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1. 发明申请

WO2005104189A2 SYSTEM AND METHOD FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE DESIGN AND MANUFACTURE USING OPTICAL RULE CHECKING TO SCREEN RESOLUTION ENHANCEMENT TECHNIQUES 审中-公开
标题翻译：使用光学规则检查分辨率增强技术的集成电路设备和制造的系统和方法
公开(公告)号：WO2005104189A2
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/US2005007301
申请日：2005-03-07
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES INC , TABERY CYRUS E , LUKANC TODD P , HAIDINYAK CHRIS , CAPODIECI LUIGI , BABCOCK CARL P , KIM HUNG-EIL , SPENCE CHRISTOPHER A
发明人： TABERY CYRUS E , LUKANC TODD P , HAIDINYAK CHRIS , CAPODIECI LUIGI , BABCOCK CARL P , KIM HUNG-EIL , SPENCE CHRISTOPHER A
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/00
CPC分类号： G03F7/70433 , G03F7/705
摘要： A method of selecting a plurality of lithography process parameters for patterning a layout (300) on a wafer includes simulating (310) how the layout will print on the wafer for a plurality of resolution enhancement techniques (RETs), where each RET corresponds to a plurality of lithography process parameters. For each RET, the edges of structures within the simulated layout can be classified (320) based on manufacturability. RETs that provide optimal manufacturability can be selected (330). In this manner, the simulation tool (210) can be used to determine the optimal combination of scanner setup and reticle type for minimizing the variation in wafer critical dimension (CD).
摘要翻译：选择用于在晶片上图案化布局（300）的多个光刻工艺参数的方法包括模拟（310）布局将如何在晶片上印刷多个分辨率增强技术（RET），其中每个RET对应于多个光刻工艺参数。对于每个RET，模拟布局内的结构边缘可以基于可制造性进行分类（320）。可以选择提供最佳可制造性的RET（330）。以这种方式，模拟工具（210）可用于确定扫描仪设置和掩模版类型的最佳组合，以最小化晶片临界尺寸（CD）的变化。

2. 发明申请

WO2005103828A3 SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING CONTACT HOLES 审中-公开
标题翻译：用于制作接触孔的系统和方法
公开(公告)号：WO2005103828A3
公开(公告)日：2006-06-29
申请号：PCT/US2005007302
申请日：2005-03-07
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES INC , MINVIELLE ANNA M , TABERY CYRUS E , KIM HUNG-EIL , KYE JONGWOOK
发明人： MINVIELLE ANNA M , TABERY CYRUS E , KIM HUNG-EIL , KYE JONGWOOK
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70425 , G03F7/70091 , G03F7/701 , G03F7/70125 , G03F7/70158
摘要： A method of forming a plurality of contact holes (20, 24) of varying pitch and density in a contact layer (56) of an integrated circuit device (10) is provided . The plurality of contact holes (20, 24) can include a plurality of regularly spaced contact holes (20) having a first pitch along a first direction and a plurality of semi-isolated contact holes (24) having a second pitch along a second direction. A double-dipole illumination source (42, 44) can transmit light energy through a mask (48) having a pattern corresponding to a desired contact hole pattern. The double-dipole illumination source (42, 44) can include a first dipole aperture (60), which is oriented and optimized for patterning the regularly spaced contact holes (20), and a second dipole aperture (62), which is oriented substantially orthogonal to the first dipole aperture (60) and optimized for patterning the plA method of forming a plurality of contact holes (20, 2) of varying pitch and density in a contact layer (56) of an integrated circuit device (10) is provided. The plurality of contact holes (20, 24) can include a plurality of regularly spaced contact holes (20) having a first pitc along a first direction and a plurality of semi-isolated contact holes (24) having a second pitch along a second direction. A double-dipole illumination source (42, 44) can transmit light energy through a mask (48) having a pattern corresponding to a desired contact hole pattern. The double-dipole illumination source (42, 44) can include a first dipole aperture (60), which is oriented and optimized for patterning the regularly spaced contact holes (20), and a second dipole aperture (62), which is oriented substantially orthogonal to the first dipole aperture (60) and optimized for patterning the plurality of semi-isolated contact holes (24). The contact layer (56) can be etched using the patterned photoresist layer (58).
摘要翻译：提供一种在集成电路器件（10）的接触层（56）中形成多个具有变化的间距和密度的接触孔（20,24）的方法。多个接触孔（20,24）可以包括沿着第一方向具有第一间距的多个规则间隔的接触孔（20）和沿第二方向具有第二间距的多个半隔离接触孔（24）。双偶极子照明源（42,44）可通过具有对应于期望的接触孔图案的图案的掩模（48）透射光能。双偶极子照明源（42,44）可以包括第一偶极孔（60），其被定向和优化以用于图案化规则间隔开的接触孔（20），以及第二偶极孔（62），其基本上定向提供与第一偶极子孔（60）正交并且被优化用于图案化在集成电路装置（10）的接触层（56）中形成具有变化的间距和密度的多个接触孔（20,2）的plA方法。多个接触孔（20,24）可以包括沿着第一方向具有第一凹坑的多个规则间隔的接触孔（20）和沿着第二方向具有第二间距的多个半隔离接触孔（24）。双偶极子照明源（42,44）可通过具有对应于期望的接触孔图案的图案的掩模（48）透射光能。双偶极子照明源（42,44）可以包括第一偶极孔（60），其被定向和优化以用于图案化规则间隔开的接触孔（20），以及第二偶极孔（62），其基本上定向与第一偶极孔（60）正交并且被优化用于图案化多个半隔离接触孔（24）。可以使用图案化的光致抗蚀剂层（58）来蚀刻接触层（56）。

3. 发明申请

WO2005022266A3 IMMERSION MEDIUM BUBBLE ELIMINATION IN IMMERSION LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：浸入式沉积中的中等泡沫消除
公开(公告)号：WO2005022266A3
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/US2004028371
申请日：2004-08-31
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES INC , PAWLOSKI ADAM R , ADO AMR Y , AMBLARD GILLES R , LAFONTAINE BRUNO M , LALOVIC IVAN , LEVINSON HARRY J , SCHEFSKE JEFFREY A , TABERY CYRUS E , TSAI FRANK
发明人： PAWLOSKI ADAM R , ADO AMR Y , AMBLARD GILLES R , LAFONTAINE BRUNO M , LALOVIC IVAN , LEVINSON HARRY J , SCHEFSKE JEFFREY A , TABERY CYRUS E , TSAI FRANK
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70341
摘要： A method of operating an immersion lithography system (26), including steps of immersing at least a portion of a wafer (12) to be exposed in an immersion medium (24), wherein the immersion medium comprises at least one bubble (28); directing an ultrasonic wave (36) through at least a portion of the immersion medium to disrupt and/or dissipate the at least one bubble; and exposing the wafer with an exposure pattern (22) by passing electromagnetic radiation through the immersion medium subsequent to the directing. Also disclosed is a monitoring and control system (30, 32, 34) for an immersion lithography system (26).
摘要翻译：一种操作浸没式光刻系统（26）的方法，包括将要曝光的晶片（12）的至少一部分浸入浸没介质（24）中的步骤，其中浸没介质包括至少一个气泡（28）; 引导超声波（36）穿过所述浸没介质的至少一部分以破坏和/或消散所述至少一个气泡; 以及通过在导向之后通过电磁辐射穿过浸渍介质，用曝光图案（22）曝光晶片。还公开了一种用于浸没式光刻系统（26）的监视和控制系统（30,32,34）。

4. 发明申请

WO2004038808A3 DOUBLE AND TRIPLE GATE MOSFET DEVICES AND METHODS FOR MAKING SAME 审中-公开
标题翻译：双栅极和三栅极MOSFET器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004038808A3
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：PCT/US0332660
申请日：2003-10-14
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES INC
发明人： LIN MING-REN , AN JUDY XILIN , KRIVOKAPIC ZORAN , TABERY CYRUS E , WANG HAIHONG , YU BIN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/42384 , H01L29/66795 , H01L29/66818
摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin (220), a first gate (240) and a second gate (420). The first gate (240) is formed on top of the fin (220). The second gate (420) surrounds the fin (220) and the first gate (240). In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin (220), a first gate (710), a second gate (720), and a third gate (730). The first gate (710) is formed on top of the fin (220). The second gate (720) is formed adjacent the fin (220). The third gate (730) is formed adjacent the fin (220) and opposite the second gate (720).
摘要翻译：双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍片（220），第一栅极（240）和第二栅极（420）。第一闸门（240）形成在翅片（220）的顶部上。第二栅极（420）围绕鳍片（220）和第一栅极（240）。在另一实现中，三栅极MOSFET包括鳍（220），第一栅极（710），第二栅极（720）和第三栅极（730）。第一闸门（710）形成在翅片（220）的顶部上。第二栅极（720）邻近鳍片（220）形成。第三栅极（730）形成在鳍片（220）附近并且与第二栅极（720）相对。

5. 发明申请

WO2004006014A3 METHOD OF USING AN AMORPHOUS CARBON LAYER FOR IMPROVED RETICLE FABRICATION 审中-公开
标题翻译：使用非晶碳层改进制备方法
公开(公告)号：WO2004006014A3
公开(公告)日：2004-06-10
申请号：PCT/US0320113
申请日：2003-06-25
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES INC
发明人： TABERY CYRUS E , LYONS CHRISTOPHER F
IPC分类号： G03F1/54 , G03F1/76 , H01L21/027 , G03F1/08 , G03F7/09
CPC分类号： G03F1/54 , G03F1/76
摘要： A method of using an amorphous carbon layer (130) for improved reticle fabrication includes depositing a stack of layers including a substrate (110), an absorber (120), a transfer layer (130), an antireflective coating (ARC) layer (140), and a photoresist layer (150), patterning (45) the photoresist layer (150), and etching (55, 65) the ARC layer (140) and the transfer layer (130). The method also includes etching (75) the absorber layer(120) and removing (85) the transfer layer (130). The transfer layer (130) including amorphous carbon.
摘要翻译：使用无定形碳层（130）来改进光罩制造的方法包括沉积包括衬底（110），吸收体（120），转印层（130），抗反射涂层（ARC）层140 ）和光致抗蚀剂层（150），图案化（45）光致抗蚀剂层（150）以及刻蚀（55,65）ARC层（140）和转印层（130）。该方法还包括蚀刻（75）吸收层（120）和去除（85）转印层（130）。转印层（130）包括无定形碳。

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