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1. 发明申请

WO2006002859A2 BELEUCHTUNGSQUELLE, WELLENFRONTVERMESSUNGSVORRICHTUNG UND MIKROLITHOGRAFIE-PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：照明源，波前测量装置和显微投影曝光装置
公开(公告)号：WO2006002859A2
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/EP2005/006918
申请日：2005-06-28
申请人： CARL ZEISS SMT AG , DAHL, Manfred , GOEPPERT, Markus , HAIDNER, Helmut , MENGEL, Markus , KAUFMANN, Paul , SCHUHMACHER, Dagmar , WEGMANN, Ulrich
发明人： DAHL, Manfred , GOEPPERT, Markus , HAIDNER, Helmut , MENGEL, Markus , KAUFMANN, Paul , SCHUHMACHER, Dagmar , WEGMANN, Ulrich
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70008 , G03F7/70375 , G03F7/706
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine Beleuchtungsquelle zur Bereitstellung einer räumlich strukturierten Beleuchtungsstrahlung, insbesondere im EUV-Wellenlängenbereich, und auf eine damit ausgerüstete Wellenfrontvermessungsvorrichtung und auf eine entsprechende Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage.Die Erfindung schlägt eine Beleuchtungsquelle mit einer Teilchenstrahlquelle (11), einer Beleuchtungsmaske (4c), die mit einem strukturierten oder unstrukturierten Targetmaterial (8c) belegt ist, das bei Beschuss durch einen von der Teilchenstrahlquelle emittierten Teilchenstrahl (13) die Beleuchtungsstrahlung (a) emittiert. Verwendung z.B. zur Wellenfrontvermessung optischer Abbildungssysteme von Mikrolithografiesystemen, die im EUV-Wellenlängenbereich arbeiten, bei deren Betriebswellenlänge.
摘要翻译：
本发明涉及的照明源，用于提供A R AUML;空间结构化照明辐射，特别是在EUV波长BEAR长度范围内，并且一个这样对准导航使用恒定波前测量装置和相应的微光刻Projektionsbelichtungsanlage.Die发明 SCHL BEAR GT与具有结构化或非结构化的靶材料的粒子射线源（11），照明掩模（图4c）的照明源（图8C）为满时，当通过从粒子束粒子束发射的光轰击（13）射出的照明辐射的（a），使用例如适用于在EUV波长范围工作的微光刻系统的光学成像系统的波前测量，在其工作波长处

2. 发明申请

WO2012013320A2 METHOD AND APPARATUS FOR QUALIFYING OPTICS OF A PROJECTION EXPOSURE TOOL FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于微型显微投影曝光工具的光学性质鉴定的方法和设备
公开(公告)号：WO2012013320A2
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：PCT/EP2011/003681
申请日：2011-07-22
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , GOEPPERT, Markus
发明人： GOEPPERT, Markus
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G01N21/95 , G03F7/70591 , G03F7/706 , G03F7/7085 , G03F7/70941
摘要： A method for qualifying optics (16; 14+16) of a projection exposure tool (10) for microlithography is provided. The optics comprise (16; 14, 16) at least one mirror element (14-1 to 14-7, 16-1 to 16-6) with a reflective coating (52) disposed on the latter. The method comprises the following steps: irradiating electromagnetic radiation (13, 42) of at least two different wavelengths onto the optics (16; 14, 16), a penetration depth of the radiation into the coating (52) of the mirror element varying between the individual wavelengths, taking an optical measurement on the optics (16; 14, 16) for each of the wavelengths, and evaluating the measurement results for the different wavelengths taking into consideration a decisive penetration depth of the radiation into the coating (52) of the mirror element for the respective wavelength.
摘要翻译：提供了一种用于验证用于微光刻的投影曝光工具（10）的光学器件（16; 14 + 16）的方法。该光学器件包括（16; 14,16）至少一个反射镜元件（14-1至14-7,16-1至16-6），反射涂层（52）布置在反射涂层上。该方法包括以下步骤：将至少两个不同波长的电磁辐射（13,42）照射到光学器件（16; 14,16）上，辐射进入反射镜元件的涂层（52）的穿透深度在对于每个波长在光学器件（16; 14,16）上进行光学测量，并考虑到辐射决定性地穿透进入（52）涂层（52）的不同波长的测量结果，各个波长的镜面元件。

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