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1. 发明申请

WO2017125356A1 CAPTEUR D'IMAGE MULTILINEAIRE A TRANSFERT DE CHARGES A REGLAGE DE TEMPS D'INTEGRATION 审中-公开
标题翻译：具有积分时间调整的负载传输的多线图像传感器
公开(公告)号：WO2017125356A1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：PCT/EP2017/050815
申请日：2017-01-16
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： BARBIER, Frédéric , MAYER, Frédéric , FEREYRE, Pierre
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/372
CPC分类号： H01L27/14856 , H01L27/14812 , H01L27/14818 , H04N5/353 , H04N5/37206
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image TDI à transfert de charges pour l'observation d'une même ligne d'image successivement par plusieurs lignes de pixels avec une sommation des charges électriques générées par un point d'image pendant une durée de ligne (T L ) dans les pixels de même rang des différentes lignes. Selon l'invention, les pixels sont subdivisés, dans le sens du défilement, en au moins deux parties adjacentes (SUBa ij, SUB bij ), chaque partie comportant au moins une zone de stockage de charges indépendante des zones de stockage de l'autre partie mais permettant un transfert de charges de la première partie vers la deuxième, l'une des parties (SUBa ij ) étant masquée contre la lumière, et l'autre partie (SUBb ij ) n'étant pas masquée. La partie non masquée comporte une structure d'évacuation de charges qui est actionnée à un moment variable définissant un début d'intégration effective indépendant du début d'une période d'observation de la ligne d'image. On peut ainsi définir un temps d'exposition à la lumière T INT qui ne dépend pas de la vitesse de défilement relatif du capteur et de l'image, contrairement aux capteurs TDI à transfert de charge habituels où la durée d'exposition est égale à la période de ligne T L (liée à la vitesse de défilement).
摘要翻译：本发明涉及图像传感器TDI＆lt; 用于在一段时间内用一个像点产生的电荷的总和连续观察同一图像线的电荷转移。行（T ）以不同行的相同等级的像素为单位。根据本发明，像素在偏离方向上被细分为至少两个相邻部分（SUBa ij，SUB bij），每个部分具有至少一个独立于另一方的存储区域的电荷存储区域，但允许从第一方向第二方（一方（SUBa _{ij ）被屏蔽，而另一部分（SUBb _{ij ）没有被屏蔽。未掩蔽部分具有被驱动的电荷排出结构; 在图像线的观察期开始期间定义有效积分开始的可变矩。因此可以确定暴露时间。不依赖于传感器和图像的相对速度的光T INT不同于TDI传感器＆gt; 通常的电荷转移和ugrave; 暴露的持续时间是相等的; 行周期T _{L （以起始速度说谎）。}}}

2. 发明申请

WO2016016103A1 PROCEDE DE CAPTURE D'IMAGE, A DEFILEMENT ET INTEGRATION DE SIGNAL, CORRIGEANT DES DEFAUTS D'IMAGE DUS A DES PARTICULES COSMIQUES 审中-公开
标题翻译：图像捕获方法，信号滚动和整合，校正由COSMIC颗粒引起的图像缺陷
公开(公告)号：WO2016016103A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/EP2015/066929
申请日：2015-07-23
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： FEREYRE, Pierre , MOENNE-LOCCOZ, Philippe
IPC分类号： H04N5/335 , H04N5/372 , H04N5/374 , H04N5/217
CPC分类号： H04N5/3743 , H04N5/217
摘要： Pour éliminer des défauts d'image produits par des particules à haute énergie traversant un capteur d'image, à défilement et intégration de signal on effectue une détection en amont, sur les valeurs numériques fournies par les pixels de même rang ayant successivement observés un même point de scène. Cette détection permet d'ignorer ou corriger les valeurs issues de pixels corrompus dans l'établissement du signal numérique représentant la luminance d'un point de scène observé. La détection repose sur le calcul de la différence entre une première valeur numérique P i,a (t 1 ) et une deuxième valeur numérique P i,b (t 2 ) fournies par deux pixels Ρχ i,a et Px i,b ayant observé le même point de scène, en soustrayant la deuxième valeur à la première, et de la comparer à un seuil prédéterminé k. Si cette différence est au-dessus du seuil, la première valeur est trop élevée, on ignore la première valeur dans la sommation∑' i effectuée pour établir la luminance du point de scène, en remplaçant cette valeur par la deuxième valeur à laquelle elle a été comparée. Dans une variante on la remplace par une valeur moyenne; ou on l'exclue du calcul.
摘要翻译：为了消除通过图像传感器的高能粒子产生的图像缺陷，通过信号滚动和积分，该方法涉及上一次检测由连续观察到相同场景点的同一行的像素提供的数字值。所述检测使得可以在表示所观察到的场景点的亮度的数字信号的建立中忽略或校正来自损坏的像素的值。检测是基于计算由观察到相同场景点的两个像素Ρχi，a和Pxi，b提供的第一数字值Pi，a（t1）和第二数字值Pi，b（t2）之间的差，第二值，并将其与预定义的阈值k进行比较。如果所述差大于阈值，则第一值太高，并且为了建立场景点的亮度，在所执行的求和Σ'i中忽略第一值，所述值被替换为第二值，已经比较了。在一个替代方案中，第一个值被替换为平均值; 或被排除在计算之外。

3. 发明申请

WO2016107735A1 CAPTEUR D'IMAGE A PIXELS ACTIFS EN TECHNOLOGIE CMOS A MULTIPLICATION D'ELECTRONS 审中-公开
标题翻译：基于CMOS技术的主动像素图像传感器与电子通讯
公开(公告)号：WO2016107735A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：PCT/EP2015/079833
申请日：2015-12-15
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： FEREYRE, Pierre , MAYER, Frédéric
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14612 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14616 , H01L31/022408 , H04N5/351 , H04N5/3745
摘要： Dans un capteur d'image à pixels actifs en technologie CMOS formé dans un substrat d'un premier type de conductivité P, chaque pixel comprend un élément photosensible PHD produisant des charges sous l'effet de la lumière et une structure de multiplication de charges EM. La structure de multiplication comprend au moins une grille isolée de multiplication G1, G2 adjacente à une diode auto-polarisée D1 à un potentiel interne fixe V bi , et la grille isolée est adaptée à recevoir une série d'alternances de potentiels, créant alternativement sous la grille isolée, un puits de recueil des charges et une barrière, relativement au niveau de potentiel interne de la diode D1. La grille isolée et la région semi-conductrice sous la grille isolée sont configurées de manière que le puits de recueil de charges créé sous la grille comporte deux parties, une première partie a, adjacente à la diode auto-polarisée, à un niveau de potentiel plus éloigné du niveau de potentiel interne de photodiode que celui d'une deuxième partie b, cette deuxième partie étant ou non adjacente à la diode auto-polarisée.
摘要翻译：本发明涉及一种基于CMOS技术的有源像素图像传感器，其形成在具有第一类型的电导率P的衬底中，其中每个像素包括在光的作用下产生电荷的光敏元件PHD和电荷倍增结构EM。乘法结构包括至少一个与具有固定内部电位Vbi的自极化二极管D1相邻的绝缘倍增栅极G1，G2，并且绝缘栅极适于接收一系列的电位交替，在绝缘栅极下交替地产生，用于接收电荷和相对于二极管D1的内部电位电平的屏障的阱。绝缘栅极和绝缘栅极下方的半导体区域被配置为使得用于接收在栅极下方产生的电荷的阱包括两个部分：与自极化二极管相邻的第一部分a具有远离内部电位高于第二部分b的电位，所述第二部分任选地邻近于自极化二极管。

4. 发明申请

WO2015055501A1 CAPTEUR D'IMAGE A MULTIPLICATION D'ELECTRONS ET A LECTURE REGROUPEE DE PIXELS 审中-公开
标题翻译：电子传输图像传感器和像素读取安装在一个集团
公开(公告)号：WO2015055501A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/EP2014/071655
申请日：2014-10-09
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： FEREYRE, Pierre , MAYER, Frédéric
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/355 , H04N5/347 , H01L27/146
CPC分类号： H04N5/378 , H01L27/14609 , H01L27/14638 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/347 , H04N5/355 , H04N5/3745 , H04N5/37457
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image permettant d'acquérir des images électroniques à très bas niveau de lumière. Le capteur d'image des pixels pouvant être lus individuellement ou par regroupement des charges de quatre pixels adjacents pour plus de sensibilité. Deux photodiodes d'une même colonne (PH21, PH22) peuvent transférer leurs charges dans une même grille de multiplication (GM1 ), les deux pixels de la colonne adjacente transférant leurs charges dans une deuxième grille de multiplication (GM2). Une phase de multiplication peut être effectuée par une alternance de potentiels en opposition de phase appliquée aux grilles de multiplication. Des structures de lecture associées chacune à une des grilles de multiplication permettent de lire les charges de chacune des quatre photodiodes ou les charges réunies des quatre photodiodes.
摘要翻译：本发明涉及能够以非常低的光级获取电子图像的图像传感器。图像传感器可以单独读取像素或通过将组中四个相邻像素的电荷排列以提高灵敏度。相同列（PH21，PH22）的两个光电二极管可以以相同的乘法网格（GM1）传送其电荷，相邻列的两个像素以第二乘法网格（GM2）传送其电荷。乘法相位可以通过相反相位的电位的交替进行，应用于乘法网格。与每个乘法网格中的一个相关联的读取结构使得四个光电二极管中的每一个的电荷或四个光电二极管的组合电荷被读取。

5. 发明申请

WO2016102267A1 CAPTEUR D'IMAGE EN COULEURS AVEC PIXELS BLANCS ET PIXELS COLORES 审中-公开
标题翻译：具有白色像素和彩色像素的彩色图像传感器
公开(公告)号：WO2016102267A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/EP2015/080004
申请日：2015-12-16
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： FEREYRE, Pierre , MAYER, Frédéric , DOUINE, Pascal , LIGOZAT, Thierry , PREVOST, Vincent , DIASPARRA, Bruno
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/3227
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image en couleurs. Pour bénéficier à la fois d'une bonne résolution en luminance et d'une colorimétrie qui ne soit pas trop dégradée par la sensibilité du silicium aux rayonnements en proche infrarouge, l'invention propose de réaliser une mosaïque de pixels comprenant des pixels colorés (R), (G), (B), revêtus de filtres de couleur, répartis dans la matrice, avec des pixels blancs (T) non revêtus de filtres colorés et répartis dans la matrice. Les pixels colorés comportent des photodiodes constituées différemment des photodiodes des pixels blancs, la constitution différente étant telle que les photodiodes des pixels colorés aient une sensibilité plus faible aux rayonnements infrarouge que les photodiodes des pixels blancs.
摘要翻译：本发明涉及彩色图像传感器。为了从良好的亮度分辨率和不会被硅对近红外辐射的敏感性而过度劣化的比色测量，本发明提出了生成包括彩色像素（R），（G），（B），涂覆的与彩色滤光片分布在矩阵中，白色像素（T）未涂覆滤色片并分布在矩阵中。彩色像素包括与白色像素的光电二极管不同的光电二极管，不同的结构使得彩色像素的光电二极管比白色像素的光电二极管具有较低的红外辐射敏感性。

6. 发明申请

WO2013045191A1 CAPTEUR D'IMAGE A MULTIPLICATION D'ELECTRONS PAR GRILLES VERTICALES 审中-公开
标题翻译：图像传感器通过垂直门实现电子倍增
公开(公告)号：WO2013045191A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/066705
申请日：2012-08-28
申请人： E2V SEMICONDUCTORS , FEREYRE, Pierre , MAYER, Frédéric , LIGOZAT, Thierry
发明人： FEREYRE, Pierre , MAYER, Frédéric , LIGOZAT, Thierry
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14614 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14638 , H01L27/14643
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image, et plus particulièrement ceux qui sont destinés à recueillir des images à bas niveau de luminance. On propose un capteur d'image à pixels actifs, chaque pixel comprenant, à la surface d'une couche active semiconductrice (12), une région de photodiode (PHD) adjacente à une grille de transfert (TR) elle-même adjacente à une région de stockage de charges (18), la grille de transfert autorisant, lorsqu'elle reçoit une impulsion de transfert, le transfert de charges de la région de photodiode vers la région de stockage. La photodiode est adjacente à deux grilles de multiplication (GA, GB) s'étendant verticalement en profondeur dans la couche active entre deux pixels adjacents. Les grilles de multiplication sont isolées de la photodiode par une couche plane verticale isolante (22). Elles reçoivent, pendant une phase d'intégration précédant l'impulsion de transfert, une série d'alternances de potentiels haut et bas, en opposition de phase, induisant des champs électriques opposés, alternativement dans un sens et dans l'autre, entre les grilles et la photodiode.
摘要翻译：本发明涉及图像传感器，更具体地涉及旨在在低光照水平下检测图像的传感器。提供有源像素图像传感器，每个像素在有源半导体层（12）的表面上包括与电荷存储区域（18）相邻的与传输门（TR）本身相邻的光电二极管区域（PHD）当传输门接收到转移脉冲时，允许电荷从光电二极管区域转移到存储区域。光电二极管与两个相邻像素之间的有源层的深度方向垂直延伸的两个乘法门（GA，GB）相邻。乘法栅极通过平面垂直绝缘层（22）与光电二极管隔离。它们在传输脉冲之前的积分阶段期间接收一系列相位相反的高和低电位交替，在栅极和光电二极管之间的一个方向上，然后另一个方向上交替地诱发相对的电场。

7. 发明申请

WO2008034838A2 CAPTEUR D'IMAGE EN COULEUR A DIAPHOTIE AMÉLIORÉE 审中-公开
标题翻译：在色彩串扰图像传感器的改进
公开(公告)号：WO2008034838A2
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：PCT/EP2007/059879
申请日：2007-09-19
申请人： E2V SEMICONDUCTORS , FEREYRE, Pierre
发明人： FEREYRE, Pierre
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1464
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image réalisés sur un substrat de silicium aminci. Pour limiter la diaphotie optique entre filtres adjacents et notamment filtres de couleurs différentes, on propose de disposer entre les filtres adjacents de couleurs différentes (FR, FB, FV) un mur (20) d'un matériau tendant à réfléchir la lumière de manière que la lumière arrivant de manière oblique sur un filtre déterminé correspondant à un premier pixel ne tende pas à passer vers un filtre adjacent ou vers une zone photosensible correspondant à un pixel adjacent mais soit renvoyée par le mur vers le premier filtre ou la zone photosensible correspondant au premier pixel. Le mur est de préférence en matériau à fort coefficient de réflexion tel que de l'aluminium et il s'enfonce en profondeur dans la couche semiconductrice amincie (16), de préférence dans des diffusions P+ formées dans la couche si elle est de type P.
摘要翻译：
本发明涉及于ré图像传感器; ALIS（E S）减薄硅衬底上。以减少串扰相邻的滤波器包括滤色器的diff＆eacute之间的光;年金，所以建议DIFF相邻的滤波器＆eacute颜色年金（FR，FB，FV）的垫E的壁（20）趋向廖＆agrave之间提供 ; řéFLéCHIR光＆egrave;重马尼＆egrave;再使光＆egrave;再从歧＆egrave到达;再上的DE滤波器倾斜; TERMINDé 相应的＆agrave; 第一像素不趋于＆agrave; 传递到相邻的过滤器或至感光区域对应的＆agrave; 相邻像素，而是由壁送回ée将第一过滤器或对应于所述第一像素中的光敏区域。所述壁PR＆eacute; M＆eacute;伦斯亚光＆eacute;＆agrave廖内; 密集řé弯曲，例如铝和它深陷入减薄所述半导体层（16）PR E在扩散˚Fé编号P +中是否是P型层形式E ES

8. 发明申请

WO2016198402A1 CAPTEUR D'IMAGE A HAUTE DYNAMIQUE, A NŒUD DE STOCKAGE EN TROIS PARTIES 审中-公开
标题翻译：宽动态图像传感器，具有三部分存储节点
公开(公告)号：WO2016198402A1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/EP2016/062902
申请日：2016-06-07
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： MAYER, Frédéric , FEREYRE, Pierre , GESSET, Stéphane
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14609 , H01L27/14643
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image. Chaque pixel comprend une photodiode (PH), un nœud de stockage (ND), une grille de transfert (G1), une grille de réinitialisation du nœud de stockage, et un transistor de lecture (T2) dont la grille est reliée au nœud de stockage. Ce dernier comporte trois parties : - une première diffusion flottante (182) adjacente à la grille de transfert et à la grille de réinitialisation, et reliée par la connexion électrique à la grille du transistor de lecture, - une deuxième diffusion flottante (184) qui n'est pas adjacente à la première diffusion flottante, ni à la grille de réinitialisation, et qui n'est pas reliée à la grille du transistor de lecture, - une structure de fixation de potentiel interne (PHa), séparant la première diffusion flottante de la deuxième diffusion flottante. Selon la quantité de charges recueillies, le facteur de conversion charge/tension s'établit à une valeur forte (résultant de la capacité propre de la première diffusion flottante) ou à une valeur faible (résultant de la capacité des trois parties et d'une capacité auxiliaire Cx éventuellement connectée à la deuxième diffusion flottante.
摘要翻译：本发明涉及一种图像传感器。每个像素包括光电二极管（PH），存储节点（ND），传输门（G1），用于存储节点的复位门，以及其栅极链接到存储节点的读晶体管（T2）。后者包括三个部分， - 与传输门极和复位栅极相邻的第一浮动扩散（182），并通过与读取晶体管的栅极的电连接来连接， - 第二浮动扩散（184），其不是与第一浮动扩散相邻，也不与复位栅极连接，并且不连接到读取晶体管的栅极， - 内部电位固定结构（PHa），将第一浮动扩散与第二浮动扩散分离。根据所收集的电荷量，充电/电压转换系数稳定在高值（由第一浮动扩散的固有电容产生）或低值（由三部分的电容和辅助电容 Cx可能连接到第二个浮动扩散。）

9. 发明申请

WO2014082864A1 PROCEDE DE PRODUCTION D'IMAGES AVEC INFORMATION DE PROFONDEUR ET CAPTEUR D'IMAGE 审中-公开
标题翻译：用于生成具有深度信息和图像传感器的图像的方法
公开(公告)号：WO2014082864A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/EP2013/073844
申请日：2013-11-14
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： FEREYRE, Pierre , DIASPARRA, Bruno , PREVOST, Vincent
IPC分类号： G01S17/10 , G01S17/89 , G01S7/486 , G01S7/487 , G06T7/00
CPC分类号： H04N13/271 , G01S7/4863 , G01S7/4865 , G01S7/487 , G01S17/107 , G01S17/89 , H04N13/254 , H04N13/296 , H04N2013/0081
摘要： L'invention concerne la production d'images associant à chaque point de l'image une profondeur, c'est-à-dire une distance entre le point observé et la caméra qui produit l'image. Une source lumineuse émet N trains d'impulsions lumineuses. Pour chaque train de rang i = 1 à N, on intègre les charges pendant un court créneau temporel de durée T int qui commence avec un décalage temporel t i par rapport à l'impulsion, ce décalage temporel représentant un temps de trajet de l'impulsion lumineuse entre la source lumineuse et le capteur après une réflexion sur un point placé à distance d i du capteur. Le décalage temporel t i est le même pour toutes les impulsions lumineuses du i ème train d'impulsions mais les décalages temporels t i pour les N trains sont différents les uns des autres pour correspondre à différentes distances par rapport au capteur. On accumule les charges photo générées par les impulsions d'un même train; puis on lit la charge accumulée pour produire une image de rang i représentant les pixels situés à la distance d i . L'observation d'une scène comporte la production de N images différentes grâce auxquelles on peut associer une distance à chaque pixel.
摘要翻译：本发明涉及生成与图像的每个点相关联的深度，即观察点和产生图像的相机之间的距离的图像。光源发出N列光脉冲。对于i = 1〜N等级的每一列，电荷集成在长度为Tint的短时间窗口中，该窗口以相对于脉冲的时移ti开始，该时移表示光源与光源之间的光脉冲的行进时间传感器从反射后的一点放置距离传感器的距离。对于第i个脉冲序列的所有光脉冲，时移ti是相同的，但是对于N个列车的时移ti相互不同，以便相应于相对于传感器的不同距离。由给定列车的脉冲产生的电荷被累积; 然后读取累积的电荷以产生表示位于距离di处的像素的秩i的图像。场景的观察包括产生N个不同的图像，由此可以将距离与每个像素相关联。

10. 发明申请

WO2014060479A1 CAPTEUR D'IMAGE A EFFICACITE QUANTIQUE AMELIOREE DANS LES GRANDES LONGUEURS D'ONDE 审中-公开
标题翻译：具有改善量子效率的图像传感器在大波长
公开(公告)号：WO2014060479A1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/EP2013/071636
申请日：2013-10-16
申请人： E2V SEMICONDUCTORS
发明人： LIGOZAT, Thierry , FEREYRE, Pierre , MAYER, Frédéric
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1461 , H01L27/14609 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14643
摘要： L'invention concerne un capteur d'image spécialement adapté à la vision en faible de lumière (vision de nuit notamment). Le capteur est formé sur une puce de circuit intégré (IC) à partir d'un substrat de silicium. Il comprend : - une matrice (MP) de lignes et colonnes de pixels actifs comprenant chacun au moins une photodiode et des transistors, - des circuits (CTRL) de commande de la matrice, extérieurs à la matrice, et des circuits (RD) de lecture de signal, extérieurs à la matrice. Les photodiodes du capteur sont formées dans une couche active de silicium monocristallin dont la résistivité est d'au moins 500 ohms.cm si cette couche active est une couche épitaxiée sur le substrat de silicium et d'au moins 2 000 ohms.cm si cette couche active est constituée par la partie supérieure du substrat de silicium. Les circuits de commande (CTRL) et les circuits de lecture (RD) du capteur sont formés dans au moins un caisson global dopé (DPW), de même type que la couche active de silicium monocristallin et ayant une résistivité inférieure ou égale à 30 ohms.cm, ce caisson étant formé dans la couche active et n'incluant pas la matrice.
摘要翻译：本发明涉及一种特别适用于低光视觉（特别是夜视）的图像传感器。传感器由硅衬底形成在集成电路（IC）芯片上，并且包括：有源像素的行和列的阵列（MP），每个阵列包括至少一个光电二极管和晶体管; 以及用于控制位于阵列外部的所述阵列的电路（CTRL）和位于阵列外部的信号读取电路（RD）。传感器的光电二极管形成为活性单晶硅层，如果所述有源层是硅衬底上的外延层，其电阻率至少为500欧姆/厘米，如果所述活性层由硅衬底的顶部。用于读取传感器的控制电路（CTRL）和电路（RD）形成在与有源单晶硅层相同类型的至少一个掺杂的总体外壳（DPW）中并具有不高于30欧姆/厘米的电阻率。所述壳体形成在有源层中，并且不包括阵列。

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