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1. 发明申请

WO2010002178A2 고속 패킷 억세스 시스템의 데이터 전송 장치 및 방법 审中-公开
标题翻译：用于在高速分组接入系统中传输数据的设备和方法
公开(公告)号：WO2010002178A2
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/KR2009/003553
申请日：2009-06-30
申请人： 삼성 전자 주식 회사 , 김오석 , 조병덕 , 김영기 , 조용덕 , 이재혁 , 이영용 , 김종한 , 채승완
发明人： 김오석 , 조병덕 , 김영기 , 조용덕 , 이재혁 , 이영용 , 김종한 , 채승완
IPC分类号： H04B7/26
CPC分类号： H04L47/10 , H04L47/14 , H04L47/30 , H04W28/14 , H04W52/286
摘要： 고속 패킷 억세스 시스템의 데이터 전송방법이, 단말기가 패킷버퍼의 크기를 포함하는 스케듈링 정보를 포함하는 패킷 데이터와, 단말기의 품질표시정보 및 응답정보를 각각 대응되는 업링크 채널을 통해 기지국에 전송하는 과정과, 기지국이 수신된 단말 패킷버퍼 및 기지국의 패킷버퍼를 각각 설정된 임계값과 비교하여 터보모드플래그를 결정하는 과정과, 기지국에서 전송되는 제어데이터의 오더포멧에 포함된 터보모드 플래그가 세트상태이면, 단말의 패킷데이터의 수신 및 제어데이터의 전송 동작을 중지시키고 다른 송신기에 할당된 송신전력을 패킷데이터송신기의 송신전력에 할당하여 패킷데이터의 업로드 속도를 높게하는 과정으로 이루어진다.
摘要翻译：
高速分组了的接入系统，该终端分别对应于所述分组数据包括时间表dyulring信息包括分组缓冲器，所述质量指示的信息，和所述终端的响应信息的大小的数据传输方法，和发送到经由链路信道的基站，并且在这个过程中和，命令在分组缓冲器设定的阈值相比，从基站发送到所述基站的所述控制数据的格式中，每个接收终端的分组缓冲器和基站的确定涡轮模式标志如果加速模式标志包括设置状态下，通过停止终端的分组数据的接收和控制数据的发送动作和分配在分组数据发射器的发射功率分配给其它发射机的发射功率用于提高包数据的上传速度过程。

2. 发明申请

WO2013024916A1 파장변환형 발광다이오드 칩 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：用于发光二极管的波长转换芯片及其制造方法
公开(公告)号：WO2013024916A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006015
申请日：2011-08-17
申请人： 삼성전자주식회사 , 김용태 , 이노우에토미오 , 김제원 , 쯔쯔이쯔요시 , 이종호 , 채승완
发明人： 김용태 , 이노우에토미오 , 김제원 , 쯔쯔이쯔요시 , 이종호 , 채승완
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： G02B6/0073 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 일 측면은 임시 지지판 상면의 칩배열영역에 적어도 하나의 전극이 형성된 면이 상부로 향하도록 복수의 LED 칩을 부착시키는 단계와, 상기 각 LED 칩의 전극 상에 도전성 범프를 형성하는 단계와, 상기 도전성 범프를 덮도록 상기 칩배열영역에 형광체가 함유된 수지포장부를 형성하는 단계와, 상기 형광체 함유 수지포장부의 상면에 상기 도전성 범프가 노출되도록 상기 형광체 함유 수지포장부를 연마하는 단계와, 상기 LED 칩 사이의 상기 형광체 함유 수지포장부를 절단하여 파장변환형 LED 칩을 형성하는 단계 - 여기서, 상기 파장변환형 LED 칩의 측면과 상면에는 상기 형광체 함유 수지포장부로부터 얻어진 파장변환층이 형성됨 - 와, 상기 파장변환형 LED 칩으로부터 상기 임시 지지판을 제거하는 단계를 포함하는 파장변환형 LED 칩 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供了一种用于发光二极管（LED）的波长转换芯片及其制造方法，其中该方法包括以下步骤：将多个LED芯片附接到芯片布置区域在临时支撑板的顶表面上，使得其上形成有至少一个电极的表面面向上部; 在所述LED芯片的每个电极上形成导电凸块; 在所述芯片布置区域上形成包含荧光物质的树脂封装部分以覆盖所述导电凸块; 抛光含有荧光物质的树脂封装部分，以暴露含荧光物质的树脂封装件的顶表面上的导电凸块; 在LED芯片之间切割含有荧光物质的树脂封装部分以形成用于LED的波长转换芯片（这里，从包含荧光物质的树脂封装部分获得的波长转换层形成在波长转换的侧表面和顶表面上 LED芯片）; 以及从用于LED的波长转换芯片移除临时支撑板。

3. 发明申请

WO2013022130A1 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：制造半导体发光元件和制造半导体发光元件的方法
公开(公告)号：WO2013022130A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/KR2011/005777
申请日：2011-08-09
申请人： 삼성전자주식회사 , 한재호 , 김성태 , 채승완 , 이종호 , 김제원
发明人： 한재호 , 김성태 , 채승완 , 이종호 , 김제원
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/10
CPC分类号： H01L33/005 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L33/60
摘要： 본 발명은 반도체 발광소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 기판의 상기 제1 주면 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계와, 상기 기판의 상기 제2 주면에 적어도 하나의 레이저 흡수 영역을 갖는 반사막을 형성하는 단계 및 상기 발광구조물의 상부 중 상기 레이저 흡수 영역에 대응하는 위치로부터 상기 발광구조물 및 상기 기판을 향하여 레이저를 조사하여 상기 발광구조물 및 상기 기판을 소자 단위로 스크라이빙하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及半导体发光元件的制造方法及其制造的半导体发光元件。制造半导体发光元件的方法的一个方面包括以下步骤：通过在第一主表面上依次生长第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层来形成发光结构第一主表面和第二主表面彼此相对布置的基板; 在所述第二主表面上形成具有至少一个激光吸收区域的反射膜; 并且从与发光结构的上部的激光吸收区域对应的位置向发光结构体和基板照射激光，将发光结构体和基板划分为元件部。

4. 发明申请

WO2013018941A1 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2013018941A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2011/005655
申请日：2011-08-01
申请人： 삼성전자주식회사 , 김재윤 , 황석민 , 이수열 , 채승완 , 한재호 , 이진복
发明人： 김재윤 , 황석민 , 이수열 , 채승완 , 한재호 , 이진복
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 발광 소자는, n형 반도체층 및 p형 반도체층과 이들 사이에 개재된 활성층을 구비한 발광 구조물; 상기 n형 및 p형 반도체층 중 어느 하나에 접속된 제1 전극; 및 상기 n형 및 p형 반도체층 중 다른 하나에 접속된 제2 전극을 포함한다. 상기 제1 전극은 발광 구조물 상면의 일 변 중앙에 배치된 제1 전극 패드와 이에 연결된 제1 내지 제3 가지전극을 구비하여 포크 형상을 갖는다. 상기 제2 전극은 상기 일 변에 대향하는 타 변의 양쪽 코어에 서로 분리되도록 배치된 제2 및 제3 전극 패드와 이에 연결된 제4 내지 제7 가지전극을 구비하며, 상기 제4 내지 제7 가지전극은 상기 제1 내지 제3 가지전극들 사이에 깍지긴 형태로 연장된다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：设置有n型半导体层，p型半导体和设置在其间的激活层的发光结构; 连接到n型或p型半导体层的第一电极; 以及与第一电极未连接的n型或p型半导体层连接的第二电极。第一电极设置有设置在发光结构的顶表面的一侧的中心的第一电极焊盘，并且第一至第三分支电极连接到第一电极焊盘，因此具有叉形形状。第二电极设置有在与一侧相反的另一侧的两个角上彼此分离的第二和第三电极焊盘，并且第四至第七分支电极连接到第二和第三电极焊盘，其中第四至第七电极焊盘第七分支电极延伸设置在第一至第三分支电极之间。

5. 发明申请

WO2012030185A2 반도체 발광다이오드 칩, 발광장치 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：半导体发光二极管芯片，发光装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2012030185A2
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/KR2011/006505
申请日：2011-09-01
申请人： 삼성엘이디 주식회사 , 채승완 , 김태훈 , 이수열 , 이진복 , 김진환 , 이승재 , 김보경 , 이종호
发明人： 채승완 , 김태훈 , 이수열 , 이진복 , 김진환 , 이승재 , 김보경 , 이종호
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/46 , H01L24/29 , H01L33/44 , H01L33/641 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 일 측면은, 광투과성 기판과, 상기 광투과성 기판 상면에 순차적으로 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함한 반도체 발광 다이오드와, 상기 광투과성 기판의 하면에 형성되며 소정의 굴절률을 갖는 물질로 이루어진 광학 보조층과 상기 광학 보조층의 하면에 형성된 금속 반사막을 갖는 배면 반사용 적층체와, 상기 배면 반사 적층체의 하면에 제공되며, 공융금속물질로 이루어진 접합 금속층과 상기 접합 금속층과 상기 금속 반사막 사이에서 원소간의 확산을 방지하기 위해 형성된 확산 방지막을 갖는 접합용 적층체를 포함하는 반도체 발광소자를 제공한다.
摘要翻译：
所述的半导体发光二极管，包括本发明的一个方面，所述透光性基板和第一导电型半导体层，形成在光透射性基板的上表面和有源层和第二导电型半导体层顺序地，它形成在设置具有金属反射膜的背面反射层叠体的下表面上的透光性基板的底表面上的光的辅助层，并具有预定折射率的材料制成的光学辅助层，在后反射层叠体的下表面上形成并且，共晶提供了一种半导体发光器件，包括用于具有防止膜，用于防止键合金属层和接合金属层和由金属材料制成的金属反射膜之间的所有元素之间的扩散形成的扩散粘结层压体。

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