verschluss anzugeben, bei dem Gettermittel räumlich getrennt von den Filterschichten eines Deckelwafers aufgebracht werden kann. Erreicht wird das dadurch, dass eine Mehrzahl von Infrarot sensitiven Einzelpixeln (14) in Zeilen- oder Arrayform angeordnet und in einem CMOS-Stapel (10) auf einer dielektrischen Schicht (10'), die Membran (12) bildend, ausgebildet sind, zwischen mindestens einem kappenartig ausgebildeten, eine Kavität (20) aufweisenden Deckelwafer (1) und einem Bodenwafer (11) angeordnet sind, wobei der Deckelwafer (1), das Siliziumsubstrat (3) und der Bodenwafer (11) vakuumdicht, ein Gas-Vakuum einschließend, miteinander verbunden sind.
摘要翻译：
本发明涉及一种热型红外线传感器阵列中的WLP与至少一种在硅微机械红外线敏感像素。制造，具有W＆AUML;可以; rmeisolierenden坑在硅衬底，这是由一个硅边缘包围，并且一个d导航用途借助于梁与硅边缘连接的膜片，所述凹坑穿过硅基片延伸到膜片，在膜片，梁和硅片边缘之间具有狭缝。指定为r的传感器晶片本身和真空密封的密封件，其中所述吸气剂R熊;可应用于在空间上从通过本发明的盖晶片的滤光层分离是提供一种使用简单的CMOS兼容工艺用于导航应用是在一个WLP一个高度敏感的传感器。这是这样实现的多个红外线敏感的各个像素的（14），其布置在该行或阵列形状，并在电介质层上的CMOS-堆（10）（10“），所述膜（12）形成，之间形成至少一个帽状的设计，一个Kavit＆AUML;具有吨（20）盖晶片（1）和基底晶片（11）设置，其中，所述盖晶片（1），将硅基板（3）和所述基底晶片（11）真空密封的方式，气体真空包括互联。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式