会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 2. 发明申请
    • ILLUMINATION SYSTEM OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS
    • 微波投影曝光装置的照明系统
    • WO2010034472A1
    • 2010-04-01
    • PCT/EP2009/006856
    • 2009-09-23
    • CARL ZEISS SMT AGBACH, FlorianBENZ, DanielWALDIS, SeverinWERBER, ArminWARM, Berndt
    • BACH, FlorianBENZ, DanielWALDIS, SeverinWERBER, ArminWARM, Berndt
    • G03F7/20
    • G03F7/70058G03F7/70116G03F7/70141G03F7/70266G03F7/70291G03F7/70891
    • An illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus (10) comprises a primary light source (30), a system pupil surface (70) and a mirror array (46). The mirror array (46) is arranged between the primary light source (30) and the system pupil surface (70) and comprises a plurality of adaptive mirror elements (M ij ). Each mirror element (M ij ) comprises a mirror support (100) and a reflective coating (102) and is configured to direct light (34) produced by the primary light source (30) towards the system pupil surface (70). Preferably the mirror elements (M ij ) are tiltably mounted with respect to a support structure (110). According to the invention the mirror elements (M ij ) comprise structures (100, 102) having a different coefficient of thermal expansion and being fixedly attached to one another. A temperature control device (90) is configured to variably modify the temperature distribution within the structures so as to change the shape of the mirror elements.
    • 微光刻投影曝光装置(10)的照明系统包括主光源(30),系统光瞳表面(70)和反射镜阵列(46)。 镜阵列(46)布置在主光源(30)和系统光瞳表面(70)之间,并且包括多个自适应镜元件(Mij)。 每个镜元件(Mij)包括镜支撑件(100)和反射涂层(102),并且被配置为将由主光源(30)产生的光(34)引向系统光瞳表面(70)。 优选地,镜元件(Mij)相对于支撑结构(110)可倾斜地安装。 根据本发明,镜元件(Mij)包括具有不同热膨胀系数并且彼此固定地附接的结构(100,102)。 温度控制装置(90)被配置为可变地修改结构内的温度分布,以便改变反射镜元件的形状。
    • 4. 发明申请
    • BELEUCHTUNGSOPTIK FÜR DIE EUV-MIKROLITHOGRAPHIE
    • 照明光学系统微EUV光刻
    • WO2010049020A1
    • 2010-05-06
    • PCT/EP2009/005113
    • 2009-07-14
    • CARL ZEISS SMT AGDENGEL, GuentherWITTICH, GeroDINGER, UdoSTUETZLE, RalfENDRES, MartinOSSMANN, JensWARM, Berndt
    • DENGEL, GuentherWITTICH, GeroDINGER, UdoSTUETZLE, RalfENDRES, MartinOSSMANN, JensWARM, Berndt
    • G03F7/20
    • G03F7/7085G03F7/70141G03F7/702G03F7/70558
    • Eine Beleuchtungsoptik (47) für die EUV-Mikrolithographie dient zur Ausleuchtung eines Objektfeldes (19) mit einem EUV-Nutzstrahlungsbündel (3). Zur Vorgabe von Beleuchtungsparametern dienen Vorgabeeinrichtungen (6, 10). Zur Korrektur der Intensitätsverteilung und/oder der Winkelverteilung der Objektfeldbeleuchtung dient eine Beleuchtungs-Korrektureinrichtung. Diese hat eine zumindest teilweise mit dem Nutzstrahlungsbündel (3) vor dem Objektfeld (19) beaufschlagte und gesteuert angetrieben verlagerbare optische Komponente (13). Ein Detektor (50, 53) dient zur Erfassung eines der Beleuchtungsparameter. Eine Auswerteeinrichtung (31) dient zur Auswertung der Detektordaten und zur Umsetzung von diesen in Steuersignale. Mindestens ein Aktor (61, 62) dient zur Verlagerung der optischen Komponente (13). Während Belichtungen werden die Stellelemente so mit den Detektorsignalen geregelt, dass während der Dauer einer Projektionsbelichtung eines maximale Verlagerung von Rändern des Objektfeldes (19) zu einem zu belichtenden Objekt (18) von unter 8 μm gewährleistet ist. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, mit der die Einhaltung vorgegebener Beleuchtungsparameter auch bei höchsten Präzisionsanforderungen gewährleistet
    • 用于EUV微光刻的照明光学部件(47)用于与EUVNutzstrahlungsbündel(3)照明物场(19)。 用于指定照明参数指示装置用作(6,10)。 照明校正装置用于校正的强度分布和/或物场照明的角度分布。 这已作用于至少部分与所述物场(19)和控制驱动可移动光学部件(13)的Nutzstrahlungsbündel(3)的上游。 的检测器(50,53)用于检测所述照明参数中的一个。 的评估装置(31),用于将检测器数据的评估并将其转换成控制信号。 至少一个致动器(61,62)用于将光学部件(13)的位移。 在曝光被控制以便与被保证在物场(19)的边缘的最大位移的投影曝光的持续时间的对象的检测器信号中的调节元件,以小于8微米(18)被暴露。 其结果是与即使在最高的精度要求具有特定照明参数确保符合的照明光学部件
    • 5. 发明申请
    • ILLUMINATION OPTICS FOR EUV MICROLITHOGRAPHY AND ILLUMINATION SYSTEM AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS COMPRISING AN ILLUMINATION OPTICS OF THIS TYPE
    • 用于EUV微结构和照明系统的照明光学和包含这种类型的照明光学的投影曝光装置
    • WO2009132756A1
    • 2009-11-05
    • PCT/EP2009/002584
    • 2009-04-08
    • CARL ZEISS SMT AGFIOLKA, DamianWARM, BerndtSTEIGERWALD, ChristianENDRES, MartinSTÜTZLE, RalfOSSMANN, JensSCHARNWEBER, RalfHAUF, MarkusDINGER, UdoWALDIS, SeverinKIRCH, MarcHARTJES, Joachim
    • FIOLKA, DamianWARM, BerndtSTEIGERWALD, ChristianENDRES, MartinSTÜTZLE, RalfOSSMANN, JensSCHARNWEBER, RalfHAUF, MarkusDINGER, UdoWALDIS, SeverinKIRCH, MarcHARTJES, Joachim
    • G03F7/20
    • G03F7/70191G03F7/70083
    • An illumination optics for EUV microlithography serves for guiding an illumination light bundle from a radiation source to an object field with an extension ratio between a longer field dimension (x) and a shorter field dimension (y), the ratio being considerably greater than 1. A field facet mirror (13) has a plurality of field facets (19) for setting defined illumination conditions in the object field. A following optics downstream of the field facet mirror (13) serves for transmitting the illumination light into the object field (5). The following optics comprises a pupil facet mirror (14) with a plurality of pupil facets (27). The field facets (19) are in each case individually allocated to the pupil facets (27) so that portions of the illumination light bundle (10) impinging upon in each case one of the field facets (19) are guided on to the object field (5) via the associated pupil facet (27). The field facet mirror (13) not only comprises a plurality of basic illumination field facets (19 G ) which provide a basic illumination of the object field (5) via associated basic illumination pupil facets (27 G ) but also a plurality of correction illumination field facets (19 K ) which provide for a correction of the illumination of the object field (5) via associated correction illumination pupil facets (27 K ). The result is an illumination optics which allows unwanted variations of illumination parameters, for instance an illumination intensity distribution or an illumination angle distribution, to be corrected across the object field.
    • 用于EUV微光刻的照明光学器件用于将照明光束从辐射源引导到物场,其具有在较长场尺寸(x)和较短场尺寸(y)之间的延伸比,该比率远大于1。 场面反射镜(13)具有多个场面(19),用于在对象场中设定定义的照明条件。 场面反射镜(13)下游的跟随光学器件用于将照明光发射到物场(5)中。 以下光学器件包括具有多个光瞳面(27)的光瞳小面镜(14)。 场分面(19)在每种情况下分别被分配给光瞳面(27),使得照射光束(10)中的每一个场景面(19)中的一个照射的部分被引导到物场 (5)通过相关联的光瞳面(27)。 场面反射镜(13)不仅包括通过相关联的基本照明光瞳(27G)提供对象场(5)的基本照明的多个基本照明场面(19G),而且还包括多个校正照明场面 (19K),其经由相关联的校正照明光瞳面(27K)提供对物场(5)的照明的校正。 结果是照明光学元件允许在整个对象场校正照明参数的不期望的变化,例如照明强度分布或照明角度分布。
    • 8. 发明申请
    • IMAGE PROCESSING METHOD FOR DETERMINING FOCUS DEPTH OF A REFRACTIVE LASER
    • 用于确定反射激光的焦点深度的图像处理方法
    • WO2013097881A1
    • 2013-07-04
    • PCT/EP2011/006605
    • 2011-12-29
    • WAVELIGHT GMBHWARM, Berndt
    • WARM, Berndt
    • A61F9/008
    • A61F9/00825A61F2009/00844A61F2009/00855G06T7/521
    • The present invention relates to a laser apparatus, system, and method for determining a depth of a focus point of a laser beam. An interface device is coupleable to the laser apparatus and has an applanation element comprising a front surface and a back surface. A laser beam having a predefined shape is focussed through the applanation element at a focus point. A superimposed image of a spurious reflection, which is reflected from the front surface of the applanation element, with a standard reflection, which is reflected from the back surface of the applanation element, is detected. The spurious reflection is then filtered out of the superimposed image. Based on the remaining standard reflection, the depth of the focus point of the laser beam can be determined.
    • 本发明涉及一种用于确定激光束的焦点深度的激光装置,系统和方法。 接口装置可耦合到激光装置,并且具有包括前表面和后表面的压平元件。 具有预定形状的激光束在焦点处聚焦通过压平元件。 检测从压延元件的背面反射的标准反射从压延元件的前表面反射的伪反射的叠加图像。 然后将杂散反射从叠加的图像中滤出。 基于剩余的标准反射,可以确定激光束的焦点的深度。