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1. 发明申请

WO2011013092A1 METHOD OF FORMING A MOLECULAR MEMORY ELEMENT IN A VIA HOLE 审中-公开
标题翻译：在通孔中形成分子存储元件的方法
公开(公告)号：WO2011013092A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/IB2010/053459
申请日：2010-07-29
申请人： GLOBALFOUNDRIES INC. , KRONHOLZ, Stephan , LENSKI, Markus , RICHTER, Ralf
发明人： KRONHOLZ, Stephan , LENSKI, Markus , RICHTER, Ralf
IPC分类号： H01L27/28 , G11C13/02 , H01L51/05 , H01L51/00
CPC分类号： H01L27/281 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L51/0003 , H01L51/0591
摘要： Memory cells in integrated circuit devices may be formed on the basis of functional molecules (120) which may be positioned within via openings (111 ) on the basis of appropriate patterning techniques, which may also be used for forming semiconductor-based integrated circuits. Consequently, memory cells may be formed on a ''molecular" level without requiring extremely sophisticated patterning regimes, such as electron beam lithography and the like.
摘要翻译：可以基于功能分子（120）形成集成电路器件中的存储器单元，该功能分子可以基于合适的图案化技术而定位在通孔开口（111）内，其也可用于形成基于半导体的集成电路。因此，可以在“分子”级别上形成记忆单元，而不需要非常复杂的图案化方案，例如电子束光刻等。

2. 发明申请

WO2012055697A1 SCHICHTSTOFF MIT EINER FARBSCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN 审中-公开
标题翻译：随着彩色层和方法层压板生产同样
公开(公告)号：WO2012055697A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/EP2011/067668
申请日：2011-10-11
申请人： EVONIK RÖHM GMBH , PARUSEL, Markus , SCHERBLE, Jonas , NEUHÄUSER, Achim , RICHTER, Ralf , DICKHAUT, Günther
发明人： PARUSEL, Markus , SCHERBLE, Jonas , NEUHÄUSER, Achim , RICHTER, Ralf , DICKHAUT, Günther
IPC分类号： C08J7/00
CPC分类号： B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/40 , B32B2255/102 , B32B2255/26 , B32B2274/00 , B32B2307/4023 , B32B2307/554 , B32B2307/71 , B32B2307/712 , B32B2307/714 , B32B2307/75 , Y10T428/266 , Y10T428/31562
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Schichtstoff, umfassend mindestens ein thermoplastisches Substrat und mindestens eine Farbschicht, wobei das thermoplastische Substrat Polyamid umfasst, auf das mindestens eine Farbschicht mit einer Polyurethan-Vernetzung aufgebracht ist.
摘要翻译：本发明涉及包含至少一个热塑性基材和至少一个彩色层的层叠体，其中所述热塑性基体包括聚酰胺，聚氨基甲酸乙酯交联的至少一种油墨层施加。

3. 发明申请

WO2008133832A1 A TECHNIQUE FOR ENHANCING TRANSISTOR PERFORMANCE BY TRANSISTOR SPECIFIC CONTACT DESIGN 审中-公开
标题翻译：通过晶体管特殊接触设计提高晶体管性能的技术
公开(公告)号：WO2008133832A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/US2008/004958
申请日：2008-04-17
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC. , GERHARDT, Martin , RICHTER, Ralf , FEUDEL, Thomas , GRIEBENOW, Uwe
发明人： GERHARDT, Martin , RICHTER, Ralf , FEUDEL, Thomas , GRIEBENOW, Uwe
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L23/528
CPC分类号： H01L29/7842 , H01L21/823807 , H01L21/823871 , H01L23/485 , H01L29/41758 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： By locally adapting the size and/or density of a contact structure (230A, 230B), for instance, within individual transistors (210, 210A, 210B) or in a more global manner, the overall performance of advanced semiconductor devices (200) may be increased. Hence, the mutual interaction between the contact structure (230A, 230B) and local device characteristics may be taken into consideration. On the other hand, a high degree of compatibility with conventional process strategies may be maintained.
摘要翻译：通过局部地适应接触结构（230A，230B）的尺寸和/或密度，例如在各个晶体管（210,210A，210B）内或以更全球化的方式，先进半导体器件（200）的整体性能可以增加。因此，可以考虑接触结构（230A，230B）与局部器件特性之间的相互作用。另一方面，可以保持与常规工艺策略的高度兼容性。

4. 发明申请

WO2006072301A1 UNBEMANNTES UNTERWASSERFAHRZEUG 审中-公开
标题翻译：水下无人航行
公开(公告)号：WO2006072301A1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/EP2005/012908
申请日：2005-12-02
申请人： ATLAS ELEKTRONIK GMBH , BLOHM, Christian , LAMBERTUS, Detlef , JUNG, Oliver , RICHTER, Ralf
发明人： BLOHM, Christian , LAMBERTUS, Detlef , JUNG, Oliver , RICHTER, Ralf
IPC分类号： B63G8/26
CPC分类号： B63G8/26
摘要： Bei einem unbemannten Unterwasserfahrzeug mit einem außen vom Wasser umströmten Druckkörper (11), mit einem Antriebsaggregat und mit mindestens einem austauschbaren, als Ein- oder Anbaugerät ausgebildeten Ausrüstgerät sind zur Trimmung des mit wechselbaren Ein- und/oder Anbaugeräten ausrüstbaren Unterwasserfahrzeugs im umströmten Außenbereich und/oder in einem nicht umströmten, gefluteten Innenbereich des Druckkörpers Auftriebsmittel so angeordnet und dimensioniert, dass eine auf die Auftriebsmittel wirkende Auftriebskraft zu einer quasi horizontalen Ausrichtung des mit den Ein- und/oder Anbaugeräten ausgerüsteten Druckkörpers (11) führt. Bevorzugt sind dabei die Auftriebsmittel in eine am Druckkörper (11) ausgebildete, geflutete Heckkammer (14) eingesetzt und weisen einen Auftriebskörper (26) mit einer Dichte auf, die kleiner ist als die Dichte des Wassers.
摘要翻译：在具有无人水下车辆外部流入围绕由水压力体（11），具有驱动单元和至少一个可移动的，形成为单个或附着Ausrüstgerät是用于围绕外部流动修整可装备有可变的输入和/或附件水下航行器和/ 不流动周围，或在一个，淹没了压力船体浮力装置这样布置的内部和尺寸，即作用于浮力的力装置提升力到装备有输入和/或附件压力体（11）的一个准水平取向导致。形成在压力体（11）中的一个的浮力装置，淹没后室（14）在这里是优选的使用和具有漂浮体（26），其具有的密度小于水的密度。

5. 发明申请

WO2010062387A1 REDUCED TOPOGRAPHY-RELATED IRREGULARITIES DURING THE PATTERNING OF TWO DIFFERENT STRESS-INDUCING LAYERS IN THE CONTACT LEVEL OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：在半导体器件的接触层中形成两个不同的应力诱导层的方法中减少的与地形相关的不正常现象
公开(公告)号：WO2010062387A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/US2009/006279
申请日：2009-11-25
申请人： GLOBAL FOUNDRIES INC. , RICHTER, Ralf
发明人： RICHTER, Ralf
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7843
摘要： In sophisticated semiconductor devices (200), stress-inducing materials (230, 240) may be provided above the basic transistor devices (222) without any etch control or etch stop materials, thereby enabling an efficient de-escalation of the surface topography, in particular above field regions including closely spaced polysilicon lines (222). Furthermore, an additional stress-inducing material (235) may be provided on the basis of the superior surface topography, thereby providing a highly efficient strain-inducing mechanism in performance-driven transistor elements (222P, 222N).
摘要翻译：在复杂的半导体器件（200）中，可以在基本晶体管器件（222）上方提供应力诱导材料（230,240），而不需要任何蚀刻控制或蚀刻停止材料，从而能够有效地降低表面形貌特别是包括紧密间隔的多晶硅线（222）的场区域。此外，可以基于优异的表面形貌提供额外的应力诱导材料（235），从而在性能驱动的晶体管元件（222P，222N）中提供高效的应变诱导机构。

6. 发明申请

WO2009058248A3 STRESS TRANSFER BY SEQUENTIALLY PROVIDING A HIGHLY STRESSED ETCH STOP MATERIAL AND AN INTERLAYER DIELECTRIC IN A CONTACT LAYER STACK OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2009058248A3
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/US2008/012195
申请日：2008-10-28
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC. , HOHAGE, Joerg , FINKEN, Michael , RICHTER, Ralf
发明人： HOHAGE, Joerg , FINKEN, Michael , RICHTER, Ralf
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/8238
摘要： By forming two or more individual dielectric layers (230, 33OA, 233, 333, 234, 334) of high intrinsic stress levels with intermediate interlayer dielectric material (250A, 350A, 250B, 350B), the limitations of respective deposition techniques, such as plasma enhanced chemical vapor deposition, may be respected while nevertheless providing an increased amount of stressed material above a transistor element (220, 320A), even for highly scaled semiconductor devices (200, 300).

7. 发明申请

WO2006094881A1 KUNSTSTOFFFORMKÖRPER MIT DURCH LASER-INNENGRAVUR ERZEUGTEN ZWEI- ODER DREIDIMENSIONALEN BILDSTRUKTUREN 审中-公开
标题翻译：通过激光雕刻INSIDE塑料成型生产的两个或三维图像结构
公开(公告)号：WO2006094881A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：PCT/EP2006/060035
申请日：2006-02-16
申请人： DEGUSSA AG , SCHÜBEL, Klaus-Dieter , KREUTZ, Jürgen , WOLFF, Wilhelm , ITTMANN, Günther , HASSKERL, Thomas , HÄGER, Harald , RICHTER, Ralf , STUBER, Wolfgang
发明人： SCHÜBEL, Klaus-Dieter , KREUTZ, Jürgen , WOLFF, Wilhelm , ITTMANN, Günther , HASSKERL, Thomas , HÄGER, Harald , RICHTER, Ralf , STUBER, Wolfgang
IPC分类号： C08K3/22 , B41M5/26
CPC分类号： B41M5/26 , B41M5/24
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Kunststoffformkörper mit im Inneren durch Laser-Innengravur erzeugten zwei- oder dreidimensionalen Bildstrukturen. Die Kunststoffformkörper bestehen aus Kunststoffmaterialien, die einen Gehalt an nanoskaligen Metalloxiden mit Partikelgröße von 1 bis 500 nm aufweisen, wobei sowohl das Kunststoffmaterial als auch das enthaltene Metalloxid für das zur Erzeugung der Bildstrukturen verwendete Laserlicht transparent ist. Die Kunststoffmaterialien, aus denen die Formkörper hergestellt sind, enthaltenen insbesondere Metalloxide mit Partikelgröße von 5 bis 100 nm bei einem Gehalt von 0,0001 bis 0,1 Gew.-%. Typische Metalloxide sind nanoskaliges Indium-Zinnoxid oder Antimon-Zinnoxid.
摘要翻译：本发明涉及一种具有由激光内雕的二维或三维图像的结构内部产生的塑料模塑制品。塑料模塑体由具有纳米级的金属氧化物与颗粒尺寸的含量为1至500纳米，其中两个塑料材料和包含用于用于生产图像结构的激光在金属氧化物是透明的塑料材料制成。从该模制品是由包含在具有5至100nm的颗粒尺寸在0.0001含量特别是金属氧化物，以0.1重量％的塑料材料。典型的金属氧化物是纳米级的氧化铟锡或氧化锑锡。

8. 发明申请

WO2010022973A1 A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A CARBON BASED MATERIAL FOR THROUGH HOLE VIAS 审中-公开
标题翻译：包含通过孔VIAS的碳基材料的半导体器件
公开(公告)号：WO2010022973A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：PCT/EP2009/006262
申请日：2009-08-28
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES INC. , SEIDEL, Robert , FEUSTEL, Frank , RICHTER, Ralf
发明人： SEIDEL, Robert , FEUSTEL, Frank , RICHTER, Ralf
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/53276 , H01L23/481 , H01L2221/1094 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/16146 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： In a semiconductor device a through hole via extending through the substrate of the device may be formed on the basis of a carbon-containing material, thereby providing excellent compatibility with high temperature processes, while also providing superior electrical performance compared to doped semiconductor materials and the like. Thus, in some illustrative embodiments, the through hole vias may be formed prior to any process steps used for forming critical circuit elements, thereby substantially avoiding any interference of the through hole via structure with a device level of the corresponding semiconductor device. Consequently, highly efficient three-dimensional integration schemes may be realized.
摘要翻译：在半导体器件中，可以基于含碳材料形成延伸穿过器件的衬底的通孔通孔，从而与高温工艺相提供优异的兼容性，同时与掺杂的半导体材料相比，还提供优异的电性能喜欢。因此，在一些说明性实施例中，通孔过孔可以在用于形成关键电路元件的任何工艺步骤之前形成，从而基本上避免了通孔通孔结构与对应的半导体器件的器件级别的任何干扰。因此，可以实现高效率的三维集成方案。

9. 发明申请

WO2008150410A1 ENHANCED TRANSISTOR PERFORMANCE OF N-CHANNEL TRANSISTORS BY USING AN ADDITIONAL LAYER ABOVE A DUAL STRESS LINER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：通过在半导体器件中使用双应力衬垫上的附加层来增强N沟道晶体管的晶体管性能
公开(公告)号：WO2008150410A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/US2008/006751
申请日：2008-05-28
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC. , RICHTER, Ralf , WEI, Andy , BOSCHKE, Roman
发明人： RICHTER, Ralf , WEI, Andy , BOSCHKE, Roman
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L29/7843
摘要： By forming an additional dielectric material (260), such as silicon nitride, after patterning dielectric liners (230, 240) of different intrinsic stress, a significant increase of performance of N-channel transistors (220A) may be obtained while substantially not contributing to a performance loss of the P-channel transistor (220B).
摘要翻译：在形成不同固有应力的介电衬垫（230,240）的图案之后，通过形成诸如氮化硅的附加电介质材料（260），可以获得N沟道晶体管（220A）的性能的显着增加， P沟道晶体管（220B）的性能损失。

10. 发明申请

WO2007064471A1 A TECHNIQUE FOR INCREASING ADHESION OF METALLIZATION LAYERS BY PROVIDING DUMMY VIAS 审中-公开
标题翻译：通过提供DUMMY VIAS来增加金属化层粘合的技术
公开(公告)号：WO2007064471A1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：PCT/US2006/044291
申请日：2006-11-15
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES, INC. , RICHTER, Ralf , SCHALLER, Matthias , CLAUS, Ellen , LANGER, Eckhard
发明人： RICHTER, Ralf , SCHALLER, Matthias , CLAUS, Ellen , LANGER, Eckhard
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/7684 , H01L21/76808 , H01L21/76816 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： By providing dummy vias (213B, 313B) below electrically non-functional metal regions (212B, 312B), the risk for metal delamination in subsequent processes may be significantly reduced. Moreover, in some embodiments, the mechanical strength of the resulting metallization layers (330) may be even more enhanced by providing dummy metal regions (303B), which may act as anchors for an overlying non-functional metal region (312B). In addition, dummy vias (213B, 313B) may also be provided in combination with electrically functional metal lines (212A, 212C, 212D, 312A) and regions (220A, 320A), thereby also enhancing the mechanical stability and the electrical performance thereof.
摘要翻译：通过在电气非功能金属区域（212B，312B）下面设置虚拟通孔（213B，313B），可以显着降低随后工艺中金属分层的风险。而且，在一些实施例中，通过提供虚拟金属区域（303B）可以使得所得到的金属化层（330）的机械强度甚至更大的增强，所述虚拟金属区域可用作覆盖的非功能性金属区域（312B）的锚点。此外，还可以与电功能金属线（212A，212C，212D，312A）和区域（220A，320A）组合提供虚拟通孔（213B，313B），从而也增强其机械稳定性及其电性能。

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