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    • 1. 发明申请
    • 単位層ポスト処理触媒化学蒸着装置及びその成膜方法
    • 单元层析催化化学气相沉积装置及其膜形成方法
    • WO2005093809A1
    • 2005-10-06
    • PCT/JP2005/005566
    • 2005-03-25
    • 株式会社アルバック北添 牧子伊藤 博巳浅利 伸斎藤 一也
    • 北添 牧子伊藤 博巳浅利 伸斎藤 一也
    • H01L21/318
    • H01L21/02277C23C16/345C23C16/44C23C16/45523H01L21/0217H01L21/022H01L21/0228H01L21/02337H01L21/3185
    •  シリコン窒化膜などの面内均一性、ステップカバレッジ及び膜質の向上を図ることができるとともに、単位層ごとに成膜後、表面処理して薄膜を形成することができる単位層ポスト処理触媒蒸着装置及び単位層ポスト処理成膜方法を提供する。  反応容器2内にシランガスとアンモニアガスを含む混合ガスを原料ガスとして矩形パルス状に導入し、触媒体8により原料ガスを接触熱分解して基板5にシリコン窒化膜を成膜する成膜工程と、アンモニアガスを触媒体8に接触させた後に基板5上のシリコン窒化膜表面に晒す一の表面処理工程と、水素ガスを触媒体8に接触させた後に基板5上のシリコン窒化膜表面に晒す他の表面処理工程とを1サイクルとして、この一サイクルの工程を繰り返して単位層ごとにポスト処理した薄膜を積層する。
    • 催化化学气相沉积装置的单元层不仅可以提高氮化硅膜等的面内均匀性,台阶覆盖率和膜质量,而且对于每个单位层,可以在膜层形成之后进行表面处理 从而产生薄膜; 以及一种单位层后期成膜的方法。 提供了用于层压每个单位层后处理的薄膜的方法,包括重复一个循环步骤,该步骤包括以下步骤:将形成硅烷气体的混合气体和作为原料气体的氨气以矩形脉冲的形式引入 反应容器(2),并通过催化材料(8)进行原料气体的催化裂解,从而在基板(5)上叠加氮化硅膜; 使氨气与催化剂材料(8)接触并实现将氮化硅膜在基板(5)上的表面暴露于氨气的一个表面处理步骤; 和使氢气与催化剂材料(8)接触的另一表面处理步骤,并且使基板(5)上的氮化硅膜表面暴露于氢气。
    • 2. 发明申请
    • セルフクリーニング触媒化学蒸着装置及びそのクリーニング方法
    • 自清洁催化剂化学蒸气沉积装置及其清洗方法
    • WO2005086210A1
    • 2005-09-15
    • PCT/JP2005/004205
    • 2005-03-10
    • 株式会社アルバック北添 牧子大園 修司伊藤 博巳斎藤 一也浅利 伸
    • 北添 牧子大園 修司伊藤 博巳斎藤 一也浅利 伸
    • H01L21/205
    • C23C16/4405
    •  触媒体を2000°C以上に加熱することなく、クリーニングガスによる触媒体の腐食劣化を抑制して、実用的なクリーニング速度及び良好なクリーニングを低コストで行うことができるセルフクリーニング触媒化学蒸着装置を提供する。  加熱用電源6及び該加熱用電源6の各端子6a、6b間から反応容器2内の触媒体4に定電流を通電する導線5a、5bを反応容器2と電気的に絶縁した状態として、排気された反応容器2内にハロゲン元素を含有するクリーニングガスを導入して加熱用電源6からの通電によって触媒体4を加熱し、この加熱によって生成された活性種を反応容器2内に付着している付着膜と反応させて付着膜を除去する際に、加熱用電源6の導線5bに、定電圧電源8から適切な極性で適切な値の直流バイアス電圧を印加する。
    • 一种自清洁催化剂化学气相沉积装置,其能够通过清洁气体防止催化剂元件的腐蚀和劣化,而不将催化剂元件加热至至少2000aeC,并且实现了低成本的清洁速度和令人满意的清洁。 当将含有卤素元素的清洁气体引入抽真空的反应容器(2)中以通过来自加热电源(6)的电流供应来加热催化剂元件(4)时,允许通过该加热产生的活性物质与 在反应容器(2)内部的沉积膜,用于从电源的相应端子(6a,6b)之间供给恒定电流的加热电源(6)和导体(5a,5b)去除沉积膜 (6)连接到与反应容器(2)保持电绝缘的反应容器(2)中的催化剂元件(4)上,对加热电源(6)的导体(5b)施加适当的直流偏置电压值 )具有来自恒压电源(8)的适当极性。