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1. 发明申请

WO2012091254A1 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：双面接收的本地化发光二极管太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2012091254A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/KR2011/007260
申请日：2011-09-30
申请人： 현대중공업 주식회사 , 이준성 , 양수미 , 송석현 , 정상윤 , 안수범 , 이경원 , 주상민
发明人： 이준성 , 양수미 , 송석현 , 정상윤 , 안수범 , 이경원 , 주상민
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 기판의 전후면에 수광 부위를 형성하되, 기판의 전면 수광 부위에 국부적으로 에미터 및 전극을 형성하고, 기판의 후면 수광 부위에 국부적으로 베이스 및 전극을 형성한 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 제1도전형의 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판의 표면에 유전층을 형성하는 단계와; 상기 기판의 전면에 반사방지막을 형성하는 단계와; 상기 기판의 전후면에 형성된 반사방지막 및 유전층을 국부적으로 제거하며, 상기 기판의 상층부에 국부적으로 제2도전형 불순물의 고농도 도핑 영역을 형성하고, 상기 기판의 하층부에 국부적으로 제1도전형 불순물의 고농도 도핑 영역을 형성하는 단계와; 상기 제2도전형 불순물의 고농도 도핑 영역 및 상기 제1도전형 불순물의 고농도 도핑 영역의 형성 부위에 접촉하도록 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种双面光接收局部发射太阳能电池及其制造方法，该双面光接收局部发射极太阳能电池形成在基板的表面和背面上，接收区域，其中发射极和电极局部地形成在所述衬底的前表面光接收区域上，并且基底和电极局部地形成在所述衬底的后表面光接收区域上，并且包括：步骤用于制备第一导电基底; 用于在基板的表面上形成介电层的步骤; 用于在基板的前表面上形成防反射膜的步骤; 在衬底的上层部分上局部形成用于第二导电杂质的高浓度掺杂区域，局部形成在基板的前表面和后表面上的局部去除抗反射膜和电介质层的步骤，衬底的下层部分是用于第一导电杂质的高浓度掺杂区域; 以及形成与第二导电杂质的高浓度掺杂区域和第一导电杂质的高浓度掺杂区域形成的区域接触的电极的工序。

2. 发明申请

WO2012077897A2 태양전지 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2012077897A2
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：PCT/KR2011/007255
申请日：2011-09-30
申请人： 현대중공업 주식회사 , 이준성 , 양수미 , 송석현 , 정상윤 , 안수범 , 이경원 , 주상민
发明人： 이준성 , 양수미 , 송석현 , 정상윤 , 안수범 , 이경원 , 주상민
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 기판 내부의 소수캐리어가 기판 측면 또는 표면의 결함으로 이동되는 것을 억제함으로써 재결합율을 낮추고 궁극적으로 태양전지의 광전변환 효율을 향상시킬 수 있는 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지는 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판과, 상기 기판 전면에 형성된 제 2 도전형의 반도체층과, 상기 제 2 도전형의 반도체층을 부분적으로 단선시키는 단선용 트렌치 및 상기 단선용 트렌치의 하부에 형성된 제 1 도전형의 소수캐리어 배리어 영역을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：
本发明是一种太阳能电池，其能够最终提高太阳能电池通过抑制在衬底少数载流子降低重组率的光电转换效率在基片侧的缺陷被移动时，或表面和本发明涉及一种方法，以部分地破太阳能电池包括第一和在导电类型的晶体硅基板，所述第二导电半导体层，形成在基板表面上的第二导电型的半导体层根据本发明的以及形成在沟槽下面的用于单线和单线沟槽的第一导电类型少数载流子势垒区。

3. 发明申请

WO2012091253A1 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：本地化发光太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2012091253A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/KR2011/007257
申请日：2011-09-30
申请人： 현대중공업 주식회사 , 이준성 , 양수미 , 송석현 , 정상윤 , 안수범 , 이경원 , 주상민
发明人： 이준성 , 양수미 , 송석현 , 정상윤 , 안수범 , 이경원 , 주상민
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 기판의 수광 부위에 국부적으로 에미터 및 전극을 구비한 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 제1도전형의 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판의 표면에 유전층을 형성하는 단계와; 상기 기판의 전면에 반사방지막을 형성하는 단계와; 상기 기판의 후면에 후면전극을 형성하는 단계와; 상기 기판의 전면에 형성된 반사방지막 및 유전층을 국부적으로 제거하며, 상기 기판의 전면에 국부적으로 제2도전형 불순물의 고농도 도핑 영역을 형성하는 단계와; 상기 제2도전형 불순물의 고농도 도핑 영역의 상부에 전면전극을 형성하는 단계를 수행하여 국부화 에미터 태양전지를 제조함으로써, 광생성된 소수 운송자의 재결합율를 극소화시켜 소수 운송자의 라이프 타임을 증가시킬 수 있고, 기판의 수광면을 최대로 확보할 수 있는 전극 패턴을 형성할 수 있어 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及局部发射太阳能电池及其制造方法，局部发射太阳能电池局部地具有在基板的光接收区域上的发射极和电极，并且包括：制备第一导电基板的步骤; 在所述基板的表面上形成电介质层的工序; 在基板的前表面上形成防反射膜的步骤; 在所述基板的背面形成背面电极的工序; 用于局部去除形成在基板的前表面上的抗反射膜和电介质层的步骤，并且在基板的正面上局部形成用于第二导电杂质的高浓度掺杂区域; 以及用于在第二导电杂质的高浓度掺杂区域的顶部形成前表面电极的步骤，能够制造局部发射极太阳能电池的步骤，其使得光生产的少数载流子的复合速率最小化并增加并且形成能够将基板的受光面最大限度地固定的电极图案，提高太阳能电池的效率。

4. 发明申请

WO2012077896A1 태양전지의 에미터 형성방법 审中-公开
标题翻译：形成太阳能发电机的方法
公开(公告)号：WO2012077896A1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：PCT/KR2011/007234
申请日：2011-09-30
申请人： 현대중공업 주식회사 , 이준성 , 양수미 , 송석현 , 정상윤 , 안수범 , 이경원 , 주상민
发明人： 이준성 , 양수미 , 송석현 , 정상윤 , 안수범 , 이경원 , 주상민
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/02363 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 확산 공정 후 후속의 열처리 공정을 적용함으로써 기판 표면에 집중되어 있는 도핑 원자를 추가 확산시켜 에미터 내의 도핑 농도를 균일화하여 운송자의 재결합률을 최소화할 수 있는 태양전지의 에미터 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지의 에미터 형성방법은 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 확산 공정을 통해 상기 기판의 표면 내부에 일정 깊이의 제 2 도전형의 에미터를 형성하는 단계와, 상기 확산 공정에 의해 형성된 기판 표면의 확산 부산물층을 제거하는 단계 및 상기 기판을 열처리하여 상기 에미터를 추가적으로 활성화하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 확산 공정에 의해 형성된 에미터의 도핑 농도는 100∼200Ω/□이고, 상기 열처리 후의 에미터의 면저항은 60∼120Ω/□인 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于形成太阳能电池的发射极的方法，该方法通过在扩散过程之后施加随后的热处理工艺来另外扩散浓缩在衬底的表面上的掺杂原子，从而使发射体中的掺杂浓度均匀最小化载体的重组率。根据本发明的形成太阳能电池的发射极的方法包括以下步骤：制备第一导电类型的晶体硅衬底; 通过扩散工艺形成在衬底的表面内具有一定深度的第二导电类型的发射极; 去除通过扩散过程形成的衬底表面上的扩散副产物层; 另外通过对衬底进行热处理激活发射极，其中通过扩散过程形成的发射极的掺杂浓度为100-200O /℃，并且在进行热处理后，发射极的表面电阻为60〜 120O / ?.

5. 发明申请

WO2012091252A1 전후면전계 태양전지 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：前后表面场太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2012091252A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/KR2011/007253
申请日：2011-09-30
申请人： 현대중공업 주식회사 , 이준성 , 양수미 , 송석현 , 정상윤 , 안수범 , 이경원 , 주상민
发明人： 이준성 , 양수미 , 송석현 , 정상윤 , 안수범 , 이경원 , 주상민
IPC分类号： H01L31/06 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/02168 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명에 따른 전후면전계 태양전지는 p형 실리콘 기판과, 상기 기판 상층부에 구비된 에미터와, 상기 에미터가 형성된 영역의 일부에 구비되는 부유접합층과, 상기 에미터와 부유접합층 상층부에 구비된 반사방지막, 및 상기 에미터와 접촉되는 전면전극을 포함하여 이루어지며, 상기 부유접합층은 상기 전면전극과 접촉하지 않는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：根据本发明的正面和背面场太阳能电池包括：p型硅衬底; 设置在基板上层的发射体; 设置在由发射体形成的区域的一部分上的浮动接触层; 设置在发射极和浮动接触层上层的反射防止膜; 和与发射极接触的前面电极; 其中浮动接触层不与前表面电极接触。

6. 发明申请

WO2012081813A1 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：返回联系太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2012081813A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/KR2011/007236
申请日：2011-09-30
申请人： 현대중공업 주식회사 , 이준성 , 정상윤 , 송석현 , 양수미 , 안수범 , 이경원 , 주상민
发明人： 이준성 , 정상윤 , 송석현 , 양수미 , 안수범 , 이경원 , 주상민
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 버스바용 도핑층을 생략시키는 구조를 통해, 핑거라인 도핑층 내에서의 캐리어 이송거리를 최소화함으로써 캐리어 소멸을 억제할 수 있는 후면전극형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 후면전극형 태양전지는 기판과, 상기 기판 후면 내부에 교번하여 배치된 복수의 n형 핑거라인 도핑층(n+)과 복수의 p형 핑거라인 도핑층(p+)과, 상기 복수의 n형 핑거라인 도핑층(n+)과 복수의 p형 핑거라인 도핑층(p+)을 포함한 기판 상에 적층된 유전층과, 상기 n형 핑거라인 도핑층(n+)의 일부 영역 상에 형성된 n형 핑거라인 전극과, 상기 p형 핑거라인 도핑층(p+)의 일부 영역 상에 형성된 p형 핑거라인 전극과, 상기 유전층 상에 구비되어 복수의 n형 핑거라인 전극과 전기적으로 연결되는 n형 버스바 전극 및 상기 유전층 상에 구비되어 복수의 p형 핑거라인 전극과 전기적으로 연결되는 p형 버스바 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. n형 핑거라인 전극들이 반복, 배치되는 영역(A 영역)과, n형 핑거라인 전극과 p형 핑거라인 전극이 교번, 배치되는 영역(B 영역)과, p형 핑거라인 전극들이 반복, 배치되는 영역(C 영역)이 구비되며, 상기 A 영역의 기판 후면 상에 n형 버스바 전극이 구비되며, 상기 C 영역의 기판 후면 상에 p형 버스바 전극이 구비될 수 있다.
摘要翻译：背接触太阳能电池技术领域本发明涉及一种背接触太阳能电池，其中载流子转移距离可以通过其中省略用于汇流条的掺杂层以抑制载流子衰减的结构在指状线掺杂层内最小化; 以及其制造方法。根据本发明，背接触太阳能电池包括：基板; 多个n型指状线掺杂层（n +）和多个p型指状线掺杂层（p +），它们交替地设置在衬底的背面内; 层叠在所述基板上的包含所述多个n型指线掺杂层（n +）和所述多个p型指状线掺杂层（p +）的介质层; 设置在每个n型指状线掺杂层（n +）的一部分上的n型指状线电极; 设置在每个p型指状线掺杂层（p +）的一部分上的p型指状线电极; n型汇流条电极，设置在电介质层上并电连接到多个n型指状线电极; 以及p型汇流条电极，设置在电介质层上并与多个p型指状线电极电连接。 n型指线电极重复配置的区域（区域A），n型指线电极和p型指状线电极交替配置的区域（区域B）和区域设置重复配置p型指线电极的区域C）。此外，n型汇流条电极可以设置在基板的背面的区域A上，并且p型汇流条电极可以设置在基板的背面的区域C上。

7. 发明申请

WO2011078521A2 후면전계형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：背景场型异型太阳能电池及其生产方法
公开(公告)号：WO2011078521A2
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/KR2010/009063
申请日：2010-12-17
申请人： 현대중공업 주식회사 , 양수미 , 노성봉 , 송석현
发明人： 양수미 , 노성봉 , 송석현
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명에 따른 후면전계형 이종접합 태양전지는 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판과, 상기 기판의 상층부에 구비된 제 1 도전형의 반도체층과, 상기 기판 전면 상에 구비된 반사방지막과, 상기 기판 후면 상에 구비된 진성층과, 상기 진성층 상에 교번하여 반복 배치되는 제 1 도전형의 비정질 반도체층과 제 2 도전형의 비정질 반도체층 및 상기 제 1 도전형의 비정질 반도체층과 제 2 도전형의 비정질 반도체층 상에 각각 구비되는 제 1 도전형 전극과 제 2 도전형 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：根据本发明的异质结太阳能电池的背表面场型包括第一导电类型的晶体硅衬底，设置在衬底的上层中的第一导电类型的半导体层，设置有抗反射膜在衬底的前表面上，设置在衬底的后表面上的本征层，第一导电类型的非晶半导体层和第二导电类型的非晶半导体层交替地重叠设置在本征层上，分别设置在第一导电类型的非晶半导体层和第二导电类型的非晶半导体层上的第二导电型电极和第二导电型电极。

8. 发明申请

WO2011078518A2 후면전계형 이종접합 태양전지의 제조방법 审中-公开
标题翻译：背景型异型太阳能电池的生产方法
公开(公告)号：WO2011078518A2
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/KR2010/009051
申请日：2010-12-17
申请人： 현대중공업 주식회사 , 양수미 , 노성봉 , 송석현
发明人： 양수미 , 노성봉 , 송석현
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 이종접합형 태양전지와 후면전계형 태양전지를 접목시켜 태양전지의 광전변환효율을 극대화시킬 수 있는 후면전계형 이종접합 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 후면전계형 이종접합 태양전지의 제조방법은 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계 및 상기 기판의 후면 내부에 제 1 도전형의 접합영역과 제 2 도전형의 접합영역을 교번하여 배치되도록 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
摘要翻译：本发明涉及一种背面场型异质结太阳能电池的制造方法，其中太阳能电池的光电转换效率可以通过异质结型太阳能电池的接枝和背面场型的太阳能电池。根据本发明的背表面场型异质结太阳能电池的制造方法包括以下步骤：制备第一导电类型的晶体硅衬底; 并且形成第一导电类型的接合区域和第二导电类型的接合区域，交替地设置在基板的背面中。

9. 发明申请

WO2011078520A2 후면전계형 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：背景场型异型太阳能电池及其生产方法
公开(公告)号：WO2011078520A2
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/KR2010/009060
申请日：2010-12-17
申请人： 현대중공업 주식회사 , 양수미 , 노성봉 , 송석현
发明人： 양수미 , 노성봉 , 송석현
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/0682 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 본 발명에 따른 후면전계형 이종접합 태양전지는 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판과, 상기 기판의 전면 상에 순차적으로 적층된 진성층, 제 1 도전형의 비정질 실리콘층과, 상기 제 2 도전형의 비정질 실리콘 상에 적층된 반사방지막과, 상기 기판의 후면으로부터 상기 기판 내부의 일정 깊이로 형성된 제 1 도전형의 접합영역과 제 2 도전형의 접합영역 및 상기 제 1 도전형의 접합영역과 제 2 도전형의 접합영역 상에 각각 구비된 제 1 도전형 전극과 제 2 도전형 전극을 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 도전형 전극과 제 2 도전형 전극은 교번하여 배치되는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：根据本发明的异质结太阳能电池的背表面场型包括第一导电类型的结晶硅衬底，第一导电类型的本征层和非晶硅层，其顺序地层压在基板，层叠在第二导电类型的非晶硅上的抗反射膜，第一导电类型的接合区域和第二导电类型的结区域从后面形成在基板的内部上的预定深度分别设置在第一导电类型和第二导电类型的接合区的结区上的第一导电型电极和第二导电型电极; 其中，所述第一导电型电极和所述第二导电型电极交替配置。

10. 发明申请

WO2011078516A3 후면전계형 이종접합 태양전지의 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2011078516A3
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/KR2010/009048
申请日：2010-12-17
申请人： 현대중공업 주식회사 , 양수미 , 노성봉 , 송석현
发明人： 양수미 , 노성봉 , 송석현
IPC分类号： H01L31/042
摘要： 본 발명은 후면의 n 도핑영역과 p 도핑영역을 형성함에 있어서 별도의 마스크 작업이 요구되지 않으며, 이종접합형 태양전지와 후면전계형 태양전지를 접목시켜 태양전지의 광전변환효율을 극대화시킬 수 있는 후면전계형 이종접합 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 후면전계형 이종접합 태양전지의 제조방법은 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계 및 상기 기판의 후면 내부에 제 1 도전형의 접합영역과 제 2 도전형의 접합영역을 교번하여 배치되도록 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

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