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1. 发明申请

WO2009104531A1 成膜方法审中-公开
标题翻译：电影制作方法
公开(公告)号：WO2009104531A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2009/052482
申请日：2009-02-16
申请人：株式会社アルバック , 菊池亨 , 若井雅文 , 若松貞次 , 橋本征典 , 浅利伸 , 斉藤一也
发明人：菊池亨 , 若井雅文 , 若松貞次 , 橋本征典 , 浅利伸 , 斉藤一也
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/31612 , C23C16/401 , C23C16/515 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L29/4908
摘要：　ゲート絶縁膜の電気的特性の劣化を抑えつつ、その表面被覆率を向上させる成膜方法。当該方法は、有機シラン化合物と酸化ガスとを含む混合ガスを真空槽（１１）に供給すること、高周波電力を間欠的に供給するためのパルス状高周波電力を生成すること、パルス状高周波電力を用いて混合ガスをプラズマ化することにより、基板（Ｓ）上にシリコン系絶縁膜を成膜すること、を備える。前記パルス状高周波電力は、シリコン系絶縁膜の表面被覆率の目標値を満たすデューティー比のうち最大のデューティー比で生成されている。
摘要翻译：公开了一种膜形成方法，其中栅极绝缘膜的表面覆盖度得到增强，同时降低其电特性的劣化。成膜方法包括将含有有机硅烷化合物和氧化气体的混合气体供给到真空室（11）的步骤，产生高频脉动功率以间歇地供给高频功率的步骤，以及形成通过使用高频脉动功率产生混合气体的等离子体，在基板（S）上形成硅绝缘膜。以满足硅绝缘膜的表面覆盖度的目标值的占空比的最大占空比产生高频脉动功率。

2. 发明申请

WO2009081775A1 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管制造方法和薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2009081775A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/JP2008/072685
申请日：2008-12-12
申请人：株式会社アルバック , 森村太郎 , 菊池亨 , 橋本征典 , 浅利伸 , 斎藤一也 , 中村久三
发明人：森村太郎 , 菊池亨 , 橋本征典 , 浅利伸 , 斎藤一也 , 中村久三
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/20 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02422 , H01L21/02675 , H01L27/1285 , H01L29/66765
摘要：【課題】素子間におけるトランジスタ特性のバラツキを防止して移動度を高めることができる生産性に優れた薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、ソース電極膜７１及びドレイン電極膜７２をマスクとしてアモルファスシリコン膜４のチャネル部４１に固体グリーンレーザＧＬを照射して移動度を向上させる。固体グリーンレーザの照射によってアモルファスシリコン膜のチャネル部を結晶化させるようにしているので、従来のエキシマレーザを用いる方法に比べて、レーザ発振特性を安定化させ、大型基板に対して面内に一様な出力特性でのレーザ照射が可能となり、素子間におけるチャネル部の結晶度のバラツキを防ぐことができる。また、レーザ発振器のメンテナンスサイクルが長くなるため、装置のダウンタイムコストを低減できるとともに、生産性を高めることが可能となる。
摘要翻译：公开了一种具有优异生产率的薄膜晶体管制造方法，其能够防止元件之间的晶体管特性的变化以改善迁移率和薄型晶体管。薄膜晶体管制造方法通过用源电极膜（71）和漏电极膜（72）照射具有固态绿色激光（GL）的非晶硅膜（4）的沟道部分（41）来提高迁移率）作为面具。由于通过固态绿色激光的照射使非晶硅膜的通道部分结晶，与使用准分子激光的常规方法相比，可以使激光振荡特性稳定，能够使用大尺寸基板可以防止具有面内均匀输出特性的激光，从而可以防止元件之间的通道部分的结晶度的变化。激光振荡器的维护周期延长，从而能够减少设备停机时间并提高生产率。

3. 发明申请

WO2005104239A1 薄膜トランジスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管及其生产方法
公开(公告)号：WO2005104239A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/JP2005/007808
申请日：2005-04-25
申请人：株式会社アルバック , 若松貞次 , 菊池亨 , 橋本征典 , 倉田敬臣 , 浅利伸 , 斎藤一也
发明人：若松貞次 , 菊池亨 , 橋本征典 , 倉田敬臣 , 浅利伸 , 斎藤一也
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L29/4908
摘要：　良好な生産性を確保しつつ、優れた特性と信頼性の高いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。　基板９上にソース領域１７、チャンネル領域１８、ドレイン領域１９を有する活性層１１と、ゲート電極層１６と、活性層１１とゲート電極層１６との間に形成されるゲート絶縁層１５とを有する薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁層１５を、活性層１１側に形成される第１の酸化珪素膜１２と、ゲート電極層１６側に形成される第２の酸化珪素膜１４と、第１の酸化珪素膜１２と第２酸化珪素膜１４の間に形成される窒化珪素膜１３とで形成した。
摘要翻译：具有特性优异，可靠性高，生产效率高的栅极绝缘层的薄膜晶体管得以保证，因此制造方法。所述薄膜晶体管包括形成在基板（9）上的具有源极区（17），沟道区（18）和漏极区（19）的有源层（11），栅电极层（16），以及形成在有源层（11）和栅电极层（16）之间的栅极绝缘层（15），其中，栅极绝缘层（15）由形成在有源层（11）侧，形成在栅电极层（16）侧的第二氧化硅膜（14）和形成在第一氧化硅膜（12）和第二氧化硅膜（14）之间的氮化硅膜）。

4. 发明申请

WO2005086210A1 セルフクリーニング触媒化学蒸着装置及びそのクリーニング方法审中-公开
标题翻译：自清洁催化剂化学蒸气沉积装置及其清洗方法
公开(公告)号：WO2005086210A1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/JP2005/004205
申请日：2005-03-10
申请人：株式会社アルバック , 北添牧子 , 大園修司 , 伊藤博巳 , 斎藤一也 , 浅利伸
发明人：北添牧子 , 大園修司 , 伊藤博巳 , 斎藤一也 , 浅利伸
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4405
摘要：　触媒体を２０００°C以上に加熱することなく、クリーニングガスによる触媒体の腐食劣化を抑制して、実用的なクリーニング速度及び良好なクリーニングを低コストで行うことができるセルフクリーニング触媒化学蒸着装置を提供する。　加熱用電源６及び該加熱用電源６の各端子６ａ、６ｂ間から反応容器２内の触媒体４に定電流を通電する導線５ａ、５ｂを反応容器２と電気的に絶縁した状態として、排気された反応容器２内にハロゲン元素を含有するクリーニングガスを導入して加熱用電源６からの通電によって触媒体４を加熱し、この加熱によって生成された活性種を反応容器２内に付着している付着膜と反応させて付着膜を除去する際に、加熱用電源６の導線５ｂに、定電圧電源８から適切な極性で適切な値の直流バイアス電圧を印加する。
摘要翻译：一种自清洁催化剂化学气相沉积装置，其能够通过清洁气体防止催化剂元件的腐蚀和劣化，而不将催化剂元件加热至至少2000aeC，并且实现了低成本的清洁速度和令人满意的清洁。当将含有卤素元素的清洁气体引入抽真空的反应容器（2）中以通过来自加热电源（6）的电流供应来加热催化剂元件（4）时，允许通过该加热产生的活性物质与在反应容器（2）内部的沉积膜，用于从电源的相应端子（6a，6b）之间供给恒定电流的加热电源（6）和导体（5a，5b）去除沉积膜（6）连接到与反应容器（2）保持电绝缘的反应容器（2）中的催化剂元件（4）上，对加热电源（6）的导体（5b）施加适当的直流偏置电压值）具有来自恒压电源（8）的适当极性。

5. 发明申请

WO2005093809A1 単位層ポスト処理触媒化学蒸着装置及びその成膜方法审中-公开
标题翻译：单元层析催化化学气相沉积装置及其膜形成方法
公开(公告)号：WO2005093809A1
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：PCT/JP2005/005566
申请日：2005-03-25
申请人：株式会社アルバック , 北添牧子 , 伊藤博巳 , 浅利伸 , 斎藤一也
发明人：北添牧子 , 伊藤博巳 , 浅利伸 , 斎藤一也
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02277 , C23C16/345 , C23C16/44 , C23C16/45523 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/3185
摘要：　シリコン窒化膜などの面内均一性、ステップカバレッジ及び膜質の向上を図ることができるとともに、単位層ごとに成膜後、表面処理して薄膜を形成することができる単位層ポスト処理触媒蒸着装置及び単位層ポスト処理成膜方法を提供する。　反応容器２内にシランガスとアンモニアガスを含む混合ガスを原料ガスとして矩形パルス状に導入し、触媒体８により原料ガスを接触熱分解して基板５にシリコン窒化膜を成膜する成膜工程と、アンモニアガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す一の表面処理工程と、水素ガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す他の表面処理工程とを１サイクルとして、この一サイクルの工程を繰り返して単位層ごとにポスト処理した薄膜を積層する。
摘要翻译：催化化学气相沉积装置的单元层不仅可以提高氮化硅膜等的面内均匀性，台阶覆盖率和膜质量，而且对于每个单位层，可以在膜层形成之后进行表面处理从而产生薄膜; 以及一种单位层后期成膜的方法。提供了用于层压每个单位层后处理的薄膜的方法，包括重复一个循环步骤，该步骤包括以下步骤：将形成硅烷气体的混合气体和作为原料气体的氨气以矩形脉冲的形式引入反应容器（2），并通过催化材料（8）进行原料气体的催化裂解，从而在基板（5）上叠加氮化硅膜; 使氨气与催化剂材料（8）接触并实现将氮化硅膜在基板（5）上的表面暴露于氨气的一个表面处理步骤; 和使氢气与催化剂材料（8）接触的另一表面处理步骤，并且使基板（5）上的氮化硅膜表面暴露于氢气。

6. 发明申请

WO2009001924A1 樹脂基板审中-公开
标题翻译：树脂基材
公开(公告)号：WO2009001924A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/JP2008/061726
申请日：2008-06-27
申请人：株式会社アルバック , 宇部興産株式会社 , 藤長徹志 , 高木牧子 , 橋本征典 , 浅利伸 , 大山隆治
发明人：藤長徹志 , 高木牧子 , 橋本征典 , 浅利伸 , 大山隆治
IPC分类号： B32B9/00 , C23C16/42
CPC分类号： C23C16/345 , Y10T428/269
摘要：　本発明の樹脂基板は、樹脂層と、この樹脂層の表面に表面層を有し、前記表面層は、化学気相成長法により成膜された窒化ケイ素を主成分とする層であり、前記樹脂層と前記表面層との界面において、前記表面層中の窒素濃度の最大値と樹脂層中の窒素定常濃度の差分を１００％としたときに、８０％から２０％に遷移する界面領域の厚みが２５ｎｍ以下であり、且つ前記表面層の平均表面粗さＲａが１ｎｍ以下である。この樹脂基板は、水蒸気バリア性と平坦性を兼ね備える。
摘要翻译：一种树脂基板，包括树脂层和形成在树脂层的表面上的表面层。表面层是以氮化硅为主要成分并通过化学气相生长法沉积的层。在树脂层与表层之间的界面中，当表面层中的最大氮浓度与树脂层中的稳态氮浓度之间的差为100％时，则将氮浓度其中从80％变化到20％的厚度为25nm以下。表面层的平均表面粗糙度（Ra）为1nm以下。该树脂基板将水蒸气阻隔性能与平坦度相结合。

7. 发明申请

WO2010067424A1 触媒化学気相成長装置审中-公开
标题翻译：催化剂蒸气沉积装置
公开(公告)号：WO2010067424A1
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：PCT/JP2008/072353
申请日：2008-12-09
申请人：株式会社アルバック , 大園修司 , 橋本征典 , 浅利伸
发明人：大園修司 , 橋本征典 , 浅利伸
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C18/02 , C23C8/08 , C23C16/06 , C23C16/24 , C23C16/345 , C23C16/4488 , C23C16/46
摘要：【課題】触媒線の長寿命化を図ることができる触媒化学気相成長装置を提供する。【解決手段】本発明に係る触媒化学気相成長装置１においては、触媒線６として、タンタル線の表面にそのホウ化物層が形成されたものを用いる。金属タンタルのホウ化物（ホウ化タンタル）は、金属タンタルよりも硬質であるため、このホウ化物層が表面に形成されたタンタル線を触媒線として用いることで、触媒線の熱伸びを低減し、機械的強度を向上させて、長寿命化を図ることが可能となる。また、触媒線６の通電加熱を連続通電によって行うことで、触媒線６の更なる高寿命化を図ることができる。
摘要翻译： [问题]提供能够延长催化剂丝的使用寿命的催化剂化学气相沉积装置。解决问题的手段催化剂化学气相沉积装置（1）包括催化剂丝（6），包含钽丝的催化剂丝（6）和设置在钽丝表面上的硼化钽层。金属钽（硼化钽）的硼化物比金属钽具有更大的硬度。因此，使用其表面上形成的硼化物层的钽丝作为催化剂丝可以降低催化剂丝的热膨胀，可以提高机械强度，并且可以延长使用寿命。当通过连续通电进行催化剂丝（6）的电加热时，能够进一步延长催化剂丝（6）的使用寿命。

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