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1. 发明申请

WO2005086210A1 セルフクリーニング触媒化学蒸着装置及びそのクリーニング方法审中-公开
标题翻译：自清洁催化剂化学蒸气沉积装置及其清洗方法
公开(公告)号：WO2005086210A1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/JP2005/004205
申请日：2005-03-10
申请人：株式会社アルバック , 北添牧子 , 大園修司 , 伊藤博巳 , 斎藤一也 , 浅利伸
发明人：北添牧子 , 大園修司 , 伊藤博巳 , 斎藤一也 , 浅利伸
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4405
摘要：　触媒体を２０００°C以上に加熱することなく、クリーニングガスによる触媒体の腐食劣化を抑制して、実用的なクリーニング速度及び良好なクリーニングを低コストで行うことができるセルフクリーニング触媒化学蒸着装置を提供する。　加熱用電源６及び該加熱用電源６の各端子６ａ、６ｂ間から反応容器２内の触媒体４に定電流を通電する導線５ａ、５ｂを反応容器２と電気的に絶縁した状態として、排気された反応容器２内にハロゲン元素を含有するクリーニングガスを導入して加熱用電源６からの通電によって触媒体４を加熱し、この加熱によって生成された活性種を反応容器２内に付着している付着膜と反応させて付着膜を除去する際に、加熱用電源６の導線５ｂに、定電圧電源８から適切な極性で適切な値の直流バイアス電圧を印加する。
摘要翻译：一种自清洁催化剂化学气相沉积装置，其能够通过清洁气体防止催化剂元件的腐蚀和劣化，而不将催化剂元件加热至至少2000aeC，并且实现了低成本的清洁速度和令人满意的清洁。当将含有卤素元素的清洁气体引入抽真空的反应容器（2）中以通过来自加热电源（6）的电流供应来加热催化剂元件（4）时，允许通过该加热产生的活性物质与在反应容器（2）内部的沉积膜，用于从电源的相应端子（6a，6b）之间供给恒定电流的加热电源（6）和导体（5a，5b）去除沉积膜（6）连接到与反应容器（2）保持电绝缘的反应容器（2）中的催化剂元件（4）上，对加热电源（6）的导体（5b）施加适当的直流偏置电压值）具有来自恒压电源（8）的适当极性。

2. 发明申请

WO2005093809A1 単位層ポスト処理触媒化学蒸着装置及びその成膜方法审中-公开
标题翻译：单元层析催化化学气相沉积装置及其膜形成方法
公开(公告)号：WO2005093809A1
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：PCT/JP2005/005566
申请日：2005-03-25
申请人：株式会社アルバック , 北添牧子 , 伊藤博巳 , 浅利伸 , 斎藤一也
发明人：北添牧子 , 伊藤博巳 , 浅利伸 , 斎藤一也
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02277 , C23C16/345 , C23C16/44 , C23C16/45523 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/3185
摘要：　シリコン窒化膜などの面内均一性、ステップカバレッジ及び膜質の向上を図ることができるとともに、単位層ごとに成膜後、表面処理して薄膜を形成することができる単位層ポスト処理触媒蒸着装置及び単位層ポスト処理成膜方法を提供する。　反応容器２内にシランガスとアンモニアガスを含む混合ガスを原料ガスとして矩形パルス状に導入し、触媒体８により原料ガスを接触熱分解して基板５にシリコン窒化膜を成膜する成膜工程と、アンモニアガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す一の表面処理工程と、水素ガスを触媒体８に接触させた後に基板５上のシリコン窒化膜表面に晒す他の表面処理工程とを１サイクルとして、この一サイクルの工程を繰り返して単位層ごとにポスト処理した薄膜を積層する。
摘要翻译：催化化学气相沉积装置的单元层不仅可以提高氮化硅膜等的面内均匀性，台阶覆盖率和膜质量，而且对于每个单位层，可以在膜层形成之后进行表面处理从而产生薄膜; 以及一种单位层后期成膜的方法。提供了用于层压每个单位层后处理的薄膜的方法，包括重复一个循环步骤，该步骤包括以下步骤：将形成硅烷气体的混合气体和作为原料气体的氨气以矩形脉冲的形式引入反应容器（2），并通过催化材料（8）进行原料气体的催化裂解，从而在基板（5）上叠加氮化硅膜; 使氨气与催化剂材料（8）接触并实现将氮化硅膜在基板（5）上的表面暴露于氨气的一个表面处理步骤; 和使氢气与催化剂材料（8）接触的另一表面处理步骤，并且使基板（5）上的氮化硅膜表面暴露于氢气。

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