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1. 发明申请

WO2005064320A1 DISPOSITIF ET PROCEDE D’OBSERVATION D’UNE INTERFACE DE COLLAGE 审中-公开
标题翻译：用于观察接合界面的装置和方法
公开(公告)号：WO2005064320A1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：PCT/FR2004/003361
申请日：2004-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , TRACIT TECHNOLOGIES Centr'alp , MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , FAURE, Bruce , LETERTRE, Fabrice , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
发明人： MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , FAURE, Bruce , LETERTRE, Fabrice , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle
IPC分类号： G01N21/88
CPC分类号： G01N21/8806
摘要： L'invention concerne un procédé de caractérisation de l'interface entre un premier élément (2), tel qu'un substrat ou une couche mince, et un deuxième élément (4), tel qu'un substrat ou une couche mince, comportant : - éclairer le premier élément avec un rayonnement (10) pour lequel il est au moins partiellement transparent, - détecter le rayonnement réfléchi par l'interface.
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征诸如衬底或薄层的第一元件（2）与诸如衬底或薄层的第二元件（4）之间的界面的方法。根据所述方法，第一元件由其至少部分透明的辐射（10）照射，然后检测由界面反射的辐射。

2. 发明申请

WO2004059711A1 PROCEDE DE REALISATION DE SUBSTRATS MIXTES ET STRUCTURE AINSI OBTENUE 审中-公开
标题翻译：生产混合基材的方法和获得的结构
公开(公告)号：WO2004059711A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/FR2003/003867
申请日：2003-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , ZUSSY, Marc
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L21/76264 , H01L21/187 , H01L21/76275
摘要： Pour fabriquer un substrat mixte, on prépare deux substrats (10, 12) présentant des faces respectives destinées à être liées l'une à l'autre et constitués essentiellement, au niveau de ces faces, de parties cristallines et pour au moins l'une de ces faces, de zones formées d'un matériau différent de ceux constitutifs des parties cristallines, on met ces faces en regard et on les relie au niveau d'un interface par collage moléculaire en sorte de former des zones massives dans lesquelles les faces en regard sont essentiellement cristallines et des zones empilées dans lesquelles l'une au moins des faces en regard est essentiellement constituée du matériau différent, et on effectue un traitement thermique de consolidation du collage moléculaire. Lors de la préparation des substrats (10, 12) ou lors de la liaison des faces, on crée audit interface des pièges (11A) à impuretés (il peut s'agir des zones isolantes) tels que toute portion de cet interface faisant partie d'une zone massive soit à au plus une distance donnée d'un tel piège, tandis que la mise en regard des faces se fait avec un écart en désalignement, entre les parties cristallines des deux substrats, inférieur à un seuil donné.
摘要翻译：本发明涉及混合基板的制造方法。本发明的方法在于制备具有要连接在一起的各个面的两个基底（10,12）。衬底基本上包括在上述面上的结晶部分，并且在至少一个所述面上，由与用于形成结晶部分的材料不同的材料制成的区域。根据本发明，这些面彼此相对设置并且通过分子粘合在界面处连接，以形成（i）其中相对面基本上是结晶的体积区域和（ii）堆叠区域，其中至少一个基本上由上述不同的材料制成。当正在准备衬底（10,12）时，或者当接合面时，在界面处产生杂质阱（11A）（例如隔离区），使得形成体区的一部分的所述界面的任何部分设置在大多数距离一个这样的陷阱。此外，这些面彼此相对设置，两个基板的晶体部分之间的偏移小于给定阈值。

3. 发明申请

WO2003005443A2 STRUCTURE COMPOSITE A ORIENTATION CRISTALLINE UNIFORME ET PROCEDE DE CONTROLE DE L'ORIENTATION CRISTALLINE D'UNE TELLE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：均匀结晶取向复合结构和用于控制这种结构的晶体取向的方法
公开(公告)号：WO2003005443A2
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/FR2002/002136
申请日：2002-06-20
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert
发明人： FOURNEL, Franck , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： C30B33/06 , C30B33/00 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , Y10S117/902 , Y10T428/24421 , Y10T428/31645 , H01L2924/00
摘要： La présente invention concerne un procédé de contrôle de l'orientation de structures secondaires (A1, A2) présentant au moins une partie cristalline, lors d'un transfert des structures secondaires depuis une structure dite primaire (A) sur laquelle les structures secondaires présentent une orientation cristalline initiale identique, vers au moins une structure de support (B), comprenant : a) la formation, lorsque les structures secondaires sont solidaires de la structure primaire (A), d'au moins un repère d'orientation (Va, Va1, Va2), le repère présentant une orientation arbitraire par rapport à ladite orientation cristalline initiale mais identique pour chaque structure secondaire, et b) lors du report d'un ensemble de structures secondaires sur la structure de support (B), la disposition des structures secondaires de façon à orienter de façon uniforme leurs repères d'orientation.
摘要翻译：解码方法技术领域本发明涉及一种解码方法用于控制显示至少一个结晶部分的二级结构（A1，A2）的取向，在二级结构从其上存在二级结构的所谓一级结构（A）包括：a）当所述二级结构与所述一级结构（A）形成整体时，所述形成具有至少一个方位角（Va），所述方位角（Va），Va1，Va2），表示一个任意的方向; 所述初始晶体取向对于每个二级结构是相同的，并且b）在将一组二级结构转移到所述支撑结构（B）上的过程中，所述二级结构的布置; 定向他们的方向曲目。

4. 发明申请

WO2002084721A3 SUBSTRAT OU STRUCTURE DEMONTABLE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084721A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001266
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/18
摘要： Le procédé de préparation d'une couche mince comportant une étape de réalisation d'une interface entre une couche destinée à faire partie de cette couche mince et un substrat est caractérisé en ce que cet interface est réalisé en sorte d'avoir au moins une première zone (Z1) ayant un premier niveau de tenue mécanique, et une seconde zone (Z2) ayant un second niveau de tenue mécanique sensiblement inférieur au premier niveau de tenue mécanique. Cette interface peut notamment être constituée par le collage de surfaces préparées de façons différenciées, par une couche enterrée fragilisée de façon différenciée dans ces zones, ou par une couche intermédiaire poreuse.

5. 发明申请

WO2002084721A2 SUBSTRAT OU STRUCTURE DEMONTABLE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
标题翻译：可分离的基板或可拆卸的结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2002084721A2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001266
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , ZUSSY, Marc , RAYSSAC, Olivier
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/7813 , H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2924/19041 , Y10T156/11
摘要： Le procédé de préparation d'une couche mince comportant une étape de réalisation d'un interface entre une couche destinée à faire de cette couche mince et un substrat est caractérisé en ce que cet interface est réalisé en sorte d'avoir au moins une première zone (Z1) ayant un premier niveau de teneue mécanique sensiblement inférieur au premier niveau de tenue mécanique. Cette interface peut notamment être constituée par le collage de surfaces préparées de façons différenciées, par une couche enterrée fragilisée de façon différenciée dans ces zones, ou rpar une couche intermédiaire poreuse.
摘要翻译：本发明涉及薄层的制备，其包括在用于产生所述薄层的层与基底之间形成界面的步骤，其特征在于所述界面以至少提供至少具有第一级机械强度的第一区域（Z1）和具有基本上低于第一区域的机械强度水平的第二区域（Z2）。所述界面可以通过以不同的方式制备的表面，通过在所述区域中以不同的方式被掩埋和脆化的层或通过中间多孔层来胶合表面而形成。

6. 发明申请

WO2006070160A1 PROCEDE DE DETOURAGE D'UNE STRUCTURE OBTENUE PAR ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUES 审中-公开
标题翻译：用于调整由两板组装获得的结构的方法
公开(公告)号：WO2006070160A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/FR2005/051128
申请日：2005-12-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , TRACIT TECHNOLOGIES , ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
发明人： ZUSSY, Marc , ASPAR, Bernard , LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , Y10T156/10
摘要： L'invention concerne un procédé de détourage d'une structure obtenue par fixation d'une première plaque sur une deuxième plaque selon des faces de contact et amincissement de la première plaque, au moins l'une d'entre la première plaque et la deuxième plaque étant chanfreinée et exposant ainsi le bord de la face de contact de la première plaque, le détourage concernant la première plaque. Le procédé comprend les étapes suivantes : a) sélection de la deuxième plaque parmi des plaques présentant une résistance à l'attaque chimique prévue à l'étape b) suffisante par rapport à la première plaque pour permettre la réalisation de l'étape b) ; b) après fixation de la première plaque sur la deuxième plaque, attaque chimique du bord de la première plaque de façon à former dans la première plaque un piédestal reposant entièrement sur la face de contact de la deuxième plaque et supportant le reste de la première plaque ; c) amincissement de la première plaque jusqu'à atteindre et entamer le piédestal pour fournir une partie amincie de la première plaque.
摘要翻译：本发明涉及一种用于修整通过将第一板固定在接触面上的第二板上并使第一板变薄而获得的结构的方法，所述第一板和第二板中的至少一个被倒角并因此使接触边缘暴露面对第一块板块，表示修剪关于第一块板。该方法包括以下步骤：a）从具有对步骤b）中计划的化学侵蚀的抗性的那些板中选择第二板，其足以与第一板相关以允许步骤b）进行，b）之后将第一板固定到第二板上，执行第一板的边缘的化学侵蚀，以便在第一板上形成基座，其完全搁置在第二板的接触面上并且支撑第一板的其余部分， c）第一板的变薄以便刚刚到达和分解成基座，以提供第一板的变薄的部分。

7. 发明申请

WO2003081664A2 PROCEDE DE TRANSFERT D'ELEMENTS DE SUBSTRAT A SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于传输基板之间的元素的方法
公开(公告)号：WO2003081664A2
公开(公告)日：2003-10-02
申请号：PCT/FR2003/000905
申请日：2003-03-21
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , RAYSSAC, Olivier , FOURNEL, Franck
发明人： ASPAR, Bernard , RAYSSAC, Olivier , FOURNEL, Franck
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/76254 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368
摘要： La présente invention concerne un procédé de transfert d'au moins un élément depuis un substrat donneur vers un substrat cible (40). Conformément à l'invention, on rend un élément à transférer solidaire d'un substrat-poignée (30) par l'intermédiaire d'une couche de colle (32) susceptible d'être dégradée et dans lequel on procède à une dégradation de la couche de colle lors d'une étape de libération de l'élément à transférer. Application au report de composants.
摘要翻译：本发明涉及一种用于将至少一个元件从施主衬底转移到目标衬底（40）的方法。本发明的特征在于其包括通过能够降解并在产生释放待转移元件的步骤期间导致结合层的劣化的结合层（32）将元件固定到手柄基板上。本发明适用于组件的传送。

8. 发明申请

WO2003081664A3 PROCEDE DE TRANSFERT D'ELEMENTS DE SUBSTRAT A SUBSTRAT 审中-公开
公开(公告)号：WO2003081664A3
公开(公告)日：2003-10-02
申请号：PCT/FR2003/000905
申请日：2003-03-21
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , RAYSSAC, Olivier , FOURNEL, Franck
发明人： ASPAR, Bernard , RAYSSAC, Olivier , FOURNEL, Franck
IPC分类号： H01L21/68
摘要： La présente invention concerne un procédé de transfert d'au moins un élément depuis un substrat donneur vers un substrat cible (40). Conformément à l'invention, on rend un élément à transférer solidaire d'un substrat-poignée (30) par l'intermédiaire d'une couche de colle (32) susceptible d'être dégradée et dans lequel on procède à une dégradation de la couche de colle lors d'une étape de libération de l'élément à transférer. Application au report de composants.

9. 发明申请

WO2005019094A1 STRUCTURE EMPILÉE, ET PROCÉDÉ POUR LA FABRIQUER 审中-公开
标题翻译：堆积结构及其生产方法
公开(公告)号：WO2005019094A1
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：PCT/FR2004/001858
申请日：2004-07-15
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , MARGAIL, Jacques
发明人： MORICEAU, Hubert , ASPAR, Bernard , MARGAIL, Jacques
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/001 , B81C2201/112 , H01L21/76251 , H01L21/76256
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure empilée. Ce procédé comprend les étapes suivantes : a) on prend une première plaque (1), par exemple en silicium, et une seconde plaque (5), par exemple elle aussi en silicium, telles qu'au moins une desdites première (1) et seconde (5) plaques présente, au moins en partie, une surface (2; 7) incompatible avec un collage sur l'autre plaque ; b) on réalise une couche sacrificielle (3; 8), par exemple en oxyde de silicium, sur une partie au moins de la surface (2) de la première plaque et/ou de la surface (7) de la seconde plaque (5), et c) on colle les deux plaques (1; 5) entre elles. Ladite incompatibilité au collage peut par exemple résulter de la nature physico-chimique de cette surface ou d'un revêtement appliqué sur cette surface, ou résulter d'une rugosité (r 2 , r 7 ) supérieure à un seuil prédéterminé. L'invention concerne également une structure empilée fabriquée au moyen d'un procédé selon l'invention.
摘要翻译：本发明涉及一种堆叠结构的制造方法。本发明的方法包括以下步骤：a）使用例如由硅制成的第一板（1）和例如由硅制成的第二板（5），使得在至少部分地，所述第一（1）和第二（5）板中的至少一个具有不能结合到另一个板的表面（2; 7） b）在第一板的表面（2）和/或第二板的表面（7）的至少一部分上提供例如由氧化硅制成的表面层（3; 8）（5）; 和c）将两个板（1; 5）彼此粘合。上述粘合不相容性例如可以由施加于其上的表面或涂层的物理化学性质或大于预定阈值的粗糙度值（r'2，r'7）产生。本发明还涉及使用本发明方法制造的堆叠结构。

10. 发明申请

WO2002084722A3 SUBSTRAT DEMONTABLE A TENUE MECANIQUE CONTROLEE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084722A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001268
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/20
摘要： Procédé de préparation d'un substrat démontable, comportant une étape de réalisation d'une interface par collage par adhésion moléculaire d'une face d'une couche sur une face d'un substrat , dans lequel est prévu, avant collage, une étape de traitement de l'une au moins de ces faces propre à mettre la tenue mécanique de l'interface à un niveau contrôlé compatible avec un démontage ultérieur.

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