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1. 发明申请

WO2011042324A2 VERFAHREN UND ANLAGE ZUR HERSTELLUNG METALLISIERTER HALBLEITERSUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：方法和系统用于生产金属化的半导体衬底
公开(公告)号：WO2011042324A2
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：PCT/EP2010/064237
申请日：2010-09-27
申请人： GEBR. SCHMID GMBH & CO. , SCHMID, Christian , KAPPLER, Heinz , HABERMANN, Dirk
发明人： SCHMID, Christian , KAPPLER, Heinz , HABERMANN, Dirk
IPC分类号： C25D7/12
CPC分类号： C25D7/12 , C25D17/001 , C25D21/08 , C25D21/18 , C25D21/20 , H01L21/67173 , H01L21/6723 , H01L21/6776
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung metallisierter Halbleitersubstrate, bei dem ein Substrat in ein Beschichtungsbad eingetaucht und dort vorzugsweise lichtinduziert oder lichtunterstützt beschichtet wird. Anschließend erfolgt eine Überführung des beschichteten Substrats in eine Spüleinrichtung zur Entfernung von Metallrückständen aus dem Elektrolyten. In dieser wird das Substrat einer Kaskadenspülung unterzogen. Dabei anfallendes metallhaltiges Spülmedium wird zumindest teilweise wieder in das Beschichtungsbad eingespeist. Des weiteren wird eine Anlage zur Durchführung eines solchen Verfahrens beschrieben.
摘要翻译：本发明公开了用于制造金属化的半导体衬底，其中在衬底浸渍在镀浴和，优选地，光诱导在其中或涂覆光辅助的方法。随后，在冲洗装置的转印涂布的基材发生用于从电解液中除去金属残留物。在此，一个级联漂洗衬底经受。在这种情况下，积累含金属的冲洗介质是至少部分地反馈到镀浴中。此外，描述了一种系统，用于执行这样的方法。

2. 发明申请

WO2009077201A2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG VON SILIZIUM-WAFERN 审中-公开
标题翻译：方法和一种用于治疗硅片
公开(公告)号：WO2009077201A2
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/EP2008/010894
申请日：2008-12-18
申请人： GEBR. SCHMID GMBH & CO. , KAPPLER, Heinz
发明人： KAPPLER, Heinz
IPC分类号： H01L21/00 , B05C1/02 , B05C1/08
CPC分类号： H01L21/6708 , B05C1/025 , B05C1/0813 , H01L21/67086 , H01L21/6715
摘要： Silizium-Wafer (22) werden zur Behandlung in einem ersten Verfahrensschritt liegend entlang einer horizontalen Transportbahn (12, 32) transportiert und von oben mit Ätzlösung (21) zum Texturieren besprüht mittels Düsen (20) odgl.. Von unterhalb der Silizium-Wafer (22) erfolgt hier nur ein geringes Aufbringen von Ätzlösung (21). In einem zweiten Verfahrensschritt werden die Silizium-Wafer (22) mit gleicher Ausrichtung wie im ersten Verfahrensschritt von unten mit Ätzlösung (35) zum Polierätzen benetzt, und zwar ausschließlich von unten.
摘要翻译：硅晶片（22）用于治疗在第一工艺步骤中，沿水平输送路径躺在（12，32）传送，并从上方与蚀刻液（21）由喷嘴（20）或类似装置喷雾纹理化。从硅晶片的正下方（ 22）仅发生的蚀刻液（21）的小型应用程序。在第二方法步骤中，将硅晶片（22）以相同的定向润湿如从下面的第一工艺步骤与抛光蚀刻液（35），只从下方。

3. 发明申请

WO2007073887A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：装置和方法用于基材的表面处理
公开(公告)号：WO2007073887A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/EP2006/012117
申请日：2006-12-15
申请人： GEBR. SCHMID GMBH + CO. , KAPPLER, Heinz
发明人： KAPPLER, Heinz
IPC分类号： H01L21/00 , B05C1/08
CPC分类号： H01L21/67706 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/67075 , H01L21/6708 , H01L21/67721 , H01L21/6776
摘要： Eine Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Silizium-Wafern weist Transportwalzen zum Transport des Silizium-Wafers auf und zumindest eine Fördereinrichtung, die für eine Benetzung einer Oberfläche des Silizium-Wafers mit einem flüssigen Prozessmedium in einer von den Transportwalzen bestimmten Transportebene vorgesehen ist, wobei die Fördereinrichtung für eine Aufbringung des Prozessmediums auf eine in der Transportebene angeordnete, nach unten gewandte Oberfläche des Silizium-Wafers ausgebildet ist. Es sind mehrere Absaugrohre zur Absaugung von gasförmig und/oder nebelartig verteiltem Prozessmedium aus der Umgebung der Fördereinrichtung vorgesehen, wobei die Absaugrohre in vertikaler Richtung unterhalb der Transportebene angeordnet sind.
摘要翻译：一种用于硅晶片的表面处理装置已经输送辊用于输送所述硅晶片，和至少一个输送器，其被提供用于润湿硅晶片的表面与在由输送辊输送面，输送机用于确定的方式的液体处理介质在输送面设置在处理介质的一个应用程序时，由面对的硅晶片的底表面上形成。多个吸入管的气体和/或从输送机的附近提供雾状的分布式处理介质的吸入，其特征在于，所述吸入管布置在输送平面下方沿竖直方向。

4. 发明申请

WO2007073886A1 VORRICHTUNG, ANLAGE UND VERFAHREN ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：设备，系统和方法适用底材的表面处理
公开(公告)号：WO2007073886A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/EP2006/012116
申请日：2006-12-15
申请人： GEBR. SCHMID GMBH + CO. , KAPPLER, Heinz
发明人： KAPPLER, Heinz
IPC分类号： B05C1/02 , B05C1/08 , B05C1/10 , H05K3/00 , B05C1/16 , B05C13/02
CPC分类号： B05C1/025 , B05C1/027 , B05C1/0808 , B05C1/0813 , B05C1/10 , B05C1/165 , B05C13/02 , H01L21/6715 , H01L21/67706 , H01L21/6776 , H05K3/0085 , H05K2203/0143 , H05K2203/1509
摘要： Eine Vorrichtung (1, 1') zur Oberflächenbehandlung von Silizium-Wafern (2) weist Transportwalzen (3) zum Transport der Silizium-Wafer (2) in einer von den Transportwalzen (3) bestimmten Transportebene (5) und zumindest eine Fördereinrichtung (3a) auf, die für eine Benetzung des Silizium-Wafers (2) mit einem flüssigen Prozessmedium (10) ausgebildet ist. Die Fördereinrichtung (3a) ist derart unterhalb der Transportebene (5) angeordnet, dass sie die Transportebene berührt zur Benetzung der nach unten gerichteten Substratoberfläche mit Prozessmedium (10) in direktem Kontakt zwischen Fördereinrichtung und Substratoberfläche.
摘要翻译：一种用于硅晶片（2）的表面处理装置（1,1“）具有输送辊（3）（3）中给定的传送平面（5）和至少一个传送装置（3a中的输送辊的一个输送硅晶片（2）），其被构造成用于在硅晶片（2）用液体处理介质（10）的润湿。输送机（3A）设置在输送平面（5），使其触及用于与在传送带和衬底表面之间的直接接触处理介质（10）湿润的向下指向衬底表面的输送平面的下方。

5. 发明申请

WO2005044515A1 SCHLEIFWALZE MIT BEZUG 审中-公开
标题翻译：磨辊相对于
公开(公告)号：WO2005044515A1
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：PCT/EP2004/012635
申请日：2004-11-09
申请人： GEBR. SCHMID GMBH & CO. , KAPPLER, Heinz
发明人： KAPPLER, Heinz
IPC分类号： B24D9/04
CPC分类号： B24D9/04
摘要： Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung kann eine Schleifwalze (11) geschaffen werden, welche einen Aussenteil (18) auf einer rohrartigen Hülle (19) mit Schleifbezug (20) aufweist, welcher auf einem Innenrohr (13) sitzt. Mittig ist eine Anordnung (22) aus konusförmigen Teilen (27, 29, 34) vorgesehen. Ein Doppelkonus-Ring (27) wird von beiden Seiten von komplementär konusartig ausgebildeten Teilen (29, 34) so eingespannt, dass er sich an der Konusschräge radial nach aussen drückt bzw. aufweitet und so den Aussenteil (18) von dem Innenrohr (13) um ein gewünschtes Mass nach außen auseinander drückt bzw. unterstützt.
摘要翻译：在本发明的一个实施例中，可以提供一个研磨辊（11），其具有上的管状套筒（19）与滑动盖（20）的外部部分（18）安装在内管（13）就位。中央圆锥状部件（27,29，34）的装置（22）被提供。双锥形环（27）是在两侧上通过互补圆锥形部分（29，34）夹紧在使得它压在锥形斜面径向向外与内管的膨胀和因此所述外部分（18）（13）到所希望的程度向外推开或支撑。

6. 发明申请

WO2009077199A3 VERFAHREN UND ANLAGE ZUM BEARBEITEN BZW. REINIGEN VON Si-BLÖCKEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2009077199A3
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/EP2008/010871
申请日：2008-12-19
申请人： GEBR. SCHMID GMBH & CO. , KAPPLER, Heinz
发明人： KAPPLER, Heinz
IPC分类号： C01B33/02 , C01B33/037
摘要： Zur Bearbeitung bzw. zur Reinigung von Si-Blöcken (17) zur Herstellung von Wafern für Solarzellen werden die Si-Blöcke (17) auf einer durchgehenden, horizontalen Transportbahn (14) transportiert durch verschiedene Behandlungsmodule (16, 30, 37, 45, 55). In einem ersten Schritt bzw. einem Reinigungsmodul (16) erfolgt ein alkalisches Reinigen und ein Spülen der Si-Blöcke. Danach erfolgt in einem zweiten Schritt bzw. einem Polierätzmodul (30) ein Polierätzen, wobei beim Polierätzen eine Ätzlösung von allen vier Seiten an die Si-Blöcke gebracht wird. Nach dem Polierätzen erfolgt ein Spülen in einem Spülmodul (37).

7. 发明申请

WO2007082772A2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM AUFBEREITEN BZW. BEARBEITEN VON SILIZIUMMATERIAL 审中-公开
标题翻译：制备或BZW的方法和装置。编辑硅材料
公开(公告)号：WO2007082772A2
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/EP2007/000523
申请日：2007-01-23
申请人： GEBR. SCHMID GMBH + CO. , KAPPLER, Heinz
发明人： KAPPLER, Heinz
CPC分类号： C01B33/00 , C01B33/02 , C01B33/021
摘要： Ein Verfahren zum Aufbereiten bzw. Bearbeiten von Siliziummaterial (3) zur Durchführung eines Reinigungsprozesses weist folgende Schritte auf: Benetzen von Siliziummaterial (3), das in einer ersten räumlichen Orientierung ausgerichtet ist, mit einem ersten, flüssigen Prozessmedium (7), automatisierte Änderung der Orientierung des Siliziummaterials (3) mittels einer Wendeeinrichtung, Benetzen des Siliziummaterials (3) in der geänderten Orientierung mit dem ersten, flüssigen Prozessmedium (7). Dazu gehört eine entsprechende Reinigungs-Vorrichtung (1).
摘要翻译：一种用于处理用于执行清洁处理的硅材料（3）的方法，包括以下步骤：润湿定向成第一圆周方向的硅材料（3）第一，FL导航用途拉尔处理介质（7），自动化BEAR由转动装置的方式改变硅材料（3）的方向，在GE＆AUML硅材料（3）的润湿; nderten取向与所述第一，FL导航用途拉尔处理介质（7）。这包括一个相应的清洁设备（1）。

8. 发明申请

WO2004057938A1 VORRICHTUNG ZUM TRANSPORT VON FLEXIBLEM FLACHMATERIAL, INSBESONDERE LEITERPLATTEN 审中-公开
标题翻译：设备运输柔性扁平材料特别是印刷电路板
公开(公告)号：WO2004057938A1
公开(公告)日：2004-07-08
申请号：PCT/EP2002/014704
申请日：2002-12-21
申请人： GEBR. SCHMID GMBH & CO. , KAPPLER, Heinz
发明人： KAPPLER, Heinz
IPC分类号： H05K13/00
CPC分类号： H05K13/0061
摘要： In Behandlungseinrichtungen (11) für Leiterplatten (12) wird ein Transportsystem vorgeschlagen, das die Leiterplatten (12) zwischen Rollenpaaren (20, 21) führt. Die Rollenpaare sind in Rollenbahnen (17, 18) angeordnet, die parallel zum Rand der Leiterplatte (12) in einem eng begrenzten Randbereich (16) laufen. Die Rollen sind mit ihren Achsen (22) und Wellen (23) unter einem Winkel (a) gegenüber der Transportrichtung (14) bzw. der Senkrechten (35) dazu angeordnet, so dass sie eine in Querrichtung wirkende Zugspannung auf die Leiterplatten ausüben und diese dadurch versteifen. Dadurch ist ein im Nutzbereich (15) der Leiterplatte (12) berührungsloser Transport durch die Behandlungseinrichtungen, wie Galvanisieren, Ätzen, Reinigen etc. möglich.
摘要翻译：在治疗用于印刷电路板（12）的装置（11）设置承载对辊子（20,21）之间的印刷电路板（12）的输送系统。的辊对是在滚轮轨道（17，18）被布置，其在狭窄的边缘区域（16）到所述电路板（12）的边缘平行地延伸。这些滚子以一定的角度装配有它们的轴线（22）和轴（23）的（a）相对于所述传送方向（14）和垂直（35）布置成以便施加拉伸应力的在电路板上的横向方向作用的力，并且这些表征变硬。其结果是，一个在印刷电路板（12）的非接触输送的通过处理装置，例如电镀，蚀刻，清洁等有效负载（15）是可能的。

9. 发明申请

WO2011003880A3 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG VON SUBSTRATEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2011003880A3
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：PCT/EP2010/059589
申请日：2010-07-05
申请人： GEBR. SCHMID GMBH & Co. , KAPPLER, Heinz , LAMPPRECHT, Jörg
发明人： KAPPLER, Heinz , LAMPPRECHT, Jörg
IPC分类号： G03F7/42 , G03F7/30 , H01L21/00 , H01L31/18
摘要： Bei einem Verfahren und einer Vorrichtung zur Behandlung von Substraten werden Resist-Schichten von den Substraten entfernt durch Besprühen mit Prozesslösung. Die Substrate werden zuerst in einem Haupt- Strippmodul und dann in einem Nach-Strippmodul mit der Prozesslösung besprüht, die sich in Behältern unter den Modulen sammelt. Pro Modul sind Behälter vorgesehen. Die Prozesslösung wird in dem Haupt-Strippmodul in zwei Behältern gesammelt und dabei zuerst in einen zweiten Behälter direkt eingeleitet, der von dem ersten Behälter weitgehend abgetrennt ist durch eine Wand, die flüssigkeitsdurchlässig ist in einem Bereich deutlich unterhalb des Oberflächenniveaus der Prozesslösung. Aus dem ersten Behälter wird Prozesslösung ohne Schaum entnommen und erneut in den Verfahrenskreislauf zurückgeführt zum Benetzen der Substrate.

10. 发明申请

WO2007014778A2 EINRICHTUNG ZUR BEHANDLUNG VON SUBSTRATEN, INSBESONDERE ZUR GALVANISIERUNG VON SUBSTRATEN 审中-公开
标题翻译：设备处理基材，尤其是对电镀SUBSTRATES
公开(公告)号：WO2007014778A2
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：PCT/EP2006/007676
申请日：2006-08-03
申请人： GEBR. SCHMID GMBH & CO. , KAPPLER, Heinz
发明人： KAPPLER, Heinz
IPC分类号： C25D17/06
CPC分类号： C25D7/0621 , C25D17/005 , C25D17/06 , H01L31/022425 , H05K3/0085 , Y02E10/50
摘要： Eine Kontaktiereinrichtung für eine Galvanisiereinrichtung (11) weist Kontaktierrollen (20) auf mit einer durchgehenden starren Außenseite (26, 27), die mit einem Hülsenabschnitt (22) verbunden ist. Der Hülsenabschnitt (22) weist eine Innenöffnung (23) auf, die weiter ist als eine drehende Welle (30), auf der die Kontaktierrolle (20) sitzt. So ist eine Bewegbarkeit der Kontaktierrolle (20) in radialer Richtung gegeben, wobei über Federn (32) eine elektrische Kontaktierung sowie Lagesicherung für eine Grund-Position erreicht ist. Durch die Bewegbarkeit wird eine gute Kontaktierung durch Anlage an Substrate (16) gewährleistet, auch wenn diese Unebenheiten aufweisen, wobei die Andruckkraft relativ klein sein kann.
摘要翻译：对于电镀装置（11）一种接触装置具有Kontaktierrollen（20），其被连接到一个套筒部分（22）连续的刚性外侧（26，27）。套筒部（22）具有一个内部开口（23），其比在其上Kontaktierrolle（20）位于旋转轴（30）更宽。例如，Kontaktierrolle（20）的移动性在径向方向上给定，由弹簧（32）的装置，一个电接触，并且到达固定位置为基本位置。由于通过与所述基板（16）接触的良好接触的移动性得到保证，即使具有这些凸块，其中，所述压紧力可以相对较小。

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