专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2013024916A1 파장변환형 발광다이오드 칩 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：用于发光二极管的波长转换芯片及其制造方法
公开(公告)号：WO2013024916A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/KR2011/006015
申请日：2011-08-17
申请人： 삼성전자주식회사 , 김용태 , 이노우에토미오 , 김제원 , 쯔쯔이쯔요시 , 이종호 , 채승완
发明人： 김용태 , 이노우에토미오 , 김제원 , 쯔쯔이쯔요시 , 이종호 , 채승완
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： G02B6/0073 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 일 측면은 임시 지지판 상면의 칩배열영역에 적어도 하나의 전극이 형성된 면이 상부로 향하도록 복수의 LED 칩을 부착시키는 단계와, 상기 각 LED 칩의 전극 상에 도전성 범프를 형성하는 단계와, 상기 도전성 범프를 덮도록 상기 칩배열영역에 형광체가 함유된 수지포장부를 형성하는 단계와, 상기 형광체 함유 수지포장부의 상면에 상기 도전성 범프가 노출되도록 상기 형광체 함유 수지포장부를 연마하는 단계와, 상기 LED 칩 사이의 상기 형광체 함유 수지포장부를 절단하여 파장변환형 LED 칩을 형성하는 단계 - 여기서, 상기 파장변환형 LED 칩의 측면과 상면에는 상기 형광체 함유 수지포장부로부터 얻어진 파장변환층이 형성됨 - 와, 상기 파장변환형 LED 칩으로부터 상기 임시 지지판을 제거하는 단계를 포함하는 파장변환형 LED 칩 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供了一种用于发光二极管（LED）的波长转换芯片及其制造方法，其中该方法包括以下步骤：将多个LED芯片附接到芯片布置区域在临时支撑板的顶表面上，使得其上形成有至少一个电极的表面面向上部; 在所述LED芯片的每个电极上形成导电凸块; 在所述芯片布置区域上形成包含荧光物质的树脂封装部分以覆盖所述导电凸块; 抛光含有荧光物质的树脂封装部分，以暴露含荧光物质的树脂封装件的顶表面上的导电凸块; 在LED芯片之间切割含有荧光物质的树脂封装部分以形成用于LED的波长转换芯片（这里，从包含荧光物质的树脂封装部分获得的波长转换层形成在波长转换的侧表面和顶表面上 LED芯片）; 以及从用于LED的波长转换芯片移除临时支撑板。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式