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    • 3. 发明申请
    • 水素ガス濃度センサ及び水素ガス濃度測定装置
    • 氢气浓度传感器和测定氢气浓度的装置
    • WO2008018243A1
    • 2008-02-14
    • PCT/JP2007/062527
    • 2007-06-21
    • 株式会社アツミテック内山直樹金井友美
    • 内山直樹金井友美
    • G01N27/12
    • G01N27/12G01N33/0031G01N33/005
    •  水素ガス濃度センサは、基板と、基板上に隣接して形成された複数の水素検知膜とを有する。これらの水素検知膜は、薄膜層と薄膜層の表面に形成された触媒層とを有する。各触媒層は、水素ガスに触れると光触媒作用で各薄膜層を可逆的に水素化して電気的抵抗値を可逆的に変化させる。各薄膜層は、水素ガス濃度変化対抵抗値変化の感度と水素ガス濃度測定範囲が相違する。これにより、水素ガス濃度センサは、水素ガス濃度が低い場合には、感度が高い薄膜層により、また水素ガス濃度が高い場合には、測定範囲が広い薄膜層により、水素ガス濃度を測定する。
    • 一种氢气浓度传感器,其包括彼此相邻并形成在基底上的基极和氢气检测膜。 这些氢气检测膜各自包括在薄膜层的表面上形成的薄膜层和催化剂层。 当与氢气接触时,每个催化剂层可以基于光催化反向氢化薄膜,以可逆地改变其电阻。 这些薄膜层的电阻变化灵敏度与氢气浓度变化和氢气浓度测定范围不同。 因此,当氢气浓度低时,氢气浓度高的确定范围的薄膜层,氢气浓度传感器确定具有较高灵敏度的薄膜层的氢气浓度。
    • 4. 发明申请
    • 水素センサ
    • 氢传感器
    • WO2008149752A1
    • 2008-12-11
    • PCT/JP2008/059833
    • 2008-05-28
    • 株式会社アツミテック独立行政法人産業技術総合研究所内山直樹吉村和記
    • 内山直樹吉村和記
    • G01N31/00G01N21/77G01N31/10G01N31/22
    • G01N33/005G01N31/22
    •  水素センサ(10a,10b,10c,10d)では、基板(11)上に薄膜層(12)が形成され、薄膜層(12)上にバッファー層(13)が積層される。更に、水素ガスに触れると薄膜層(12)を水素化して薄膜層(12)の光学的反射率を変化させる触媒層(14)がバッファー層(13)上に積層される。薄膜層(12)から触媒層(14)へ拡散した成分は、バッファー層(13)から触媒層(14)に拡散した成分と結合し、触媒層(14)の酸化が防止される。その結果、薄膜層(12)の水素化の繰り返しに伴って生じる触媒層(14)等の酸化が防止され、水素センサ(10a,10b,10c,10d)の水素検出感度の低下が抑制される。  
    • 在氢传感器(10a,10b,10c,10d)中,在基板(11)上形成薄膜层(12),在薄膜层(12)上层叠缓冲层(13)。 此外,催化剂层(14)层叠在缓冲层(13)上。 当催化剂层与氢气接触并改变薄膜层(12)的光学反射率时,催化剂层使薄膜层(12)氢化。 从薄膜层(12)向催化剂层(14)扩散的成分与从缓冲层(13)扩散到催化剂层(14)的成分接合,并且防止催化剂层(14)被氧化。 结果,由于薄膜层(12)的氢化反复,催化剂层(14)等被防止氧化,氢传感器(10a,10b,10c,10d)的氢气检测灵敏度下降 )被抑制。
    • 7. 发明申请
    • 熱電モジュール及び熱電モジュールの製造方法
    • 热电模块和热电模块制造方法
    • WO2009008336A1
    • 2009-01-15
    • PCT/JP2008/062098
    • 2008-07-03
    • 株式会社アツミテック内山直樹
    • 内山直樹
    • H01L35/34H01L35/32H02N11/00
    • H01L35/32H01L35/34
    •  複数の正電極が、分離部を有する正電極連結部により正電極連結バーに連結された複合正電極と、複数の負電極が、分離部を有する負電極連結部により負電極連結バーに連結された複合負電極とが形成される。各正電極の第1端側と各負電極の第1端側とを接合して複数の熱電素子が形成される。このとき、互いに隣接する2つの熱電素子の対のそれぞれにおいて、一方の熱電素子の各正電極の第2端側に他方の熱電素子の各負電極の第2端側を接合して、熱電素子が電気的に直列に接続される。次に、正電極連結部及び負電極連結部の分離部をそれぞれ破断して、各正電極及び各負電極を正電極連結バー及び負電極連結バーからそれぞれ分離して、熱電モジュールが製造される。
    • 形成复合正极,使得多个正极通过具有分离部分的正极连接部分连接到正极连接杆,并且复合负极形成为使得多个负极连接到负极连接杆 通过具有分离部分的负极连接部分。 每个正极的第一端侧和每个负极的第一端侧接合以形成多个热电元件。 在彼此相邻的每对两个热电元件中,一个热电元件的每个正极的第二端侧和另一个热电元件的每个负极的第二端侧彼此接合,从而将热电元件电连接 系列。 接下来,分别断开正极连接部分和负极连接部分的分离部分,以将正极和每个负极分别与正极连接杆和负极连接杆分开,从而制造热电模块 。
    • 9. 发明申请
    • イオン伝導性電解質膜の検査方法及び装置
    • 用于检测导电电解质膜的方法和装置
    • WO2009008334A1
    • 2009-01-15
    • PCT/JP2008/062096
    • 2008-07-03
    • 株式会社アツミテック内山直樹
    • 内山直樹
    • G01N27/20H01M8/02H01M8/04H01M8/10
    • H01M8/1067G01N27/302H01M8/04089H01M8/04197H01M2300/0082
    •  電解質膜(10)の第1の面(10a)に検知膜(11)を接合し、水素ガスを電解質膜(10)の第2の面(10b)側に供給する。電解質膜(10)に欠陥部(10c)があると水素ガスが第1の面(10a)へと漏洩して、欠陥部(10c)近傍の検知膜(11)の電気抵抗が変化する。該変化に基づき欠陥部の有無が検査される。更に電解質膜(10)の第2の面(10b)に水素極(14)を接合し、検知膜(11)と水素極(14)との間に電気回路(17)を接続する。水素極(14)側の空間に供給した水素ガスは水素極(14)によってイオン化され、水素イオンは電解質膜(10)を透過して検知膜(11)を水素化する。水素イオンの多寡に応じて変化する検知膜(11)の電気抵抗を、複数の領域のそれぞれについて測定することで、水素イオン伝導性の均一性を検査する。
    • 检测膜(11)与电解质膜(10)的第一面(10a)接合,向电解质膜(10)的第二面(10b)侧供给氢气。 当电解质膜(10)具有缺陷部分(10c)时,氢气泄漏到第一表面(10a),导致检测膜(11)在缺陷部分(10c)附近的电阻变化。 基于电阻的变化确定缺陷部分是否存在。 此外,在电解质膜(10)的第二面(10b)上接合氢电极(14),在检测膜(11)和氢电极(14)之间连接有电路(17)。 供给到氢电极(14)侧的空间的氢气被氢电极(14)离子化。 氢离子通过电解质膜(10)并使检测膜(11)氢化。 对于多个区域中的每一个测量检测膜(11)的电阻,其根据氢离子的量而变化,以检查氢离子传导性的均匀性。