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1. 发明申请

WO2009025370A1 測距装置审中-公开
标题翻译：距离测量装置
公开(公告)号：WO2009025370A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/065044
申请日：2008-08-22
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 鈴木高志 , 間瀬光人 , 水野誠一郎 , 武村光隆
发明人：鈴木高志 , 間瀬光人 , 水野誠一郎 , 武村光隆
IPC分类号： G01S17/10 , H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： G01S7/491 , H01L27/14643
摘要：　測距装置は、変調した光を対象物Ｈに照射し、対象物Ｈで反射された光の入射に応答して発生したキャリアを時分割で振り分け、振り分けられたキャリアの電荷量に基づいて、対象物Ｈまでの距離ｄを求める測距装置において、振り分けられたキャリアをそれぞれ蓄積する複数のキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂと、キャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する出力電圧ＶＯＵＴ１，ＶＯＵＴ２のいずれかが、閾値Ｖｔｈを超えたかどうかを判定する比較器ＣＯＭＰ１，ＣＯＭＰ２と、出力電圧ＶＯＵＴ１，ＶＯＵＴ２のいずれかが、閾値Ｖｔｈを超えた旨を、比較器ＣＯＭＰ１，ＣＯＭＰ２が示す場合には、それぞれのキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂの入力側端子Ｐ１，Ｐ３を、それぞれのキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂの蓄積電荷量が減少するよう、一定電位ＶＡに接続するスイッチＱａ，Ｑｂを備えている。
摘要翻译：距离测量装置将被调制的光照射到物体（H）并对由物体（H）反射的入射光进行响应，以分时地产生和分配载体，从而基于物体（H）的距离（d）对分配的运营商的费用金额。距离测量装置包括存储相应分配的载波的多个电容器（C1b，C2b）确定与存储在电容器（C1b，C2b）中的载波的各个电荷量相对应的输出电压（VOUT1，VOUT2）中的任何一个是否超过阈值（Vth）的比较器（COMP1，COMP2）以及开关（Qa，Qb），当比较器（COMP1，COMP2）提供指示以使输出电压（VOUT1，VOUT2）中的任何一个已经超过阈值（Vth）时，耦合输入侧端子（C1b，C2b）的电位（P1，P3）变为一定电位（VA），使得电容器（C1b，C2b）的存储电荷量减少。

2. 发明申请

WO2009025365A1 測距装置审中-公开
标题翻译：范围查找设备
公开(公告)号：WO2009025365A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/065033
申请日：2008-08-22
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 間瀬光人 , 鈴木高志 , 水野誠一郎 , 武村光隆
发明人：間瀬光人 , 鈴木高志 , 水野誠一郎 , 武村光隆
IPC分类号： G01S17/10 , H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/14609 , G01S17/89 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14643
摘要：　転送時において、外光の強度が高いほど、転送電圧の大きさを小さくすると、障壁高さが高くなり、より多くの電荷量のキャリアが、第１及び第２ポテンシャル井戸φ ＣＤ１、φ ＣＤ２内に残留する。単位期間は、外光の強度に依存しないで設定される。外光の強度が高いほど、多くのキャリアが残留し、最終的に読み出されるキャリアから除去される。外光が強ければ、単位期間当りの転送回数が増加し、第１及び第２ポテンシャル井戸φ ＣＤ１、φ ＣＤ２内に蓄積されるキャリアが飽和する前に、転送が行われる。外光が弱ければ、単位期間当りの転送回数が減少し、余分な転送を行わないことで、単位時間当たりの蓄積電荷量を増加させ、短い検出時間において検出精度を向上させることができる。
摘要翻译：如果转移电压的大小对于较高强度的外来光的转移时间较小，则势垒变得更高，使得较大电量的载流子留在第一和第二势阱FCD1和FCD2中。单位周期与外来光强度无关。对于较高强度的外来光，更多的载体被遗留，并从那些被最终读出的载体中消除。如果外部光强，则每单位周期的传送数量增加，以便在要存储在第一和第二势阱FCD1和FCD2中的载波饱和之前进行传送。如果外部光弱，则每单位周期的转印数量减少，不进行过量转印，从而能够提高单位时间内的电量，以提高检测时间短的检测精度。

3. 发明申请

WO2009025373A1 固体撮像装置及び距離画像測定装置审中-公开
标题翻译：固态成像装置和距离图像测量装置
公开(公告)号：WO2009025373A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/065049
申请日：2008-08-22
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 間瀬光人 , 水野誠一郎 , 武村光隆
发明人：間瀬光人 , 水野誠一郎 , 武村光隆
IPC分类号： G01S17/10 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H04N5/2352 , G01S7/4863 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14603 , H04N5/3559 , H04N5/374 , H04N5/37452
摘要：　一対の第１ゲート電極ＩＧＲ，ＩＧＬが、光感応領域ＳＡと一対の第１蓄積領域ＡＲ，ＡＬとの間のポテンシャルφ ＴＸ１，φ ＴＸ２が交互に傾斜するよう半導体基板１００上に設けられている。一対の第２ゲート電極ＩＧＲ，ＩＧＬは、第１蓄積領域ＡＲ，ＡＬと第２蓄積領域ＦＤＲ，ＦＤＬとの間にそれぞれ介在する第１ポテンシャル障壁φ ＢＧの高さを制御するよう半導体基板１００上に設けられており、光検出素子によって検出される背景光の出力が高いほどキャリアに対する第１ポテンシャル障壁φ ＢＧの高さを増加させる。
摘要翻译：在半导体衬底（100）上布置一对第一栅电极（IGR，IGL），使得感光区域（SA）和一对第一存储区域（AR，AL）之间的电位fTX1，fTX2交替倾斜。在半导体衬底（100）上布置一对第二栅电极（IGR，IGL），以便控制布置在第一累积区域（AR，AL）和第二累积区域（FDR）之间的第一势垒fBG的高度，FDL）。当由光电检测器检测到的背景光的输出增加时，载体的第一电位的势垒fBG的高度增加。

4. 发明申请

WO2009005098A1 裏面入射型測距センサ及び測距装置审中-公开
标题翻译：后表面事件型距离测量传感器和距离测量装置
公开(公告)号：WO2009005098A1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：PCT/JP2008/062005
申请日：2008-07-02
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 間瀬光人 , 鈴木高志 , 水野誠一郎 , 武村光隆
发明人：間瀬光人 , 鈴木高志 , 水野誠一郎 , 武村光隆
IPC分类号： G01S17/10 , H01L27/146 , H01L31/12
CPC分类号： H01L27/1464 , G01S7/4863 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/05001 , H01L2224/05124 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014
摘要：　裏面入射型測距センサ１の各画素Ｐ（ｍ，ｎ）からは、距離情報を有する信号ｄ’（ｍ，ｎ）として２つの電荷量（Ｑ１，Ｑ２）が出力される。各画素Ｐ（ｍ，ｎ）は微小測距センサとして対象物Ｈまでの距離に応じた信号ｄ’（ｍ，ｎ）を出力するので、対象物Ｈからの反射光を、撮像領域１Ｂに結像すれば、対象物Ｈ上の各点までの距離情報の集合体としての対象物の距離画像を得ることができる。投光用の近赤外光の入射に応答して半導体深部で発生したキャリアを、光入射面とは逆側のキャリア発生位置近傍に設けられたポテンシャル井戸に引き込めば、高速で正確な測距が可能となる。
摘要翻译：作为包含信号（d'（m，n））的距离测量信息，从背面入射型距离测量传感器（1）的每个像素（P（m，n））输出两个电荷量（Q1，Q2）。由于每个像素（P（m，n））根据到达物体（H）的距离作为无穷小距离传感器输出信号（d'（m，n）），如果来自物体（H）的反射光形成在图像拾取区域（1B）中，可以获得作为物体（H）上的每个点的距离信息的聚集的对象的距离图像。如果在靠近光入射面的背面的载体产生位置附近的电位阱中取出响应于用于投射光的近红外光的入射而在半导体的深部产生的载流子，进行高速准确的距离测量。

5. 发明申请

WO2009025369A1 測距装置审中-公开
标题翻译：距离测量装置
公开(公告)号：WO2009025369A1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：PCT/JP2008/065040
申请日：2008-08-22
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 間瀬光人 , 鈴木高志 , 水野誠一郎
发明人：間瀬光人 , 鈴木高志 , 水野誠一郎
IPC分类号： G01S17/10 , H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： G01S7/483 , H01L27/14643
摘要：　複数のキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂは、それぞれ半導体領域ＦＤ１、ＦＤ２に振り分けられたキャリアをそれぞれ蓄積している。また、判定手段としての比較器ＣＯＭＰ１，ＣＯＭＰ２及び論理積回路ＡＮＤは、キャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する値（出力電圧ＶＯＵＴ１，ＶＯＵＴ２）が、全て閾値Ｖｔｈを超えたかどうかを判定している。キャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量に対応する値（出力電圧ＶＯＵＴ１，ＶＯＵＴ２）が、全て閾値Ｖｔｈを超えた旨を、判定手段が示す場合には、減算手段としてのスイッチＳＷ１ａ，ＳＷ２ａ及び電荷引き抜き用キャパシタＣ１ａ，Ｃ２ａは、それぞれのキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂに蓄積されたキャリアの電荷量から、一定の電荷量を減じている。
摘要翻译：多个电容器（C1b，C2b）分别存储分配给半导体区域（FD1，FD2）的载波。用作确定装置的比较器（COMP1，COMP2）和逻辑积电路（AND）确定与存储在电容器（C1b，...）中的载波的各个电荷量相对应的所有值（输出电压VOUT1和VOUT2） C2b）已经超过阈值（Vth）。如果确定装置提供与存储在电容器（C1b，C2b）中的载流子的相应电荷量相对应的所有值（输出电压VOUT1和VOUT2）已经超过阈值（Vth）的指示，则用作减法装置的开关（SW1a，SW2a）和电荷吸收电容器（C1a，C2a）分别从存储在电容器（C1b，C2b）中的载流子的电荷量中减去一定的电荷量。

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