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    • 3. 发明申请
    • 분기점이 마련된 리프팅용 수술도구
    • 用分叉提升手术工具
    • WO2018066827A1
    • 2018-04-12
    • PCT/KR2017/010051
    • 2017-09-13
    • 이준성
    • 이준성
    • A61B17/34A61F2/00A61B17/06A61B17/00
    • 본 발명은 주름 제거를 위한 돌기가 없는 실을 피부에 삽입하기 위한 리프팅용 수술도구로서, 길이방향을 따라 관통된 통공이 내부에 형성된 관형상으로 이루어지며, 일측 선단부가 피부 내에 삽입될 수 있는 탐침부와, 상기 탐침부의 타측 후단부로부터 연장되며, 상기 탐침부의 상기 통공의 직경보다 큰 직경을 갖으며 상기 통공의 내부와 연통되어 있고, 바늘이 삽입될 수 있는 시스 구멍을 가치는 몸체로 이루어지는 시스를 포함하며, 상기 탐침부의 내면에는,상기 탐침부의 내면으로부터 상기 통공으로 돌출된 방향 안내부가 마련되어, 상기 바늘이 상기 탐침부의 상기 통공을 통과할 때 상기 방향 안내부에 의해 상기 바늘의 각도가 꺾여 주행 되는 것을 특징으로 하는 분기점이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
    • 本发明涉及一种用于将用于去除皱纹的无线螺纹插入皮肤的提升手术工具,该管具有沿着纵向方向贯穿的通孔, 其中,探针的直径大于探针通孔的直径并与通孔内部连通, 和光圈值包括由主体的系统中,在探头部内表面上,从探头部加合的方向引导突起的内表面设置于所述通孔,在所述引导部的方向时,针穿过所述孔探针部分 特征在于针的转折点被针的角度弯曲。
    • 4. 发明申请
    • 필라멘트 자동 교환 방법
    • 长丝自动交换法
    • WO2017095160A1
    • 2017-06-08
    • PCT/KR2016/014040
    • 2016-12-01
    • 김한성이준성공준상
    • 김한성
    • B29C67/00B33Y50/00
    • B29C67/00B33Y50/00
    • 본 발명의 필라멘트 자동 교환 방법은 3D프린터용 필라멘트가 스풀에 권취되도록 주공간과 부공간으로 구분되고, 상기 주공간 양쪽에는 주공간 플랜지가 구비되고, 상기 필라멘트를 권취하는 부공간의 바깥쪽에는 부공간 플랜지가 구비되어 상기 스풀에 권취하는 필라멘트 교환 방법에 있어서, 3D프린터용 제1필라멘트가 감길 스풀을 배치하는 스풀 배치단계; 상기 스풀 배치단계에서 배치된 상기 스풀의 부공간에 상기 제1필라멘트를 권취하는 부공간 제1필라멘트 권취단계; 상기 부공간 제1필라멘트 권취단계에서 권취된 상기 제1필라멘트를 상기 주공간과 부공간 사이에 형성된 주공간 플랜지에 형성된 틈새에 통과시켜 상기 스풀의 주공간에 배치하는 제1필라멘트 배치단계; 상기 스풀의 주공간에 배치된 제1필라멘트를 상기 스풀의 주공간에 권취하는 주공간 제1필라멘트 권취단계;를 포함하고, 상기 스풀의 부공간에 제1필라멘트를 한 층으로 권취한 후, 상기 틈새로 통과된 제1필라멘트를 상기 스풀의 주공간에 다층으로 권취한다. 이와 같은 구조에 의하여 기존 스풀을 사용했을 경우에서처럼 스풀 마지막 부분의 잔량이 다음 3D 프린터의 인쇄물에서의 소요량보다 적게 될 경우에 새 스풀로 교체를 해야해서, 이로 인해 필라멘트 잔량이 스풀에 남을 수 밖에 없었던 문제가 해결되어, 스풀의 마지막 필라멘트 부분까지 모두 소모할 수 있다.
    • 本发明的长丝自动交换方法具有三维打印机长丝用于被分成一个主区和一个子空间围绕线轴,在主空间的两侧的主空间凸缘,所述长丝的体积被卷绕 1。一种卷轴配置工序,将卷绕3D打印机用的第一灯丝的卷轴配置在灯丝上,其特征在于,包括: 子空间第一细丝卷绕步骤,将第一细丝卷绕到设置在卷轴配置步骤中的卷轴的子空间中; 子空间的第一至第一灯丝传递的第一灯丝配置工序卷取在长丝缠绕在主区域和形成在设置在所述线轴的主空间内的空间之间形成的主空间中的凸缘部的所述间隙的步骤; 第二主面的第一长丝缠绕绕组在设置于滑阀的主空间阀芯的主空间中的第一灯丝的步骤;然后包括,并且在单位空间绕组第一灯丝所述卷轴到一个层,其中 穿过间隙的第一根长丝在阀芯的主空间内缠绕成多层。 如果此使用现有的由相同的结构缠绕在卷轴端部的剩余容量,然后有一个与在壳体中的新卷筒来替换它小于三维打印机的打印输出,这使得剩余的两个被不被迫留在卷轴灯丝的要求 问题已解决,因此可以耗尽线轴的最后一根细丝部分。

    • 5. 发明申请
    • 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
    • 双面接收的本地化发光二极管太阳能电池及其制造方法
    • WO2012091254A1
    • 2012-07-05
    • PCT/KR2011/007260
    • 2011-09-30
    • 현대중공업 주식회사이준성양수미송석현정상윤안수범이경원주상민
    • 이준성양수미송석현정상윤안수범이경원주상민
    • H01L31/042H01L31/0224H01L31/18
    • H01L31/068H01L31/1804Y02E10/547Y02P70/521
    • 본 발명은 기판의 전후면에 수광 부위를 형성하되, 기판의 전면 수광 부위에 국부적으로 에미터 및 전극을 형성하고, 기판의 후면 수광 부위에 국부적으로 베이스 및 전극을 형성한 양면 수광형 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 제1도전형의 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판의 표면에 유전층을 형성하는 단계와; 상기 기판의 전면에 반사방지막을 형성하는 단계와; 상기 기판의 전후면에 형성된 반사방지막 및 유전층을 국부적으로 제거하며, 상기 기판의 상층부에 국부적으로 제2도전형 불순물의 고농도 도핑 영역을 형성하고, 상기 기판의 하층부에 국부적으로 제1도전형 불순물의 고농도 도핑 영역을 형성하는 단계와; 상기 제2도전형 불순물의 고농도 도핑 영역 및 상기 제1도전형 불순물의 고농도 도핑 영역의 형성 부위에 접촉하도록 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
    • 本发明涉及一种双面光接收局部发射太阳能电池及其制造方法,该双面光接收局部发射极太阳能电池形成在基板的表面和背面上, 接收区域,其中发射极和电极局部地形成在所述衬底的前表面光接收区域上,并且基底和电极局部地形成在所述衬底的后表面光接收区域上,并且包括:步骤 用于制备第一导电基底; 用于在基板的表面上形成介电层的步骤; 用于在基板的前表面上形成防反射膜的步骤; 在衬底的上层部分上局部形成用于第二导电杂质的高浓度掺杂区域,局部形成在基板的前表面和后表面上的局部去除抗反射膜和电介质层的步骤, 衬底的下层部分是用于第一导电杂质的高浓度掺杂区域; 以及形成与第二导电杂质的高浓度掺杂区域和第一导电杂质的高浓度掺杂区域形成的区域接触的电极的工序。
    • 6. 发明申请
    • 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법
    • 本地化发光太阳能电池及其制造方法
    • WO2012091253A1
    • 2012-07-05
    • PCT/KR2011/007257
    • 2011-09-30
    • 현대중공업 주식회사이준성양수미송석현정상윤안수범이경원주상민
    • 이준성양수미송석현정상윤안수범이경원주상민
    • H01L31/042H01L31/0224H01L31/18
    • H01L31/022425H01L31/068H01L31/1804Y02E10/547Y02P70/521
    • 본 발명은 기판의 수광 부위에 국부적으로 에미터 및 전극을 구비한 국부화 에미터 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 제1도전형의 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판의 표면에 유전층을 형성하는 단계와; 상기 기판의 전면에 반사방지막을 형성하는 단계와; 상기 기판의 후면에 후면전극을 형성하는 단계와; 상기 기판의 전면에 형성된 반사방지막 및 유전층을 국부적으로 제거하며, 상기 기판의 전면에 국부적으로 제2도전형 불순물의 고농도 도핑 영역을 형성하는 단계와; 상기 제2도전형 불순물의 고농도 도핑 영역의 상부에 전면전극을 형성하는 단계를 수행하여 국부화 에미터 태양전지를 제조함으로써, 광생성된 소수 운송자의 재결합율를 극소화시켜 소수 운송자의 라이프 타임을 증가시킬 수 있고, 기판의 수광면을 최대로 확보할 수 있는 전극 패턴을 형성할 수 있어 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
    • 本发明涉及局部发射太阳能电池及其制造方法,局部发射太阳能电池局部地具有在基板的光接收区域上的发射极和电极,并且包括:制备第一导电基板的步骤; 在所述基板的表面上形成电介质层的工序; 在基板的前表面上形成防反射膜的步骤; 在所述基板的背面形成背面电极的工序; 用于局部去除形成在基板的前表面上的抗反射膜和电介质层的步骤,并且在基板的正面上局部形成用于第二导电杂质的高浓度掺杂区域; 以及用于在第二导电杂质的高浓度掺杂区域的顶部形成前表面电极的步骤,能够制造局部发射极太阳能电池的步骤,其使得光生产的少数载流子的复合速率最小化并增加 并且形成能够将基板的受光面最大限度地固定的电极图案,提高太阳能电池的效率。
    • 7. 发明申请
    • 태양전지의 에미터 형성방법
    • 形成太阳能发电机的方法
    • WO2012077896A1
    • 2012-06-14
    • PCT/KR2011/007234
    • 2011-09-30
    • 현대중공업 주식회사이준성양수미송석현정상윤안수범이경원주상민
    • 이준성양수미송석현정상윤안수범이경원주상민
    • H01L31/18H01L31/042
    • H01L31/068H01L31/02363H01L31/186Y02E10/547Y02P70/521
    • 본 발명은 확산 공정 후 후속의 열처리 공정을 적용함으로써 기판 표면에 집중되어 있는 도핑 원자를 추가 확산시켜 에미터 내의 도핑 농도를 균일화하여 운송자의 재결합률을 최소화할 수 있는 태양전지의 에미터 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지의 에미터 형성방법은 제 1 도전형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 확산 공정을 통해 상기 기판의 표면 내부에 일정 깊이의 제 2 도전형의 에미터를 형성하는 단계와, 상기 확산 공정에 의해 형성된 기판 표면의 확산 부산물층을 제거하는 단계 및 상기 기판을 열처리하여 상기 에미터를 추가적으로 활성화하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 확산 공정에 의해 형성된 에미터의 도핑 농도는 100∼200Ω/□이고, 상기 열처리 후의 에미터의 면저항은 60∼120Ω/□인 것을 특징으로 한다.
    • 本发明涉及一种用于形成太阳能电池的发射极的方法,该方法通过在扩散过程之后施加随后的热处理工艺来另外扩散浓缩在衬底的表面上的掺杂原子,从而使发射体中的掺杂浓度均匀 最小化载体的重组率。 根据本发明的形成太阳能电池的发射极的方法包括以下步骤:制备第一导电类型的晶体硅衬底; 通过扩散工艺形成在衬底的表面内具有一定深度的第二导电类型的发射极; 去除通过扩散过程形成的衬底表面上的扩散副产物层; 另外通过对衬底进行热处理激活发射极,其中通过扩散过程形成的发射极的掺杂浓度为100-200O /℃,并且在进行热处理后,发射极的表面电阻为60〜 120O / ?.
    • 8. 发明申请
    • 후면전극형 태양전지의 제조방법
    • 制造背接触太阳能电池的方法
    • WO2011087341A2
    • 2011-07-21
    • PCT/KR2011/000354
    • 2011-01-18
    • 현대중공업 주식회사전민성이원재조은철이준성
    • 전민성이원재조은철이준성
    • H01L31/1804H01L31/02363H01L31/0682Y02E10/547Y02P70/521
    • 본 발명은 기판 후면부에 p+ 영역과 n+ 영역을 형성함에 있어 이온주입 공정과 열확산 공정을 접목시켜 공정 횟수를 최소화할 수 있는 후면전극형 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 후면전극형 태양전지의 제조방법은 n형의 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 전면, 후면 및 측면 상에 열확산 제어막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 후면 상에 p형 불순물 이온을 이온주입하여 p형 불순물 영역을 형성하는 단계와, 상기 기판 후면이 선택적으로 노출되도록 상기 열확산 제어막을 패터닝하는 단계 및 열확산 공정을 실시하여 노출된 기판 후면 영역에 고농도 후면전계층(n+)을 형성함과 함께 상기 기판 전면부에 저농도 전면전계층(n-)을 형성하고, 상기 p형 불순물 영역을 활성화시켜 p+ 에미터 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
    • 本发明涉及一种背接触太阳能电池的制造方法,其中离子注入工艺和热扩散工艺结合在基板的背面上形成p +区域和n +区域,从而使数量最小化 的过程。 根据本发明的背接触太阳能电池的制造方法包括以下步骤:制备n型晶体硅衬底; 在基板的前表面和背面形成热扩散控制膜; 在衬底的背面注入p型杂质离子以形成p型杂质区; 图案化热扩散控制膜,使得可以选择性地暴露衬底的背面; 并进行热扩散处理,以在基板的曝光背面区域和基板前表面区域上形成低浓度前电场层(n),形成高浓度背电场层(n +),在 激活p型杂质区以形成p +发射极区。